Los transistores se componen de semiconductores. Se trata de materiales, como el silicio o el germanio,
dopados (s decir, se les han incrustado pequeas cantidades de materias extraas con reacciones qumicas), de manera que se produce una abundancia o unacarencia de electrones libres. En el primer caso, se dice que el semiconductor es del tipo n, y en el segundo que es del tipo p. Combinando materiales del tipo n y del tipo p puede producirse un diodo. Cuando ste se conecta a una batera de manera tal que el material tipo p es positivo y el material tipo n es negativo, los electrones son repelidos desde el terminal negativo de la batera y pasan, sin ningn obstculo, a la regin p, que carece de electrones. Con la batera invertida, los electrones que llegan al material p pueden pasar slo con muchas dificultades hacia el material n, que ya est lleno de electrones libres, en cuyo caso la corriente es casi cero. El transistor bipolar fue inventado en 1948 para sustituir al tubo de vaco triodo. Est formado por tres capas de material dopado, que forman dos uniones pn (bipolares) con configuraciones pnp o npn. Una unin est conectada a la batera para permitir el flujo de corriente (polarizacin negativa frontal, o polarizacin directa), y la otra est conectada a una batera en sentido contrario (polarizacin inversa). Si se vara la corriente en la unin de polarizacin directa mediante la adicin de una seal, la corriente de la unin de polarizacin inversa del transistor variar en consecuencia. El principio puede utilizarse para construir amplificadores en los que una pequea seal aplicada a la unin de polarizacin directa provocar un gran cambio en la corriente de la unin de polarizacin inversa. Otro tipo de transistor es el de efecto de campo (FET, acrnimo ingls de Field-Effect Transistor), que funciona sobre la base del principio de repulsin o de atraccin de cargas debido a la superposicin de un campo elctrico. La amplificacin de la corriente se consigue de manera similar al empleado en el control de rejilla de un tubo de vaco. Los transistores de efecto de campo funcionan de forma ms eficaz que los bipolares, ya que es posible controlar una seal grande con una cantidad de energa muy pequea.