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Tema 3. Transistores de Union Bipolar BJT
Tema 3. Transistores de Union Bipolar BJT
Rev 2
TEMA 3
TRANSISTORES DE UNION
BIPOLAR (BJT)
Profesores:
Germn Villalba Madrid
Miguel A. Zamora Izquierdo
Departamento de Ingeniera de la Informacin y Comunicaciones
Universidad de Murcia
CONTENIDO
Introduccin
El transistor de unin bipolar (BJT)
Configuraciones del transistor BJT.
Definicin de los estados del transistor BJT.
Configuracin del BJT en Emisor Comn.
Circuitos de polarizacin. Rectas de carga esttica.
El BJT en conmutacin.
INTRODUCCION
BJT (Bipolar Junction Transistor)
Los transistores de unin bipolares, son dispositivos de estado slido
de tres terminales, ncleo de circuitos de conmutacin y procesado de
seal.
El transistor se ha convertido en el dispositivo ms empleado en
electrnica, a la vez que se han ido incrementando sus capacidades
de manejar potencias y frecuencias elevadas, con gran fiabilidad. (No
existe desgaste por partes mviles).
Los transistores son dispositivos activos con caractersticas altamente
no lineales.
iE
vVBE
iE = I ES e 1
iC = I ES e T 1
Definiendo como:
=
iC
iB
i
= C
1 iB
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El presente circuito permite obtener las curvas de entrada (Vbe vs. Ib)
y de salidad (Ic vs. Vce) del BJT en EC.
Se observa que la caracterstica de entrada, es similar a la del diodo.
As, tambin disminuir Vbe con la temperatura a razn de 2mV/K.
Las curvas caractersticas de salida muestran la corriente de colector
independiente de la Vce, si es mayor de 0,2 v.
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EMISOR - BASE
COLECTOR BASE
Activo - Directo
Directa
Inversa
Corte
Inversa
Inversa
Saturacin
Directa
Directa
Activo - Inverso
Inversa
Directa
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RECTA DE CARGA
=
Si
v
0
i
Si
v
0
i
=
CE
C
BE
B
interseccin de la
RC
RB
BE
BB
CE
CC
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16
17
C C
CE
VCC = RB I B + VBE = RB
CE
IC
+ VBE = ( I C )
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( RB1 + R B 2 )
RB 2 =
VBE
9I B
RB1 =
(VCC VBE )
10 I B
= cte
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RB 2
( RB1 + R B 2 )
RB1 RB 2
RB1 + RB 2
(VTH VBE )
;
(RTH + RE )
IC = I B
VCC = I C RC + VCE + I E RE
VCC I C ( RC + RE ) + VCE
VCE = VCC I C ( RC + RE )
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BE E
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EL BJT EN CONMUTACION
Los circuitos de conmutacin son aquellos en los que el paso de
bloqueo a saturacin se considera inmediato, es decir, el transistor no
permanece en la zona activa.
Los circuitos tpicos del transistor en conmutacin son los
multivibradores y la bscula de Schmitt.
Los multivibradores se aplican en los sistemas electrnicos de
temporizacin, generacin de seales cuadradas, intermitencias, etc.
Las bsculas de Schmitt tienen su principal aplicacin en sistemas de
deteccin que utilizan sensores, de forma que se comporta como un
interruptor activado por las variaciones de algn parmetro fsico
detectado por el sensor.
El transistor BJT en CORTE.
El transistor BJT en SATURACION.
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CORTE:
El BJT en corte tiene su Ib a cero amperios.
La Ic es igual a la de fugas: Iceo (del orden de nA a T=300K)
La tensin Vce es Vcc si se desprecia la cada producida por la corriente
de fugas.
El BJT se comporta como un interruptor abierto.
SATURACION:
En esta zona la Vce es aproximadamente de 0,2 voltios.
La Ic es aproximadamente igual a Vcc dividido por la suma de resistencias
en la malla de colector emisor.
Se comporta como un interruptor cerrado.
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