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3.

Realizar la simulacin de los circuitos deados, presentar las


formas de onda de entrada y salida, las formas de onda en los
terminales del TBJ para los dos diseos y una tabla de los
valores DC que considere que debera tomar en simulacin para
poder comparar con la prctica de cada diseo.
Colector

A: v2_1
B: c2_2

Comn

2.000 V
1.500 V
1.000 V
0.500 V
0.000 V
-0.500 V
-1.000 V
-1.500 V
-2.000 V
0.000ms

A: v1_1
B: c1_2
C: c2_1

0.500ms

1.000ms

1.500ms

2.000ms

2.500ms

3.000ms

3.500ms

4.000ms

4.500ms

5.000ms

1.000ms

1.500ms

2.000ms

2.500ms

3.000ms

3.500ms

4.000ms

4.500ms

5.000ms

10.00 V
9.000 V
8.000 V
7.000 V
6.000 V
5.000 V
4.000 V
3.000 V
2.000 V
0.000ms

0.500ms

Parameter

DC Bias

DC Average AC RMS

A: r3[i]

-4.815mA

-4.844mA

717.0uA

B: r3_1

6.999 V

6.922 V

1.936 V

C: r4_2

3.696 V

3.696 V

9.229mV

D: r2_2

4.386 V

4.386 V

1.896mV

Base Comn

A: v1_1
B: c2_2

3.000 V
2.000 V
1.000 V
0.000 V
-1.000 V
-2.000 V
-3.000 V
0.000ms

0.500ms

1.000ms

1.500ms

2.000ms

2.500ms

3.000ms

3.500ms

4.000ms

4.500ms

5.000ms

A: r3_1
B: r2_2
C: r4_2

10.00 V

8.000 V

6.000 V

4.000 V

2.000 V
0.000ms

0.500ms

1.000ms

1.500ms

2.000ms

2.500ms

3.000ms

3.500ms

4.000ms

4.500ms

Parameter

DC Bias

DC Average AC RMS

A: v1_1

9.000 V

9.000 V

0.000 V

B: q1[ic]

1.357mA

1.341mA

789.7uA

C: q1[ie]

-1.367mA

-1.352mA

795.3uA

D: q1_3

4.489 V

4.481 V

1.181 V

E: q1_2

5.144 V

5.129 V

1.202 V

5.000ms