UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

FACULTAD DE INGENIERA MECNICA

PREVIO Nro. 1

LABORATORIOS 4 Y 5 DE LA GUA
CURSO:
Laboratorio de anlisis y diseo de circuitos electrnicos
DOCENTE:
Capcha Buiza Pedro
ALUMNOS:

ML 831

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

FACULTAD DE INGENIERA MECNICA

LIMA PER
2015

LABORATORIO Nro. 4
DISEO Y ANALISIS DE UN AMPLIFICADOR
MONO-ETAPA: CONEXIN EN CASCADA Y
AMPLIFICADOR DARLINGTON

OBJETIVOS

Disear y analizar el funcionamiento de un circuito amplificador monoetapa, haciendo uso de un transistor bipolar, teniendo en cuenta la
corriente, la ganancia de tensin e impedancia de entrada y de salida.

Implementar y analizar el funcionamiento de un circuito amplificador

cascada, teniendo en cuenta la ganancia de tensin, la onda de entrada
y la onda de salida.

Implementar y analizar el funcionamiento de un circuito amplificador

Darlington, teniendo en cuenta la ganancia de tensin, la onda de
entrada y la onda de salida.

FUNDAMENTO TERICO
1. TRANSISTOR BIPOLAR
El transistor de unin bipolar es un dispositivo electrnico de estado
slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite
controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La
denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias
al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y
electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su
impedancia de entrada bastante baja.
El transistor bipolar est compuesto por 3 terminales, llamadas base,
colector y emisor. Estos dispositivos son controlados por corriente.

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Existen 3 tipos de configuraciones de transistores bipolares con

caractersticas particulares cada una de estas configuraciones.
Mencionaremos las 3 configuraciones de un transistor bipolar:
1- Emisor Comn.
2- Base Comn.
3- Colector Comn.
1.1.

ESTADOS DE FUNCIONAMIENTO:

Figura 1. Estados de funcionamiento del transistor bipolar

1.1.1 SATURACIN. El transistor permite el paso de corriente

desde el colector al emisor. De todas formas esta corriente
no puede ser demasiado elevada, ya que la propia corriente
calienta al transistor por efecto Joule y si se calienta
excesivamente, puede estropearse de forma permanente.
Para un transistor de silicio que se encuentra en saturacin
la tensin entre la base y el emisor es de 0,7 V y entre la
base y el colector de unos 0,5 V, de donde se deduce que la
tensin entre el colector y el emisor ser de unos 0,2 V.
1.1.2.CORTE. En este estado el transistor no permite el paso
de corriente entre el colector y el emisor, se comporta
como si fuera un interruptor abierto.
Para un transistor de silicio que se encuentra en corte las
corrientes de emisor y de colector son nulas y las tensiones
entre la base y el emisor y entre la base y el colector son
ambas menores de 0,7 V.

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1.1.3.AMPLIFICACIN. Cuando un transistor se encuentra en

este estado de funcionamiento, permite amplificar la
potencia de una seal.
Por lo tanto si lo que se pretende es que el transistor se
comporte como un interruptor controlado electrnicamente,
lo nico que hay que conseguir es que pase de los estados
de saturacin a corte y viceversa. Eso s hay que tener en
cuenta las limitaciones de corriente, para no deteriorarle.
En electrnica digital, los transistores
funcionando en saturacin o en corte.

suelen

estar

2. AMPLIFICADOR MONOETAPA CON TRANSISTORES

BIPOLARES
En esta figura vemos un amplificador mono-etapa de emisor comn para
seales dbiles, este est excitado mediante un generador de tensin.
Primero procederemos a realizar el estudio esttico para obtener el
punto Q de polarizacin.

Figura 2. Amplificador monoetapa con transistores bipolares

1.2.

ANLISIS ESTTICO

Como vamos a realizar el estudio en continua se cortocircuito el

generador (se anula la excitacin) y como la frecuencia es cero,
entonces los capacitores se comportan como un circuito abierto, eso
quiere decir que la reactancia capacitiva tiende a infinito.

XC=

1
=infinito
2 fc

Entonces el circuito nos queda de la siguiente manera:

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Figura 3. Anlisis esttico del amplificador monoetapa

Observando este circuito podemos obtener el punto Q de polarizacin

debemos obtener la corriente de colector y la tensin colector emisor. En
primer lugar analizamos la malla de entrada del transistor, aplicando el
teorema de Thevenin podemos obtener los puntos de polarizacin.
Podemos plantear al circuito de otra manera aplicando el teorema de
Thevenin.

V Th=V cc

R2
R1 + R2

Rb=R 1 / R2
Utilizando la Segunda Ley de Kirchoff:

I cq=I b H fe

Como:

V Th I cq

V Th I b R b V be I cq Re =0 .

Rb
V be I cq Re =0.
H fe

Figura 4. Teorema de Thevenin aplicado al anlisis esttico del amplificador mono-etapa

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h fe

Si el

(ganancia esttica del transistor) es muy grande podemos

llegar a despreciar ese trmino y la ecuacin de entrada nos queda de la

siguiente manera.

I cq=

V ThV be
Re
Mediante esta ecuacin sacamos las siguientes conclusiones, en primer
lugar la corriente del colector depende del valor de la resistencia del
emisor (tambin podemos verla como un generador de corriente). En
caso que Re sea grande la corriente del colector sera una pequea y
demostraremos ms adelante que disminuye la ganancia de tensin del
transistor.
Ahora analizaremos la malla de salida del transistor.

V cc I cq R C Rceq I cq R e=0
V ceq =V cc I cq ( RC +R e )

Figura 5. Anlisis de malla de salida del transistor del amplificador mono-etapa

1.3.

ANLISIS DINMICO

Se aplica una alimentacin alterna al transistor, las reactancias

capacitivas se comportan como un cortocircuito (

XC

tendera a cero),

anulndose las fuentes de alimentacin de corriente continua. Veremos

el circuito equivalente a continuacin.

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Figura 6. Anlisis dinmico del amplificador monoetapa

Desarrollaremos un poco ms en detalle al transistor:

Figura 7. Transistor detallado

Dnde:

Ri : Resistencia de entrada del transistor.

Ria : Resistencia de entrada de la etapa amplificadora.
Ris : Resistencia de entrada del sistema.
Por otro lado
la

Ri

hie

Ria =Rb / hie

Ria

es igual al paralelo de la resistencia

Rb

con

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Lo cual

Ria

sera prcticamente igual a

hie , debido que

Rb

hie , entonces:
Ria hie
Ro : Resistencia de salida del transistor.
R o=

1
h oe : El

hoe

es la conductancia de salida del transistor.

Roa : Resistencia de salida del amplificador. La

paralelo entre la resistencia de salida

Ro

con

llamada resistencia dinmica es el paralelo entre

Ro

Roa

es el

Rd , la

Rd

Rc / R l . Como

es muchsima ms grande que la resistencia, entonces

podemos adoptar que

Roa

es prcticamente

Rd .

Ros : Resistencia de salida del sistema.

Ahora colocamos en la salida del transistor una resistencia de carga, el
circuito equivalente sera similar al anterior, con esto analizaremos las
caractersticas de esta mono-etapa del transistor.

En primer lugar calcularemos la ganancia de corriente del amplificador.

Figura 8. Clculo de la ganancia de corriente del amplificador

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ganancia de corriente del

amplificador:

A l=

I o=I C

ganancia de corriente del sistema:

A is =

Io
Ib

A is =

RC
RC
=I b h fe
R C + Rl
R C +R l

A l=hfe

Io
I

Io Io Ib
=
I Ib I

Ib
Rb
=
I R b + Ri

RC
R C+ R l

A is = Ai

Rb
R b+ R i

Figura 9. Clculo de la ganancia de corriente del sistema

Calculamos la ganancia de tensin:

La

Rd

es el paralelo entre la

resistencia del colector (

resistencia de carga (

V o=gm V Rd

A v=

Vo
V

Por ltimo, calcularemos la ganancia

de tensin del sistema:

Rc ) y la

A vs =

RI )
A vs =

Vo
Vs

Vo V1
Ria
=gm Rd
V1 Vs
Ria + R s

A vs = A v

Ria
R ia + R s

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A V =g m R d

Figura 10. Clculo de la ganancia de tensin del sistema

3.

AMPLIFICADOR MULTIETAPAS
Cuando nos referimos a un amplificador, estamos hablando de un circuito
capaz de procesar las seales de acuerdo a la naturaleza de la aplicacin. El
amplificador sabr extraer informacin de toda seal, de tal manera, que
permita mantener o mejorar las caractersticas del sensor o transductor
utilizado la nuestra aplicacin. Por ejemplo: Si la aplicacin est inmersa en
algn tipo de ruido, el amplificador no deber amplificar el ruido, es
ms, debe atenuarlo de toda la seal y/o del medio imperante.
La tarea se deber realizar sin distorsionar la seal, sin perder informacin,
ni inteligencia. Un criterio universal al plantearse el diseo de un
amplificador, consiste en, seleccionar la primera etapa de este como un pre
amplificador, es decir, como un amplificador que permita preparar
adecuadamente la fuente de seal para ser posteriormente procesada y
amplificada. Una segunda etapa, consistir netamente en obtener
amplificacin de o las variables involucradas. En muchos casos, y con el fin
de evitar niveles de saturacin, se reserva ms de una etapa para esta
tarea. Por regla general, la etapa final ser exclusivamente una etapa de
potencia. Esta etapa, es en realidad la que permite la materializacin de
nuestra aplicacin en un ambiente completamente ajeno a las pequeas
seal.

4.

CONEXIN EN CASCADA
Una conexin popular de etapas de amplificador es la conexin en
cascada. Bsicamente en cascada es una conexin en serie con la salida
de una etapa aplicada como entrada a la segunda etapa. La

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conexin en cascada proporciona una multiplicacin de la ganancia de

cada etapa para una mayor ganancia general.
La ganancia general del amplificador en cascada es el producto de las
ganancias y de las etapas.
En la siguiente figura se muestra un amplificador en cascada con
acoplamiento Rc usando BJT.
La ganancia de voltaje de cada etapa es:

A v 1=

R C / R L

La impedancia de entrada del amplificador es la de la etapa 1:

Z 1=R 1 / R2 /
Y la impedancia de salida del amplificador es la de la etapa 2:

Z 2 R C / r o

Figura 11. Diagrama de Conexin en Cascada

5.

CONEXIN EN DARLINGTON
El transistor Darlington es un dispositivo semiconductor que combina
dos transistores bipolares en un tndem (a veces llamado par
Darlington)
en
un
nico
dispositivo.
Esta configuracin sirve para que el dispositivo sea capaz de
proporcionar una gran ganancia de corriente y, al poder estar todo
integrado, requiere menos espacio que dos transistores normales en la

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misma configuracin. La ganancia total del Darlington es el producto

de la ganancia de los transistores individuales. Un dispositivo tpico
tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior. Tambin tiene un
mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un nico
transistor, de ah que pueda convertirse fcilmente en inestable. La
tensin base-emisor tambin es mayor, siendo la suma de ambas
tensiones base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V.
La beta de un transistor o par Darlington se halla multiplicando las de
los transistores individuales.

Figura 12. Diagrama de Conexin en Darlington

la intensidad del colector se halla multiplicando la intensidad de la base

por la beta total.

Darlington= 1 2 + 1+ 2

Si 1 y 2 son suficientemente grandes, se da que:

Darlington 1 2
Un inconveniente es la duplicacin aproximada de la base-emisor de
tensin. Ya que hay dos uniones entre la base y emisor de los
transistores Darlington, el voltaje base-emisor equivalente es la suma de
ambas tensiones base-emisor:

BE= V BE 1 +V BE 2 2V BE 1
V

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MATERIALES
o
o
o
o
o
o
o
o
o
o
o

Transistores 2N2222
Transistores BC142
Transistor 2N3904
Resistencias
Capacitores
Un generador de funciones
Protoboard
Multmetro
Osciloscopio
Cables telefnicos
Fuentes de alimentacin 0 a 30v.

CIRCUITOS DEL LABORATORIO

1. ANLISIS DE UN AMPLIFICADOR MONOETAPA BASADO EN
UN TRANSISTOR BIPOLAR
12V
R1
1uF
+
Vi
R2

1kHz

Vo

Q1
2N3904

Rs
600

Vs
-50/50mV

Rc
3.3k

Re
330

Ce
1uF

Figura 24. Circuito del amplificador mono-etapa basado en transistor bipolar

2. CONEXIN EN CASCADA
Vcc 24V

R3
4.7k

C1
22uF
+

R5
150k

Q1
2N2222
R2
22k

R4
1.2k

C2
10uF

C4
22uF
+

R7
4.7k
Q2
2N2222
+

1kHz

C5
22uF
+

R1
150k

V1
-100u/100uV

R6
22k

R8
1.2k

C3
10uF

R9
10k

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Figura 25. Circuito con Conexin en Cascada

3. CONFIGURACIN DARLINGTON COMO SEGUIDOR EMISIVO

Vcc
V1
-100m/100mVC5
22uF
+

20V

R1
75k

2N2222
2N2222
R3
100k

1kHz
R2
12k

C3
22uF
+

+
100uF
C1

R8
15k

R9
10k

Figura 26. Circuito con Configuracin Darlington como seguidor emisivo

4. CONEXIN CASCODE

Figura 27. Circuito con Cascode Connection

LABORATORIO Nro. 5
PARAMETROS Y AUTOPOLARIZACIN DEL FET
(EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO)
1. Explicar cmo se obtiene el punto Q de trabajo de la figura 1
2. Como se obtiene la curva de transferencia Io vs Vgs indicando los puntos

Io (1 / Rs ).Vgs
de operacin y las rectas de polarizacin

Obtenidas

Vgs IoRs
de
por induccin de la curva aproximar los datos de FEJFET
como son Idss y Vp.

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3. Como se Traza la curva de transferencia Id Vs Vgs indicando los puntos

de operacin obtenidos Indicar la zona del transistor JFET y la recta de
carga en cada caso.
4. Para el Circuito. de la figura 2 se pide los valores de Id=? y Vds = ?
Datos: Idss=12 mA, Vp=-4V. (Estos datos son para el circuito 1)
Desarrollo del circuito numero 2:

BAT1

20V

R2

R3

420k

2.7k

CIRCUITO 2

Q1

Id = 2,41mA

2N3819

R1

Vds = +6.98 volt

180K

R4
2.7k

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CIRCUITO 1

BAT2
1.5V

R9
10k

C2
0.047uF

R8
3000k

BAT3

SE CAMBIO POR OTRO MOSFET

9V

Q2
C1

0.047uF

Confirmar voltaje

2N7000

R5

R6

100k

1k

C3
100uF

confirmar voltaje

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MATERIALES :

Figura 13. Transistor 2N2222

Figura 14. Transistor BC142

Figura 15. Transistor 2N3904

Figura 16. Resistencias elctricas de 2.8
ohms

Figura 17. Capacitor electroltico

Figura 18. Generador de funciones

Figura 19. Protoboard

Figura 20. Multmetro

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Figura 21. Osciloscopio

Figura 22. Cables telefnicos

Figura 23. Fuente de alimentacin

SIMULACIONES :
1. SIMULACIN DE LOS CIRCUITOS DEL LABORATORIO 4 EN
PROTEUS

Fig.1 Amplificador mono-etapa

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Fig. 2 Conexin en cascada

Fig. 3 Conexin Darlington

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Fig. 4 Conexin cascodo

2. SIMULACIN DE LOS CIRCUITOS DEL LABORATORIO 5

Fig. 5 Circuito transistor MOSFET

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Fig. 6 Circuito transistor FET

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BIBLIOGRAFA
[1] P. Capcha, Gua de Laboratorio de Anlisis y Diseo de Circuitos Electrnicos,
Universidad Nacional de Ingeniera, 2015
[2] R. Boylestad, Electrnica: Teora de Circuitos, Prentice Hall, Octava Edicin,
2008.
[3] A. S. Sedra, K. Smith, Circuitos Microelectrnicos, Oxford University Press,
Cuarta Edicin, 1998.

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