Electrnica de Potencia

Diseo de un Circuito Puente H

Introduccin
En el presente informe se describe la construccin de un puente H con
MOSFET de enriquecimiento con el fin de poder controlar el sentido de giro de
un motor DC en nuestro caso GEAR BOX (tamiya de 1.2 A).
Ya sea que requiramos que una electrobomba llene pistn hidrulico para que
se active, o que una electrovlvula deje pasar agua a travs de ella cerrando o
abriendo el caudal, o que necesitemos que un motor se detenga y gire para el
lado contrario para arreglar un atascamiento en una banda transportadora.
Para poder controlar el movimiento de un motor es necesario construir una
etapa de potencia, ya que vamos a alimentar al motor con una fuente de poder
de distinto voltaje y los dispositivos de la etapa de potencia van a manejar
corrientes muy superiores a las que pueden manejar los dispositivos digitales.
Esta etapa de potencia debe ser compatible con niveles TTL (0 5 volts) si es
que estamos usando un microprocesador, Microcontrolador o circuitos lgicos
digitales.
El circuito que requerimos es el llamado "Puente H" y est diseado para
hacer que el motor gire en sentido horario y sentido anti horario o que
simplemente se detenga rpidamente. Este puente funciona de una manera
muy sencilla. Pero antes de explicar el funcionamiento de dicho circuito, hay
que describir las condiciones que debemos de satisfacer para que el motor
realice sus funciones

Objetivos
1. Aplicar los conocimientos tericos adquiridos a travs de los libros
virtuales de cada grupo, que permita el diseo de un puente H
segn las necesidades requeridas.

2. verificar que el circuito electrnico realice un cambio de giro del

motor.

3. utilizar caractersticas tcnicas de los componentes, para el

anlisis terico en a partir de
grficos y modelos matemticos.

Procedimientos y Clculos
Datos tericos y experimentales:

Fig. 1. Circuito puente H implementado

DATOS DEL CIRCUITO

V+
VA,VB,VC,VD
RA,RB,RC,RD
RH
R

6V
5V
1K
43 K
220
Tabla 1: Datos que tenemos

Transist
or
KN,KP
VTH
VDS
ID
IDss

IRF 540
1,045
2.6
100 V
22 A
10 A

IRF 9640
2,95
2,5
200 V
-11 A
-100 A

Transistor
Beta
Ic (A)
VBEon
Vcesat
IEBo

Tabla 2: Datos de los transistores

2N2222
63,40
12 mA
0,7 v
0,4 v
1A

IRF 540

Id (A)
vgs
0,000002
2,44
0,000002
2,6
0,000007
2,7
0,00003
2,76
0,000125
2,8
0,000456
3
0,00073
3,09
0,00246
3,17
0,09
3,28
0,2
3,34
0,12
3,45
0,14
3,59
0,16
3,65
0,56
3,75
0,68
3,88
0,75
4,92
0,89
4,06
1,01
4,16
1,1
4,23
1,63
4,32
1,65
4,49

IRF 9640

0
0
0
0
0
0,002
0,004
0,032
0,08
0,11
0,13
0,15
0,26
0,315
0,39
0,49
0,55
0,6
0,71
0,725
0,887
0,91
0,95
1,06
1,48
1,46
1,45
1,45
1,45
1,45
1,45
1,45
1,45
1,45
1,45
1,45
1,45
1,45
1,45
1,45
1,45

2N222

0,28
0,48
0,74
1,17
1,6
2,3
2,8
2,95
3,39
3,52
3,62
3,72
3,79
3,9
4,02
4,11
4,28
4,69
5,09
5,65
6,2
6,3
6,8
7,28
7,78
8,45
9
9,72
9,9
10,5
10,98
11,33
11,7
12,27
12,8
13,05
13,68
14,2
14,69
15,42
15,81

IB

Tabla 3: Corrientes para las regresiones

IC(mA)
0

0,0034

0,0086

0,6

0,014

10,1

0,188

13,6

0,232

18,9

0,283

0,8

0,329

0,8

0,383

0,8

0,428

0,8

0,476

0,8

0,523

0,8

0,574

0,8

0,628

0,8

0,682

0,8

0,731

0,8

0,774

0,8

0,834

0,8

0,885

0,8

0,928

0,8

0,981

0,8

1,032

0,8

1,084

0,8

1,137

0,8

1,18

0,8

1,236

0,8

1,285

0,8

1,337

0,8

1,387

0,8

1,444

0,8

1,495

0,8

1,541

0,8

1,588

0,8

1,641

0,8

1,698

0,8

1,751

0,8

1,795

0,8

1,851

0,8

1,893

0,8

1,945

0,8

KN
6
5
f(x) = 1.05x + 3.06

4
3
2
1
0
0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

1.6

1.8

Fig 2: Regresion lineal de TIP41 c

4.5
f(x) = 2.95x + 2.94

4
3.5
3
2.5

Linear ()

2
1.5
1
0.5
0
0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

Fig 3: Regresion lineal de TIP42 c

IC(mA)
20
f(x) = 63.4x + 3.18

15

IC(mA)
Linear (IC(mA))

10
5
0
0

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

Fig 4: Regresion lineal de 2N2222

ANALISIS EN SENTIDO HORARIO

Fig 5: Circuito puente H horario

LVK malla I
+

Para que los MOSFET entre en la zona

hmica
V + Vm
LCK nodo 1

IR=Ig 1+ Ich 1 ( 1 ) si Ig 1=0(2)

IR=ICH (3)
ICH =hIB

(4)

VCEH >VCEsat (5)

IBH 0,15 mA

IBH=0,1 mA
LVK malla II

VH + ( IBHRH ) +VBEHon=0
Rh=

VH VBEHon
IBH

Rh=

(6)

5V O ,7 V
=43 K
0.1 mA

IC< 63,40,1 mA
IC< 6,34 mA

IC=6 mA
V GS=V sV g

VS=VM=6 V Y VG=VCE
V GS=6 V 0.4 V =5,6 v

LVK malla III

+

(7)

3 EN 7
+

V
+VCEHon

V
Rs=
R 1=

(8)

6 V O .4 V
=933,33 =1 K
6 mA

V DS =I D R DS(ON) ID==1 A

R DS(ON) =

V DS 0,4 v
=
=0,4
ID
1A

lck nodo I

ID 1=
=ID 2

(9)
(10)

LVK MALLA IV
VGS +VIN =0
VIN=VGS

EN LA ZONA OHMICA
ID 2=KN [ 2 ( VGSVTH ) VDSVDS 2 ] (12)

a)

VDS=Rdson(13)

10,11 Y 13 en 12
=KN [ 2 ( VinVth ) ( Rdson)( Rdson)2 ]

K N =
I D /

V I D R DS(ON)

K N =
1/

V R DS(ON)

V R DS(ON)

Vin=

-2

-2

I D R DS(ON)2

V TH I D RDS (ON)

V TH R DS (ON)

I D2 RDS (ON)2

I D R DS(ON)2

V TH R DS (ON)

+2

+(

KN
1/

1
)
( Rdson2 ) +2 VthRdson+( KN
2 Rdson

( 1 A0,4 2 ) +(2 ( 2,6 v )0,4 )+( 1 )

Vin=

Sentido Horario

1,045

2(0,4 )

=3,99 V

=4V

Sentido Anti horario

Canal N
VDS
0,42V
VGS
3,81V
ID
125A
IB
IC
VCE

Canal P
VSG
5,45V
VSD
0,39V
ID
0,89A
109A
5,6mA
48mV

Canal N
VDS
0,4V
VGS
3,78V
ID
117A
IB
IC
VCE

Canal P
VSG
5,43V
VSD
0,64V
ID
0,87A
112A
5,47mA
48mV

Tabla4: Tabla de mediciones

Porcentajes de Error Sentido Horario

error Ic=

6 mA 5,6 mA
100 =6,66
6 mA

error Rh=

43 K40 K
100 =6,97
43 K

error VGS=

5,6 V 5,45 V
100 =2,67
5,6 V

error R 1,2,3,4=

1 K0,984 K
100 =1,6
1 K

error Vin=

errID=

4 V 4,1
100 =2,5
4 K

1 A0,89 A
100 =11
1A

Porcentajes de Error Sentido Anti

Horario
error Ic=

6 mA 5,47 mA
100 =8,83
6 mA

error Rh=

43 K40 K
100 =6,97
43 K

error VGS=

5,6 V 5,43 V
100 =3,04
5,6 V

error R 1,2,3,4=

1 K0,984 K
100 =1,6
1 K

error Vin=

error ID=

4 V 4,1
100 =2,5
4 K

1 A0,87 A
100 =13
1A

CONCLUSIONES

Muchos de los datos calculados son muy cercanos a los reales,

todo esto se debe a la tolerancia en las resistencias y a las
prdidas que se dan en cada uno de los MOSFET adems de este
tipo de circuitos es muy eficaz a la hora de controlar motor pero
muy costoso.
El mtodo utilizado para medir los modos de operacin son muy acertados puesto
que los datos experimentales son muy cercanos a los datos tericos. Sus
ganancias y voltaje umbral son muy cercano en los 4 transistores, las variaciones
que se presentan son debido a la exactitud y precisin de los instrumentos de
medicin.
Comprobamos terica y experimentalmente que para el buen funcionamiento del
puente H, los transistores que me estn dando el sentido de giro deseado deben
estar en conduccin y los 2 que no conducen deben estar en corte.