TEMA 4: DIODOS SEMICONDUCTORES PROBLEMA 4.1.- Calculer el punto de trabajo del diodo en el circuito de la figura, en los casos siguientes, comparando los resultados: a) Si la relacién | - V del diodo viene dada por la Reik siguiente ecuacion: — . ef re Ce®?-1) wy donde 1, = 1 pA y (KT/q) = 0,026 V a 300%. b) Si se trabaja con un modelo linealizado del diodo de forma que V, = 0,3 Ve | = 1 pA. PROBLEMA 4.2.- El diodo, cuyas caracteristicas se aportan (figura B), se encuentra trabajando en el circuito de la figura A, polarizado por la alimentacién E y el resistor R de valor 1KQ. Figura A Figura 6 Se pid a) Minimo valor de la alimentacién E para que la cortiente | sea positiva (I>0). b) Valores de E, maximo (E>0) y minimo (E<0), que aseguren el no deterioro del dispositivo activo. ©) Tensi6n en el resistor (V,) con E=-27V3 V. PROBLEMA 4.3.~ El circuito de la figura 1, representa un rectificador. Si la caracteristica V-I es la mostrada en la figura 2, donde T/2 >> t,, calcular: a) Valores minimos de Iry ¥ Vay del diodo si se le aplica la sefial de la figura 3. b) Representar la tensién en la resistencia, indicando los valores més representativos.[ Mavs | + ava ma | | \ | | mo Figura 1 Figura 2 Figura 3 MA 4.4.- La sefial de entrada del circuito de la figura 1, se muestra en la figura 2. Si en X colocamos cada uno de los conjuntos de diodos de la figura 3, siendo las caracteristicas de los mismos las representadas en la figura 4, se pide: 1K * Vott) AN | [ Vw | Ve - 10 seg. t Figura 1 Figura 2 al ' 7 1 1 |1 Lowy oma een oy. ae v ss - > a 2 2 2 2 2 | | somA I Figura 3 Figura 4 Calcular el limite de los valores de V, y V, para que no se deterioren los diodos. + *PROBLEMA 4.5.~ En ol circuito de la figura, donde la caracteristica I-V del diodo es la indicada y la sefial e(t) se muestra en la figura 3, la misién de R, es la de proporcionar variaciones del punto de trabajo del diodo, mientras que la de R.es proteger al-diodo-ante las variaciones del cursor de R.lima ap tise) a a awh a Figura 1 Figura 2 Figura 3 a) Fijado un valor de R, indicar en qué posicién del cursor el diodo estara trabajando en condiciones mas desfavorables (mas cerca de sus limites) b) Elegir R de forma que el diodo no se destruya en el circuito sea cual sea la posicion del cursor. c) SIR=1KOyR para x = 0% y para x = 100%. 1 KQ representar la tensién y corriente por el diodo (v(t) e i(t)) PROBLEMA 4. Se pretende disefar un estabilizador de tension, de forma que V, = 12 V ante la sefial de entrada V,. Para ello se utiliza el circuito de la figura. R Ve tl wR, —— ° t Se pide: a) Tensién zener del diodo para conseguir las especificaciones mencionadas b) Si R, = 12 KQ, R= 1 KQ y del diodo se sabe quel =O mAgl = 100 mA, representar la tensién de salida (V,) del circuito ante la entrada especificada. PROBLEMA 4,7.- De los diodos del circuito de Ia figura A se conocen las siguientes caracteristicas |-V (figura B): DiodoD,; V,=0.6V ly=OWA V,=12V I = bw = be DiodoD,; V,=06V 1=0HA — Ine= bu ‘Ademas se sabe que ambos resistores son idénticos y de valor efectivo: R, = Re = 2 KQ. a) Justifiquese si D, puede conducir para cualquier valor de la alimentacién que site a D, -diodo zener~ en corte.v Figura A Figura 8 b) Justifiquese si D, puede conducir para cualquier valor de E que permita a D , tra- bajar en conduccién. ¢) Justifiquese si D, puede conducir para cualquier valor de E que polarice a D , conduciendo en directo d) Obténganse los valores de Ip, € Ine con E=20 V. e) {Cual es el minimo valor de la alimentacién para que el diodo zener trabaje en la region del codo de su caracteristica (polarizacién inversa)? #) Con E=50 V, obténganse los valores minimos admisibles de Izy de D, © by de D,. * ; © PROBLEMA 4.8. Un diodo va a trabajar con una sefial de frecuencia 100KHz y tensiones de pico V,=+50 V. Su caracteristica V-I es la. mostrada en la figura 1, y se encuentra conectado en el circuito de la figura 2. Se pide: a Al 1K 2 ay JL Ty "TE I | Figura 4 Figura 2c) Calcular Iy minima e24 minima para que funcione corectamante, con las condiciones del enunciado. ) Si lye = 49 MA. ed, = 41 MA. y la sefial de entrada oscila entre + 50 V. con To10s. gqué ocurte al aumentar la temperatura? (suponer CTR = 0). Representar la evolucién del punto de trabajo con la temperatura. e} gQué ocurriria si CTR >> 0 y aumenta la temperatura?,

4) ¥ un efecto capacitive expresado de la siguiente manera: G =4pF para una tensién inversa de Vq=5V. Se pide: a) Maxima frecuencia de la sefal digital Ve, con niveles de + 10V y un ciclo de trabajo del $0 %, aplicable al circuito que se muestra a continuacién y del que se conocen los valores efectivos de los resistores: R, = R, = 3K30. b) Si el generador Ve es del tipo: "Ve = 0.2-senwt - 10" ; {cual serd la maxima frecuencia del mismo para poder considerar despreciable el efecto capacitivo del diodo al analizar el circuito anterior?DIODOS SEMICONDUCTORES (Soluciones) 239 V; | = 9,761 mA b) V=0,3 V;1=9,7 mA PROBLEMA 4.2.- a) E>06V b) -100.01 Vs E = 60,8 V ©) Vo = -0,01 V PROBLEMA 4.3.~ a) Trays = 9 MA; Vary, = 9,99 V At PROBLEMA 4.4. Co 1: Vanax = 18.V; Vente = 50 V C0 2: Venay = 58 Vi Vente = 10V Ct0 3: Vanax = 50 Vi Vina = 18 V ClO 4: Vana = 10 V; Vinx = 58 V PROBLEMA 4.5.- a) Caso mas desfavorable: X = 0 % b) R= 0,194 KO ° X=0%PROBLEMA 4.6.- a) Vz=12V b) V, = 12 V (Constante) PROBLEMA 4.7.— a) D, puede conducit si Vp, < -0.6 V b) Si D, conduce en directo, ef diodo Q, estard en corte; si Q_conduce en inverso, 2 conduce en directo ©) Si D, conduce en directo, Vo: < 0 por lo que Q, estard en corte o en zona zener d) lm = he = 4:85 MA, ya que D esta en inverso cond = 0 y Q en directo y conduciendo: eo) E= 23,4 1 lan = 13.3 MA; he 25.7 MA; como, del enunciadoA, le . la unica condicién que verifica las dos desigualdades e8 lay, = Inyo 2 19.3 MA. PROBLEMA 4.8. a) t, = 7,5 useg: t, = 2,5 useg. b) No se puede asegurar ©) bey = 49 MAS by = 41 MA 4) En este caso, el diodo no se destruye en inverso, sino que se destruye en directo al disminuir V, y superar, por tanto, la by e) Podria compensarse el efecto de la disminucién de V, con la temperatura PROBLEMA 4.9.- a) fs 83,83 MHz b) fs 1,2 MHz