5. Ene FUENTEE Y RECEPTORES OPTICOB LOS FISICOS HAN DIVIDIDO TODA LA MATERIA EN ONDAS ¥ PARTICULAS, LA LUZ Y LOS ELECTRONES SE TRATAN COMO ONDAS Y PARTICUIAS. UNA PARTICULA DE LUZ ES LLAMADA "FOTON", EL CUAL ES UN "QUANTUM" DE ENERGIA. NO PUEDE HABER FRACCIONES DE QUANTUK, STWO SOLO ENTEROS. LA CANTIDAD DE LUZ POSEIDA POR UN FOTON DEPENDE DE SU FRECUENCI, Y SU ENERGIA SE INCREMENTA PROPORCIONALMENTE A SU FRECUENCIA. A MAS ALTA ENERGIA, MAS ALTA FRECUBNCIA. CONTENTDA POR UW FOTON ESt DoxoE: Ew ENERGIA IM f= FRECUENCIA a) n= CONSTANTEDE PLANCK (6.6 « 10% EL FOTON ES UNA PARTICULA QUE SI NO ESTA EN MOVIMIENTO XO EXISTE. BAJO ESTE CONCEPTO ES UN PAQUETE DE ENERGIA QUE ACTUA SEMBIANTE A UNA PARTICULA. LA LUZ SE TRATA COMO PARTICULA U ONDA EN FIBRAS OPTICAS, ¥ PODEMOS CANBIAR ENTRE LAS DOS DESCRIPCIONES, DEPENDIENDO DE IA NECESIDAD. POR EJEMPLO, MUCHAS CARACTERISTICAS DE LAS FIBRAS OPTICAS VARIAN CON LA LONGITUD DE ONDA, ASI LA DESCRTPCION COMO ONDA SE USA. DE OTRA FORMA: LA EMISION DE LWU2 POR UNA FUENTE 0 LA ABSORCION POR UN DETECTOR ES TRATADA POR LA TEORIA DE LAS PARTICULAS. LA DESCRIPCION DE UN DETECTOR HABLA OB LOS FOTONES DE Luz QUE ESTAN STENDO ABSORBIDOS POR ESTE. ESTA ABSORCION PROPORCIONA LA ENERGIA REQUERIDA PARA PONER LOS ELECTRONES PLUYENDO COMO CORRIENTE. EN CAMBIO CUANDO HABLAMOS DE UN EMISOR DE LUZ, ESTE OPERA PORQUE LOS ELECTRONES DAN ENERGIA ‘A LOS FOTONES. LA ENERGIA EXACTA DEL FOTON DETERMINA LA LONGITUD DE ONDA DE LA LUZ EMITTDA. FOTOEMISORES PARA COMUKICACIONES POR PIBRA OPTICA "EN LOS SISTEMAS DE TELECOMUNICACIONES POR FIBRA OPTICA, EL ELEMENTO PRINCIPAL DEL TRANSMISOR ES LA FUENTE ELECTIO- OPTICO, ESTE ES UN DIODO SEMICONDUCTOR DE GaAs (ARSENIURO DE GALIO)| 0 DE AlGaAs (ARSENIURO DE GALIO ADULTERADO CON ALUMINTO), CUYA LONGITUD DE ONDA DE ENISION SE ENCUENTRA EN EL RANGO DE 0.8 A 0.9 um. (VER LA FIGURA 5.1.)52 33 LoS REQUISTTOS QUE DEBEN CUMPLIR LOS ENISORES DE LUZ SON: = COMPATTBILIOAD DE DIMENSTONES CON LAS FIBRAS OPTICAS ~ ALTA EPICEENCIA DE CONVERSION DE LA POTENCIA ELECTRICA EN LA ENTRADA A LA POTENCIA OPTICA ACOPLADA EN LA PIBRA = FACILIDAD DE MODULACION = costo REDUCTDO ‘TIP08 DE FUENTES = DIODO EMISOR DE LUZ (LED) = DIODO LASER DE INYECCTON (ILD) LOS LASERES (LIGHT AMPLIFICATION BY THE STIMULATED EMISSION OF RADIATION) Y LED'S USAN ELEMENTOS DE LA TABLA PERIODIC DE LOS GRUPOS III Y V. ESTOS ELEMENTOS TIENEN 3 Y 5 ELECTRONES EN SUS BANDAS DE VALENCIA, RESPECTIVAMENTE. PARA CREAR UN MATERIAL TIPO *N*, COMBINAMOS MATERIALES DZL GRUPO V EN MAS PROPORCION QUE’ ATOMOS DEL GRUPO III. LA ESTRUCTURA TIENE ASI ELECTRONES LIBRES DISPONIBLES cov PORTADORES. SIMILARMENT2, UNA ESTRUCTURA TIPO "P" TENE MAS ‘ATOMOS DEL GRUPO ITI QUE DEL GRUPO V, RESULTANDO EN AGUTEROS DISPONIBLES COO PORTADORES. LOS ATOMOS DE GALIO TIENEN 3 ELECTRONES UN LA VALENCIA; 10S ATOMOS DEL ARSENICO TIENEN 5 ELECTRONES EN LA VALENCIA. EL ARSENIURO DE GALIO TENE UNA ESTRUCTURA Y BANDA INTERMEDIA ENTRE LAS BANDAS DE CONDUCCION Y VALENCIA TAL QUE LA RECOMBINACION DE PORTADORES RESULTA EN LA EMISION DE LUZ. NPP, ES UNA UNION SEMICONDUCTORA CON UNA CAPA DE MATERIAL ¥ YY DOS CAPAS DE MATERIAL P (GENERALMENTE LA CAPA INTERNEDIA ES MAS DFLGADA QUE LA OTRA CAPA P). EL ELENENTO CON EXCESO DE ELECTKONES NECATIVOS SE DENOTA CON LA LETRA "N* Y EL ELENENTO QUE ES CONSIDERADO POSITIV CON LA LETRA "P®. BANDAS DE BHERGIA LAS BANDAS DE ENERGIA DE INTERES PARA ENTENDER LAS FUENTES ¥ DETECTORES SON : LA DE CONDUCCION ¥ DE VALENCTA.54 5.5 5.6 EXISION ESPONTANEA Y ESTIMULADA EN LA EMISION ESPONTANEA UN ELECTRON SE MUEVE ALEATORIAMENTS. AUN NIVEL MAS BAJO DE ENERGIA. EL LED TRABAJA POR EMISTON ESPONTANEA. EN LA EMISION ESTIMULADA UN FOTON DE LUZ CAUSA, © ESTIMULA, A UN ELECTRON A CAMBIAR DE NIVEL DE ENERGIA. EL, LASER OPERA BAJO ESTE PRINCIPIO DE EMISTON ESTIMULADA. EN LA EMISION ESPONTANEA, CUANDO UNA UNION SEMICONDUCTORA Px ES POLARIZADA DIRECTAMENTE, SE REALIZA UN PROCESO DE RECOMBINACION ELECTRON-HUECO. EL EXCESO DE ENERGIA SE LIBERA EN FORMA RADIOACTIVA, EMITIENDO UN FOTON. EN CASO DE NO EMITIRSE RADIACION, SE TRANSFORMA EN CALOR. EL MATERIAL SEMICONDUCTOR UTILI2ADO ES GaAs Y LOS NIVELES DE CONTAMINACTON SE ESCOGEN DE TAL MANERA QUE EL TIEMPO DE VIDA DE LOS PORTADORES EN LA UNION SEA PEQUENO. ESTO ASEGURA QUE IA DENSIDAD DE PORTADORES ¥ POR LO TANTO LA SALIDA DE LA LUZ EMITIDA, RESPONDERA RAPIDAMENTE A LAS VARIACIONES DE CORRIENTE INYECTADA. DE ESTA MANERA LA SALIDA DE LA LUZ DEL DISPOSITIVO PUEDE SER MODULADA SIMPLEMENTE VARTANDO LA DENSIDAD DE LA CORRIENTE EPICIENCIA CUANTICA ES LA RAZON DEL NUMERO DE FOTONES BATTIDOS AL NUMERO DE PARES HUECO-ELECTRON INYECTADOS. RADIANZA (PATRON DE RADIACION DZ LU3) LA RADIANZA ES LA FOTENCIA RADIANT2 ELECTROMAGNETICA POR UNIDAD DE ANGULO SOLID Y UNIDAD DE SUPERFICIE, NORMAL A LA DIRECCION CONSIDERADA,, LA UNIDAD DE MEDIDA ESTA DADA EN (#/Seem?], VER LA NOTA*®, PARA INCREMENTAR LA POTENCIA OPTICA ACOPLADA A LA FIBRA OPTICA, ES NECESARTO AUMENTAR LA RADIANZA DEL DIODO EMISOR DE LUZ. ESTO SE LOGRA, CREANDO UN AREA DE EMISION MUY PEQUENA, CONPINANDO LA CORRTENTE. A UNA COLUMNA ESTRECHA BAJO EL NUCLEO DE LA FIBRA POR MEDIO DE UNA CAPA DE OXIDO ¥ ADEMAS FORMANDO DISPOSITIVOS DE DOBLE HETEROUNION. VER LA FIGURA 5.1. ‘sNOTA: STERAD O ESTEREORRADIANES (Sr) ES 1A UNIDAD DE ANGULO SOLIDO. LA PARTE DZ LA SUPERFICIE DE UNA ESFERA UNITARIA (RADIO = 1), QUE ES ENCERRADA POR BL ANGULO SOLID SE USA COMO UNA MEDIDA DEL ANGULO SOLOO EN ESTEREORRADIRNES, St: an eas} 2n (St) 1/8 ESFERA: 9/2 (Se]DOBLE HETEROUNION EL OBJETIVO ES CONFINAR LA LUZ, DEBIDO A LA DIFERENCIA DE INDICES DE REFRACCION ENTRE LAS CAPAS NPP Y CONFINAR TAMBIEN LA REGION DE TRANSITO DE LOS PORTADORES INYECTADOS A UNA REGION MUY ANGOSTA. DIODO ENISOR DE LUZ (LED) EXISTEN DOS TIPOS DE DIODOS DE ALTA RADIACION BASICOS: - DIODOS DE EMISION POR SUPERFICIE ("BURRUS" EN HONOR A SUS CREADORES BURRUS Y DAWSON, VER LA FIGURA 5.1.) = DIODO EMISOR LATERAL 0 DE ESQUINA © DE BORDE. CON UN LED DE EMISION LATERAL SE OBTIENE UN CONO DE RADIACION MAS ESTRECHO Y MENOR PERDIDA DE INSERCION, COMPARADO CON EL LED DE EMISION POR LA SUPERFICIE. LOS LED'S SE PUEDEN USAR CON MODULACION ANALOGICA DEBIDO A sU CARACTERISTICA PRACTICAMENTE LINEAL. LOS LED SE UTILIZAN EN VELOCIDADES DE TRANSMISION BAJAS Y/O ENLACES CORTOS, CON B, MENOR A 50 {Mbps+Kn]}. AUNQUE EN MUCHOS ASPECTOS EL LED TIENE UN COMPORTAMIENTO INFERIOR AL DEL DIODO LASER, SU DEPENDENCIA DE LA TEMPERATURA ES MUCHO MENOR, Y SOBRE UN RANGO DE TEMPERATURAS DE 100 °K SU POTENCIA DE SALIDA CAERIA EN UN FACTOR MENOR QUE 2. EN CONSECUENCIA NO SE NECESITA NINGUNA O MUY POCA ESTABILIZACION DE TEMPERATURA. MAS AUN, LOS LED'S TIENEN LARGA VIDA, Y SON MAS BARATOS QUE LOS ILD'S. LOS MATERIALES USADOS EN EL LED INFLUYEN EN LA LONGITUD DE ONDA EMITIDA. LOS LED'S DE 820 A 850 nm SON DE GaAlAs USUALMENTE. LOS DISPOSITIVOS DE ALTA LONGITUD DE ONDA PARA USO A 1300 nm SON HECHOS DE InGaAsP (FOSFATO DE ARSENIURO DE GALIO INDIO) Y OTRAS COMBINACIONES DE ELEMENTOS DEL GRUPO III ¥ GRUPO Vv. DIODO EMISOR DE SUPERFICIE SON DIODOS DE ESTRUCTURA DE UNA HETEROUNION. CON LA HETEROJUNTURA SE LOGRAN CONFINAR LOS PORTADORES AL AREA ACTIVA DEL CHIP. LA HETEROJUNTURA ES UNA UNION PX FORMADA CON MATERIALES QUE TIENEN SIMILAR ESTRUCTURA CRISTALINA PERO \DIFERENTES NIVELES DE ENERGIA £ INDICES DE REFRACCION. LAS DIFERENCIAS CONFINAN LOS PORTADORES Y PROPORCIONAN UNA SALIDA MAS DIRECCIONAL DE LA LUZ. LA DIFERENCIA DE INDICE DE REFRACCION, POR EJEMPLO, PUEDE SER USADA PARA CONFINAR Y GUIAR LA LUZ DE LA MISMA MANERA QUE ELLA ES CONFINADA O GUIADA POR LA FIBRA OPTICA. EL RESULTADO ES LA ALTA RADIANCIA DE SALIDA.EL TIPO LED BURRUS LOGRA ALTA RADIACION EN UNA PEQUENA AREA DE LA SUPERFICIE DEL SEMICONDUCTOR TIPO P. LA LUZ SE EXTRAE POR MEDIO DE UN SUBSTRATO N CONVENIENTEMENTE ACABADO PARA EVITAR LA ABSORCION DE LA LUZ POR EL SUBSTRATO. DEBIDO AL ELEVADO INDICE DE REFRACCION DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR, LA LUZ SE RADIA DENTRO DE UN CONO CON UN SEMIANGULO DE 16° SOBRE LA NORMAL DE LA UNION PN. LA ESTRUCTURA DE ESTE DIODO SE MUESTRA EN LA FIGURA 5.1. EN ESTE DISENO SE TIENE UN AREA DE EMISION RELATIVAMENTE PEQUENA (15 A 100 ym DE DIAMETRO) SUMERGIDA EN UNA GRAN CANTIDAD DE MATERIAL SEMICONDUCTOR. ESTO AYUDA A DISIPAR EL CALOR DE MANERA EFICIENTE. LA SEPARACION DE LA UNION SEMICONDUCTORA (N), RESPECTO A LA SUPERFICIF EMISORA (P), SE HACE MUY ANGOSTA PARA MINIMIZAR LAS PERDIDAS POR ABSORCION. RESINA EPOKICA CHPA ACTIVA CAPA VENTANA A CAPA DE CONTACTO 152100 ue Capa de Confinacian PATRON ‘de Portadores De EMI SiON METAL FIG.5.1. LED TIPO BURRUS (EMISION POR SUPERFICIE)10 DIODO EMISOR LATERAL (BLED) EL LED DE EMISION LATERAL USA UNA AREA ACTIVA QUE TIENE GEOMETRIA DE CINTA. DEBIDO A QUE LAS CAPAS DE ABAJO Y ARRIBA DE LA CINTA TIENEN DIFERENTE INDICE DE REFRACCION, LOS PORTADORES SON CONFINADOS POR EL EFECTO DE GUIA DE ONDA PRODUCIDO. (EL EFECTO DE GUIA DE ONDA ES EL MISMO FENOMENO QUE CONFINA Y GUIA LA LUZ EN EL NUCLEO DE LA FIBRA OPTICA). EL ANCHO DEL AREA DE EMISION ES CONTROLADO POR EL BIOXIDO DE SILICIO DE AISLAMIENTO Y EL METAL DEPOSITADO EN LA ABERTURA. LA CORRIENTE A TRAVES DEL AREA’ ACTIVA ESTA RESTRINGIDA AL AREA ABAJO DE LA CINTA DE METAL. EL RESULTADO ES UNA SALIDA DE ALTA RADIANCIA ELIPTICA (SEMIDIRECCIONAL) . EL ELED EMPLEA LA DOBLE HETEROUNION SEMICONDUCTORA, PARA CONFINAR LOS PORTADORES Y LOS FOTONES EN UNA CAPA ACTIVA MUY ANGOSTA DEL ORDEN DE 500 ALGUNOS DISPOSITIVOS UTILIZAN UN ESPEJO EN’ UNA CARA Y UNA CUBIERTA ANTIREFLEJANTE EN LA OTRA, CON EL OBJETO DE AUMENTAR LA EFICIENCIA DE EMISION. LA RADIANZA DE UN ELED ES VARIAS VECES MAYOR QUE EL DEL DIODO EMISOR DE SUPERFICIE, PERO LO COMPLICADO DE SU GEOMETRIA HACE MAS DIFICIL LA DISIPACION DE CALOR. AREA DE EHISION DE LUZ SustRATO n 4—Gaas arson5.11 CARACTERISTICAS DE LOS LED'S 5.11.1 SALIDA ESPECTRAL (ANCHO ESPECTRAL) EL ANCHO ESPECTRAL DE LA SALIDA DE UN LED, A TEMPERATURA AMBIENTE EN LA REGION DE 0.8- 0.9 ym ES GENERALMENTE DE 350 A 650 A (35 A 65 nm.) EN LOS PUNTOS DE 3 GB (FIGURA 5.3.) | RELACION DIE CORRIENTES PIG.5.3. | BSPECTRO DE RADIACION DE UK LED ALREDEDOR DE @20 nm LA CARACTERISTICA DE TRANSFERENCIA DE UN LED ES LINEAL: 2 CORRIENTE DE EXCITACION (mA) CARACTERISTICA DE TRASFERENCIA DE UN LED (LINEAL)EFICIENCIA ¥ ANCHO DE BANDA DE KODULACION LA RELACION ENTRE LA POTENCIA OPTICA DE SALIDA DE UN LED ¥ LA FRECUENCIA DE MODULACION ESTA DADA POR LA SIGUIENTE RELACION DE EFICIENCIA: P(o) i ea Lt (wer)? Y LA EFICIENCIA ES: Pw) as —— Po) DONDE: lw] = POTENCIA OPTICA DE SALIDA Po) = POTENCIA DE CORRIENTE ELECTRICA DE SALIDA ‘w_ = FRECUENCIA DE MODULACION 1 = TIEMPO DE VIDA DE LOS PORTADORES INVECTADOS EN UA REGION DE RECONFINAMIENTO. DEBE TENERSE EN CUENTA QUE LA CAPACITANCIA PARASITA DEL DIODO (10 A 20 (pF]) INTRODUCE UN RETARDO ENTRE LA SENAL DE EXCITACION Y¥ LA RESPUESTA DE LA UNION EMISORA. EL ANCHO DE: BANDA DE MODULACION SE DA EN TERMINOS ELECTRICOS, ES DECIR, EL ANCHO DE BANDA DE -3 dB RESPECTO A LA POTENCIA ELECTRICA DETECTADA MAXIMA. (EL ANCHO DE BANDA OPTICO ES MAYOR EN 3 4B QUE EL ANCHO DE BANDA ELECTRICO). LA SIGUIENTE FIGURA MUESTRA COMO ES POSIBLE ACOPLAR EL PATRON DE RADIACION DE LUZ DEL LED CON EL CONO DE ACEPTACION DE LUZ DE UNA FIBRA OPTICA. FIgRA OPTICA 0 OF tS wocTiMo00 exIsioN oR SUPERFICIE tentes FIG.5.5. | ARREGLO DZ ACOPLAMIZNTO POR MEDIO DE LENTE ENTRE UN LED Y UNA PIBRA OPTICADIODO LASER DE INYECCION (ILD) EL FENOMENO BASICO PARA LA EMISION DE LUZ LASER ES ‘LA EMISION ESTIMULADA. ESTO SE LOGRA POR MEDIO DE LA INVERSION DE POBLACIONES DE PORTADORES. EL NIVEL SUPERIOR DE DOS NIVELES ELECTRONICOS (SEPARADOS UNA ENERGIA E = E, - E,) TIENE UNA PROBABILIDAD MAS ALTA DE SER OCUPADA POR UN ELECTRON, QUE EL NIVEL INFERIOR Y LA PROBABILIDAD QUE UN FOTON (CON ENERGIA E = h:f) INDUZCA UNA TRANSICION ELECTRONICA HACIA ABAJO, EXCEDERA A LA PROBABILIDAD DE ESTA TRANSICION. LA LONGITUD DE ONDA DE LA ENERGIA ES IGUAL ne ae Dono! E = ENERGIA (W) h CONSTANTE DE PLANCK (6.6 « 10-9 [J:s}] © = VELOCIDAD DE LA LUZ (300,000 IKm/s}) E = Ey - Ep, ENERGIA REQUERIDA (DE LA DIFERENCIA ENTRE LOS NIVELES DE ENERGIA ELA BANDA DE VALENCIA Y DE CONDUCCION) POR AUMENTAR LA DENSIDAD OPTICA EN LA REGION DONDE SE PRODUCE UN EFECTO LASER, SE INTRODUCE UNA RETROALIMENTACION MEDIANTE DOS ESPEJOS PLANOS Y PARALELOS, FORMANDOSE DE ZSTA MANERA UNA CAVIDAD LLAMADA "INTERFEROMETRO FABRY-PEROT". UXO DE LOS ESPEJOS SE HACE TOTALMENTE REFLEJANTE Y EL OTRO SOLO PARCIALMENTE (FIGURA 5.6.) ES A TRAVES DE ESTE ULTIMO POR EL CUAL SE OBTIENE LA SALIDA DE POTENCIA OPTICA. we PTR | AA HURRAY + } eee teen Be rovowes Rertecror PARCIAL PIG.5.6. PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL DIODO LASER DE INYECCZON 0 SEMICONDUCTORLA PRINCIPAL DIFERENCIA ENTRE UN LED ¥ UN LASER ES LA CAVIDAD OPTICA ESPECIAL DEL LASER, REQUERIDA PARA SU AMPLIFICACION POR EMISION ESTIMULADA DE RADIACION. : ESTA CAVIDAD (FABRY-PEROT) ES HECHA CON GEOMETRIA DE CINTA, FORMANDO ENTRE DOS CAPAS COMBINADAS DE MATERIALES N Y P, DE DETERMINADO ESPESOR, UNA GUIA DE ONDA RECTANGULAR. SU TERMINADO INTERIOR ES LIGERAMENTE ONDULADO EN SUS SUPERFICIES LARGAS, LO CUAL INFLUYE EN LA LONGITUD DE ONDA PARA LA CUAL EL LASER ES DISENADO. ADEMAS, TODAS ESTAS SUPERFICIES SON PARALELAS Y REFLEXIVAS. LAS DOS SUPERFICIES LATERALES INTERNAS TIENEN ACABADO "ESPEJO", UNA REFLEJANTE TOTALMENTE Y LA OTRA REFLEJANTE PARCIALMENTE. LA DOBLE HETEROUNION 0 DOBLE HETEROESTRUCTURA (DH) QUE SE EMPLEA EN LA CONSTRUCCION DEL DIODO LASER, JUEGA UN PAPEL MUY IMPORTANTE PARA MANEJAR EL DIODO CON BAJAS CORRIENTES, LAS CUALES SON SUFICIENTES PARA REALIZAR EL EFECTO LASERICO CONTINUO, A TEMPERATURA AMBIENTE, CON TIEMPO DE VIDA LARGO. YIG.5.7. | LASER SEKICONDUCTOR COMO SE VE EN LA FIGURA, LOS LASERES A MENUDO VIENEN ENCAPSULADOS JUNTO CON OTROS MODULOS, COMO: EL ENFRIADOR TPERMOELECTRICO, EL DISIPADOR DE CALOR, UN FOTODIODO MONITOR, Y UN PIGTAIL. EL ENFRIADOR ES UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE ENFRIA EN RESPUESTA A LA CORRIENTE EXCITADORA, AYUDANDO A ENFRTAR LOS MODULOS, JUNTO CON EL DISIPADOR DE CALOR. EL FOTODIODO MONITOREA LA POTENCIA OPTICA DE SALIDA DEL LASER, MANDANDO A MODIFICAR LA CORRIENTE, SI ES NECESARIO, PARA MANTENER “A POTENCIA DE SALIDA CONSTANTE.$5.14 CARACTERISTICAS DEL DIODO LASER 5.14.1 SALIDA ESPECTRAL (ANCHO ESPECTRAL) EL ANCHO DE BANDA ESPECTRAL DE UN DIODO LASER SEMICONDUCTOR ES GENERALMENTE MENOR A 20 A (2 nm.). ESTA CARACTERISTICA PERMITE QUE EL LASER SEA EMPLEADO PARA COMUNICACION EY ENLACES LARGOS. VER QUE ES MENOR A LA DE LOS LED POR TRES VECES (COMPARAR CON LA PIG.5.3). i009 User POTENCIA OPTICA RELATIVA 1546 "1546 "1550. 1550 1588 {ONCITUE BE BHA. (an) FIG.5.8. ESPECTRO DE RADIACION DE UN LASER ALREDEDOR DE 1550 nm 5.14.2 CORRIENTE DE UMBRAL DEBAJO DE UN CIERTO NIVEL DE CORRIENTE, LA SALIDA OPTICA DEL LASER SE COMPORTA COMO LA DE UN LED. ARRIBA DEL UMBRAL EL LASER TIENE UNA SALIDA OPTICA QUE S# INCREMENTA CON CUALQUIER CAMBIO PEQUENISIMO DE CORRIENTE. se FIG.5.9. | CARACTERISTICA DE TRASFERENCIA DE UN LASER Al,Ga,_,A3 DE GEOMETRIA DE CINTA (NO LINEAL) 80 755.15 DIPERENCIAS DEL LASER CON LAS CARACTERISTICAS DE CORRIENTE ¥ BALIDA OPTICA A) CORRIMIENTO DEL MIVEL DE CORRIZNTS DE UMBRAL COM LA TEMPERATURA.- LOS NIVELES DEL UMBRAL CON LA TEMPERATURA CAMBIAN TIPICAMENTE EN 0.5 mA /*C, COMO SE OBSERVA EN LA FIGURA 5.10. POTENCIAL DE SALIDA mw t NIVEL, DEL. CORRIENTE mA FIG.5.10, CORRIMIENTO DEL NIVEL DE CORRIENTE DE UMBRAL CON LA TEMPERATURA B) FALTA DE LINEALIDAD.- LA SALIDA DE LA LUZ VARIA LINEALMENTE HASTA UN VALOR EN EL CUAL OCURRE UN QUIEBRE EN LA CURVA CARACTERISTICA. EN MUCHOS DE LOS CASOS ESTO SE DEBE A LA APARICION DE UN SEGUNDO MODO TRANSVERSAL. C) EFICIENCIA Y ANCHO DE BANDA DE KODULACION. MODULACION ANALOGICA.- LA MODULACION ANALOGICA DE BANDA BASE DE LOS DIODOS LASER, ES POSIBLE EN VARIOS CIENTOS DE Miz, HASTA UN PUNTO EN EL QUE OCURRE UNA ELEVADA RESONANCIA DEBIDO A LA FUERTE INTERACCION ENTRE LA INVERSION DE POBLACION Y LOS FOTONES EN LA CAVIDAD OPTICA. LA FRECUENCIA RESONANTE w, ESTA DADA POR: 1 I ‘ TeTp Ten =o DONDE: r,_ = TIEMPO DE VIDA DE RECOMBINACION ESPONTANEA. DEL ELECTRON {1 Ins} rp TIEMPO DE VIDA DEL FOTON (1-10 Ips!) 1 = CORRIENTE DE EXCITACIGN ly = CORRIENTE DE UMBRALD) WODULACION DIGITAL PUEDE REALIZARSE A VELOCIDADES HUY ALTAS DEL OREN DE 565. Mbits/seg, PERO. EXISTEN PROBLEMAS SIGNIFICATIVOS, EL RETRASO EN TIEMPO ENTRE LOS PULSOS DE LUZ ¥ CORRIENTE (ry), QUE ESTA DADO POR: I ta =, NA I-Ten SU VALOR TIPICO ES DE UNOS CUANTOS NANOSEGUNDOS (FIGURA 5.11.) TAMBIEN SE TIENE UNA OSCILACION AMORTIGUADA. ESTE COMPORTAMIENTO ES LLAMADO OSCILACION POR RELAJACION Y ES PRODUCIDO POR INTERACCIONES ENTRE LOS PORTADORES Y LOS FOTONES (VALOR TIPICO DE 100 [MHz]). + tempo PULSO DE CORRIENTE PULSO DE POTENCIA OPTICA ! ' i FIG.S.11, | RESPUESTA ESCALON DE UN LASER DE GEOMETRIA DE CINTA CARACTERISTICAS DE ACOPLAMIENTO PARA LOS BMISORES LED ¥ LASER LA POTENCIA OPTICA ACOPLADA A LA FIBRA DESDE UNA FUENTE ESTA DADA POR: Py = Ry Ag & = Ry Ag(MNA)? Mac = NAP DONDE: Oye EFICIENCIA DE ACOPLAMIENTO (FIGURA 5.12.) P, "= POTENCIA ACOPLADA A LA FIBRA OPTICA Ky = RADIANZA DE LAFUENTE 4° = ANGULO DE ACEPTANCIA DE LA FIBRA NA = APERTURA NUMERICA ‘A, = AREA DE LA FUENTE 0 DEL NUCLEO DE LA FISRA (CLALQUIERA QUE SEA MAS PEQUERA).5.37 CASI TODA LA LUZ EMITIDA POR LOS LASERES DE INYECCION PUEDE ACOPLARSE DENTRO DE LA FIBRA. INYECCION __ ewison LATERAL FEMISOR DE SUPERFICE cereus DE SUPERFICIE APERTURA MUMERICA oz 03 4 Panarignas DE SSS [48s Z5ceg MOE ESCALONADO por acoplamiento 4 FIG.S.12. EPICIENCIA DE ACOPLAMIZNTO ENTRE LA FUENTE Y LA FIBRA OPTICA, COMO UNA FUNCION DE NA, PARA PIBRAS DE GRAN NA COMPARACION DE LOS DISPOSITIVOS EMISORES EL TIEMPO DE VIDA UTIL ESTIMADA PARA LOS DIODOS LED ES DE 108 A 108 HORAS (11 A 100 ANOS PARA LOS FABRICADOS CON AlGaAs), Y PARA EL LASER SON DEL ORDEN DE 104 A 105 HORAS (1 A 11 ANOS PARA LOS FABRICADOS CON AlGaAs). EL TIEMPO DE VIDA PUEDE SER LIMITADO, YA SEA POR EL DANO EN LAS PAREDES DEL DIODO 0 POR DEGRADACION GRADUAL INTERNA. BASICAMENTE, UN LED, YA SEA QUE EMITA DESDE SU SUPERFICIE 0 DE SUS BORDES, TIENE UN AMPLIO PATRON DE RADIACION DE LUZ. CON UN DIODO ILD SE OBTIENE UN CONO DE RADIACION €MAS ESTRECHO (PATRON DE RADIACION DE LUZ MAS DIRECTIVO), Y UNA LUZ DE MAYOR COHERENCIA (UN REDUCIDO ANCHO ESPECTRAL Y UNA MAYOR POTENCIA DE SALIDA OPTICA) . LA CARACTERISTICA DE TRANSFERENCIA DE UN LED ES BASTANTE LINEAL, MIENTRAS QUE LA DE UN ILD ES NO LINEAL (VER LAS FIGURAS 5.4 Y 5.9). UN ILD, POR LO TANTO, PRECISA DE UNA ESTABILIZACION MAS COMPLICADA DE SUS PUNTOS DE TRABAJO, LOS CUALES CAMBIAN CON LA TEMPERATURA Y EL ENVEJECIMIENTO.TABLA 5.1. RESUMEN COMPARATIVO DE LOS PARAMETROS BASICOS DE LOS LED ¥ Los ILD ACTUALES PARAMETRO ILD LED = | UNIDAD = LONGITUD DE ONDA 800-1600 | 800-900 | nm _7|> ANCHO ESPECTRAL 0.2A2] 30-65 nm ° |= PorENcIA DE SALIDA opTica | 5-15 1-5 mW - PERDIDA DE INSERCION 3 15-20 aB | = FRECUENCIA DE MODULACION 1000 | 50-100 | Miz - ESPECTATIVA DE VIDA 104-105 | 105-106 | ars 1 ait {11 a 100 | aftos TANTO EN LOS LED Y ILD LA LONGITUD DE ONDA SE ESCOGE PARA QUE EXISTA UNA BAJA ATENUACION EN LA FIBRA OPTICA, Y PARA QUE CAIGA EN EL RANGO DE SENSIBILIDAD DEL DETECTOR (DESPUES DE CONSIDERAR LAS PERDIDAS EN LA FIBRA, SUS EMPALMES Y SUS CONECTORES) . EL ANCHO ESPECTRAL, DEBERA SER TAN PEQUERO COMO SEA POSIBLE CONSIDERANDO QUE EL RANGO DE MODULACION DEBERA SER TAN GRANDE COMO SEA NECESARIO. LA PERDIDA DE INSERCION DE 3 dB DEL DIODO LASER SIGNIFICA QUE PUEDE INTRODUCIR EL 50% DE LA POTENCIA LUMINICA EN LA FIBRA, MIENTRAS QUE LAS PERDIDAS DE INSERCION DE 15 A 20 dB PARA EL LED, SIGNIFICA QUE SOLO ESE PEQUENO PORCENTAJE DE POTENCIA LUMINICA PUEDE INTRODUCIRSE DENTRO DE LA FIBRA. 5.18 TRANSMISORES OPTICOS UNA DIFERENCIA SIGNIFICATIVA ENTRE UN LED ¥ UN LASER ES EL COMPORTAMTENTO DE UMBRAL DE LA EMISION DE LUZ CONTRA LA CORRIENTE LE EXCITACION. ARRIBA DE LA CORRIENTE DE UMBRAL Tu, EU LASER PUEDE EMITZR GRANDES .CXTIMADES NB Tere