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CIRCUITOS
DE
DISPARO
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REFERENCIAS
1.
OBJETIVOS
Implementar seales de control para elementos semiconductores de potencia usando
osciladores de relajacin en base a elementos de resistencia negativa.
2.
MARCO TERICO
2.1.
Los elementos de resistencia negativa (ERN) tienen como aplicacin los osciladores de
relajacin usados para la generacin de seales de control para el encendido de otros dispositivos de mayor potencia como SCRs, TRIACs, etc. [1] [2]
3.
TRABAJO PREPARATORIO
Disear los siguientes circuitos e incluir formas de onda en todos los puntos del mismo.
Circuito 1.- Oscilador de relajacin sincronizado con la red con rampa exponencial
usando UJT. El ngulo alfa debe poder variarse entre 10 grados y 170 grados.
Circuito 2.- Oscilador de relajacin sincronizado con la red con DIAC.
4.
PROCEDIMIENTO
Probar los circuitos solicitados en el literal anterior.
Nota. Los circuitos deben traerse armados.
5.
INFORME
Presentar el esquema del circuito implementado (con los cambios realizados durante
la prctica).
Realizar la descripcin del circuito implementado.
Conclusiones y recomedaciones individuales.
6.
BIBLIOGRAFA
REFERENCIAS
[1] Boylestad R., Nashelsky L. , Electronic Devices and Circuit Theory, 10/e (New Edition).
Pearson Education, 2012.
[2] M. Rashid, Power Electronics: Circuits, Devices, and Applications. Pearson/Prentice Hall,
2004.
Laboratorio de Electrnica de Potencia
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