ELECTRONICA DE POTENCIA CIRCUITOS, DISPOSITIVOS Y APLICACIONES Tercera ediciénELECTRONICA DE POTENCIA CIRCUITOS, DISPOSITIVOS Y APLICACIONES Tercera edicion Muhammad H. Rashid Electrical and Computer Engineering University of West Florida ‘TRADUCCION Virgilio Gonzélez y Pozo Facultad de Quimica Universidad Naclonal Auténoma de México REVISION TECNICA: Agustin Sudrez Fernindez Profesor imesiigador Departamento de Ingenieria léctrica Universidad Audnoma Metropolitana Plone! ltapolapa ‘Miguel Angel Gonzlez del Moral Profesor de eléctrénica Escuela Superior de Ingenieria Mecénica y Eléctrica Instituto Politéenico Nacional Naton lo Mébsico » Argentina * rail + Colombia * Costa Rica + Chile eEeusdor [Espafia + Guatemala + Panama + Pert « Pueran Rico * Uruguay VenezuelaRASHID, MUHAMMAD H. lectrinica de pote. Tarceraeicion PEARSON EDUCACION. México, 2004 Formato: 185235 em Auborized wansation from the English language edi, ei lt Power Elecirns: circuits, devices and apptcatons, int seer Muhammad H Tash, pobsied by Pearion Fiat, Inc, publishing as PRENTICE MALL. INC. Copyright ©2004 Al ihis sees ISBNO-S-I01I495 ‘Tuducidnautrzada dee efisidn en idiom inglés, itlada Power Electronic: cir devies and aplicaons, Tint Edition, pot eae Tt Rais pulicae por Peuson Education ne. pyblicada coipo PRENTICE-HALL INC. Copyright 2004 Taos ok dorsenos reserva ‘sta eicion en espaol ola nie atorzads, aicién en espafol Fairer: Guiienne aujano Nendo ui llerma:rajano@pearsoned som euitor de deseo, Jonge Bonilla Towers Supervisor de reduced: José D. Herninder Garduto aici en ints Vice President and Eaitoral Director, ECS: Marcia Horton Publghor Tore Robbins ‘Asvocialy Editar: Alice Dworkin Vice Presidont ind Digctor of Prodntion and Manutgsucing, ESM: David W. Riven Faceutive Managing Leitr: Vince O'Brien ‘Managing Baie: Dovid George Procuictlan Bion: Donne King TERCERA PDICION, 2004 DR, © 2004 por Peurson Fancacén de Mesto, S.A. de CY. ‘Alaconaio 500-50. piso adsl Atoto 53519 Nrocalpun 60 Jee, Edu. d= México Eni editorial urvesidades @ pearsones com Dineetar of Creative Service: Paul Betfantt (Creative Director Carole Anson [Art Disector Jayne Conte (Cover Designer: Bruce Kenseloar ‘Ant Eitor Greg Dull ‘Manufacturing Manager Trudy Psion Monsfacuring Buyer fynda Castillo ‘Marketing Maagger: Holy Stare Cétea Nacional de la Indostria Batorial Meveana, Reg. Nim. 1031 ‘Addison Westy oy uaa atcaregisrade 6 Pauon Eucacin de Méxic, S.A, do CX. ‘Revecvado enc ls eroc, N a uid ipa de esta pblicacn pueden repr, eistrareotrsmitie, prune Ree rnd nermasa en aingn forma por tng medio, se lectin, movie, fxogutic, magica ole Tadpdou, pec iecopi, grabs © ewlgsc tro, sin pernian previo por eseria delet penn alsilerouaquitr or ora de essa de tn deo empl equr win a autora dele ode ss preserants. ISBN 970 26.0526 porte, J 1254567890-07 060508 Impress on Minion. Printed in Merle.A mis padres, a mi esposa Fatema y mi familia: Faeza, Farzana, Hasan y HussainContenido Prefacio xix Acerca del autor wail Capitulo 1 Introduccién 1 L1_Aplicaciones de la electronica de potencia 1 L11 Historia de la electronica de potencia 2 12 Dispositivos semiconductores de potencia 5 12.1 Diodos de potencia 5 122 ‘iristores 6 1.23 Transistores de potencia 9 13 Caracteristicas de control de los dispositivos de potencia 10 14 Caracteristicas y especificaciones de los interruptores. 16 141 Caracteristicas ideales 16 1.42 Caracteristicas de los dispositivos précticos. 17 143 Bspecificaciones de interruptor 18 14.4 Opciones de dispositive 19 15 Tipos de circuitos clectrénicos de potencia 20 1.6 Diseio de equipo de electrénica de potencia 23 ; 1.7 Determinacién del valor cuadratico medio de las formas de onda 24 | 1.8 Efectos periféricos 24 1.9 Médulosde potencia 26 1,10 Médulosinteligentes 26 LLL Revistas y conferencias sobre electrénica de potencia 28 ’ Resumen 29 Referencias 29 ' Preguntas de repaso 30 ' Capitulo 2 Diodos semiconductores de potencia y circuitos 31 2a Introdueci6n 31 22 Fundamentos de semiconductors 31 23 Caracteristicas del diodo 33Caracteristicas de recuperacién inversa 35 ‘Tipos de diodos de potencia 38 25.1 Diodos de propésito general 38 252 Diodos de recuperacién répida 38 253 DiodosSchottky 39 Diodos de carburo de silicio 39 Modelo SPICE de diodo 40 Diodos coneetadosenserie 42 Diodos conectadosen paralelo 45 Diodos con cargas RCy RL 46 Diodos con cargas LCy RL 49 Diodos de corrida libre 56 Recuperacién de Ia energia aprisionada con un diodo Resumen 62 Referencias 63 Preguntas de repaso 63 Problemas 64 Capitulo 3 Reetificacores con diodos 68 3.1 Introduccién 68 3.2. Reetificadores monofésicos de media onda 68 3.3 Parametros de rendimiento 69 3.4 Reetificadores monofésicos de onda completa. 77 3.3. Reetilicador monofasivo de onda completa com carga RE 82 3.6 Rectificadores polifisicos en estrella 87 3.7 Reetificadores triffsicosen puente 92 3.8 Reetilicador trifasico en puente con carga RL 95 3.9 Comparaciones de rectificadores con diodos _ 101 3.10 Disefio de cireuitos rectificadores 101 3.1L Voltaje de salida con filtro LC 112 3.12 Efectos de Ins inductancias de la fuente yde la carga 116 Resumen 119 Referencias 119 Preguntas de repaso 119 Problemas 120 Capitulo 4 Transistores de potencia 122 4.1 Introduceién 122 4.2 Transistores bipolares de unién 123 42.1 Caracteristicas en estado permanente 124 42.2 Caracteristicas de conmutacién 128 42.3. Limites de conmutacin 135 MOSFET de potencia 137 43.1 Caracteristicas en estado permanente 141 4.3.2 Caracteristicas de commutacién 14244 4S 46 47 48 49 40 Capitulo 5 51 52 53 sa 55 56 57 58 Capitulo 6 61 62 63 64 Contenido COOLMOS 144 sIT 145 GBT 147 Operacién en seric yen paralelo 150 Limitaciones por difdty por dv/dt 151 Modelos SPICE 135 49.1 Modelo SPICE del BIT. 155, 49.2. Modelo SPICE de MOSFET 155 4.93 Modelo SPICE del IGBT 158 Comparacién de transistores 160 Resumen 160 Referencias 162 Preguntas de repaso 163, Problemas 164 Convertidores CD-CD 166 Introduccién 166 Principio de operacién de bajada 166 5.2.1 Generacién del ciclo de trabajo 170 Convertidor de bajada con carga RE 171 Principio de la operacién de subida 176 Convertidor de subida con una carga resistiva 179 Parmetros de funcionamiento 181 Clasificacién de los convertidores. 182 Reguladotes de modo de conmutacién 186 5.8.1 Reguladores reduetores 186 5.82 Reguladores elevadores 190 5.83 Reguladores reductores yelevadores 194 584 Reguladores de Ck 198 5.8.5 Limitaciones de la conversion en una etapa 204 Comparacién de los reguladores 205 Convertidor elevador con varias salides 206 Convertidor elevador alimentado por reetificador de dodo 208 Disefio del circuito interruptor periddico 211 Analisis de estado-espacio de los reguladores. 217 Resumen 221 Referencias 221 Preguntas de re Problemas 224 Inversores modulados por ancho de pulso 226 Introduccién 226 Principio de operacién 227 Parémetrosde rendimiento. 230 Puentes inversores monofisicos. 232 xx Contenido. Capitulo 7 7 12 73 78 7S 76 Inversores trifsicos 237 65.1 Conduccién a 180 grados. 237 652 Conduccién a 120 grados. 246 Inversores monofisicos controlados por voltaje 248 6.6.1 Modulacién por ancho de pulso tinico 248 6.62 Modulacién por ancho de pulso miltiple 250 6.63 Modulacién por ancho de pulso sinusoidal 253 6.64 Modulacién por ancho de pulso sinusoidal modificada 257 665 Control por desplazamiento de fase 258 ‘Técnicas avanzadas de modulacién — 260 Inversores monofésicos controlados por voltaje 264 68.1 PWMsinusoidal 265 682 PWMde60grados 268 683 PWMcon tervera arménica 268 684 Modulacién por vector espacial 271 685 Comparacién de las técnicasde PWM — 279 Reduecién de arménicas 280 Inversores con fuente de corriente 285 Inversor de enlace de CD variable 288 Inversorelevador 289 Disefio de circuitos de inversor 294 Resumen 299 Referencias 209 Preguntas de repaso 300 Problemas 301 Tiristores 304 Introdueci6n 304 Caracieristicas de los tiristores 304 Modelo de tiristor empleando dos transistores 307 Activacién del tiristor 309 Apagado del tiristor 311 ‘Tipos de tiristores 313 7.6.1 Tiristores controlados por fase 314 762 BCT 314 ) 7.63. Tiristores de conmutacién répida 315 764 LASCR — 316 7.65 Tiristores de triodo bidireccional 316 766 RCT 317 767 GIO 38 768 FET-CTH 322 769 MTO 323 7610 ETO 32 76.11 IGCT 324 7612 MCT 3251 18 19 710 7 Capitulo 8 84 Ba 83 89 810 gil 812 Capitulo 9 B41 92 Contenido xi 7613 SITH 328 7.6.14 Comparaciones de tiristores Operacién de tiristores en serie 330 Operacién de titistores en paralelo 337 Proteccién contra di/dt 338 Protecci6n contra dv/dt 339 Modelos SPICE para tiristores 741.1 Modelo SPICE del tiristor 341 7.11.2 Modelo SPICE delGIO. $43 7.113 Modelo SPICE del MCT 345 330 341 7.1.4 Modelo SPICE del SITH 345 Resumen 346 Referencias 347 Preguntasde repaso 350 Problemas 350 Inversores de pulso resonante 352 Introduceién 352 Inversores resonantes serie 353, 821 Inversores resonantes serie con interruptores unidireccionales 353 8.2.2. Inversores resonantes serie con interruptores bidireccionales 361 Respuestas en frecuencia de inversores resonantes serie 368 83.1 Respuesta en frecuencia para cargasen serie 368 8.32 Respuesta en frecuencia para cargas en paralclo 370 8.33 _ Respuesta en frecuencia para cargas en Serie-paralelo 372 Inversores resonantes paralelo 374 Control de voltaje en inversores resonantes 377 Inversor resonante clase E380 Rectificador resonante clase E383 Convertidores resonantes por conmutacién a corriente cero 388 881 Convertidor resonante ZCS tipo L389 882 Convertidor resonante ZCS tipo M391 Convertidores resonantes por conmutacién a voltaje cero 393 Comparacién entre convertidores resonantes ZCS y ZVS 396 | Convertidores resonantes ZVS de dos cuadrantes. 396 Inversores resonantes de enlace deCD 399 Resumen 402 Referencias 403 Preguntas de repaso Problemas 404 403 Inversor multinivel 406 Introduceién 406 407 Elconcepto de multinivelTipos de inversores multinivel 408 Inversor multinivel con dindo fijador_— 409 9A Principiode operacién 410 9.4.2 Propiedades del inversor con diodo fijador 411 943° Inversor con diodo fijador mejorado 412 Inversor multinivel con capacitores volantes, 414 95.1 Principios de operacién 415 95.2 Caracteristicas del inversor con capacitores volanies 417 Inversor multinivel en cascada 417 9.61 Principiode operacion 418 9.62. Propiedades del inversor.en cascada 419 Aplicaciones 421 97.1 Compensacidin de fa potencia reactiva 422 9.7.2. Interconexién espalda con espalda 423 9.73 | Excitadores de velocidad ajustable 424 Corrientes de conmutacién del dispositive. 424 Balanceo de voltaje del capacitor de enlace de CD 425 Caracteristicas de inversores multinivel 427 Comparacién de convertidores multinivel 428 Resumen 428, Referencias 429 Preguntas de epaso 430 Problemas 430. Capitulo 10 Rectificadores controlados 431 tod 102 103 4 1s 106 107 108 Introduecién 431 Principio de operacién del convertidor controlado por fase 432 Convertidores monofésicos completos. 434 103.1 Convertidor monofasico completo con carga RE 438 Convertidores monofésicos duales 440 Principio de operacién de los convertidores trifésicos de media onda 443 Convertidores trifasicos completos. 447 106.1 Convertidor tritésico completo con carga RE 451 Convertidores trifisicos duales 453 Mojoras al factor de potencia 456 10.8.1 Control por dngulo de extincién 456 10.8.2 Control por dngulo simétricn 457 10.83 Control por PWM — 461 10.8.4 PWM Sinusoidal Monofésica 463 1085 Rectificador trifésico PWM 65 Semiconvertidores monofésicos 457 10.9.1 Semiconvertidor monofésico con carga RL Semiconvertidores trifisicos 474 10,101 Semiconvertidores trfésicos con carga RL Convertidores monofisicosen serie 480 Convertidores de doce pulsos 485Contenido xi 10.13. Diseno de circuitos convertidores 487, 10.14 Efecto de las inductancias de carga y de alimentacién 492 ' Resumen 494 Referencias 495 Preguntas de repaso 496 Problemas 497 Capitulo 11. Controladores de voltaje deca 500 114 Introduccion $00 11.2 Principio del control de encendido apagado S01 11.3. Principio de control por éngulo de fase 503 11.4 Controladores monofisicos bidiseccionales con cargas resistivas S06 11,5 Controladores monofésieos con cargas inductivas 509 11.6 Controladores trifisicos de onda completa S14 11.7 Controladores trifisicos bidireccionales conectidos en delta S18 11.8 Cambiadores de conexién en un transformador manofisico 522 119 Cicloconyertidores 526 119.1 Cicloconvertidores monofiisicos S27 1192 Cicloconvertidores triffisicos, 530. 11.93 Reducciéa de las arménicas en la salida 530 11.10 Controladores de voltaje de ca con control por PWM S34 ILL Convertidor matricial 536 11.12 _Disefto de circuitos convertidores de voltaje de CA 537 11.13 Efectos de las inductaneias de alimentacion y decarga 345 Resumen 546 Referencias 547 Preguntasde repaso S47 Problemas 548 Capitulo 12 Interruptores estiticos. S51 121 Introduecién SSI 122 Interruptores de ca monofésicos S51 12.3. Interruptares de ca tritésicos 554 124 _Interruptores trifésicos reversibles 125. Interruptores de ca para transferencia de canal 556 12.6 Interruptoresde CD. 357 12.7 Relevadores de estado sélido 561 128 Relevadores microelectrénicos 563 128.1 Relevador fotovoltaico 563 12.82 Aisladores fotovoltaicos 565 12.9 Disefio de interruptores estaticos 566 Resumen 567 Referencias 567 Preguntas de repaso 568 Problemas 568xlv Contenido Capitulo 13. Sistemas flexibles de transmisién de ca 570 Introduccion 570 Principio de la transmisién de potencia S71 Principio de la compensacién por derivaci6n 573 Compensadores en detivacién 575 13.4.1 Reactor controlado por titistor $75 13.42 Capacitor conmutado por titistor _ 577 13.43 Compensador de VAR estético 580 13.44 Compensador avanzado de VAR estético 581 Principio de la compensacién serie 582 Compensadores serie 585 13.6.1 Capacitor serie conmutado por tiristor 585 13.62 Capacitor serie controlado por tiristor 586 13.63 Capacitor serie controlado por conmutacién forzada 587 13.64 Compensador serie de VAR estitico 589 13.65 $8VCavanzado 589 Principio de la compensacién por fngulo de fase 592 ‘Compensador por dngulo de fase 594 Controlador unificado de flujo de potencia $96 ‘Comparaciones de los compensadores. S97 Resumen 598 Referencias 598 Preguntas de repaso 599 Problemas 599 Capitulo 14 Fuentes de alimentacién 601 14.1 Introduccién 601 142 Fuentes de alimentacién de CD 602 142.1 Fuentes de alimentacién de ed en modo conmutado. 602 142.2 Convertidor flyback 602 Convertidor directo 606 Comvertidor push-pull 611 Convertidor en medio puente 613 Convertidor en puente completo 616 Fuentes de alimentacién de ed resonantes 619 Fuentes de alimentacién bidireccionales 619 Fuentes de alimentacion de CA 621 143.1 Fuentes de alimentaci6n de caen modo conmutado 623 143.2 Fuentes de alimentacidn deca resonantes 623, 1433 Fuentes de alimentacidn de ca bidireccionales 624 Conversiones multietaPA 625 Cireuitos de control 626 Consideraciones de disefio magnético 630 146.1 Disefio del transformador 630 1462 InductordeCD 634146.3. Saturacién magnética 635 Resumen 636 Referencias 636 Preguntas de repaso Problemas 637 637 Capitulo 15 640 15.1 152 15.3 15.8 Propulsores de CD 640 Introduecién Modos de operacion Propulsores monofésicos 15.41 645; 648 1542 Propulsores monofisicos por semiconvertidor 154.3 Propulsores monofasicos por convertidor completo Propulsores monofésicos por convertidor dual 15.4.4 Propulsores trifisicos 155.1 155 656 155.2 Propulsores trifésicos por semiconvertidor Propulsores trifasicos por semiconvertidor completo 1553 155.4 Propulsores trifésicos por convertidor dual 662 Principio del control por potencia io del control por freno regenerativo Principio del convertidor por freno reostitico Principio del control combinado por freno regenerative Propulsores por convertidor CD-CD. 15.6.1 15.6.2 15.63 15.6.4 Pri Yreostatico 668 1565 cuadrantes 669) 156.6 157 Resumen 687 Referencias 687 Preguntas de repaso Problemas 688 688 Capitulo 16 PropulsoresdeCA 692 16.1 Introduccién 692 162 _Propulsores para motores de inducciéa 1621 Caracteristicas de rendimiento 162.2 Control por voltaje del estator 16.2.3 Control por voltaje del rotor Caracteristicas bésicas de los motores de CD Propulsores monofasicos por convertidar de media anda Propulsores trifsicos por convertider de media onda Convertidores CD-CD polifisicos Control en lazo cerrado de los propulsores de CD. 1571 Funcién de transferencia en lazo abierto Funcién de transferencia en lazo cerrado Control por lazo de seguimiento de fase 15.74 Control de propulsores de CD por microcomputadora Contenido xv 641 649 650 651 652 637 057 657 658 662 664 667 Propulsores por convertidor CD-CD de dos y cuatro 670 673 on 678 684 685 693 694 701 703xvi Contenido 16.3 164 165 16.6 162.4 Control por frecuencia 711 162.5 Control por frecuencia y voltaje 713 16.26 Control por corriente 716 162.7 Control por voltaje,corriente y frecuencia 720 Control en lazo cerrado de los motores de induccién 721 Controles vectoriales 726 164.1 Principio bisico del control vectorial 727, 164.2 Transformacién directa y del eje de cuadratura 728 164.3 Control vectorial indirecto 734 1644 Control vectorial directo 736 Propulsores con motores sincronos. 738 16.5.1 Motores de rotor cilindrico 738 Mototes de polos salientes 741 Motoresde reluctancia. 743 Motores de imén permanente 743 Motores de reluctancia conmutada 744 Control de motores sineronos en lazo cerrado” 745 Propulsores con motor CD y CA sin escobillas. 747 Control de motores a pasos 749 16.6.1 Motores a pasos de reluctancia variable 750 16.6.2 Motores a pasos de imén permanente 753 Resumen 756 Referencias 756 Proguntas de repaso 757 Problemas 758 Capitulo 17 Circuitos excitadores de compuerta 761 wa 172, 73 104 4s 17.6 177 178, 179 Introduceién 761 Exeitador de compuerta para MOSFET 761 Excitador de base para BIT 763 Aislamiento de compuerta y extitadores de base 767, 17.4.1 Transformadores de puisos 769 1742 Optoacopladores 769 Circuitos de disparo para tiristores. 770 ‘Transistor monounion 72 ‘Transistor monounién programable 775 Cireuitos de disparo para convertidor con tiristores 777 CTexcitadores de compuerta 777 1T9.1 Clexcitadores para convertidores 781 1792 Cl dealto voltaje para excitadores de motores 784 Resumen 788 Referencias 789 Preguntas de repaso 789 Problemas 790Contenido xvii Capitulo 18 Protecci6n de dispositivos y circuitos 791 181 182 183 184 18S 186 187 189 Apéndice A Apéndice B Apéndice C Apéndice D Apéndice E Bitliogeafia Introduecién 791 Enfriamiento y disipadores de calor 791 Modelado térmico de los dispositivos conmutadores de potencia 797 183.1 Equivalente eléetrico del modelo térmico 798 183.2 Circuito equivalente térmico matemétieo 800, 183.3 Acoplamiento de componentes eléctricos y térmicos 801 Circuitos amortiguadores 803 ‘Transitorios de recuperacién inversa 804 Estados transitorios en los lados de alimentacién y de cargn S10 Proteccién contra voltaje com diodos de selenio y varistares de metal Gxido 813, Protecciones contra sobrecorriente 815 1881 Accidn fusible 815 188.2 Corriente de falla con fuente de CA 822 1883 Corriente de falla con fuente de CD $24 Interferenciaelectromagnética 827 1891 Fuentescle EMI 828 189.2 Minimizacion de la generacién de EMI $28, 1893 Blindaje contra EMI 829 18.94 Normas para EMI 829 Resumen 830 Referencias 831 Preguntas de repaso 831 Problemas 832 Circuitos trifasicos 835 Circuitos magnéticos 839 Funciones de conmutacién de Jos conyertidores 847 Anillisis de estados transitoriosen CD 853 Anilisis de Fourier 857 860 Respuestas alos problemas seleccionados. 863, indice 873Prefacio Latercera edicion de Electrdnica de potencia pretende ser un libro de texto para un curso de elec tronica de potencia o convertidores estiticos para alumnos de licenciatura, prineipiantes o avanza- dos, de ingenierfa eléetrica ¢ ingenierfa clectrénica. También se puede usar como texto para alumnos graduados y como libro de referencia para ingenieros profesionales en el campo del dise- fio y las aplicaciones de Ia electrénica de potencia. Los prerrequisitos son cursos de electronica basica y de circuitos cléctricos basicos. El contenido de Eleetrénica de potencia va mas allé del alcance de un curso de un semestre. Fl tiempo normal asignado a un curso de electronica de poten- cia en um plan de estudios de licenciatura es solo de un semestre. La electrénica de potencia ha pro- gresado hasta el punto en que es diffeil cubrir todo el tema en un curso de un semestre. Para la licenciatura,los capitulos 1 a 11 bastan para proporcionar una buena base de electrénica de poten- cia. Los capitulos 12a 16 deberfan dejarse para otros cursos, 0 incluirse en un curso para gradua- dos La tabla P1 muestra los temas sugeridos para un curso de un semestre de “Electronica de potencia” y la tabla P2 para un curso de un semestre sabre “Electr6nica de potencia y acciona- Iientos de motores”. TABLA P1 Temas sugeridos para un curso de clectrniea de potencia con duracion de ua semetre Capita “Temas Secsiones Clases 5 Tntrodueciéa Tala 2 2 iodosycireitossemionductoresde potencia © 21224.27,2.10a213 2 3 Reotficadores de diodo 31a39 5 4 ‘Transistores de potencia 42,440,411 2 5 Convertidores CD-CD sla3t 5 5 Tnversores con modlacidn de ancho de pula 61266682601 7 7 Tiristores 71.a75,79,710 2 3 Inyersores de pulso resonante Bias 3 0 Reelfcadores controlados 1012106 6 u Controladeres de volts de CA iaus 3 2 Intercuptores estiticos rials 2 Exitos intermedios y preguntas 3 Examen fin 3 Clases totales en un semeste de 15 semanas 45xx Prefacio TABLA R2 Temas supers pera un curs de un semesire sobre eletrini de potenclay sesionamientos de motor ‘Capito ‘Temas Seeciones Clases Tatroduccion Tian iodos semiconductores yeireuitos de potensia 2.7 a24.27,2.10 02.13 Reetficadores de diodo Biats ‘innsisores ée potercia 4240.40 Converiidores CD-CD siasy Inversoces con modulacion deancho de pulo—61.a5,68a6611 Tirstores 74.a75.79,7.10 Recificadoves controlados Wola io7 CControiadares de viaje deCA, naans (Garcitas magneticos Bisa 66 Accionamienios de CD 151.2157 Apéadise Greuits tifsicos ALG 0166 if ‘Accionamicntes de CA 61a 166 [Exémence inlermodiosy preguntas Examen final ‘Total de cases on un somestre de 15 semanas Los fundamentos de la clectrénica de potencia estén bien establecidos,y no camtbian con ra pidez. Sin embargo, las caracterfsicns de los dispositivos mejoran continuamente y se van agregan- do nuevos diseitos, Electrénica de potencia, donde se usa el método de abajo hacia arriba, explica ‘primero las caracteristicas de conversiGn de dispositivos, y después las aplicaciones. Subraya los Drincipios fundameniales de las conversioncs de potencia. Esta tezveraedicién de Elecrrénica de ‘potencia es una revisién completa de la segunda edicién, yi) se earacteriza por el método ce aba- Jo acia arriba, y no de arriba hacia abajo;ii) introduce el estado actual de las téenicas avanzadas tie muolulaci6n ii) presenta tres nuevos eaptulas sobre “Inversores de varios niveles” (capitulo 9), “Sistemas flexibles de transmision de ea” (eapitulo 13, y“Cireuitos de exctacién de compuerta” (casitulo 17) también presenta téenieas de estado actual de avancesiv) integra SPICE, pro- rama estindar en Ia industria, y ejemplos de disefio que se comprucban con estimulacién con SPICE; ») examina convertidazes con cargas RL con conduccisn continua y discontinua de vorriente,y vi) tiene secciones y/o parrafos ampliados con més explicaciones. El libro se di- vid en cinco partes: 4, Tntroduceidn - Capitulo 1 2. Dispositivos y circnitos de excitacién de compuerta - Capitulos 2,4,7 y 17 3. ‘Técnicas de conversién de potencia - Capitulos 3,5,6,8,8,10y LL 4. Aplicaciones - Capitulos 12,13, 14,15 y 16 & Protecci6n y modelado térmico - Capitulo 18 ‘Los temas como circuitos trisicos.cireutos magnéticos,funciones de conmutacién de los eanverti- {dotes anaisis de estedos ransitorios de ody anlisis de Fourier se repasan en los apéndies ‘La electronica de potencia tiene que ver con la aplicaciones de Ta eleetsSnica de estado s6- Fido para el contral y lt conversion de la energia eléctrica. Las téenicas de conversién requieren eleneendida y apagado de dspositivos semiconductores de potencia, Los eitcuitoselectrnicos de ‘bejo nivel, que normalmente consisten en circuitos integrados y componentes discretos, gene rar las sefiales requeridas de exoitacién para los dispositivos. Los cireuitos integrados y losPrefacio xh ‘componentes discretos estén siendo reemplazados por microprocesadores y eircuitos inlegradus de procesamiento de sefiales. Un dispositivo ideal de potencia no debe tener limitaciones de conexi6n y desconexidn,en - términos de tiempo de encendido, tiempo de apagado, y posibilidades de manejo de corrlente voltaje. La tecnologia de semiconductores de potencia est desarrollando con rapide los dispo. ivos, cada vez con limites mayores de voltaje y corriente. Los dispositivos de conmutacisn de polencia, como por ejemplo los BJT, MOSFET, SIT, IGBT, MCT, SITH, SCR, TRIAC, G10, MTO, ETO, IGCT, todos ellos de potencia, y otras dispasitives scmiconductores, estan sicndo utilizados cada vez més en una amplia gama de productos, Con la disponibilidud de dispositivos de interrupeién més rapidos, las aplicaciones de los modernos microprocesadores y cl proceso” igital de sefiales, para sintetizar la estrategia de control de los dispositives de control que cum plan con las especilicaciones de conversiéa, estén ensinchando el campo de la electrénica de po- tencia. La revolucién en la electronica de poteneia ha ido generando impulso desde principios de 1990. Dentro de los préximos 20 afos la electronica de potencia va a eonformar y acondicionar In clectricidad en algtin punto entre su generacién y todos los usuarios. Las aplicaciones potencia- les de la electronica todavia estén por explorarse por completo, pero en este texto se ha tratado de abarcar todas las aplicaciones posibles, Cualquier comentario y sugerencia acerca de este libro es bienvenido, y se debe mandar al autor. Dr. Muhammad H. Rashid Professor and Director Electrical and Computer Engineering ; University of West Florida 11000 University Parkway Pensacola, FL 32514-5754 Correo electr6nico: mrashid@uwfedu PROGRAMA PSPICE Y SUS ARCHIVOS a La versién de los programas de esquemas de PSpice yiu Orcad de eaptura se pueden obtener o descargar de Cadence Desiga Systems, Inc. 2655 Seely Avenue ‘San Jose, CA 95134 ‘Websites: ttp:wwwceadenee.com buipsfwwworead,com bitp:/iwww.pspiee.com El sitio de red http:/umtedu/mrashid contiene todos los archivos de cireuitos en PSpice, es- quemas PSpice, captura Oread y Mathead, para usarse con este libra, ‘Nota importante: Los archivos de circuito PSpice (con una extensién .CTR) son autocon- tenidos y cada uno contiene todos los modelos necesarios de dispositive o de componente. Sin embargo, los archivos de esquemas en PSpice (con una extensién SCH) necesitaa el archivo de biblioteca definido por cl usuario Rashid_PE3-MODEL.LIB, que se incluye en los archivos ‘esqueméticos, y se deben incluir desde el ment Analysis de PSpice Schematics. De igual manera, los archivos esquematicos en Orcad (con extensiones OPJ y .DSN) necesitan la bibliotecaxxl Prefacio Rashid PE3_MODEL.LIB, que s incluye con los archivos esqueméticos de Orcad, se deben ineluir desde los ajustes del ment PSpice Simulation de Orcad Capture, $i no estén incluidos 2508 archivos al ejecutar a simulaci6n, no se procesarén y producirdn errores. RECONOCIMIENTOS ‘Muchas personas contribuyeron a esta edicidn, e hicieron sugerencias con base en su experien- cia docente, Agracezco a las siguientes personas, sus comentarios y sugerencias: Mazen Abdel-Salam, King Fahd University of Petroleum and Minerals, Saudi Arabia Johnson Asumadu, Western Michigan University Ashoka K.S. Bhat, University of Vietoria, Canada Fred Brockhurst, Rose-Hulman Institution of Technology Jan C. Cochrane, The University of Melbourne, Australia Ovidiu Crisan, University of Houston Joseph M, Crowley, University of Mlinois, Urbana-Campaign Mohrad Ehseni, Texas A&M University ‘Alexander E, Emanuel, Worcester Polytechnic Institute George Gela, Ohio State University ‘Herman W. Hill, Ohio University Constantine J, Hatziadonin, Southern Iiinois University, Carbondale Wahid Hubbi, New Jersey Institute of Technology Marria lieSpong, University of Menois, Urbana-Campaign Shahidul I. Khan, Concordia University, Canada Hussein M. Jojabacli, Sehand University of Technology, Irén Peter Lauritzen, University of Washingion Jack Laver, University of Tennessee ‘Arthur R. Miles, North Dakota State University ‘Medhat M, Moreos, Kansas State University Hassan Moghbelli, Pardue University Calumet H, RamezanicFerdowsi, University of Mashhad, Irn Prasad Enjet, Texas A&M University Saburo Matsusaki, TDK Corporation, Japon ‘Vedula V.Sastry, Jowa State University Bilias G. Strangas, Michigan State University Selwyn Wright, The University of Huddersfield, Queensgate, G. Br. S$. Yuvatajan, North Dakota State University Fue un gran placer trabajar con Alice Dworkin, editora, y con Donna King, editora de produccisa. Por iiltimo, debo agradecer a mi familia por su amor, paciencia y eomprensisn, Munanmap H. Rast Pensacola, FloridaAcerca del autor ‘Muhammad H. Rashid recibis el grado de B.Sc. en ingenierfa eléctrica de la Bangladesh Univer- sity of Engineering and Technology. y los geados MSc. y Ph.D. en la University of Birmingham, GBr. En la actualidad es profesor de ingenierfaeléottica eu la University of Florida, y director det programa conjunto UR/UWF en ingenierfa eléotrica y de computacién. Anteriormente fue profesor de ingenieria cléctrica y director del departamento de ingenieria en la Indiana Univer- sity-Purdue University en Forth Wayne. Ademas, fue profesor asistentevisitante de ingen eléctrica en la University of Connecticut, profesor asociado de ingenieria eléctrica en le Concordia University (Montreal, Canad), profesor de ingenierfaeléctrica en la Purdue University, Calumet, ¥ profesor visitunte de ingeniria eléctrica en la King Fuhd University of Petroleum and Minerals, Saudi Arabia, También se desempei como ingenicro de diseio y desarrollo en la Brush Electti- cal Machines Ltc. (G. Br.) como ingeniero de investigacién en el Lucas Group Research Centre (G. Br), y profesor y director del departamento de ingenierfa electtOnica en el Higher Institute of Blectronies (Malta) Esta muy relacionado con la docencia,investigacién y eursos de clectréni- ca de potencia, Ha publicado 14 libros y mas de 100 articulos téenicas Sus libros fueron adoptados como textos en todo el mundo. Su libro Power Electronics ha sido traducido al espatiol, portu- guésindonesio, coreano y persa, Su libro Microelectronics ha sido traducido al espaol en Méxi- co y en Espaia, Ha recibido muciasinvitaciones de universidades en el extranjero, como Ph.D. cexaminador extemo, y de agencias financieras, como revisor de propuestas de investizacién. Sus contribuciones a la educacion han sido reconocidas por gobiernos y agencias del extranjero, Ha dado conferencias y fungié como consultor de la OTAN para Turquia en 1994, Programa de Desarrollo de las Nationes Unidas en 1989 y 1994, Arabia Saudita en 1993, Pakistan en 1993, Malasia en 1995 y 2002, y en Bangkok en 2002, y fue invitado por universidades en Australia, Canadé, Hong Kong, India, Malasia, Singapur, como examinador externo para licenciatuta, rmaesiria y doctorado; por agencias financicras en Australia, Canad, Estados Unidos y Hong Kong, para reviser propucstas de investigacidn, y por universidades en Estados Unidos y otros pafses para evaluar casos de promocion para el profesorado. Es autor de siete libros publicados por Prentice Hall Power Elecironies — Circuit, Devices and Applicarions (1988, 2/e 1993), SPICE For Power Electranies (1993), SPICE for Circuits and Electronics Using PSpice (1980, 2e 1995). Elecromechonical and Electrical Machinery (1986) y Engineering Design for Electrcal Engincers (1990), Ha publicado cinco guias autodidactas de IEEE: Self-Study Guide on Fundamentals of Power Electronics, Power Electronics Laboratory Using PSpice, Selected Readings on SPICE Simulation of Power Elecronies y Selected Reailings on Power Electronics (IEEE Press, 1996) y ‘Microelectronics Laboratory Using Electronics Workbencl (IEEE. Press, 200), Tambign eseribis dos libros: Electronic Circult Design Using Electronics Workbench (enero dc 1998) y Microelectronic exitAcerca del autor Cireaits Analysis and Design (abril de 1999) por PWS Publishing, Es editor de Power Blectroniss Handbook, publicado por Academic Press, 2001 El doctor Rashid es ingeniero profesional autorizado en la Provincia de Ontario (Canada), ingeniero autorizado con cartera (G. Br.), miembro del Instituto de Ingenieros Electriistas y Electrénicos (IEEE, por sus siglas en inglés, E. U.A.). Fue elegido miembro del IEBE con la ita *Liderazgo en educacion sobre electrénica de potencia y contvibuciones alas metodotogtas de anilisis y diseno de convertidores de potencia de estado sélido.” Recibid el Premio de Ingeniero Sobresaliente en 1991 del Instituto de Ingenicros Electrcistas y Electr6nicos (IEEE). Recibié 2] Premio 2002 de Actividad Educativa del IEEB, Premio al Logro Meritorio en Ecucacion Continua, ‘con la cita “por sus contribuciones al diseRo y exposicién de edueacién continua en electrénica de porencia y en stmulacton ayudada por compiaadora”. También fue un evaluador del programa ‘ABET para ingenieria elécirica le 1995 a 2000, en la actualidad es evaluador de ingenieria pe- ra la Southern Association of Colleges and Schools (SACS, E.U.A.) fue nombrado Expositor Distinguido por el IEEE-Industry Applications Society (IAS). Es editor en jefe de Power Kles- rronies and Applications Series, publicada por CRC Press.CAPITULO 1 Introduccién Los objetivos de aprendizaje de este capitulo son los siguientes: 11 Adquitie una perspectiva de la electrniea de potencia y Ia historia de su desarrollo Adquirir una perspestiva de diversos tipos de dispositivos semiconductores de potencia y sus carac terfsticas de conmutacién ‘Aprender las clases de convertidores de potencia Concer los recursos para localizar fabricantes de semiconductores de potencia Conacer los recursos para localizar articulos publicados de electrSnica de potencia y ss aplicaciones APLICACIONES DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA La demanda de control de encrgfa eléctrica para los sistemas de impulsi6n con motores eléctricos y de controles indusiriales ha existido durante muchos afios.y ha conducido al temprano desarro- ilo del sistema Ward-Leonard para la obtencién de voltajes variables de ed con los cuales controlar los impulsores de motores de ed. La electrGnica de potencia ha revolucionado el concepto de con- tsol de la potencia de conversion de energia y del control de accionamientos de motores eléctricos En la electronica de potencia se combinan la potencia, la electréniea y el control. El con- trol tiene que ver con las caracteristicas de estado estable y dindmicas de sistemas de lazo cerra do, La poteneia tiene que ver con el equipo estitico y rotatorio para la generaci6n, ransmisién y disiribucidn de la energia elécirica, La electrdniea tiene que ver con los dispositivos y circuitos de estado s6lido para el procesamiento de semtales que cumplan con los objetivos deseados en el control. Electrdniea de potencia se puede defimir como las aplicaciones de la electr nica de esta- do silico para el control y la conversién de la energia eléctrica. La interrelacion entre la electr6- nica de potencia con potencia, electrOnica y control se muestra en la figura 1.1 La electrOnica de potencia se basa principalmente en la conmutacién de dispositives semi- conductores de potencia. Con el desarrollo de la tecnologia de los semiconductores de potencia, las capacidades de manejo de potencia y la rapidez de conmutacién de los dispositivos de poten cia ha mejorado en forma considerable. FI desarrollo de los microprocesadores y la tecnologia de Jas microcomputadoras tiene un gran impacto sobre el control y la sintetizaciGn de la estrategin de control para los dispositivos semicondluctores de potencia. El equipo moderno de electrénica de potencia emplea 1) semiconductores de potencia que se pueden considerar como el misculo, y 2) Ia microelecirOnica, que tiene el poder y la inteligencia de un cerebro.2 Capitulo 1 intreduccién Eauipo se polencia Enudioo /Rotaterio Fleeténica FIGURA 1.1 Relacin entre electronica de poten, porensa, eleetsnicay contol. La electronica de potencin ya encontré un fugar importante en la tecnologia modema, y se usa ahora en una gran diversidad de productos de gran potencia, como controles de temperati- ra, de iluminacién, de motores, fuentes de poder, sistemas de impulsion de vebfeulos y sistemas de corriente directa en alto voltaje (HVDC, de sus siglas en inglés high-voltage direct curremt).Es fic establecer las fronteras de las transmisiones flexibles de ca (FACT, de flexible ac transmis sions) para las aplicaciones de electrénica de potencia, en especial con las tendencias actuales del desarrollo de los dispositivos de potencia y los microprocesadores. La tabla 1.1 muestra algunas de las aplicaciones de la electronica de potencia [5] Historia de la electronica de potencia La historia de la electronica de potencia se inicia en 1900 con la introduceién del reetificador de arco de mereurio, Despucs se introdujeron en forma gradual el rectficador de tanque metalico, € de tubo al vacio controlado por la refill, el ignitrén, el fanotron y el tiratrdn, Estos dispositivos se aplicaban para el control de potencia hasta a década de 1950, La primera revolucién electrdniea comenzé en 1948, com la invenci6m del transistor de slicio en los Bell Telephone Laboratories, por Bardeen, Brattain y Schockley. La mayor parte de las tecno. Jogias modemas de electrénica avanzada se pueden rasttear a partir de ese invent, La mieroelee- ‘wonica moderna ha evolucionado a través de Tos afios a parti de los semivonductores de slci. El siguiente adelanto,en 1956, también fue logrado en los Bell Laboratories, o sea la invencién del transistor de disparo P'VPN, que se definis como tiristor,o reetficador eontrolado de silcio (SCR). a segunda revolucién electronica comenz6 en 1958, con el desarrollo del trstor comercial, por Ia General Electric Company, Fue el principio de una nueva era de la electrénica de potencia,nes de la electrénica de potencia TABLA 1.1 Algnas aplicaciones de a elestrdnica de potencis “Abropuertas de eochera ‘Abrepuertaselétricos ‘Aceleradores de paricuas ‘Acerts ‘Accionamientos 6e motor Acondicionamicato de aire ‘Atarmas Alarms anterobo ‘Alumbzado de ata frecuencia Amplifcadores de audio “Amplfcadores de RF ‘Arrangue de miguinassineronas ‘Arrangue de trbinas de gas “Anticulos de potencia espacial Anon foroeracos Aspitadoras Balnstras para Hémpara de aco de mereurio Bombasy compresores Caldens Calentamiento por induscién Cargador de baterias ED de alo volte (HVDC) CCharolas de caleatamiento de alimentos Citeuits de TV Cobijas lees ‘Compensaci6 de volt-amperesreacivos (VAR) Computsdaras Contactores de estado sido Conroies de homes Coniroles de motor CControles de temperatura Controls lineales de motor de inducei6n Deflexionet en cincscapios Destelladares Desteladores delnz Disypatoresestticns Blectrodomésticos Elevadares Exctatrioes de generador Frias de papel Boras sntéticas Fonderatos Fotocapias Fuontes de cnergia solar Fuentes de poset Fuentes de poder ensviacidn ucntcs ce poder innterzumpibles Fuentes de poder para radar y sonst Galvanoplastiacleciromecinica Generadoresulirasénicos Grabaciones magnéticas Prete aks Gras » montacanes Rerramigntas motorizadas de mano Hoorzo de comento Horas Inicio electninin anes Impreates uses Sugueies Liseres de poteneia Tavadoras Licuadoras Locomotoras Maquinas de coser ‘Mquinas herraminta Morsiadoras de alimento Miserta ‘Modelos de tones Molinos ostradares ‘Movimiento masivo de personas Pertoracion perolera Precipitadoreselectrostiticn Procesamiento quimico Proyectores cnematograico Dublicidad Seedoras de ropa Secadoras eléerins Semaforos Sistem de seguridad Sistemas servomotores Soldadoras Soldadura Sopladores Refrigeradores Reguladores Reguladozes de luminacion Roguladores de luz Reguladores de volaje Relevadores de estado solide Relevadores de sero Reovlres estdtieos Relics ‘Taaxnisors en muy ba frecusncia (VLF) ‘Transportedores “Transport colectivo Tienes Varillas de control de reaciores nucleases Vehiculs eléeticns Veiiculosestbadores Ventladores ‘Ventiladore elcticos ‘Unidad de econocimiento superficial 31.2. Dispositives semiconductores de potencia 5 Desde entonces se han introducido muchas clases distintas de disposiivos sernivonductores de po~ tenciay de téenicas de conversién. La revolueidn microelectrGnica nos permits tener In capacidad dle procesar una cantidad gigantesca de informaci6n cou una rapidez incresble. La revolucion en la clectrénica de potencia nos est permitiende conformar y controlar grandes cantidades de po tencia con una eficiencia siempre ereciente, Debido al enlace entre la electronica de potencia el ‘miisculo, con la mieroelectréanica, el cerebro, estin surgienco hoy muchas aplicaciones potencia tes de Ia electrénica de potencia, y esta tendencia va a continuar. Dentro de los siguientes 30 aif, la electronica de potencia conformard y acondicionard Is electricidad en skgin lugar dc la zed de transmisiGn entre su generacidn ¥ todos los usuarios La revolucion de In electra de poteneia ha adquiido impulso desde las postrimerfas de le década de 1980 ya principios de 1990 [i]. Bn la figura 12 se muestra una historia cronoldgicu de la electronica de poteacia. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA ‘Desde que se desarrollé cl primer tiristor de SCR a finales de 1957. ha halido progress impre- sionantes en los dispositivos semiconductores de potencia. Hasta 1970, los firistores convencio~ hales se habfan usado exelusivamente para el control de potencia cn aplicaciones industrials. A partir de 1970 se desarrollaron varios tipos de dispositivos semiconductores Us potencia, que en~ faron al comercio, La figura 1.3 muestra la clasfieacion de los semiconductores de potencia, que s¢ fabrican, ya sea con silicio o con earhuro de silicio, Sin embargo, los dispositives de. carburo de silicio todavia estén en desarrollo, y la mayor parte de los dispositivos se fabrican cam silcio, Bstos dispositivos se pueden dividit en forma general en tres clases: 1) diodos de potencin, 2) transist- res y 3) tiristores También se pueden dividir en general en cinco tipos: |) diodos de potencis, 2) tinstores 3) transistores de unidn bipolar (BIT, de sus siglas en inglés bipolar junction iransis~ tors),4) transistores de efecto de campo de dxido de metal semiconductor (MOSFET, de sus siglas fen inglés Metal oxide semiconductor field-effect transistors), y 5) transistores bipolares de com puerta aislnda (IGBT, de sus siglas en inglés insulated-gate bipolar transistors) y transistores de induccién estatica (SIT, de sus siglas en inglés static induction transistors. Diodos de potencia Un diodo tiene dos terminales: un cétodo y un dnodo. Los diodos de poteneia son de tres tipos: de propaito general, de alta velocidad (0 recuperacién répida), y de Schottky. Los diodos de propésito general, o de aplicacién general, se consiguen hasta para 6000'V y 4500 A, y la eapaci- Gad de los diodos de recuperacién répida puede llegar hasta 6000°V y 1100 A. BL tiempo de recu- peracidn invetsa varia entre 0.1 y 5 us. Los diodos de recuperacién répida son esenciales para ‘una conmutacién de alta frecuencia de los convestidores de potencia. Los diodos de Schottky ticnen bajo voltaje de estado activo (o de conduccién) y un ticmpo de recuperacién muy peque- fio, de nanosegundos, en forma caracteristica. La corriente de Tuga, o corriente de pérdida, au- ‘menta al subir la capacidad de voltaje, y sus capacidades se limitan a 100 V, 300 A. Un diodo conduee cuando su voltaje de anado es mayor que el del eftodo, y la calda de yoltaje directo de tun diodo de potencia es muy pequetsa, en el caso normal de 0.5 a 1.2 V.Siel voltaje del cftodo es, ‘mayor que el del énodo, se dice que el diodo estd en modo de bloqueo. La figura 1.4 muestra di versas configuraciones de diodos de propdsito general, que cacn basicamente en dos tipos, Uno se ama de Borne o montado en borne o en elavija y e] otro se llama tipo disco, prensado,o puck (este tltimo es de disco de hockey). En uno del tipo montado en borne, el &nodo 0 el eatodo pueden ser la clavijaCapitulo 1 Introduccién Tineores Diosode || [ “Brdoae | | Prstozes para Soho into de se parece Tirior tide Slabs (IN) ince Condes [bio ae ane E Simei 70 Simei Asiica inverse, Cadac decal iBT tact E veal Convencion pr fards 2a Enea, [Gao imporusinea head FIGURA 1.3 CCasificador de los semiconductores de potencia. (Ret 2S. Bemnet] Tiristores. Un firistor tiene tres terminales: un dnodo, un eStodo y una compucrta, Cuando se hace pasar luna cortiente pequefia por la terminal de la compuerta, hacia el edtodo, el tiristor conduce siem: pre que la terminal del énodo tenga mayor potencial que el cétodo. Los tiristores se pueden di- Vidir en once tipos: a) titistor conmutado forzado, b) tiistor conmutado por linea, c) tristor de abertura de compucrta (GTO, de sus siglas en inglés gate-turn-off thyristor), d) titistor de con- uccidn inversa (RCT, de sus siglas en inglés reverse-conducting thyristor), ¢) tirstor de induc: cid estitica (STTH, de sus sigias en inglés static induction thyristor), f)tiristor de abertura de compuerta asistida (GATT, de sus siglas en inglés gate-assisted turn-off thyristor), g) rectificador1.2. Dispositivas semicanductores de potencia 7 FIGURA 14 Diverse configuraciones do diodos de us general, (Comenia do Poworex, Ine.) otoactivado controlado de silicio (LASCR, de sus siglas en inglés light activated silicun-conirolled rectifier (LASCR), h) iristor abierto por MOS (MTO, por sus siglas cn inglés MOS turn-off), 4) tristor abierto por emisor (ETO, por sus siglas en inglés emitter aura-off),j)tiristor conmutado por compuerta integrada (IGCT, por sus siglas en inglés integrated gate-commutated thyristor) y k, tiristores controlados por MOS (MCT, por sus siglas en inglés MOS-controlied thyristor). Una vex.que un tiristor est4 en modo de conduccién, el circuito de la compuerta no tiene control, y el tiristor continua conduciendo. Cuando un tiristor esti en modo de conduccién, la eaida de volia- je directo es muy pequefia, en forma caracteristica de 0.5 a 2 V. Un tiristor que conduce se puede pagar haciendo que el potencial del 4nodo sea igual o menor que el potencial del cétodo, Los tiristores conmutados por linea se apagan (o desactivan 0 bloquean) debido a la naturaleza senoidal del voltaje de entrada, y los tiristores de conmmtaci6n forzada se apagan con un circu to adicional, llamado circuito de conmuiacién. La figura 1.5 muestra diversas configuraciones de tiristores con control de fase (0 conmutados por linea): borne, disco, plano y clavija. Los tirstores naturales, o conmutados por linea se consiguen con capacidades hasta 6000 V, 4500 A, El siempo de abertura de los tiristores de alta velocidad y bloqueo inverso ha mejorado bastante, y es posible tener de 10 a 20 ys en un tiristor para 3000 V y 3600 A. El tiempo de aber- tura se define como el intervalo de tiempo entre el instante en el que la eorriente principal baja ‘a cero después de una interrupci6n externa del circuito de voltaje principal, y el instante cuando, al tiristor es capaz de sostener un voltaje principal de respaldo especificado sin encenderse, FIGURA 15 iverautconfiguraciones de trstores (Cortes de Powerex lac.)8 Capitulo —_Introduecién Los RCT y los GATT se usan mucho para conmutacién de alta velocidad, en especial en aplica- ciones de traccién. Se puede considerar que um RCT es tm iristor con un diodo inverso en para- elo, Estos diodos se consiguen hasta para 4000 V, 2000 A (y 800 A en conduccidn inversa) con un tiempo de conmutacién de 40 ys. Los GATT se consiguen hasta para 1200 V, 400.A,con una ve- locidad de conmutacién de 8 us. Los LASCR, que se consiguen hasta para 6000 V, 1500 A, con tuna rapidez de conmutacién de 200 a 400 is, son addecunclos para sistemas de potencia de alto voltaje.en especial los de corviente directa de alto voltaje. Para aplicaciones en ea de baja poter- cia, se usen mucho les'TRIAC en tocias los tipos de controles sencillos le temperatura, de ilum: ‘nacién, de motores y en los interruptores de ca. Las caracteristicas de los TRIAC se parecen a las de dos tiristores conectados en paralelo inverso, que sélo tienen una terminal de compuerta, El flujo de corriente por un TRIAC se puede controlar en cualquier direesién. Los GTO ylos SITH son tiristores de autoabertura. Se encienden (activan 0 desbloquean) aplicando un pulso positive corto a las compuertas,y se apagan por aplicacién de puso nego- tivo corto a las compuertas. NO requieren circuito aiguno de conmutacién. Los GTO son muy atractivos para la conmutacién forzada de eonvertidores, y se consiguen hasta para 6000 V y 6000 A. Se espera que los SITH, cuyas capacidades pueden alcanzar 1200 V y 300 A,se aptiquen en convertidores de potencia intermedia y frecuencias de varios cientos de kilohertz, més allt dolintervalo de frecuencias de los GTO. La figuea 1.6 muestra diversas eonfiguraciones de GTO. Un MTO [3] es una combinacién de un GTO y un MOSFET. que juntos superan las limitaciones de capacidad de abertura del GTO, Su estructura es parecida a la de un GTO y conserva las ven. tajas del GTO de alto voltaje (hasta 10 kV} y alga corriente (hasta 4000 A). Los MTO se pueden usar en aplicaciones de gran potencia, que van desde 1 hasta 20 MVA. Un ETO es un hbrido de MOS y GTO, que combina las ventajas tanto del GTO como del MOSFET. El ETO tiene dos compuertas: una compuerta normal para abertura y una con tina serie de MOSFET para cerra do. SE han demostrado ETO con capscidad de cortiente hasta de 4KA y capacidad de vollaje hasta de 6 KV. En um IGCT [4] se integra un tiristor conmutado por compuerta (GCT) con un aetivador de compuerta de tarjeta de circuito impreso. EI GCT es un GTO con conmutacign permanente con un puso de corriente de compuerta muy rapido y grande, tan grande econo la capacidad to- ‘al de cortiente, que toma toda la corriente del cétodo en el énodo en aproximacamente 1 ys, pa- ra asegurar un abferto répide. Fn forma pareckda a un GTO, el IGCT se enciende aplicando su FIGURA 1.6 ‘Tirstores de epagado por eompucrta (GTO), (Comesia de imemational Rests)123 1.2 Dispositivos semiconductores de potencia 9 ‘compuerta la corriente de cerrado, ELIGCT se apaga por medio de una tarjeta de circullo activa dor de compuerta, de varias capas, que puede suministrar un pulso de abertura de subida rapida (es decir, uma corriente de 4 KA/s con sélo 20 V de voltaje entre compuerta y cstodo). Un MCT se puede “encender” con tn pulso pequetto de voltaje negativo a la compuerta MOS (con respec- 10 4 su dnoda),y se puede “apagar™ con un pequefio pulso de voltaje positive. Fs eamo un GTO, excepto que la ganancia de abertura es muy alta. Los MCT se consiguen hasta 4500 V, 250 A Transistores de potencia Los transistores de potencia son de cuatro clases: 1) BJT, 2) MOSFET de potencia, 3) IGBT y 4) SIT. Un transistor bipolar tiene tres terminales: base, emisor y colecior. Fn el caso norml funciona como ua interruptor en 1a configuraci6n de emisor comén. Mientras la base de un tran- sistor NPN esté a mayor potencial que él emisor, y la corriente de la base tenga cl valor suticicne te para activar el transistor en la regién de saturacién, el transistar permanece cerrado, siempre ‘que la unién de colector a cmisor tenga la polarizacion correcta. Los trausistores bipolares de alla potencia se suelen usar en convertidores de poteneia con frocucncias menores que 10 KEIz y se aplican bien en capacidades hasta de 1200 V y 400 A. Las diversas configuraciones de los tran- sistores bipolares de potencia se ven en la figura 42. La caida directa de wn transistor conductor est en el intervalo de 0.5 a LS V. Sisse retira el voltaje de activacicin de la base, of transistor per- manece en modo de no conduceisn (6 abierto). ‘Los MOSFET de potencia se usan en convertidores de potencia y se consiguen con capaci dades relativamente bajas de potencia de 1000 V y 100 A, en un intervalo de frecuencia de varias decenas de kilohertz. Los diversos MOSFET de potencia, de distintos tamafios,se muestra en 1a figura 4.24. Los IGBT son transistores de potencia de voltaje controlado. En forma inherente, son més répidos que los BJT, pero no tan répidos como los MOSFET: Sin embargo, ofrecen ca- racterfsticas muy superiores de activacidn y de salida que las de los BJT. Los IGBT son adecua- dos para alto voltaje, gran corriente y frecuencias hasta de 20 kHz, y se consiguen hasta para 1700 JV y 2400 A. ‘COOLMOS [8] es una nueva tecnologia para MOSFET de potencia con alto voltaje, ¢ im- plementa una estructura de compensacién en Ja regién vertical se deriva de un MOSFET para mejorar la resistencia en estado cerrado. Tiene menor resistencia en estado cerrado para el mismo paquete, en comparacién con otros MOSFET. las pérdidas por conduccién son al menos cinco veces menores que las de la tecnologia MOSFET convencional. COOLMOS es eapaz de mane- jar dos o tes veces més potencia de salida en comparacién con el MOSFET convencional en el mismo paquete. El area activa de chip del COOLMOS es unas cinco veces menor gue la de un MOSFET normal. La resistencia de un COOLMOS de 600 V, 47 A es 70 mQ. ‘Un SIT es un dispositivo de alta potencia y alta frecuencia. En esencia, ¢s la versiGn del tubo de vacio triodo, en estado sélido, y se parece a un transistor de unién de efecto de campo (JFET, por sus siglas en inglés jurtction field-effect transiszor). Tiene posibilidades de poco ruido, poca dis- torsisn y alta potencia en alta audiofrecuencia. Los tiempos de cerrado y abertura son muy cortos, de unos 20 ps. La caracteristica de cerrado normal y el alto limite de eaida en estado cerrado limi- ta sus aplicaciones para conversiones generales de potencia. La capacidad de corriente de los SIT puede ser hasta de 1200 V, 300 A.y la velocidad de conmutacién puede ser hasta de 100 kHz, Los ‘SIT son més adecuados para aplicaciones de gran potencia en alta frecuencia (por ejemplo, ampli ficadores de audio, VHF/UHF (muy alta frecuencia/ultra alta frecuencia) y de microondas. La figura 1.7 muestra el intervalo de potencias de semiconductores que se éonsiguen en el co- mertio. Las capacidades de estos dispositivos de potencia se muestran en la tabla 1,2, en donde el voltaje de cerrado es la caida de voltaje en estado cerrado del dispositive a la corriente especificada.10 Capitulo 1 Introduccion S00 W600 A 2000 Vso A vy} Teapes) RRNA A 0 vnss0 Enpes) Lf S06 A of ish 00 ViZ300 Vga it Fo. 00 Vigan A GTO (Quist) gon visio A 1GCT {Gnuzeiado por aMéduio 3300 / Misti) ‘yond (ume) ‘sawn a Panic (Westode) 2500 Vi1A00 A (Fu) ‘4500 Vi4o00 A 7H, Médalo 1700 / PN. MA Goes (tsb) so vara , ae aks) MOSFET dep 200 Vis00 A “ / (emikzoa) \, cavnooa—_\. (Sewilerant) | Soo 10-2400, 000.6000 10" 1A] FIGURA 17 ntervalos de potencia de los semiconductores de potencia comerciales [Ref. 2,5 Beret] La tabla 1.3 muestra los sfmbolos y las caracteristicas v-{ de los dispositivos semiconductores de potencia que se usan en forma acostumbrada, ‘La figura 1.8 muestra las aplicaciones y el intervalo de frecuencias de los dispositivos de potencia. Un superdispositivo de potencia deberia 1) tener un voltaje cero de estado cerrado, 35) resistir un vollaje infinito en estado abierto, 3) manejar una corriente infinita, y 4) tempo coro de cerrado y abertura;es decir, una velocidad infinita de conmutacion. CARACTERISTICAS DE CONTROL DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA ‘Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden trabajar como conmutadores, aplicando seftales de control a la terminal de compuerta de Ios ttistores (y a la base de los transistores bi- ppolares). La salida necesarla se obtiene haciendo variar el tempo de conduecién de estos dispo- ‘itivos de conmutacién. La figura 1.9 muestra los voltajes de salida y las caracteristicas de control de los dispositivos conmutadores de potencia que se usan en forma comin. Una vez que un tistor std en modo de conduccidn, la sefial de compuerta, de magnitud positiva o negativa, no tiene1.3. Caracteristicas de control de los dispositivos de potencia " TABLA 1.2. Capaciades de dispositivos semiconductores de potencia Tipode ispostvo Dispositivo Capacided do corrientevoltaje Frecuencia maxima ic) Tempo de conmutacicn (us) Revistencia en ‘estado gerade a) Diodos de potencia ‘Transisores de potencial Tiistores (rection dores controls) desiliecn Diodos de potencia ‘Tansistores| bipolares MOSFET cooLMOs: sir Tristores de coateol de fe “Tirstores de abectuca ference ‘Tiristores de eutocerado Propésito general Alta velocidad Schottky Sencillo Datlington Sencillos Seneilos Sensilos Conmutads por ine, baja welocided Alta velocidad bloqueo inverso Bigiseesional RCT. GATT Fotosesionndos Gro HD-GTO Pulso GTO. sith, MO. ETO 1ecr Biditeevionales Seneillos ‘gown Vies0D A ‘6000 Vi3500 8 60 VI9SI0A ‘ano vara A, 4sn0 V/I950A ‘6000 Vit100 A. ‘on VIL7A 150/804 +400 Vi250 ania A SxOVISDA 1200 V0 wovASA avrg oovia0A 0006.14 2500 vi2agn A, ianovis2 A 200Va5.A, ao Vien A 1s VIA 1200 VI500 A 60 Vi200 A 2a ViI800.A 5000 Vi4600 A. S00 Vis600 A 5000 Vin A 2500 V/I8s0 A 18002100, 4500 v/3000 A. 6000 V2300.A 4500/5700 A 90 ViII20.8. 2500/1000 A 1200 V0 on ViSIO.A, 4500 4000.8 {4500 v3000 A 5000460 A. ‘se00¥72200 8. "4500 ViSODA. 44500 Vr4000 A. 4500 V/3000 A. 1200 VI300A «4500 Vi250.A 1400 Vi65 A Te 1k 1k 20k 20k ake wk auk 28k 30k 35k mk 100% 125k 15k 13k 100 100k 100% 19k 100k 100 w. © 0 80 60 20% 20k ‘So-100 0-100 50-100 10 50 S10 2 02 9 6 x 16 ‘asem 06m om osm 12m 198m at Ream 4m sim 15m 0m a 12m aim 20 23m aus aw am Lea 12 Osém am 043m 130m asm 087m o7am12 Capitulo 1 Introducci TABLA 13 Carscersticn ysimboles de algunos dispasitivos de potencla Dispositivos ——_ Simbolos Caracteristics {fe NPs roe ok if ye Saket 3 Te fin fro ~—a misc #8 = pee ee osrer se canal N1.3. Caracteristicas de control de los dispositivos de potencia 18 z 10 100 ik 10K WK iM, Frecuencia de operacin (Ha) FIGURA 1.8 Aplicaciones de los disposiivos de potencia.(Cortesia de Powerex, Ine.) efecto, y eso se ve en la figura T.9a. Cuando un dispositivo semiconductor de potencia se encuentra en modo de conduceién normal, hay una caida de voltaje pequeiia a través de él. En las formas de onda de voltaje de salida de la figura 1.9, se consideran despreciables esas caidas de voltaje, y ‘a menos que se especifique otra cosa, esta hipstesis se hard durante los siguientes capitulos. Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden clasificar con base en: L. Cerrado y abertnra no controladl (por ejemplo, diode). 2. Cerrado controlado y abertura no controlado (por ejemplo SCR), 3. Caracteristicas controladas de cerrado y abertura (pot ejemplo BYT, MOSFET, GTO, SITH, IGBT, SIT,MCT).. | 4, Necesidad de sefial continua en compuerta (BJT, MOSFET, IGBT. SIT). 5. Necesidad de impulso en compuerta (por ejemplo SCR, GTO, MCT). 6, Capacidad de resistencia a voltaje bipolar (SCR, GTO). 7. Capacidad de resistencia a voltaje bipolar (BIT, MOSFET, GTO, IGBT, MCT), 8. Capacidad de corriente bidiveccional (TRIAC, RCT), 9. Capacidad de corriente uniditecional (SCR, GTO, BJT, MOSFET, MCT, IGBT, SITH, SIT, diodo). La tabla 1.4 muestra las caracterfsticas de interrupcién en funcidn de sus sefiales de voltaje, cortiente y compuerta,14 Capitulo 1 Introduccién Seal detn, computa Votajede Tor Vataje cance RE devas ‘ * 4 < Xf : (a) iterpto de ttor sits, a Aco ok 4 de = Ro * é i | aro K % x vi ALAS Mer Tc - 2 ¥ % zee (Ts nin a paid de Vg somos inc) ' + t ~ ot 1 < vit He Se ——— - 6 1. ( toterroptorde tans + cS Croo sash ala 6 fone yrs He 1 vor] E s % oN t te * vip au — R ol t on (@)Interuptor de MOSFETIGET FIGURA 1.9 (Carasrerfsticus de contro de fos dxpositives de conmtacién de potencia,1.3 Caracteristicas de control de los dispositivos de potencia g 8 a 3 scuoresu0a Op OrcT euoRssap | eerioy Teuosaapiun Eis media feo a ofenon ‘paanuos —opeonsos __wpesad —enunaco—_onsodkp eunogy ——opsuay mandy rund) ‘onnsodap ‘pod, [2vated 9p siorenpuooquos 50] ap UPEINNIUE ap SENSEI FL WIBVL16 Gapitulot —_Introduccién 1.4 CARACTERISTICAS Y ESPECIFICACIONES. DE LOS INTERRUPTORES: ‘Hay muchas clases de dispositivos conmutadores de potencia. Sin embargo, cada uno tiene sis ventajas y desventajas, yes adecuado para aplicaciones especificas. La motivacién del desarrollo de todo dispositive nuevo es lograr las caracterfsticas de un “stiperdispositivo”. En consecuen- cia, se pueden comparar y evaluar las caracteristicas ce cualquier dispositivo real con referencia alas caracteristicas ideales de un siper-dispositivo. Caracteristicas ideales Las caracteristicas ideales de un interruptor ideal son las siguientes: 1. En el estado cerrado, cuando el interruptor esta cerrado, debe tener a) Ia capacidad de conducit una gran corriente directa Zz, que tienda al infnito; b) una caida de voltaje baja en estado cerrado, Vox, que tienda a cero, yc) una baja resistencia en estado cerrado, Roy, ue tienda a cero. Una baja Rox catsa poca pérdida de potencia Poy en estado cerrado, sos sfmbolos se usan normalmente bajo condiciones de ed de estado estable. En el estado abierto, cuando el interruptor esté abierto, debe tener a) la capacidad ce resistir un voltaje alto, directo o inverso, Vax, que tienda al infinito; b) una baja corrien- te de fuga Jorr en estado abierto, que tiende a cero, yc) una gran resistencia en estado abierto, Rors, que tienda a infinito. Una gran Rory causa baja pérdida de potencia en esta- do abiert0 Poss. Estos simbolos normalmente se refieren a condiciones de estado estable decd. Durante cl proceso de cerrado y abertura, se debe cerrar y abrir en forma instantanea, de modo que pueda funcionar com altas frecuencias.Asf, debe tener a) tiempo corto de de- ‘mora z que tienda a cero b) tiempo corto de subida , que tienda a cero; ¢) tiempo cor- to de slmacenamiento ¢,, que tienda a cero y d) tiempo corto de caida t» que tienda a Para el cerrado y la abertura debe necesitar 2) poca potencia de activacién de compuerta Po, que ticada a vero; b) un bajo voltaje de activacidn de compuerta Ve, que tienda a cero, ‘¥6) Una corriente pequeita de activacién de compuerta I, que tienda a cero. Debe tener divdt grande, que tienda a infinito. Esto es,elinterruptor debe ser capaz de ma- nejar cambios répicis de voltaje a través de él Debe tener difdt grande, que tienda a infinito. Esto es el interruptor debe ser capaz de ma- nnejar un aumento répido de la corriente que lo atraviesa. |. Requiere impedancia térmica muy pequefia entre la unién interna y temperatura ambien- te, Ry. Me tienda a cero, para poder transmitir con facilidad calor al ambiente. Se necesita la capacidad de sostener cualquier corriente de falla durante largo tiempos toes debe tener un valor alto de, que tienda a infnito Se requiere un coetciente térmica negativo para Ia coriente conducida, para obtener una divisién igual de coriente cuando ls dispositivos se conectan en paraleo1.4 Caracteristicas y especificaciones de los interruptores 17 12, Fs muy importante que su precio sea bajo, para construir equipos electrénicos de potencia de bajo cost. Caracteristicas de los dispositivos practicos Durante el proceso de cerrado y abertura, un dispositive prfctico de conmutacién, como el que se veen la figura 1.10a,requiere ua tiempo de demora (1,) un tiempo de subida ().tiempo de ak macenamiento (1) y tiempo de bajada (4) fnitos. Al aumentar la cortiente i, por el dispositive durante el cerrado, el voltae v4, a través del mismo baja, Al bajar la corriente por el disposi vo durante la abertura o apagado, aumenta cl voltae a través del mismo. En la figura 110b se ‘muestran algunas formas caracterfsticas de onda de voltaje vy y de corriente iy. El tiempo de cerrado (q.) de un dispositivo es a suma del tiempo de etardo y el tiempo de subida, mientras interruptor (2) lnerruptor controfado (b) Formas de onda en el nterruptor FIGURA1.10 Formas de onda normales par yotajs ycorrcntes en dspostiva.18 Casitulo 1 Introduccién que el tiempo de abertura (/.,) de un dispositivo, es la suma del tiempo de aimacenamiento y del tiempo de bajeda. En contraste con un interruptor ideal sin pérdidas, un dispositive prctico de interrupeién disipa algo de energfa al conducir y al conmutar. La cafda de voltaje a través de un dispositivo conductor de potencia es, cuando menos, del orden de 1 V, pero con frecuencia puede ser mayor, hasta de varios volts El objetivo de todo dispositive novedoso es mejorar las l- imitaciones impuestas por los parémetros de interrupeidn. La pérdida promedio de potencia en la conducsi6n, Payc,se determina eon 4p Pene = mb pd (LD en la que 7; representa el periodo de conduccidn y p es la pérdida instanténea de potencia, es decir, el producto de la cafda de voltae v4 través del interruptor y de la corriente conducida ine Las pérdidas de potencia aumentan durante el cerrado y a abertura del interruptor, debido a que durante la transicion de un estado de conduccién a otro, voltaje y la corriente tienen valo- zes apreciables. La pérdida de potencia por conmutaciéin que resulta, Pry. durante los perfodos de cerrado y abertura se determina con Pow = (ras [vas [rw) a2 Je= VTs = frecuencia de conmutacién: , 1, t-son los tiempos de subida, almacenamiento y bajar da, respectivamente. En consecuencia, la disipacién de potencia en un dispositive de conmutacién se determina con: Po = Penc + Pow + Pg (13) ‘en donde Ps, la potencia de activacién de Ia compuerta, Especificaciones de interruptor Las caracterfsticas de los dispositivos semiconductores précticos son distiritas de las de los ele- ‘mentos ideales, Los fabricantes de los dispositivos suministran hojas de datos que describen los fardmetros y las capacidades de sus productos. Hay parémetros importantes; los mas importan- tes entre ellos son: Capacidades de voltae: voltajes pico repetitivos directo e inverso y caida de voltaje directo cn estado cerrado, Capacidades de corriente: cotrientes promedio, raiz cusdrética media {rms),de pico repeti- tivo, ce pico no repetitivo y de fuga en estado abierto. Velocidad o frecuencia de interrupcién: transici6n de un estado totalmente no conductor hasta un estado totalmente conductor (cerrado), y de uno totalmente conductor a uno totalmente no conductor (abertura); son parametros muy importantes. El perfodo T; y la frecuencia f; de interrupei6n se definen por 1 1 fe" 75° rae eee (4) la que fag €8 el tiempo durante el cual el interruptor permanece abierto,1.4 Caracteristicas y especificaciones de los interruptores 19 Capacidad de die: l dispostivo necesita un tiempo minimo para que toda su superficie conductora intervenga para conducir toda Ia corriente. Si Ia eorriente aumenta con rapi der, el flujo de ella podria concentrarse on cierta regiOn y dufur al dispositivo. La did de la cortiente a través del dispositive se limita, en el caso normal, conectando en serie al dis- ppositivo un pequetio inductor Ilamado amortiguaclor en serie. Capacidad dv/at: un dispositivo semiconductor tiene una capacitancia interna en la uni6u, C,,Siel voltae w través del interruptor cambia con rapidez durante el cerrado, la abertura {tambien al conectar el suministro principal de la corriente ical, la C,du/dt dela corriente {que pasa por C, puede ser demasiado alta y eausar datos al dispositive. La dv/ds del volta- je a través del dispositivo se limita conectando un ciruito RC a través del mismo, al que se llama amortiguador shunt, amortiguador en paraleloo simplemente amortiguadar. Pérdidas por conmutacién: durante el cereado, a corriente directa aumenta antes de que el voltsje directo baj, ¥ durante la abertura, el voltaje directo aumenta antes de que la 6o- rriente baje, La existencia simulténea de voltajes y corrientes altos en el dispositive causa pirdidas de potencia, como se ve en Ia figura 1.10b, Debido a su naturaleza repettiva, e- presentan una parte apreciable de las pérdidas y con frecuencia son mayores que las pér- didas de conduecién durante el estado cerrado. ‘Requistos de activacion de compuera:el voltae y la cortiente de excitaciba de compucrta son pardmetros importantes para encender y apagar un dispositivo. Las necesidades de potencia y tnergia del excitador de la compuerta son partes muy importantes de las pérdidas,y del custo total dsl equipo. ise necestan pulbos grandes y largos de vorients para gerrania y abrizla, tes ppétdidas por acivacién de compuerta pueden ser importantes en comparacicn de las pei das totals, cl costo del eircuitoimpulsor puede ser mayor que el del dspositivo mismo. Area de operacién segura (SOA, de sus siglas en inglés Safe Operating Area): la cantidad de calor generada en el dispositive es proporcional a la pérdida de potencia; es deci, al producto del voltaje por la cottiente, Para que ese producto sea P = vi constante, ¢ gual al valor méximo admisible, la cortiente debe ser inversamente proporcional al volta- je Esto establece el limite SOA de ls puntos admisibles de operacién en estado estable en Jas coordenadas voltaje-corriente. Pt para proteccién con fusible: se necesita este pardmetro para scleccionar el fusible. La I' del dispositivo debe ser menor que Ia del fusible, para que el dispositive quede protegido cuando hay condiciones de corriente de fala Temperaturas las temperatures miximas de unin, caja y almacenamiento son normalimente entre 150 °C y 200 °C para la unin y la caja, y de ~50°C hasta 175 °C para el almacens miento, Resisiencia térmica: resistencia vérmica entre unin y caja Q,c; resistencia térmica entre ca- jay tadiador, Ors y tesistencia térmica entre radiador y ambiente, Qsy. La disipacién de ppotencia debe ser rapida desde la oblea interna, a través del paquete y finalmente hacia el medio de enftiamiento. Fl tumafio de los semiconductores interruptores de corriente es pequefio, no mayor de 150 mm, y la capacidad térmica de un dispositive aislado es dema~ Sado baja como para eliminar con seguridad el calor generado por las pérdidas internas Fn general, los dispostivos de-potencia se montan en radiadores. Pot o anterior la elimi nacion del calor representa un alto costo de equipo. 444 Opciones de dispositivo ‘Aunque hay muchos dispositives semiconductores de potencia, ninguno de ellos tiene las caracte- risticas ideales, En forma continua se mejoran los dispositivos existentes y se estan desarrollando20. Capitulo 1 Introduccion otfos nuevos. Para aplicaciones de alta potencia en la red de 50 a 60 Hz, los tiristores de control de fase y Jos bidireccionales son las opciones més econdmicas, Los COOLMOS ¥ los IGBT son los reemplazos potenciales de MOSFET y BIT, respectivamente, en aplicaciones en potencias intermedias, Los GTO y los IGCT son més adecuados para aplicaciones de gran potencia donde se requiers una conmutaci6n forzada. Con los continuos avances de la tecnologia, los [GBT se emplean cada vez més en aplicaciones de grandes potencias, y los MCT pueden encontrar apli- caciones potenciales donde se requieran voltajes biclireccionales de bloqueo. TIPOS DE CIRCUITOS ELECTRONICOS DE POTENCIA Para el control o el acondicionamiento de la potencia eléctrica, es necesaria Ia conversién de po- tencia eléerrica de una a otra forma, y que las caracteristicas de conmutaci6n de los dispositivas de potencia permitan esas conversiones, Los convertidores estaticas de potencia hacen esas fun- cciones de conversiones de potencia, Se puede considerar que un convertidor es una matriz de ‘conmutacién. Los circuitos electrdnicos de potencia se pueden clasificar en seis tipos: . Rectificadores de diodo 2. Convertidores de ca-cd (rectficadores controlados) 3. Convertidores de ca-ca (controladores de voltaje de ca) 4. Convertidores de cd-cd (convertidores de ed) 5. Convertidores de cd-ca (inversores) 6 Intcrruptores estaticos ‘Los dispositivos en los convertidores que siguen slo son para ilustrar los principios bési- ‘cos La acetén de conmutacién de un convertidor puede ser efectuada por més de un dispositive. La eleccién de determinado dispositive depende de los requisitos de voltaje, corriente y rapidez del converticor. Reetificadores de diode. Un circuito rectiticador de diodo convierte ol voltaje de ca en un voltaje fjo de od, y se ve en la figura 1.11, El voltaje de entrada v, al rectificador podria ser tanto monolésico como trifésico. Convertidores de ea-ed. Un convertidor monotésico con dos tiristores conmutades natura- Jes se ve en la figura 1.12. E1 valor promedio del voltaje de salida vy se puede controlar variaado el tiempo de condueci6n de los tristores, o el Angulo a de retardo de disparo. La entrada podria ser una fuente monofésica o triffsica. Estos convertidores se llaman tambiéa reetificadores con- trotados, Convertidores de cavca. Estos convertidores se usan para obtener un voltaje variable de a, vp, con tna fuente fija de ca y un convertidor monofésico con un TRIAC, como se ve ea la figura 1.13. El voltaje de salida se controla variando el tiempo de conduccicn de un TRIAC, 0 cl Angulo de retardo de disparo a. Estas clases de convertidores de voltaje tambien se llaman con- troladores de volige de ca. Convertidores de ed-ed. Un convertidor de ed a ed se llama también recortador de pivos, © regulador de cononutacién, y en la figura 1.14 se ve un recortador de transistor. El voltaje pro- medio de salida v, se controla haciendo variar el tiempo de conduccisn £ del transistor Qy. Si es el petiodo de recorte, entonces 1, = 87. 8 se le llama cielo de wrabajo del recortador.1.5. Tipos de circuitos electrénicosde potencia 21 saat 3] Pestana ce an ae Diets Dy (0) Diagama de iets (o) Forman oad ds vhae fiouna 1.11 Circuito reetifcador monstisico de diode Convertidores de cd-ca, A un convertidor de ed a case le Hama tambien inversor. En la figura 1.15 se ve un inversor monoffisico de transistor Si los tram cen durante medio periode,y Ms y M, conducen durante la otra mitad, el volts) alterno, El valor del voltsje se puede controler variando el tiempo de conducci6n de los transistores “ThistorT, Ve sen ot Suministro Resistencia de carga ‘acca Tristor Ty (6) Diagrama de ciesito (0) Formas de onda de vote FIGURA.1.12 Convertdor ered monotisico22 Capitulo Introducci6n Suminist, deca Vasen ot (#) Disgrama de cicuito (6) Formas de onda de volte FIGURA 1.13 Convertor caca monofésico, Interruptores estaticos. Ya que los dispositivos de potencia se pueden hacer trabajar co- ‘mo interruptores estiticos o contactores, el suministro a ellos podria ser de ea o de cd, y los dis positivos se laman interruptores estdticas de ca o interruptores de ed. Con frecuencia se pueden conectar en cascada varias etapas de conversién, para producir 1a salida que se desee, como se ve en la figura 1.16. Los suministros 1 abastecen el suministro normal de ca a la carga a través de a derivaci6n estitica, El convertidor de ca-od carga la bate- fa de reserva desde las llegadas 2, El convertidor de cd a ca suministra la energia de emergencia Suministro ‘decd oe (@) Diagrama de dsuito () Formas de onda de voltaje FIGURA 1.14 Convertdor edd1.6 Disefio de equipo de electrOnica de potencia 23 Suninistra ‘decd (@) Diegrame de ciruito () Formas de onda de voltae FIGURA 1.15 ‘Converter cd-ca monotisicn ale carga a través de un transformador desacoplador. Las lineas primarias | y 2 se suclen conoctar ala misma fuente de cd, 4.6 _DISENO DE EQUIPO DE ELECTRONICA DE POTENCIA | El disefio de un equipo de electrdnica de potencia se puede dividir en cuatro partes: 1. Disefio de los circuitos de potencia. 2. Proteccién de los dispositivos de potencia, 3. Determinacién de la estrategia de control 4, Disefio de los cireuitos légicos y de compuerta Suaninisro 1 |_cxree Suministro2 = ~ = ~ = “Transformado: Reetifcadoricargader Tavenor Ge sepuracign RLGTBION erivacion Bateria FIGURA 1.16 Diagram de blogues de una feente de poder ininterrumpible (UPS, de sus sigas en inglés uninterruptible power supp)24 Capitulo? Introduccion En los capitulos que siguen se describen y se analizan distintos tipos de circuitos electténi= £08 de potencia. En el andlisis se supone que esos dispositivos son interruptores ideales, a menos que se diga otra cosa, y se desprecian los efectos de la inductaneia parésita, las resistencias del circuito y la inductancia de la fuente. Los dispositivos y cireuitos practicos de potencia difieren de esas condiciones ideales, y también se afectan los disetios de las eircuitos, Sin embargo, en las primeras ctapas del disefio, es muy itil el andlisis simplificado de tn citcuito, para comprender su funcionamiento y para estableces las caracteristicas y la estrategia de control. Antes de construir un prototipo, el diseflador debe investigar los efectos de sus pardmetros (y fos de sus impertecciones) y debe modificar el diseito, si es nevesario. S6lo después de haber cons- ‘ruido y probado el prototipo,e! diseiiador puede contiar en la validez del disefo y puede estinar ccon més exactitud algunos de sus parimetros de circuito (por ejemplo, la inductancia pardsita) DETERMINACION DEL VALOR CUADRATICO MEDIO DE LAS FORMAS DE ONDA Para determinar con exactitud las pérdidas por conduecién en un dispositivo, asf como las capa- cidades de corriente de éste y de Ios eomponentes, se deben conocer los valores rms de las for- mas de onda de corriente. Las formas de onda de corriente casi nunca son senoides o recténgulos sencillos,y eso puede ocasionar algunos problemas para calcular los valores rms. El valor rms de una forma de onda i(2) se puede calcular como sigue: i lnm = yp f Pat as) cen donde es el perfodla. Si se puede descomponer una forma de onda en arminicas euyos valo- res rms se puedan caleular en forma individual, los valores rms de la forma de onvla real se pue- den aproximar en forma satisfactoria combinando Ios valores rms de las arménicas. Esto ¢s,¢1 valor ms de la forma de onda sc puede calcular con la ecuacidn: eee Foams = VT + Eeaway + Fay #0 + Ft) a6) con la que J, = lz componente de 64. Fras) & Feng $01 Tos valores rms de los componentes funda- mental y de la n-ésima arménica, xespectivamente, La figura 1.17 muestra los valores rms de distintas formas de onda que se encuentran con recuencia en la clectronica de potencia, EFECTOS PERIFERICOS El funcionamiento de los convertidores de potencia se basan prineipalmente en la conmutacién de dispositivos semiconductores de potencia, y en consecuencia, esos convertidores introducen arménicas de eorrionte y voltaje en el sistema de suministro y en la salida de los convertidores. sas arménicas pueden causar problemas de distorsién del voltaje de salida, generacién de armé- nicas en el sistema de suministro e interferencia con los circuitos de comunicacién y sefializacicn. nel caso normal es necesario instalar filtros a la entrada y Ia salida del sistema convertidor, para reducirel valor de las arménicas hasta una magnitud aceptable. La figura 1.18 muestra el diagrama de flujo de un convertidor generalizado de potencia. La aplicaciGn de Ia electrénica de potenciasni- del ren as der (y 5) lo al 1.8 Efectos periféricos SEONIDEDE ‘ONDA COMPLETA @ PULSOS SENOIDALES i) Wh tyolgel SENDA pots 4 4 DE FASE T CCORTHOLADA @ fal PULso @ ipl TRIANGULAR 0 FIGURA.1.17 ‘Valores sms de formas de onde que se encuentran con frecuencia, 2526 Capitulo Introduccion 19 4.10 Fusnte | rode Convertor de Fiirode | sala Gepoder| ented potecia falda Figura 1.18 Sistema gencralizado de convertidor de potencin al suministro de cargas electrSnicas sensibles impone un desatio respecto a asuntos de la calidad < la potencia, y produce problemas y asuntos que deben resolver los investigadores. Las cant-

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