INFORME FINAL N 1

TRANSISTOR BIPOLAR EN CONMUTACIN

I.

OBJETIVOS:

II.

MATERIALES:

III.

Disear una puerta inversora con transistor bipolar.

Observar los efectos de los parmetros de conmutacin del transistor bipolar
en formas de onda rectangulares.
Medir los tiempos de conmutacin de una puerta inversora transistorizada.

Transistor de silicio BC549

Resistores
Condensador
Equipo electrnico de laboratorio

TAREAS A EXPERIMENTAR
1. Disear una puerta inversora empleando el transistor de silicio
Del datasheet del transistor a usar, sacamos los siguientes datos:
min = 20,

IC(Sat) = 10mA,

Y usaremos VCC = 8V, C = 0.1F

A una frecuencia de 500 Hz
Nuestro circuito es el siguiente:

IB(Sat) = 0.5mA,

VCE(Sat) = 0.2V

Ahora hallemos las resistencias del anlisis en c.c.

RC?

V CC =I C x RC +V CE
SAT

SAT

8=( 10 mA ) . RC +0.2 V
RC =791
RB?

V i=I B x R B +V BE
SAT

Si Vi 0
VO = VCC

El transistor estar en la zona de corte

Si Vi = 8

8=( 0.5 mA ) x RB + 0.7

RB =14.8 K
VO = 0.2V

El transistor estar en la zona de saturacin

2. Llenar la siguiente tabla con los datos obtenidos experimentalmente

fi

tsubida

tbajada

talmacenamiento

tretardo

VO bajo

VO alto

500 Hz

150 s

12 s

7 s

8 s

0.2 V

8V

IV.

CONCLUSIONES