INSTITUTO POLITECNICO NACIOD A SUPERIOR DE INGENIERIA MECANICA Y ELECTRICACONTENIDO INTRODUCCIO! 1. GENERACION Y MEDICION.DE ALTA 72> Ll.+ Generacién de als tension $ 1.2.-Medicién de alte weasisin, 9 2.-PRUEBA DE IMPULSO DE VOLTAJE POR RAYO, 16 2.1.- Considernciones generales, 16 3.» GENERADOR DE IMPULSO, 25 3. 1.» Solucioa del cireuito generador-carga., 25 4.- GENERADOR DE N PASOS, 32 4.1.- Circuito Marx, 32 4.2.- Circuito equivalente, 33 4.3, -Gencralidades, 35 5. MECANISMO DE RUPTURA DEL VOLTAJE DE IMPULSO, 37 5.1-Tismpo de retardo, 37 5.2 -Probabilidad de raprara, 38 5.3. Coordinacién de aislamientos, 39 3.4-Prucba de nivel de impulso aguantable, 40 5.5 Cerscteristica voltaje-tiempo, 42 REFERENCIAS, 463 6) ef t aborstorie de AT. APUNTES DE "LABORATORIO ALTA TENSION I* sito ea el cual se efechian prucbes, con 28 0 condiciones que contiens tn sq relativo segin el campo que se quel mango en el cual su medicién o “380 que representa pare el usuario o ‘eosién a aquella do valores de 600 ‘trate, sin embargo lo v manzjo equipos; y volts y mavor don: se prucban los. sislamientos, ¢s decir “wt definir prizns=s en ES.UU. por Jo cual se puode resumir de la siguiente manera: referencia norma americans norma europee presion(am He) 760 760 tommperatura(*C) 23, 2 humedad (gr/m3) 15 nN iH ‘Table 2 Condiciones normales de refercacia Por Jo tanto le ecuacién general se puode simplificar, qusdando. oak en mn Be presieh o : 1c dempercctoraactunh, 24 P DRA = 03867 pare le norma curopes DRA ~0.352 pals norma americans El factor de correccion 6, es ligermmente no lineal a la funcién DRA, como resultado de Ia ley de Pashen y su equivalencia esti dado en la tabla 3 = Densidad relative del air(DRA) Factor de correccién (6) ~ 0.70 0.72 : 0.75 0.77 0.80 03 0.85 0.86 a 0.90 091 Fed 0.95 0.95 1.00 1.00 g 1.05 1.05 1.10 1.09 Ls 1.13 ‘Tabla 3.-Factor de correocifa de drasidad del aire 2i a Laboratori de AT. 1 ae Vélupetro clectrostitico.La ley de Coulomb’ define «! campo eléctrico como un campo de fueczas, y desde luego e! campo eléctrioo pusde ser producido por voltajes, y por lo tanto In medicién de voligjes puede sez relacionade oon Ja medicién de la fuccon. Si um campo es producido por un voltaje V entre catre un par de clectrxios de disco Planos paralcios, ln fuerza F sobre el érea A de los clectrodos, para la cual c] gradients d= campo E es el mismo s través del érea y popendicular @ ia superficie, puede ser « de de ln derivads de la cacrgia almacenada W tomada en ls direcoién del capo (+ juego cade clemento del Volumen Adx conticos la misu: energia almaccnads Vy dxi/2, y produce una foora F=-dWi/d. donds e~ permitividad del medio aislante, § = distancis do seperacién enire cle cutrada y salida es: Fig 1.12 Divisor capacitive 1sLaboratorio de AT. 1 2.-PRUEBA DE IMPULSO DE VOLTAJE POR RAYO. 2.1. Consideraciones generales La prucba de impulso por rayo se recomienda por les normuss internacionales como de tipo, cs decir para comprobar ia calidad del diseno a Joe equipos eldetrices, com el objeto de determiner su comportamiento a las sobre tsssi Producides por las descargas atmosféricas, Como se sabe las sobre tensiones por ray son las que mayor de 4 potencia, ya see por incidencis disscta de rayos sobre las Iineas de tansmisisn op Indueciéa, que finaiment: inciden sobre los equipos eléetricos como tmansformndo: capacitores, imemuptores y demés equipo del sistema de potencia, Provocado por los mayor sc les denomins como sobre tensiém por rayo, y a la sic de esas quo se efecria en el Iaboratorio se lo llamard simplemente como impuiso. Existen evidensias suficientes para suponer que las sobre tensiones por ry soa de forms doble exponsncial, de poleridades positiva o negative aunque mevor bs de ests iitims y, de magnitudes que son fimcidn de la magnitud de la corriente como de la impedancia ‘surgo” de la linea; Referente ala magnid de la tensién del impulso, ésta depende del voltaje maximo del sistema del equipo que se trate y estén especificados en las normes como se puede ver ca las tablas 4 y 5; La polaridad empleada sc establece en Ja norma particular de cada equipo que sc tate y ésta puode ser positiva, nogativa o ambas, et onda cortada se reficren como los mismos el tiempo pam el cual ocurre el corte c= 16Cole de la onda.- La cole de la onda ¢s la porcién del impulso que decremento su valor Tiempo de fente.- El tiempo de frente os cl ticmpo que manscurre desde el origen de In onda hasta que eleanza su valor pico, y se lo conoce como valor nominal t1, Por consideraciones de modicién In duraciém del tiempo de frente so defins como 1.67 x el tiempo int=wvalo cate Jos puntos del frents de onda donde el voltaje es el 30 % y el 90 % del valor pi coxpresa en microsegundos. Fig 2.1 yse 2 ‘Tiempo de cola.- El tiempo que transcurre desde el origen de la onda hasta cuando so é alcanza la mitad del valor pico en Ia cola se Je lama tiempo de cola, y se expresa ea : microsegundos, a abajo del eje de referencia de tal manera que una cade de impulso queda bien definida por a cuatro caracteristicas que son la polaridad, valor pico, tiempo de frente y tiemapo de cola. = Je forms simplificada de expreser uns onda de impuls0 3 Crex(ty/ty v7= =s ¢ Laberaorio de ALT. 1 Tolerancias.- Las tolerancias permitidas por las nommaas internacionales parma los Parimetos principales d= uns onda carneteistca de impulso son; Valor pico = 3% . Nempo de. frente = 30 %; tiempo d= cola = 20 %, Desde luego que crisien otmes caracteristicas de una onda de impulso como son por sjemplo velocidad de incremento, Uempo de corte, ete. pero estos se vermin somin se requiera, las porque es la gue influye yose llamada exponencial de frente porque es la que i le onda Como se podné ver estas exponenciales son funciéa de los factores expaosnciaics a y f respectivamente y que dependen como ve Vers Jos panimetros del cireuito, exponencial de cola e,= Ee“ (2.3) exponencial de frente ¢, = Ee** (2.2) doble exponcacial ene +e, = Ee omax., y despejar el valor E aeLabormono de AT. emax~ Ee = 6° y por lo tanto, (2.5) El tiempo pera el cual le onds aleanzs cl 50 % del valor pico es tg; y le ccuacion queda definida para ese punto como: emax = 2E(e% 2%) (2.6) posible encontrar los valores de E, c, y Bde la ecuacién doble exponsacial ex fuaciba 17 tg dela forma simplificads, obtenida del oscilo grama_ ‘Le solusién grifica de estas tes ecuaciones estia dades en Ia fig.2.3 Fig. 23 Espocifcacién de uns oods tipica por rayo 19Laboratorio de ALT. I Si en le onda doble exponencia! se cumple que ty <07"0-Semaxs ¥ . sustinuyendo en (2.7) les coordenadas do dichos puntos, tenemos Fig24 2.8) @sy L Bweje wee G19) Li Si ahora scleccionamos arbitrariamente en el frente db la onda un punto Po Coen) tal que 0.5 ti RC) T 1 1 ROT RG ROS RROe ieee) ee "2G Sead eB oe omer mci, 1 © RuRaC.Ca y Las raices dela ccuscion $24 AS+B son o y B y ambas serin negativas, ~AtvVA?-4B aaa a se 3) por lo que la ecuacién general de la ecuacién doble exponencial es: ote __(e-# _ ge) RiCx(B- a) ce. Para encontrar Ja eficiencia del voltaje derivamos e igualamos con cero Ia ecunciém anterior GA) 6Lavonuone ee AT. Gs) y asi la eficiencia del voltae es ema. ets fs) ze" Roa ue es) En un caso prictico Ry>>R, y Cy >>C, y una solucién eproximada se tiene analizando la ecuscién auxiliar(3.2) sr eee ees RCI” RCs ROP * RRO donde el valor de quedar: 1 see + es mucho menor que—— y entonces la ecuacion viene & aC.” Ras Bee RiGaESe L 1 RC RRC Y ous raices son a= =o yacep RiCi Ris or lo que la ecuscién del voltaje de salida queda como : es 2 «5 -) BX ¥ Ie expresion gréfica se muestra en la Fig 3.2Rice rc, Fig.3.2La onda de vollaje de impulso y sus componentes Ejemplo: Consideremos el circuito mostrado ; encuentre la ecuncién de In onda resultante @(9, la forma de onda emax/}/17; aplicando las eouaciones generales: R1 oA + EeLOV Ss C1=0.10 UF ead —_ @ e001 UF : RI=25 Q OnE aaa nearer R2=500 2 pee ee OTe) 28baat rE OE rs Laboraone de AT 1 \ ee =a S00x0.01 35x0.01° 0.08 nib V4.6) 420.08 -4.62 V20 2 2 A= 4.58 sustituyendo en (2.4) L ett) “Tana scomy ee) e(t) = 0.880%! — +!) Ahore bien, tabulando y graficando la courcidn anterior obtenemos Ia curva mostrads en la Fig. 3.3 de la cual se obtiene Ia forma de onda : +0.86/0 736 kv 10 20 30 20 Ba Fig3.3 Formas de onda resuhamte »! tf m= OS & pi-O.02841 ql 300199867 799500798934 199401795405, 202191488 9049332 297 171286 -9250375aa26 1984 216 78255 799.75, 87452503961 19723083568 97942552355 96856058208 95057150058 964654029349 36271234089 +96078943915 92311634639 + 38692943672 88214375897 + 81872075308 562796 107 576374145 2614903707 +6976 7432507 3.679320006048 +6440 3642108 1875329131 9452054797 57120908385 54561163605 52729242408 50861699237 aagzzegsals 93171952343 4147829 1168 3985 1904108 SB289280598 2678794117 o.es3sa74 9.a001163 oe 0.160093 9. 1012888 0. 06agss5a4 9.0a051936201 0.02562978. 9.0182120: O.0192Saag96 + 0.096.486 70877 9 -BB410345 25 9.9023595437 4173774 0.90193847706 9. 00065608605 0. 00081851161 9. 00026283082 0. 00016625297 9.000105 1629 1. 10892358-08 + 16302 128-12 1. 2230665E-16 1, 2862125£-20 1.3526 1838-24 1.4224527E-28 1, 495a9248-32 1 a 1 57312305-36 5434255-40 397546E-34 295 764E~48 2a0956E-52 0239716e-s6 2.1278362E-60 6 7 8: 9: ay a7 80 2.878 1502E-a4 3.0267462E-88 3.183014E-92 3. 3473498E~96 3.82017E-100 Cexp(-0.02"t1- 2p! ESetD) ° 0.36sa54scza5 0.59589167989 0.74093540219 9.831938853528 9.9887833719 9.924015a6 789 0.945579 18125 0.95849763179 0.96594897808 9.96994377701 0.97175352628 9.97173965163, 0.97074362906, 0.969a0708645, 0.96784969603, 0.96615599303 0.964577a06 266, 0. 96254668792 0.96063a27625 0.92311633533 0.88692049672 0.85214378897 9.81873075308 0.78662796107 0.755783741406 072614903707 0.8976 7632607 0.67032004604 0.64a03842108 9.61678339 181 0.59452054797 0957120906385, 054881163609 0. 52729242404 0.5066 1699237 Crot2535 0.46 766642701 D.4ag3zagea 12 0.43171052343 0.41478291168 0.39851904108 0.38289208599 9.36787924117 19.3803» expe SI2t6E5 565. O.221899979 0.524384876813 O.62201235393 0.7 7 0.85425703357 oO. 7820971 0.85270773251 0.85021727386 0.8anéc216714 9.84704109537 0.8454021631 34237509 0. 72049999431 0. 24989653429 9.72048308271 223251774 508969248 18894 82164051 0.566 75205055 452938473, ©.52317808221 9.50268397618 0,.48295423975 9.46401723316 0. 64302295325, PIES Ie 0.41184a645577 39540948842 0.37990S26082 0.36500896228 0.35069875615 0.33694573966 0.22373390823 elt, AreiunLaboratorio 6e AT. 1 Sasurunsianrcicinrnisanrnceee ee Ejemplo 2 Consideremos el problema anterior pero supongamos que Ry<C2 por lo cual emplearemos la ccuacién particuiar (3.6) oae(ets_¥) 1 1 1 1 @ == —— 002, fg 2 a an = AL 21” 5005010 RIC2 ~ 28201 ee fe _-*) de ecuaciones 2.19 y 2.20 pare este caso 1=3.2R Cz y 19-0.7R2Cjy sustituyendo velores: 1173.2x25x0.01-0.8 ps t970.7x500x0.1-35 us lune vez conocido ty podemos sustituirlo en e(t) para encontrar emex, ence = (<0 = 5A") ct _ puts gs De shi que Ia forma simplificada de la onda resultante considermndo las ccusciones articulares os: +0.85/0.8/35 auLaboratone de ALT. 4,- GENERADOR DE N PASOS. 4.1. El circuito Marx .- El circuito desarrollado del generador de ocho pasos se muestra co ls Fig 4.1. que es del tipo Marx modificado ,con sus valores nominalcs de los elementos del circuito. Fig. 4.1 Cireuto deaarollado del peoerador de icapalso 32abormone de AT. —_WTJ_,_-W meee ctendo referencia ala Fig 4,1; en donde se muesta el circuit esquemitico de! Seperndior, con el interrupter SW] cerado se prepara el generador pare cangar sbriendo ia cuchilla_SW3_y cerrando el interrupior $W2, com el auto tunsfomadae VAR se regula Hentaments la tensin de cutrada del wensformador de alta tension TAT, Y de] rectificador al valor deseado E(iensién de carga) y, que podemos medir con el Voltimet VM La descarge del gencrador se obtione por lo tanto « lo largo del circuito serie (Fig 42)EI pulso de tensiéa ED para hacer disparar el generador se aplica ligeramente retardado al osciloscopio (osc) para sincronizar su sefial. de barrido horizoatal con el inicio de In onda produsida por ef gencrador de impulso. Una vee descargado el gcnomdor ai [Sbjeto do prueba autométicamente se abre el interuptor SW2 9 a6 cies la cuchilla SWS para descargar tiers la tensién residual quo pudiese quedar cov Ios capacitores loy2 Wescv? a0, 33Laboratorio de AT. 1 Fig 4.2 Soueeeeraeey La resistencia desde AT. # tierra eg: 9, (N-RefRt+ RE) Rees RGR +Rt Para fines pricticos R>>Rt, y RD>RE por lo que R2-NRy| La cepacitancia desde A.T sin considerar Ia capecitancia del divisor ee: C)=C/N ‘1a tnsién entre terminales del condenindor equivalente es eproximedamente: (ee) La resistencia interna del capacitor oquivaleate ex RI (N-DRE Considerando una resistencia auxiliar serio Rs(Rsy,RsoRs3) extema opcional: ef cireuito de Ia Fig 4.3 lo podemos reduc a su equivalents de la Fig 44. y si uLaboratorio de AT. 1 Ry =RI+RisRs Uegamos al circuito do la Fig 4.5 que representa al circuito equivalente del generador de Impulso de N pasos, y a ¢! va consctada ln carga I cual si es capacitive la desisnarenos como C2 pW R2 RIL gE Fig 46 aeerenen rma ha RL R2 Figs 43 Cencralidades.- Voltaje do paso-En geasral para un voltsje de salida dado y una cnergis, hay un valor éptimo de voltaje de paso y mimero do pesos. El costo del generedor sumenta con el mimero do pasos, pero incrementar el voltaje de peso pace reducir el niimero de pasos aumenta el costo del circuito de carga; ya que costo del rectificador ca Propercional al nimero de rectificadores en serie, y el costo del transformador de carga sumenta con el aislemiento requerido. Voltajes de paso de 50,100.150,200 y para grandes generndores 400 kv. son usados, Yel numero de pasos ¢s usualmente entre cuatro y doce. Capaciteasia ds peso [a capecitancia total del generador de impuiso es dictada por la mixima capacitancis del equipo por prober Generalmmnts es descable tens une Sepecitancit ea el gencrador de por lo menos cinco veces In capeciuuncia maxima de le carge. Esto asegura una eficicncia del voltaje de por lo menos el 80% aste & es c vLs forma y magaitnd de la onda es medida y regiswada con cluso combiuuio de un divisor de voliaje y un osciloscopio con cémara, Volimeto de impulso.- Un Voltimetro de impulso es bisicamente um dispositive pera medir el valor esta de un impulso de corte duracién. En su mas simple fonna sie comprends de un diodo y un capacitor. El capacitor se cargeré. por medio del diodo Biimpulso de le polaridad adocuade es splicado, pero cuando el impulso disminuye después que Is cresta ba pasado, la carga permancoeri en el capacitor, Si un Voltimers de alts impedancia es colocado a raves del capacitor , habré medicién. ‘Memizaje y blindaje.-El sistema de tems en um laborstorio de impulso debe ser seperado Gel sistema de Ie fuente o de otro sistema do tierras. La razén es que un aco’: las Paredes que rodcan o techo podrin inducir un alto voltaje. El arreglo normal e9 uses separadamente electrodes de ticrra dentro del area de prueba de AT.; Estas son unidas on tun punloy estr se use como referencia de tierra principal cualquier descarge a la propia adeno y a is inverse. 36Laboratorio do AT, 1 Speers $.- EL MECANISMO DE RUPTURA DEL VOLTAJE DE IMPULSO 5.1 Tiempo de retardo.- Pare la iniciacién do la rupture a uavés del aire, es necesario que porlo menos existe un lectin Libre capaz de iniciar Ja avalancha. Con voliajes de bajas velocidades de ineremento(C.A. y C.D.) bay ususimente suficientes eloctrones libs creados por mayos césmicos y fuentes radioactives. Sin embargo bajo la condicidn de Consideramos que Vs es el voltaje al cual se inicia Ia ruptra del gap después de un largo periods de aplicacién. Con irradiacién débil puede ser nocesario tener aplicado ol valor pico Vp por largo tiempo, de tal mancra que el voligje permanczca arriba del valor Vs. La Fig 5,1 iusta la rupna de un puiso de voliaje cscalén; Vp representa el valor pico de un escalén de voitaje aplicado ea un tiempo To a un gap que rompe bajo Vs después de un Jango tiempo. El tiempo que transcure entre la eplicacién éel voltaje al gap suficiente para Sausar is upturn y in ruptura misme ex lamado el tiempo de retardo (Esto consiste de [Fig 5.1 Rupeura dé un prio de voilaje excalén | tales clectroues son usualmente distrbuidos estadisticamente La téeaion gencralmeate seca par iradiar gaps anificiaimente y por lo unio reducir el tiempo estadistco fo reardo incluye el uso de luz ultraviolet, material radisctivo iluminacion de erqueos, aurilares. E] tiempo extadistico tambien e9 granceweate reducido por la aslicagién Ge cn sobre wolisis (Vp-Vsael gap Es claro que pars cuando le rupture ccame a) voliaje plicado Vp debe ser myer que el voliieestitico de cuptura Vi: La niptise an al free de 4s onda de un voltaic de impulso aplicado se musa ea la figure 5.2. fa diferencia ene relacién de impulso y cincremento dol voltaje aplicad, vezncion Gel equipo elsetrico, mente del mecanismo de muptura 37Laboratorio de AT. 1 se uments con la longitad del gap y la no uniformidad del eamapo, pero disminuye con la aplicacion del sobre voliaje, 52 Probabilidad de rupture bajo voltajes de impulso.- Cusndo eee : voltaje de impulso de un} | valor pico mayor que Vs cs aplicado a un gap somo se mauestm en la Fig 5.2 bay une cierta probabilidad pero no una : 7 - ee ee tte ee 3 esencial quo el arco so desarrollo durante el iatervalo de tiempo del sobre volaje-[V(1- Vs], ¢8 decir la duracion del sobre voltnje debe exceder el ticmpo de retardo [1<(t-11)] Pare kun impulso de voltsje de forma dada la duracién del sobre voliaje eumentari- con le amplitud del voltaje (Vp) Debido ela naturaleca estadistica del tiempo do retardo, cunndo un nimnero de impulsos dena smplitud Vp, que exceden el valor extitico Vs, se aplican a un eap,- solo un cicrto porcentaje romperi. Nosotros por Jo tanto obtenemos wna probabilidad de de impulsos que pemniten la ruptura sobre el mimero total de impulsos aplicados. La fig 5.3 ilusra un gjemplo de la distribucién do Ia probabilidad de ruptura en funcién del valor del voltaje de impulso Vp. ‘Vb-100 representa el 100% del voltaje de rupnura es decir cada aplicacién de voligje de costa magnitud logra la rupture. Este voligje es de particula: — importancia para Getemminar los niveles de proteccién, Vb-50 es cl volinjo del 50% os decir,8 los valores Vb-0 — y Vb-100, los valores exactos d= estos valores solo pueden sor obtenidos de un atmero uy grande de observeciones experimentales, Estos veloee {proximados sin embargo pueden ser obtenidos de la dstribuciéa de los valores de rupture alrededor de] valor medio cnccrmado caye los limites de la desviscién estandard § Por sjemplo .si nosotros contamos todes las rupturas encerrados entre 23S, cs deck, et ‘Vb-0 = Vb-s0-38 Vb-100-Vb-s0+3 % el mango incluye le probebilidad desde a 0.15% hasta 99.85% 53+ Coordinacién de aislamientos.- La coordinacién de sislamientos ca In correlacién del aislamiento de equipos eléctricos con las carncteristices de dispositivos de proteccién tal que | el aislamicnio es protegido de sobre Voligjes cxeesivos. En una sub estacion por ejemplo, el aislamiento : de transformadores, interuptores, soportes de bus etc.; deben * tenet resistencias de aislamiemto en exceso al voltaje proveido por dispositivos do proteccia. veers ~ Fig. 5.4 Curva de-diseribucién normal cm Los disciadores de sisteanns de aislamicato cléctrico tien dos opciones viables 4 + seleccionar niveles de aislamiento para componentes que deberin soportar sobre u voltajes, : 3E + dispositives de proteccién que podsian ser instelados en puntos scusibies en el sistema que limitarin sobre voltajes abi. En los inicios do los sistemas eléctricos de potencia 163 niveles de aislamiemo Cormimmonto usados fueron cstablecidos sobre le base do experisacia ganada por usuarios Une vez que se mgjoré las técnicas de laboratories, loa diferentes labeatorios 2; Teumicron para acordar acerca de los resultados, en un comité internacional je] "Nema- fo ma £ fo JLaborsione de AT. 1 eee Nela Committse on insulation coordination" ,y fue el encargado de cstablecer resistencias de sislamiento de todas las clases de equipos y un documento detallado fue publicads dando los niveles basicos de aislamicnto pera todos los equipos conocidos en ese entonses. Las prucbas presentadas incluian Ia prucba de impulso y la de C.A. de un minuto, Hoy los sistemas para voltajes de 245 kv, y mayores estéa limitados e impulsos - por rayos y Ia de C.A. de un minuto. Arriba de 300 ky, las pruebas incluyen adicional a ln de impulso y la de C.A. de un minuto, el impulso por maniobra Las tablas 4 y $ listan las prubes nomulizadas de voligje adoptadas para prober equipo eléetrico tanto en Europa como ca None América, Para Vmivoltaje miximo entre fases) arriba de 100 kv la practice usada en Europa y Norte América es el mismo voltaje. Los valores en la tercera columna comesponden a los voltajes de Ia prueba de impulso (1.2/50 microsegundos) y usualmente se le conoes como ‘Nivel Bésico de Aislamiento"(NBA) definido como el ‘ voligje de impulso a cl cual cl sislmnicuto de cuslquicr equipo eléctrico para un rengo dado de volisje debe soportar, también Yamado como nivel do impulso eguantabic. 5.4 Prueba de nivel de impulso aguantable.-_El procedimiento recomendado depende de Ja naturalezs del objeto ya sea si cs un aislamiento auto recuperable o una combinacién de ‘auto recuperuble ¥ no auto recuperable. Prueba aguantablea um aislamicnto no auto recuperable.- Para prucbes a un aislamiento Ro auto recuperable, a menos que se especifique otra cosa , se aplican tes impulsos del valor del voltaje de prusba y, de Ia forma y polaridad especificadas. Los requisitos de Js prucbe se satisfacen si no se obticae indicaciéa de fille. Pruebe aguantable a um sisimmicato auto recupemble.- Dos procedimieatos estin en uso B comin pant Is prueba soportable a sislamientos auto recuperables 3 + Seaplican quince impulsos de voltaje del valor de prucba soportable, fomma de ; onda y polaridad cspecificada. Los requisitos de Ja prueba se satisfacen si no ocuen mas de dos descargas disruptivas, ~ * Se obtiene el voltaje de mprura del 50% de probabilidad por medio de cunlquicra de las técnioas en seguida contempladas El objeto de prucba se considera que soporia le pracbe sila probabilidad de rupsura no ¢s menor del 90%, le cual se obtiene de Ia siguiente expresién: ‘Vwrs0se= Vs0%4(1-1.30 S)=0.96V50% donde: S es le desviacién cstundart ca p.u. del voltaje de descarga dissuptiva. A menos que ous se especifique el valor que debe emplearse para aislamientos en aire para Impulsos por rayo es de $=0,03. &S OS &Y ¢ éLaporateno ge ALT. 1 Stondardized Test Voges for Rated ¥ son 7 1972 Coordination af insulation Drafiy 17A(C05 103 and 104: New specications lor Gielen tts European prasice ane other countries | USA and Conde Raed Tevvollage Impulse voltage Rated “Tes vousge 6 Hz Tmpulie vohage voliage | SOHE1 min 12/50 wece voliage 120 user Torimh across open contacts” to open topes ee ve earth contact ean contacuy Tin Ose mine carthcentaist RC a RV WE RVE okvE kV vr ivi COSTS a mB as sw o 7% sr 3 sat 2 a of. Oo MH Bt se = © = 8 rs 28 ps ls % oo | SF OSS tas = Pa 0 © 9 Tw Ot ms FOG 36 masse was im sk Sma 2 9 0350 OF D1 808. ms 0 Ss TES FSS wa of 1301S Ho wg joo st S0 20 IE HO 40320 1B 3s 33030 185 E S300 e 145 BSS SD 78 Adve ¥, = 100 kV as per European practice me Ms Ms 65050 0 ss 5 ae BSE MSS 50 ew MSE 4580950 . BSE OS 4950 | 1050, 25 "65ND 1050200, a iB * Only for solavors and earthing ches. . 1 RMS vale, Peak vive For efecivety earthed neutral with additions overvoltage protection or lightning 2eresters ye Mau service voltage ofthe network betwezn pss. 1 induor execution F = Outdoor execution, E = Recuced insulation. permissible only for eectively earthed neutral g ‘Tabla 4. Voliajes de prucha normalizados hasta 245 kV es ES alStondardized Tet Vataes we Roted Vultoues ahare 300 kV IEC Pubes 11,1972 Coordination of msulanon Drafts 17A(C.0.1 103 and 108° New speeviestions for leer ists Rau Sencnng Bus ew Tew mouse use Tet 1S SO He voltage veitage vousee Legntnng surge SOHE 1250 00 SOME 07x Mya Wma mee suet Imm 121S0yace nce 250-2500 Le dvr Ne RY Eve eve Eve eve tyr Eppes 0 oue ost a asl Seg ie ase ae 1050850 oso 319 M4 Moa ay S050. Sas ano) ai IIs 950 Has 3205 <0 520 1300980 oto 1300 2281050500 a as H351050 2s Tho S360 1s 1050160 $300 NTS 900430 1530115 1330 D300. 765 m0 18m 15001100 OO SE3sass0 tH 825 neo tats 210 143s “RMS value 1 Peak valve a = mas. service voltage ofthe network between phases, 1S = Cighining surse 158 = Swiching surge : ‘Tabla 5. Vokajes de pracba normalizadoe muperiores a 245 kV Frucbe del voli de rupture del S0%- El voltaje. correspondiente al 50% de probabilidad Ge mupnura V50% pusde ser determinado por dos métodos ya sea el de niveles multiples 0 bien el de "Up and down" (CEI 60-2), 3.5 Caracteristica voliaje-tiempo,.-- Cuando un impulso de voltaje do valor Vb-100 0 roayor se splioa un gap, ocurrini la descarge dismmptiva en cada aplicacién de vollaje, El vempo Tequerido para que se desarvolle el arco (tiempo de retardo) dependeri de la velocidad de ‘noremento del vohaje y Is geometia del campo entre elccedos. Por lo tanto, para cada Beometria de gap cs posible constmuir una caracteristica vollaje-tiempo aplicendo um znimero de impulsos de amplitad reciente regisrando en el oscilografo el tiempo de retardo, Une grifica de tales carectcristices se mucsta en la Fig 5. uniforms I caracteristice cs ususlmente escarpade y definide Esta sumento de velocidad del incremesto del voltaje a embargo debido a grandes dispersiones en lon resultados, loa daton caen on wna banca de a2& avoraione oe AI. dispersién como se muestra en Ja Fig, 5,6 ; El tiempo para la rupnie es menos sensible » Ja velocidad de imcremeato del voltaje, Asi en campos casi uniformes (exieraesfera) he sido usado frccucatemente comp dispositive de proteccida coatra sobre voligjes en sistemas slécwricos de potencia, La caracteristica voltaje tiempo es una propiedad importante Prictica pare cualquier dispositivo aisiante o estructure. Esto proporcions Ia bese pare establecer la resistencia de sisiamiento al impulso y también para el disedo de ios niveles de proteccion contre sobre voltajes. Fig 5.5 Caracteristica Voliaje -Tiempo Voltajes de rupeura en campos no uniformes.- Cusando un voltaje se aplica a um gap, los fiomos neuvales pued=n ionizarse, eno cs, ellos pueden desprender jones positives y electrons. Este proceso es debido a choque ene particulas y es conocido comp fouizacién, Tas cargas producidas son atrnidas por el electodo de polaridad opussia esi se constituye una corriente eléctrica. Debido a que la ionizacién aumenta con el voltae, le coriente también uments. Este proceso comtimia hasta un valor critico de Gorricats cl cual se limita solo por la impedancia de la fuente externa. El vole a el cual ssto ocurre se le conoce como voltaje de rupture y puede ser ficiimente determinado en un gas por observacién de los cenales que se. propegan entre electrudos. 43U Laboratone 6 4.7. a ~ Nomanitrm tele Time Fig 5.6 Curva Voltaje -Tiempo para campos no uniformes El campo creado por clectrodos asimétricon es no uniforms con el miximo esfuerzo ceurriendo en la superficie del electrodo que tiene el menor radio. Cuando esie mivitoo esfuerzo es mayor de akededor cinco veces el eufuerzo promedio, se pueden concentmar ionizaciones locales en la regién de lio esfuerzo, Esto ¢s conocido como corona. Bajo o atris uns carga de espacio positiva. En este caso sin sorgede cspacio actin como uns reiilla y, reduce el Aplicacion pnictica- Aparte de la significacién tsérica del tiempo de retardo, ello tiene también un significado con valor prictico’ Cuando los gaps en sire se usan pare proteger aparams de los sobre voltajes transitorios, es importante que las carscteristicas de} Bap sean teles que el gap siempre arranque antes que lo haga el epareio por protege- Por cjemplo, los anillos de erquco d= una cadena de aisladores deben arquear bajo una onda de sobre tension antes que el sislador. La Fig 5.7 muestra las ceracteristicas al impulso 4 explores de esferas y de seccién cuadradas obvio aue el explosor de seccidn cuaceade Protegeni completamente le boquille, pero el cxplosor de esferus es necesario pam completar Je proteccién del transformaderLanorsione 6¢ AT. Fig..7 Caracursicas Votaje-Ticapo de eloctrodos de enferas y de punta, =] i & ES t 4s