No tiene capacidad de bloqueo inverso

Control: encendido y Apagado

1/5 a 1/3 la Ia en al apagado

I- grande en la gate

Caractersticas

Apagado
Activa transistor TG3
Retira carga en p2 y n2

Necesita circuitos
amortiguadores
Tiempos de recuperacin directa cortos
Casi iguales prdidas estado activo

Circuito de accionamiento

Potencia media - alta

Tiempo de almacenamiento

Inductancia parsita
Unin G-K
Si no: destruye GTO

Subida rpida de E(AK)

tfi
Intervalos

Transitorio de
Apagado

Cortocircuito del A

Estructura

tw2
< al valor especificado

Para desconexin

GTO

Se acciona

Contribuye a mayores prdidas

Maximiza distancia G -K(centro)

Grabado de silicio para las reas del K

Diferencias

ruptura de avalancha

Diferencia de E entre A-G

Maximiza periferia del K

Estructura G-K muy interdigitadas

Cada de la corriente andica

Modificaciones

Y hacen contacto con nReducir tiempos de vida de portadores

Retirar huecos de la capa n1

Cada de E en activo mas alta

Difusin de huecos rpida

Zonas n+

Corriente de cola

Zonas n+ penetran al nodo tipo p

Tension en el GTO es elevada

Redes Snubber

Circuitos amortiguadores

Conmutacin
Antes de desconectarse
Puede existir mala comparticin d corrientes

Debe mantenerse por un periodo

Estado Activo

En las islas de K
Hasta haber acabado todo su periodo

limitada
Velocidad voltaje A-K

Tiempos
Mnimos

GTO puede encenderse nuevamente

Igate es 0 & Ia dismunuye --

No se debe encender
Estado Pasivo

Transitorio de
Encendido

Circuito de accionamiento
Pulso inicial
grande

Alvaro Velasco

Transistores TG1 y TG2

En la gate
Ia

Sobreimpulso

GTO (1).mmap - 09/11/2014 - Mindjet

Islas de K dejan de conducir

Si:

Recuperacin inversa de Df