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Tercera Unidad
Tercera Unidad
ENLACE QUMICO
Enlace qumico:
Estructuras de Lewis. Enlace Inico. Energa reticular de los compuestos inicos. Enlace covalente.
Estructuras de Lewis.
Regla del octeto:
Excepciones, Nmero impar de electrones. Menos de un octeto de electrones de valencia. Ms de
un octeto de electrones de valencia. Entalpas de enlace. Longitud de enlace. Estructuras
moleculares.
Aislantes y Semiconductores.
Un enlace qumico se define como el conjunto de interacciones que mantienen unidos entre s los
tomos y/o las molculas para dar lugar a estructuras ms estables. Los tomos tienen tendencia a
adquirir la configuracin electrnica de un gas noble por su estabilidad.
3.1. Estructuras de Lewis
Lewis, advirti que los tomos se combinan para formar una configuracin electrnica ms
estable, es decir son isoelectrnicos a los gases nobles. La teora de Lewis, conocida tambin
como teora del octeto por ser ste el nmero de electrones externos caractersticos de los
gases nobles se representa indicando el smbolo del elemento rodeado de puntos que
representan los electrones de valencia. Tambin se puede aplicar un guin reemplazando a
dos electrones.
Los tomos pueden ganar, perder o compartir electrones, formndose diferentes tipos de
enlaces.
Ejemplo (1): escriba la estructura de Lewis del Cloro si Z = 17
Sol. Su configuracin electrnica ser: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p5
Primer nivel 2 electrones
Segundo nivel 8 electrones
Tercer nivel 7 electrones electrones de valencia
..
: Cl .
..
Ejemplo (2): escriba la estructura de Lewis del Cloruro de potasio, KCl.
Sol.
K Z = 19
Cl Z = 17
En el ejemplo anterior ya se desarroll la configuracin electrnica del Cl, resultando 7
electrones de valencia. Para el potasio tendremos: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s1.
Primer nivel 2 electrones
Segundo nivel 8 electrones
Tercer nivel 8 electrones
Cuarto nivel 1 electrn electrn de valencia
.. X
:Cl
.. . K
OZ=8
1s2 2s2 2p4
6 electrones de valencia
..
..
ENERGA RETICULAR
kJ/mol
1 017
828
787
732
788
736
686
699
689
632
2 527
2 570
3 890
PUNTO DE FUSIN
C
845
610
550
450
801
750
662
772
735
680
714
Sub *
2 800
__
..
H H- O-H
: O
_
.. :
_
Los tomos pueden formar diferentes tipos de enlaces covalentes:
H
H
C=C
..
O=C
....
=O
Electrones de valencia
6
4
6
- electrones asignados al tomo 6
4
6
Carga Formal 0
0
0
..
..
:O C O:
..
6
7
4 6
4 5
-1 0 +1
Cuando varias estructuras de Lewis sean posibles se elige la mejor por las siguientes reglas:
a) La estructura de Lewis que tenga su carga formal ms cercana a cero.
..
Carga formal
..
..
N=O
..0. 0 ..
N=O
..
-1 +1
..
..
Observamos que solo hay 6 electrones alrededor del B, y sus cargas formales son cero.
Si tratamos de completar el octeto para el tomo de Boro tendramos:
..
:F+
Estructura
||
-1
Inconsistente
.. B
..0
:..F
F:
..
..
:F:0
|
B-1
+1
:..F
..
..
F:0
..
..
:F:0
|
B-1
F:+1 Estructura equivalente a las anteriores
:..F
..
Estructuras inconsistentes debido a la alta electronegatividad del Fluor, por tal razn la
primera estructura es la correcta y reacciona con molculas que tienen un par de
electrones no compartidos para formar un enlace con el Boro.
H
F
H
|
|
|
H N: + B F H N
|
|
|
H
F
H
3.5.3
F
|
BF
|
F
..
:Cl:
..
..
..
Cl:
..
Cl:
..
Tambin debemos tomar en cuenta que cuanto ms grande es un tomo central, estar
apto para ser rodeado por un nmero mayor de tomos. Las capas de valencia
expandidas se presentan con ms frecuencia cuando el tomo central est enlazado a
los tomos ms pequeos y ms electronegativos como el F, Cl y O.
3.6
Entalpas de Enlace
Los tomos interactan entre s para formar molculas de menor energa que la suma de las
energas de los tomos aislados ya que las molculas son ms estables que los tomos
individuales.
En todo proceso de formacin se libera energa en forma de calor a lo cual se denomina
energa de enlace y es negativa porque disminuye al formarse el enlace. En cambio si se
produce una disociacin se absorbe energa en forma de calor y es positiva debido a que la
energa aumenta al romperse el enlace.
H2 (g) 2H (g)
2H (g) H2 (g)
H = +104 kcal/mol
H = -104 kcal/mol
Donde H es cambio de entalpa (la entalpa o energa potencial es la cantidad de calor interna
que tienen las sustancias).
La fuerza de un enlace covalente entre dos tomos est determinada por la energa necesaria
para romper el enlace y cuando se tratan de molculas poliatmicas se utiliza entalpas de
enlace promedio.
3.7
Longitud de Enlace
Hay una relacin entre la entalpa de enlace, la longitud de enlace y el nmero de enlaces
entre los tomos, as al incrementarse el nmero de enlaces entre los tomos, la entalpa de
enlace aumenta y la longitud del enlace disminuye.
CC
C=C
CC
1.54
1.34
1.20
348 kJ/mol
614 kJ/mol
839 kJ/mol
TABLA N 3.2
LONGITUDES DE ENLACE PROMEDIO PARA ENLACES SIMPLES, DOBLES Y TRIPLES
3.8
ENLACE
LONGITUD DE
ENLACE ()
ENLACE
LONGITUD DE
ENLACE ()
CC
C=C
CC
CN
C=N
CN
CO
C=O
1.54
1.34
1.20
1.43
1.38
1.16
1.43
1.23
CO
NN
N=N
NN
NO
N=O
OO
O=O
1.13
1.47
1.24
1.10
1.36
1.22
1.48
1.21
Estructuras Moleculares
Las estructuras de Lewis se dibujan en un solo plano, sin embargo el arreglo atmico es
tridimensional. En forma general una molcula est determinada por sus ngulos de enlace,
los cuales se forman por las lneas que unen los ncleos de los tomos de la molcula. Los
ngulos de enlace junto con las longitudes de enlace determinan el tamao de la molcula. Por
ejemplo para el CCl4, los ngulos de enlace se definen en C Cl (longitud de enlace = 1.78 ),
y se observan 6 ngulos Cl C Cl cuyo valor es igual a 109.5, lo cual es caracterstico de
un tetraedro.
Alguna de las formas de las molculas ABn, dependen del valor de n, derivndose en general 5
estructuras fundamentales, donde A es un elemento representativo (elementos del bloque s o
p de la tabla peridica).
FIGURA 3.1
FORMAS DE MOLCULAS ABn
Lineal
Trigonal Plana
Tetradrica
Bipiramidal Trigonal
3.9
Octadrica
Aislantes y Semiconductores
Un cristal metlico es un conjunto de iones positivos inmersos en un mar de electrones de
valencia deslocalizados. La fuerza de cohesin de la deslocalizacin es la responsable de la
dureza de los metales. Debido a que la banda de valencia y la banda de conduccin son
adyacentes entre s, la cantidad de energa que se requiere para promover un electrn de
valencia a la banda de conduccin es despreciable, entonces el electrn se desplaza con plena
libertad, por tal razn los metales son buenos conductores de la corriente elctrica.
La conductividad elctrica de un slido depende del espaciamiento y del estado de ocupacin
de las bandas de energa. En los aislantes estas bandas estn separadas por una brecha y se
requiere mucha energa para excitar el electrn hacia la banda de conduccin, por tal razn el
vidrio y la madera no conducen la corriente elctrica.
Una gran cantidad de elementos son semiconductores, es decir no son conductores pero lo
realizan a temperaturas altas o cuando se combinan con una pequea cantidad de algunos
otros elementos. Los elementos ms importantes para este propsito son el Si y el Ge, siendo
utilizados en la industria electrnica. La brecha energtica entre las bandas de estos
elementos no es tan grande como en los aislantes, por eso se debe agregar la suficiente
energa para producir la conduccin.
Se debe tener en cuenta que en el caso de los metales la capacidad de conducir la corriente
elctrica disminuye al aumentar la temperatura ya que se acentan las vibraciones de los
tomos y esto tiende a romper el flujo de electrones.
Un semiconductor tambin puede aumentar su capacidad de conduccin cuando se le
incrementa pequeas cantidades de ciertas impurezas, como por ejemplo cuando se le aaden
trazas de boro o de fsforo al silicio. Es posible separar un electrn del elemento adicionado al
aplicarle voltaje de tal manera que este electrn se mueve por la estructura y funciona como
un electrn de conduccin.
Los slidos que contienen impurezas donadoras se llaman semiconductores tipo n (negativo
carga del electrn extra). Todo este proceso se denomina dopado.
En el caso del Boro, solo hay tres electrones de valencia y sucede lo contrario a lo antes dicho,
en este caso se formaran huecos en un orbital de enlace. El hueco generado en un tomo de
Si se llena con un electrn de un tomo de Si vecino, de este modo los electrones van en una
direccin, mientras que los huecos van en direccin opuesta y el slido se convierte en un
conductor elctrico. Los semiconductores que contienen impurezas aceptoras reciben el
nombre de semiconductores tipo p (positivo).
FIGURA 3.2
Energa
____________
____________
Banda de
conduccin
______________
Banda de
conduccin .
Brecha de energa
______________
Banda de
Valencia
Banda de
Valencia
Metal
Semiconductor
____________
Banda de
conduccin
Brecha de energa
______________
Banda de
Valencia
.
Aislante