Struktura nekovovch materil

defekty v nekovovch (i kovovch)

materilech
Solid State Chemistry
Dr. J. Feldmann

Obsah

Vakance, intersticily a Frenkelovy defekty

Vpoet energie tvorby vakanc
Typy rovch defekt a pouit Burgerova vektoru
Rozdl mezi vnitn a vnj vodivost, kemk n- a ptypu a donorov a akceptorov dopovn
Vpoet hustoty dr a elektron v dopovanch
materilech

Defekty
Doposud byly uvaovny dokonal krystaly , tj.
krystaly s dokonalm periodickm uspodnm
Vtina dobrch krystal se velmi mlo
odchyluje od tto pedstavy, nap. monokrystal
kemku me rst nkolik milimetr bez defekt
To vypad mlo, ale je to asi 10 milion
jednotkovch bunk
Defekty jsou dleit pi vrob polovodi a
uruj optick, elektronick a chemick vlastnosti

1. Vakance
Vakance je neptomnost atomu (iontu) v mce.
V iontovch krystalech (nap. NaCl) se vakance
vyskytuj v prech (Na + Cl) - rovnost nboj mus bt
zachovna.
Vakance se tak nazv Schottkyho defekt.
Vakance umouj difuzi stic (iont, atom) krystalem:

Vakance je bodov defekt spojen s body v krystalu

Vakance
Vakance nejsou energeticky vhodn poet vakanc
roste s teplotou (tj. s dodvnm energie do systmu)
Pro krystal obsahujc N atom, existuje rovnovn
poet vakanc, n, pi teplot T (v K) dan rovnic:

EV

n = N exp
k BT
kde EV je energie tvorby vakanc a kB je Boltzmannova
konstanta. Vztah se d aplikovat na i pry vakanc.

Difuze
Podobn, difuzn koeficient, D, je dn rovnic:

ED

D = D O exp
k BT
kde ED je energie difuze a DO je difuzn konstanta
specifick pro difundujc stici.
Pesn tento vztah plat pouze pro samodifuzi, to
znamen pro difuzi v tuhch prvcch.

Kalen, zmrazen
Nerovnovnou koncentraci vakanc je mon zskat
rychlm ochlazenm (kalenm) tuhch ltek (kov) z
vysokch teplot.
Tyto defekty mohou bt pinou dodatenho odporu
mrnho potu defekt:

EV
R = Cn = CN exp
k BT

kde C je konstanta mrnosti .

R je relativn vzrst odporu menho pi nzk teplot

po kalen z teploty T.

Pouit
E V

R = Cn = CN exp
k BT
take:

EV
ln R = ln CN
k BT
y

= c

+ mx

EV me bt zskna z grafu lnR proti (1/T)

pklad - zlato
17.73 ( 22.84)
Gradient =
0.9 10 3 1.36 10 3

EV
=
= 11100 K
kB

E V = 1.536 10 19 J

= 0.96 eV

2. Intersticily

(intersticiln msta)

V pedel pednce byly diskutovny tetraedrick a

oktaedrick intersticiln polohy uvnit tsn uspodan
struktury obsahujc mal atomy (ionty).
Jsou-li intersticiln atomy (ionty) stejn velikosti jako tsn
uspodan atomy (ionty) dochz k znanmu naruen
struktury.
Opt se jedn o
bodov defekt,
jeho vznik
vyaduje mnoho
energie.

3. Frenkelovy defekty
asto se vakance a intersticil vyskytuj dohromady
(atom) iont je vytlaen ze sv pozice do intersticilnho
msta.
U tohoto tzv. Frenkelova defektu (bnho u slouenin,
nap. v AgCl) mus bt tak zachovna nbojov
rovnovha.
Frenkelovy defekty
mohou bt do mky
vneseny ozaovnm.

4. rov defekty - 1. chyby v ukldn

h.c.p m poad ABABABA a c.c.p. m poad ABCABCA.
Chyba v ukldn nastv jestlie je poad vrstev atom
jin, nap. ABCBCABCABC (A chyb) nebo ABCABACABC
(A je navc)
asto se tyto chyby ne
celou rovinou, nap.
Tento defekt se nazv
sten dislokace

rov defekty - 2. hranov dislokace

Pvodn byly navreny k vysvtlen mechanick
pevnosti krystal.
Skld se z nadbyten roviny atom (iont), kter
kon uvnit krystalu. Tato rovina lokln deformuje
okol.

Burgerv vektor
Kdyby nebyla dislokace ptomn,
potom atom A by byl na mst A
Vektor B ukazuje posun A v
dsledku dislokace
B se nazv Burgerv vektor.
Pro hranov dislokace je Burgerv
vektor kolm k dislokaci

Pokluz
Tyto defekty vznikaj pokluzem sti atom vi ostatnm.
V ppad tsn uspodan struktury:

M-li horn vrstva

poklouznout doprava na
jin tsn uspodn
mus projt pes
nerovnovnou polohu

rov defekty - 3. roubov dislokace

Zde neexistuj dn roviny navc defekt se objevuje
kdy je oblast krystalu rozdlena na dv sti a pot
se jedna st posune dol.

rov defekty - 4. Dvojatn

Krystaly asto rostou s chybou, pi kter je jedna oblast
krystalu zrcadlovm obrazem druh:
V c.p. strukturch
vznikaj dvojata chybou
v ukldn vrstev
ABCABCBACBA
C je rovina dvojatn
Polymorfn sloueniny (tj. sloueniny s vce ne jednou
krystalovou strukturou) jsou nchyln k dvojatn, nap.
YBa2Cu3Od

rovina dvojatn

4. Neistoty
Pprava istch krystal je extrmn obtn
asto do struktury vstupuj ciz atomy (ionty) a
nahrazuj pvodn atomy (ionty)
To me mt velk vliv (bu kodliv nebo
blahodrn) na vlastnosti krystalu. Neistoty
mohou bt pidvny zmrn (dopanty).
Typickm pkladem je kemk.

Kemk
Kemk je prvkem IV skupiny a stejn jako uhlk se ve
ke tyem atomm v neblim okol:

Pi zven teplot se vazby poru a vznik (positivn)

mezera znm jako dra - a vodiv elektron.
Toto se nazv vnitn defekt v polovodich

Dopovan kemk
Nahradme-li kemk prvkem V skupiny (nap. As)
uvoln se voln elektron a nevznikne pozitivn dra:

Tento proces je znm jako

dopovn. Arsen funguje jako
donor elektron si a zvyuje
jeho elektronovou vodivost
Si dopovan As je vnitn
polovodi a protoe elektron
m negativn nboj jedn se o
polovodi n-typu

Dopovan kemk
Nahradme-li kemk prvkem III skupiny (nap. B)
vznikne pozitivn dra a neuvoln se voln elektron:
Bor psob na Si jako akceptor
elektron.
Dry se mohou pohybovat difuz
skokovm mechanismem.
Opt se jedn o vnitn
polovodi a protoe dra je
pozitivn jedn se o polovodi
p-typu

Zobrazen energetickch ps

erven=obsazen energetick stavy, svtle modr =przdn, bl = zakzan

(energetick mezera)
rkovan zelen = donorov stavy, rkovan modr = akceptorov stavy
Spodn ps = valenn ps, horn ps = vodivostn ps.
poznmka: Energetick mezera je velk (>3eV) v izoltorech, men (~1eV) v
polovodich

Shrnut
Defekty v krystalech
Bodov defekty
Linern defekty
Planrn defekty: povrchy a hranice zrn
Objemov defekty: precipitty a inkluze

Shrnut
Pro jsou defekty dleit?
defekty ve velmi malch koncentracch mohou
dramaticky mnit vlastnosti materil.
bez defekt:
neexistovala by elektronick polovodiov zazen
kovy by byly pevnj
keramika by byla mnohem houevnatj
krystaly by nebyly barevn