LOS RECEPTORES OPTICOS ESTAN CONSTITUIDOS ESE! CIALMENT POR: - FOTODETECTOR - ETAPAS DE AMPLIFICACION = FILTRO LA FIGURA SIGUIENTE MUESTRA UN ESQUEMA DEL RECEPTOR OPTICO: FIG.5.16. | PARTES BASICAS DE UN RECEPTOR OPTICO EL OBJETIVO FUNDAMENTAL EN EL DISENO DE UN RECEPTOR OPTICO ES EL DE TRABAJAR CON LA POTENCIA OPTICA MINIMA RECIBIDA EN LA ENTRADA: PARA UNA DETERMINADA RELACION SENAL A RUIDO SI SE TRATA DE UN SISTEMA ANALOGICO, Y PAR\ UNA DETERMINADA PROBABILIDAD DE ERROR SI SE TIENE UN SISTEMA DIGITAL. A CONTINUACION SE DESCRIBE, BREVEMENTE, CADA UNO DE LOS COMPONENTES BASICOS DE UN RECEPTOR OPTICO. 5.19.1 FOTODETECTOR SU FUNCION ES LA DE UN TRANSDUCTOR DE ENTRADA QUE CONVIERTE LA POTENCIA LUMINOSA INCIDENTE EN UNA SENAL ELECTRICA. DESDE EL PUNTO DE VISTA DE CIRCUITOS, EL MODELO ANALOGO AL DE UN FOTODIODO ES EL QUE SE MUESTRA EN LA FIGURA 5.17. verecroR en * DONDE: lo = FUENT. DE LA CORRIENTE G = CAPACITANCIA DE AGOTAMIENTO DE LA UNION RL = RESISTENCIA DEL CIRCUITO DE OPERACION PIG.5.17. C:RCUITO EQUIVALENTR DEL FoTODTODO3.20 TAPAS DE AMPLIFICACION ¥ FILTRADO PARA EL CASO DEL RECEPTOR OPTICO TENEHOS: ~ PREAMPLIFICADOR ES UN AMPLIFICADOR DE SEAALES DEBILES DE BAJO NIVEL PE CORRIENTE. ESTA CORRIENTE, ENTREGADA POR EL FOTODETECTOR, ENTRA AL PREAMPLIFICADOR CON UN VOLTAJE BAJO, Y DESPUES DE SER AMPLIFICADO PASA AL AMPLIFICADOR. EN LA PRACTICA VIENEN UPILIZANDOSE CONFIGURACIONES DE PREAMPLIFICACION CON CIRCUITOS DE ALTA IMPEDANCIA Y DE TRANSIMPEDANCIA, COMO MUESTRA LA FIGURA SIGUIENTE: FIG.5.18. RECEPTORES OPTICOS DE ALTA IMPEDANCIA Y DE TRANSIMPEDANCIA LA CONPIGURACION DE ALTA IMPEDANCIA PRESENTA MUY BAJO NIVEL DE RUIDO Y MEJOR SENSIBILIDAD QUE LOS RECEPTORES DE TRANSIMPEDANCIA, PERO REQUIZRE DE UNA ETAPA DE ECUALIZACION MAS COMPLEJA, Y ADEMAS UN RANCO DINAMICO (DEL ORDEN DE 20 dB) MAS LIMITADO. AMPLIFICADOR EL _AMPLIFICADOR ES DE BAJO NIVEL DE RUIDO Y ADECUA LA SENAL PARA SER ENTREGADA AL IGUALADOR. + TGUALADOR (0 ECUALTZADOR) CONSISTE DE UN FILTRO PASO ALTAS, QUE COMPENSA LA ATENUACION EN ALTAS FRECUENCIAS DE LA‘SENAL ENTREGADA POR EL FOTODETECTOR (EL CUAL A SU VEZ LA RECIBIO CON EFECTO DE INTEGRACION DE LA FIBRA OPTICA) « = PIETRO SU_FUNCION DE TRANSFERENCIA DEBE SER TAL QUE MINIMICE EL RUIDO Y LA INTERFERENCIA ENTRE SIMBOLOS.PRINCIPIOS DE FUNCIONANIENTO X% CZASIFICACTON DE LoS DETECTORES OPTIcos AL IGUAL QUE LOS EMISORES OPTICOS LOS DEPSCTORES oPTIcos ESTAN CONSTITUIDOS DE MATERIALES SEMICONDUCTORES- UNA COMBINACION ADECUADA, PARA VENCER LA ATENUACION, ES USAR POR EJEMPLO, EN FIBRAS OPTICAS DE BIOXIDO DE SILICIO (Si0,}, UN EMISOR DE LUZ DE ARSENIURO DE CALIO (GaAs) ¥ UN DETECTOR DE SILICIO (Si), © BIEN EN EL EMISOR FOSFATO DE ARSENIURO DE. GALIO INDIO (InGaAsP) Y EN EL DETECTOR FOSFATC DE INDIO (InP). SEGUN LA VENTANA QUE SE DESEE USAR. FIG.5.19. | RANGO DE LONGITUDES Dz ONDA DEL TRANSHISOR OPTICO, FIBRA OPTICA ¥ RECEPTOR OPTico COMO SE HA MENCIONADO LA FUNCION DEL FOTODETECTOR ES CONVERTIR LA SENAL LUMINOSA A LA ENTRADA DEL RECEPTOR, EN UNA SENAL EQUIVALENTE DE CORRIENTE, POR 10 CUAL ES UN CONVERTIDOR OPTICO'A ELECTRICO. 10S REQUISITOS PARA PROCESO DE DETECCION Son: ~ ALTA SENSIBILIDAD A LA ENERGIA INCIDENTE = ADECUADA VELACIDAD DE RESPUESTA, PARA EL ANCHO DE BANDA DE LA INFORMACION DE LA PORTADORA OPTICA RECIBIDA ~ MINIMO RUIDO ADICIONAL INTRODUCIDO POR EL DETECTOR ~ BAJA SUSCEPTIBILILAD A LOS CAMBIOS DE TEMPERATURA5.21.1 FUNCIONAMIENTO BASICO, DEL FOTODIODO PN CONSIDERESE LA JUNTURA "PN DE LA SIGUIENTE FIGURA DONDE Los PORTADORES SON ELECTRONES Y HUECOS LIBKES. LOS ELECTRONES FLUYEN A LA TERMINAL POSITIVA DE LA BATERIA Y LOS HUECOS A LA NEGATIVA NO QUEDANDO PORTADORES EN LA JUNTA CREANDOSE UNA REGION DE ALTA RESISTENCIA Y, POR LO TANTO, SE ELEVA LA DIFERENCIA DE POTENCIAL EN LA’ ZONA CERCANA A LA JUNTA. AL INCIDIR UN FOTON EN EL FOTODIODO, ES ABSORSIDO DANDO OCASION A QUE UN ELECTRON OBTENGA SUPICIENTE ENERGIA PARA PASAR DE LA BANDA DE VALENCIA A LA BANDA DE CONDUCTION, PRODUCIENDO UN ELECTRON LIBRE Y UN HUECO. SI ESTA CREACION OCURRE EN LA REGION DE ALTO CAMPO (LLAMADA DE "AGOTAMIENTO", DE "EMPOBRECIMIENTO" 0 "DEPLEXION") LOS PORTADORES RAPIDAMENTE SE SEPARAN Y SE DESPLAZAN A SUS RESPECTIVAS REGIONES. ESTE MOVIMIENTO PONE UN ELECTRON FLUYENDO COMO CORRIENTE EN EL CIRCUITO EXTERIOR AL DIODO. VARIOS FOTONES INSIDIENDO EN EL FOTODIODO CREAN PARES ELECTRON-HUECO. SI LA CREACION OCURRE FUERA DE LA REGION DE AGOTAMIENTO, LOS PORTADORES SE MUEVEN LENTAMENTE, A TRAVES DE LA REGION DE AGOTAMIENTO, Y MUCHOS DE PLLOS SE ‘RECOMBINAN ANTES DE ALCANZARLA, LO QUE HACE QUE EA CORRIENTE EXTERNA SEA INSIGNIFICANTE EN EL CIRCUITO. AQUELLOS PORTADORES QUE CONTINUAN FLUYENDO LENTAMENTE, AL REBASAR LA ZONA DE AGOTAMIENTO SE ACELERAN A TRAVES DE LA JUNTA, POR LAS FUBRZAS ELECTRICAS GRANDES DE LA REGION. ASI SE PRODUCE UNA CORRIENTE ELECTRICA EXTERNA I,, Y POR LO TANTO, UN VOLTAJE EN LA RESISTENCIA DE CARGA EXTERNA. SIN EMBARGO, LA CORRIENTE PRODUCIDA POR EL MOVIMIENTO DE Los PORTADORES 'SUFRE UN RETARDO CONSIDERABLE CON RESPECTO AL MOMENTO EN OCURRIO LA ABSORCION DE LOS FOTONES QUE PROVOCO LA APARICION DE LOS PORTADORES LIBRES (DEBIDO AL MOVIMIENTO LENTO INICIAL DE LOS PORTADORES ANTES DE LLEGAR A LA REGION DE AGOTAMIENTO) . LA CORRIENTE SEGUIRA FLUYENDO HASTA DESAPAREZCA EL AS DE LUZ, PERO STEMPRE ATRASADA. ENTONCES, HAY DOS CARACTERISTICAS QUE HACEN INUTTL AL FOTODTODO PN COMO EFICIENTE DETECTOR DE LA LUZ, QUE LE LLEGA DESDE LA FIBRA OPTICA, ESTAS SON: 1) ‘LA REGION DE AGOTAMIENTO ES MUY PEQUENA, COMPARADA CON EL VOLUMEN TOTAL DEL DIODO, Y MUCHOS DE LOS FOTONES ABSORVIDOS NO RESULTAN EN CORRIENTE EXTERNA PERDIENDOSE POTENCIA. BS DECIR, LA MAYORIA DE LOS PARES ELECTRON- HUECO CREADOS SE RECOMBINAN ANTES QUE CAUSEN CORRIENTE ) EXTERNA, ASI LA POTENCIA OPTICA RECIBIDA DEBE SER BASTANTE ALTA PARA GENERAR UNA CORRIENTE ELECTRICA IMPORTANTE. 2°) LA RESPUESTA LENTA DEL DISPOSITIVO PARA CREAR CORRIENTE LUEGO DE QUE FUERON RECIBIDOS 10S FOTONES, HACE LENTO AL DIODO PARA APLICACIONES DE MEDIANA A ALTA VELOCIDAD. ESTA RESPUESTA LIMITA SU OvERACION EN EL ORDEN DE KHz.LA UNION PN ESTA POLARIZADA INVERSAMENTE, COMO SE MUESTRA EN LA FIGURA SIGUIENTE, FORMANDO UNA BARRERA DE POTENCIAL Y' UNA REGION DE DIFUSION (EN LA QUE SE RECOMBINAN LOS ELECTRONES ANTES DE CREAR CORRIENTE) - 7 Potarizacion » catch exrenna INTENSIOAD “ — UES BBeerco ot == + 1 i Luz LV: i (32.5 gs 1g2°8 ise ig 8 We PIG.5.20. FOTODIODO PN 5.21.2 DISPOBITIVOS DETECTORES OPTICOB (FOTODIODOS) LOS FOTODIODOS SEMICONDUCTORES MAS USADOS SON DOS: = FOTODIODO PIN = FOTODIODO DE AVALANCHA (APD) PARA EL FOTODIODO "PIN" LA GANANCIA ES UNITARIA, MIENTRAS QUE PARA EL DE "APD" LA GANANCIA ES MAYOR A 1, TIPICAMENTE ENTRE 10 ¥ 100. A) FoTopropo PIN PARA RESOLVER LOS PROBLEMAS QUE PRESENTA EL FOTODIODO PN SE AGREGO ENTRE LA JUNTURA DE LOS SEMICONDUCTORES P Y N UN NUEVO SEMICONDUCTOR "INTRINSECO I**, PARA TRATAR DE ALARGAR LA ZONA DE LA JUNTURA Y POR LO TANTO LA REGION DE ALTO CAMPO. v#sNOTA: "INTRINBECA" (I) SIGNIFICA QUE EL MATERIAL NO BSTA DOPADO PARA PRODUCIR MATERIAL TIPO N CON ELECTRONES LIGRES, O MATERIAL TIPO P COW HUECOS. SIN EMBARGO, LA CAPA INTRINSECA ES ACTUALMENTE DOPADA POSITIVA, SIENDO ESTE DOPADO TAN LIGERO QUE EL MATERIAL SIGUE SIENDO CONSIDERADO INTRINSECO.ASI SE APROVECHA MAS LA PROPIEDAD DE ACELERACION DE Los ELECTRONES QUE SE PRODUZCAN EN ESTA ZONA, POR LA CAPTACION PROBABILISTICA DE MAS FOTONES EN ELLA. “PARA EVITAR QUE MENOS FOTONES CAIGAN EN LA REGION "P" O EN LA ZONA DE DIFUSION, ESTE SEMICONDUCTOR SE _ REDUCE SIGNIFICATIVAMENTE ‘CON RESPECTO AL TAMARO DE DEL SEMICONDUCTOR I, EVITANDOSE LO MAS POSIBLE QUE LOS ELECTRONES, DE ‘LOS PARES ELECTRON-HUECO CREADOS, SE RECOMBINEN EN ESTE LUGAR ANTES DE LLEGAR A LA ZONA DE ALTO CAMPO DE LOS FOTODIODOS. LA FIGURA SIGUIENTE MUESTRA EL DISPOSITIVO OPTO-ELECTRONICO "PIN" MAS EFICIENTE QUE EL PN. SE ENCUENTRA TAMBIEN POLARIZADO INVERSAMENTE. FIG.$.21. FOTODIODO PIN COMO VEMOS LA LU2 PUEDE SER INTRODUCIDA POR LA REGION DE DIFUSION DEL MATERIAL "P" MUY DELGADO, COMPARADO CON EL. AMANO DE LA REGION "I", © BIEN PUEDE SER INTRODUCIDA DIRECTAMENTE A LA REGION "I", EN AMBOS CASOS SE BUSCA DIMENSIONAR "I" PARA OBTENER BUENA SENSIBILIDAD, ALTA EFICIENCIA (APROVECHAR LA MAYORIA DE LA POTENCIA ‘OPTICA PARA SER CONVERTIDA EN CORRIENTE), Y RAPIDEZ DE RESPUESTA (POR UN TIEMPO CORTO DE SUBIDA). SI EL ESPESOR DE LA CAPA DE AGOTAMIENTO AUMENTA, SUBE LA SENSIBILIDAD (MAYOR POSIBILIDAD DE ABSORCION), PERO A LA VEZ SE INCREMENTA EL TIEMPO DE TRANSITO DE LOS PORTADORES DE CARGA, DISMINUYENDO LA FRECUENCIA DE OPERACION. LOS DIODOS PIN SON SIMPLES, REQUIEREN BAJO VOLTAJE EN SU POLARIZACION (10 A 15 V), Y SON CASI INDEPENDIENTES DE LA TEMPERATURA, A DIFERENCIA DE LOS APD. LA SIGUIENTE FIGUAA MUESTRA UN DIAGRAMA SIMPLE DEL FOTODIODO PIN.Intensidad de nection FIG.5.22. DIAGRAMA DE UN FOTODIODO PIN LA CD (CORRIENTE DIRECTA) Ip 0 I, QUE FLUYE SE DETECTA EN TR RES{STENCIA DE CARGA R,, "CONVIRTIENDOSE EN VOLTAJE. LA UAREACION, DE ESTA CORREENTE. RESPECTO AL VOLTAJE | DE ZOLARTZACION DE CC, LA CORRIENTE SE COMPORTA COMO SIGUE: corrlente FoTOCORRIENTE ¥1G.5.23. CARACTEKISTICA V-I DE POLARIZACEON DE UN PINCONSIDEREMOS DOS ASPECTO: a) AL AUMENTAR LA TENSION INVERSA LLEGA UN MOMENTO EN QUE SK MCORRIENTE I, SE INCREMENTA MUCHO CON | PEQUENOS Ehupios DE VOLTAJE, POR UN EFECTO AVALANCHA, SOERCANDOSE A LA TENSION DE RUPTURA, LOGRANDOSE UNA QRNANCIA DE CORRIENTE "M" COMO UNA FUNCION DE V. b) SIN LA PRESENCIA DE LUZ EL DIODO GENERA UNA *CORRTENTE DE OBSCURIDAD" PARASITA, LA CUAL PUEDE GENERAR RUIDO ASOCIADO A ESTE MECANISMO. B) FOTODIODO DE AVALANCHA (APD) EN EL FOTODIODO DE AVALANCHA SE GENERAN PARES ELECTRON= HUECO IGUAL QUE EN EL FOTODIODO PIN, PERO ESTOS SE VEN MULTIPLICADOS, DEBIDO A QUE LA REGION DE ALTO CAMPO ELECTRICO ES £0 SUFICIENTEMENTE INTENSA PARA ACELERAR LOS ELECTRONES LIBRES, LOS CUALES GENERAN NUEVOS PARES POR COLISIONES SUCESIVAS, DANDO UNA GANANCIA "a" ALEATORIA. SARA LOGRAR ESTO EL VOLTAJE DE POLARIZACION BS MUCHO MAS ALTO QUE EL QUE SE USA EN LOS FOTODIODOS PIN. LBS Pecion o¢ =! | RECION 0 TMPULSTON { AOOTAMENTO PIG.5.24. FOTODIODO DE AVALANCHA (APD) ELectRico coo EN ESTE CASO LOS PARES ELECTRON- HUECO SE GENERAN EN LA REGION DE AGOTAMIENTO FUERA DEL ALTO CAMPO, ¥ CUANDO SOM RTRATDOS A ESTA SE PRODUCEN COLISIONES QUE GENERAN LA HULTIPLICACION "AVi.LANCHA" AUTOSOSTENIDA DE PORTADORES-b.za CONCERTOS BASICOS PARA LA COMPRENSION DEL FUNCIONAKIENTO DE LOS DISPOSITIVOS FOTODETECTORES A) EFICIENCIA CUANTICA (n) ES LA RAZON DEL NUMERO DE PARES HUECO-ELECTRON GENERADOS AL NUMERO DE FOTONES INCIDENTES. B) RESPONSIVIDAD R, ES LA RAZON DE LA CORRIENTE ELECTRICA PRODUCIDA A LA POTENCIA OPTICA INCIDENTE (A/W), POR LO QUE SE CONSIDERA UNA GANANCIA. PARA UN FOTODIODO PIN LA CORRIENTE FOTOGENERADA ES: Tp = Ry Po (Al DonD 2 a Ry » ” Ro = RESPONSIVIDAD Po. = POTENCIA OPTICA INCIDENTE (W1 © = EFICIENCIA CUANTICA = CARGA DEL ELECTRON (1.6 x 10°19 (Coul) bh = CONSTANTE DE PLANK (6.62 x 10°94 (J) {= FRECUENCIA DE LA LUZ INCIDENTE EN [Ha PARA EL FOTODIODO APD, LA FOTOCORRIENTE MULTIPLICADA Ty, PUEDE EXPRESARSE: In = @ Ip OND} @ = GANANCIA MEDIA DEL FOTOMULTIPLICADOR. LA MULTIPLICACION DE AVALANCHA ES DE UNA NATURALEZA ESTADISTICA, LA CUAL DA LUGAR A UN PROCESO DE RUIDO QUE SE PUEDE CARACTERIZAR POR UN FACTOR "F™. PUESTO QUE EL FACTOR DE RUIDO "FP" ES PEQUENO, EL VALOR OPTIMO DE LA GANANCIA ES ALTO (50 A 150), LO CUAL PERMITE OBTENER RECEPTORES CON ALTA SENSIBILIDAD, Y ES POSIBLE CONTROLAR "A" PARA LA GANACIA DEL RECEPTOR.HAY COMERCIALMENTE FOTODETECTORES APD CON ANCHOS DE BANDA SUPERIORES A 1 GHz. 5 LA SIGUIENTE FIGURA MUESTRA UNA COMPARACION ENTRE LOS DIODOS PIN ¥ APD DE SILICIO. FIG.S.25. | COMPARACION ENTRE LOS DIODOS PIN ¥ APD EN CARACTERISTICAS V - I/W (RESPONSIVIDAD) ¥ CAMPO ELECTRICO