Universidade Federal de

Pernambuco
Primeiro Relatrio de Eletrnica
Analgica II

Polarizao de Circuito
Darlington e Anlise em
Pequenos Sinais

Alunos:
Bruno Arruda
Gabriel Gonalves

Professor:
Prof. Raul Camelo

12 de abril de 2015

Introduo

O objetivo do projeto em questo implementar um circuito Darlington que

opere na regio ativa e ento averiguar as impedncias de entrada e de sada
e o ganho em pequeno sinais.
Alm disso, vamos estudar a resposta em baixa frequncia e explorar os
limites que a implementao do modelo de pequenos sinais . O trabalho
total ser dividido em trs partes: terica, simulao e finalmente a prtica
em si. Ao final da ltima, haver uma comparao com os dados obtidos e
avaliao do circuito nas diferentes formas abordadas.

TEORIA

2.1
Inicialmente iremos polarizar o circuito de forma que a corrente do emissor
no dependa do equivalente dos dois transistores, nem da temperatura e
ainda propiciando uma boa excurso do sinal de sada amplificado.

Figura 1: Circuito a ser polarizado, com tenso VBB e VBE indicadas

Comeamos derivando uma expresso para a corrente do emissor, IE , que
pode ser obtida escrevendo-se a equao de malha de Kirchhoff para a malha
1

base-emissor-terra:

Figura 2: Circuito a ser polarizado, com a malha indicada pela seta.

VBB + VBE IE RE IE RB ( + 1) = 0
IE =

VBB VBE
RE + RB /( + 1)

Em que = (1 + 1)(2 + 1) e RB o equivalente de Thvenin, dado por:

RB =

R1 R2
R1 + R2

Com essa equao, notamos que para que nossas restries sejam satisfeitas,
as duas condies abaixo precisam ser respeitadas:
VBB  VBE
e
RE 

RB
+1

Com VBB  VBE , a corrente IE sofrer pouca influncia das mudanas de

valores de VBE provenientes, por exemplo, de mudana de temperatura; e respeitando RE  RB / + 1, RB escolhido sendo a maior resistncia possvel,
para que a resistncia de entrada no seja muito diminuida.
2

Usando o divisor de tenso, obtemos a tenso VBB :

VBB =

R2
VCC
R1 + R2

Escolhemos R1 = 40k, R2 = 100k e 1 = 2 = 300 (RB = R1 R2 /(R1 +

R2 ) = 28, 6k) e obtemos:
VBB = 7, 14V
Usando RE = 6.8k, e assumindo um valor mdio para VBE = 1, 4V , obtemos:
7, 14 1, 4
= 0, 0093A
IB 1
RB + (1 + 1)(2 + 1)RE
O valor de IE2 = IE dado por:
IE = IB (1 + 1)(2 + 1)
IE 0, 84mA
E assim, obtemos IC IB1 (2 )( + 1) + 1 IB1 0, 84mA, e usando
RC = 2k, obtemos:
VC = VCC IC RC = 10 0, 84.103 .2.103 = 8.32V 8.3V
Com esse valor, podemos obter os limites de excurso do sinal: o valor inferior, isto , o valor em que o transistor entra em corte VC = VBB = 1, 4, que
proporciona uma excurso inferior de 8.3V 1, 4V = 6.9V , e uma excurso
de superior de 10V 8.3V = 1.7V , j que o limite superior de VC VC = VCC .

2.2

Anlise de pequenos sinais

Precisamos tambm fazer uma anlise em pequenos sinais do circuito para

obter um modelo equivalente do Darlington, alm de encontrar o ganho de
tenso do circuito, e ambas as impedncias de entrada e de sada. Seguindo
a figura 3, faremos essa anlise.

Figura 3: Circuito com fontes DC em curto circuito para anlise AC

2.2.1

Modelo equivalente

Sabemos que:
ic1 = 1 ib1
e
ic2 = 2 ib2
Facilmente, vemos que:
ic = ic1 + ic2 = eq ib1
Para encontrarmos o eq precisamos encontrar tambm ic2 em funo de ib1 :
ic2 = 2 ib2 = 2 ie1 = (2 )(1 + 1)ib1
Logo,
ic = eq ib1 = ic1 + ic2 = 1 ib1 + (2 )(1 + 1)ib1 =
4

ic = ib1 [1 + (2 )(1 + 1)]

Concluimos portanto que
eq = 1 + (2 )(1 + 1) = 300 + 300 301 = 90600
Para encontrar o r equivalente, precisamos apenas "refletir"as resistncias
nos emissores dos transistores. Desta forma:
r = r1 + r2 (2 + 1)
E obtemos o modelo equivalente da configurao Darlington ao TBJ representado abaixo pela figura 4.

Figura 4: Modelo equivalente.

2.2.2

Ganho de tenso e impedncias de entrada e de sada

O ganho de tenso global do Darlington como emissor comum dado por:

Gv = Av
Onde

RIN
(RIN + RS)

RC0
Av = eq 0
RB

Essa equao deriva da frmula do ganho do emissor-comum, no qual RC0 =

0
RC dado pela resistncia no coletor e RB
= Ri b, a resistncia na base.
Ri b = r = r1 + r2 (2 + 1)
Precisamos portanto do valor de gm1 e gm2 :
gm1 = IC1 /VT = 1 IB1 /VT = 300 0, 0093/25m = 0, 112m1
gm2 = IC2 /VT = (2 )(1 + 1)IB1 /VT = 90300 0, 0093/25m = 0, 0341
Logo,
r1 = 1 /gm1 = 300/0, 112m = 2.7M
e
r2 = 2 /gm2 = 300/0, 034 = 8, 8k
Finalmente:
Ri b = r = r1 + r2 (2 + 1) = 2.7M + 2.7M = 5.3M
Av = 90600
Gv = Av

2k
34V /V
5.3M

RIN
Av = 34V /V
(RIN + RS)

As impedncias de entrada e de sada so dadas por:

RIN = RB //Rib RB = 28, 6k
e
Ro = RC = 2k

2.3

Uso do CE

A utilizao do CE causa um aumento na estabilidade do transistor devido

ao fato de ele adicionar uma realimentao no circuito em relao a tenso da
base, mas um diminuio no ganho, j que a resistncia na base vai aumentar
devido a adio em srie a r de RE.
O uso do CE no modelo de pequenos sinais pode no ser uma boa idia porque
queremos amplificar o sinal de entrada o mais fidedignamente possvel e uma
realimentao pode causar distores num pequeno sinal.
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