Amplificadores de Potencia

Electrnica de Potencia
(Especialidad de Electrnica)
PRCTICAS DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA

1. Introduccin
La etapa de salida de los amplificadores es la encargada de suministrar a la carga
seales poco distorsionadas y con una determinada cantidad de potencia.
Hasta ahora se han considerado los elementos activos (transistores) como dispositivos
lineales, debido a que en pequea seal se producen pocas variaciones alrededor del punto
de trabajo. Esta situacin no se produce en los amplificadores de potencia ya que stos
deben proporcionar una seal de salida grande, por lo que debe tenerse en cuenta toda la
caracterstica de transferencia. Por eso, este tipo de amplificadores se llaman tambin
amplificadores de gran seal. Estos niveles, provocan distorsin de las seales de salida
debido a la no linealidad de la relacin entre la intensidad de colector ic y la intensidad de
base ib: para niveles grandes de seal ic k ib. Este tipo de distorsin se denomina
distorsin armnica, y como veremos ms adelante, no es la nica que existe en este tipo
de amplificadores.
2. Clasificacin de los amplificadores de potencia
Dependiendo de la situacin del punto de trabajo en la recta de carga dinmica, los
amplificadores de gran seal se clasifican en:
Clase A
El elemento activo se polariza en el centro de la recta de carga dinmica, para obtener una
excursin simtrica de la seal de salida. Esto provoca que el amplificador y, por tanto, el
elemento activo disipe potencia an en ausencia de seal de entrada, y que el rendimiento
sea muy pobre.
Clase B
El elemento activo se polariza justo en el corte, por lo que su consumo de potencia en
reposo es nulo y su rendimiento alto. Requieren un montaje en contrafase que les
proporcione capacidad de amplificacin de los dos semiciclos de la seal de entrada y,
adems, al estar polarizados en el corte introducen un tipo de distorsin asociada con el
circuito de entrada llamada distorsin de cruce.
Clase AB
Este tipo de amplificadores trata de corregir la distorsin de cruce recurriendo al montaje
en contrafase mediante diodos, situando el punto de de polarizacin en el umbral de
conduccin, y producindose por tanto, un empeoramiento del rendimiento respecto a la
clase B, ya que se consume la potencia necesaria para dicha polarizacin en reposo. En
Prcticas de Electrnica de Potencia
este caso, si se aplica a la entrada una seal senoidal, la seal de salida ser cero en un
intervalo de tiempo inferior a medio periodo.
Clase C
Se polarizan por debajo del corte y la carga se acopla mediante un circuito LC paralelo,
sintonizado a la frecuencia de la seal de entrada, de forma que se encuentra en estado de
corte la mayor parte del periodo de dicha seal y amplifica slo durante cortos intervalos.
En la siguiente grfica se puede ver la situacin del punto de trabajo sobre la recta de
carga dinmica para cada tipo de amplificador de potencia:
Fig. 1 Situacin del punto de trabajo
3. Rendimiento
En el diseo de este tipo de amplificadores se debe tener en cuenta tanto la limitacin
de la fuente suministradora de potencia como la mxima disipacin permitida, por lo que
un parmetro importante es el rendimiento de la conversin de potencia.
El rendimiento se define como la relacin entre la potencia promedio entregada a la
carga y la potencia consumida de la alimentacin:
potencia entregada a la c arg a

P
= L x 100%
Potencia (en cc) entregada por la alimentacin Palim
4. Ventajas e inconvenientes de los diferentes tipos de amplificadores
Funcionamiento en clase B respecto al de clase A

Ventajas:
-
Mayor potencia de salida, debido a que la amplitud de las seales de salida que se
puede obtener sin recorte es casi el doble.
2
Prdida de potencia en reposo despreciable, ya que el punto de trabajo est situado

justo en la zona de corte.
Rendimiento mayor como consecuencia de los puntos anteriores: un 78.5% terico

de la clase B frente al 25% de la clase A.
Inconvenientes:
En la configuracin en contrafase es necesario emplear dos transistores idnticos

para no introducir deformacin entre los semiciclos de la seal de salida.
Distorsin de cruce, producida porque los transistores no empiezan a conducir hasta

que la VBE no alcanza unos 0.7V.
Funcionamiento en clase AB respecto al de clase B

Ventaja:
-
Elimina la distorsin de cruce
Inconvenientes:
-
Mayor consumo de potencia debido a que circula corriente en reposo.
Menor rendimiento.
PRCTICA 2
AMPLIFICADOR CLASE A
5. Procedimiento prctico
En esta prctica se va estudiar el funcionamiento de un amplificador bsico en emisor
comn en clase A.
MONTAJE EN EL LABORATORIO
El esquema del amplificador se puede observar en la siguiente figura:
= 50
Fig 1 Amplificador clase A
Objetivos:
Se deben medir los siguientes parmetros:
Ganancia de tensin Vo/Vi

Impedancia de entrada
Distorsin de 2 armnico
Los clculos tericos que se deben realizar son:
Punto de polarizacin (VCEQ, ICQ)

Rectas de carga: esttica y dinmica
Ganancia de tensin e impedancia de entrada
Nota: En todos los casos se deben comparar los resultados tericos con los experimentales.
PRCTICA 3
AMPLIFICADOR CLASE AB
6. Procedimiento prctico
En esta prctica se va estudiar el funcionamiento del amplificador clase AB polarizado
con diodos.
MONTAJES EN EL LABORATORIO
Se van a realizar dos montajes con objeto de determinar el comportamiento del
amplificador clase AB cuando est excitado mediante una fuente de tensin (1er montaje) y
cuando lo est mediante una fuente de corriente (2 montaje).
1er montaje
El esquema es el siguiente:
Fig. 1 Circuito 1
2 montaje
El esquema se puede ver en la figura siguiente:
Fig. 2 Circuito 2
Objetivos:
Determinar la resistencia de polarizacin R para proporcionar una tensin de 5 voltios

de pico en la carga sin recorte.
Medir el punto de polarizacin.
Medir la ganancia de tensin.
Verificar la existencia de la distorsin de cruce al eliminar uno de los diodos de
polarizacin.
Nota: montar los transistores de potencia TIP31C/32C con disipadores.
TIP31 Series(TIP31/31A/31B/31C)
Medium Power Linear Switching Applications
Complementary to TIP32/32A/32B/32C
TO-220
1.Base
NPN Epitaxial Silicon Transistor
2.Collector
3.Emitter
Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted

Symbol
VCBO
Collector-Base Voltage
Parameter
: TIP31
: TIP31A
: TIP31B
: TIP31C
Value
40
60
80
100
Units
V
V
V
V
40
60
80
100
V
V
V
V
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage : TIP31

: TIP31A
: TIP31B
: TIP31C
VEBO
Emitter-Base Voltage
IC
Collector Current (DC)
ICP
Collector Current (Pulse)
IB
Base Current
PC
Collector Dissipation (TC=25C)
40
PC
Collector Dissipation (Ta=25C)
TJ
Junction Temperature
150
TSTG
Storage Temperature
- 65 ~ 150
Electrical Characteristics TC=25C unless otherwise noted

Symbol
VCEO(sus)
ICEO
ICES
Parameter
* Collector-Emitter Sustaining Voltage
: TIP31
: TIP31A
: TIP31B
: TIP31C
Collector Cut-off Current
: TIP31/31A
: TIP31B/31C
Test Condition
IC = 30mA, IB = 0
Min.
Max.
40
60
80
100
Units
V
V
V
V
VCE = 30V, IB = 0
VCE = 60V, IB = 0
0.3
0.3
mA
mA
VCE = 40V, VEB = 0

VCE = 60V, VEB = 0
VCE = 80V, VEB = 0
VCE = 100V, VEB = 0
200
200
200
200
A
A
A
A
mA

: TIP31
: TIP31A
: TIP31B
: TIP31C
IEBO
Emitter Cut-off Current
VEB = 5V, IC = 0
hFE
* DC Current Gain
VCE = 4V, IC = 1A
VCE = 4V, IC = 3A
VCE(sat)
* Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 3A, IB = 375mA
1.2
VBE(sat)
* Base-Emitter Saturation Voltage
VCE = 4V, IC = 3A
1.8
fT
Current Gain Bandwidth Product
VCE = 10V, IC = 500mA
25
10
3.0
50
MHz
* Pulse Test: PW300s, Duty Cycle2%
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
hFE, DC CURRENT GAIN
VCE = 4V
100
10
1
1
10
100
1000
VBE(sat), VCE(sat)[mV], SATURATION VOLTAGE
1000
10000
IC /IB = 10
1000
V BE(sat)
100
V CE(sat)
10
1
10000
10
IC[mA], COLLECTOR CURRENT
1000
10000
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage

Collector-Emitter Saturation Voltage
10
50
IC(MAX) (PULSE)
s
1m
TIP31 VCEO MAX.

TIP31A V CEO MAX.
TIP31B VCEO MAX.
TIP31C V CEO MAX.
PC[W], POWER DISSIPATION
45
100 s
IC(MAX) (DC)
s
5m
IC[A], COLLECTOR CURRENT
100
40
35
30
25
20
15
10
5
0.1
0
10
100
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
Figure 3. Safe Operating Area
25
50
75
100
125
150
175
200
TC[ C], CASE TEMPERATURE
Figure 4. Power Derating
Typical Characteristics
Package Demensions
TO-220
4.50 0.20
2.80 0.10
(3.00)
+0.10
1.30 0.05
18.95MAX.
(3.70)
3.60 0.10
15.90 0.20
1.30 0.10
(8.70)
(1.46)
9.20 0.20
(1.70)
9.90 0.20
1.52 0.10
0.80 0.10
2.54TYP
[2.54 0.20]
10.08 0.30
(1.00)
13.08 0.20
(45
1.27 0.10
+0.10
0.50 0.05
2.40 0.20
2.54TYP
[2.54 0.20]
10.00 0.20
Dimensions in Millimeters
TRADEMARKS
The following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is
not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.
ACEx
Bottomless
CoolFET
CROSSVOLT
E2CMOS
FACT
FACT Quiet Series
FAST
FASTr
GTO
HiSeC
ISOPLANAR
MICROWIRE
POP
PowerTrench
QFET
QS
Quiet Series
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
DISCLAIMER
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY
PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY
LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN;
NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.
LIFE SUPPORT POLICY

FAIRCHILDS PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT
DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
INTERNATIONAL.
As used herein:
1. Life support devices or systems are devices or systems
which, (a) are intended for surgical implant into the body,
or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to perform
when properly used in accordance with instructions for use
provided in the labeling, can be reasonably expected to
result in significant injury to the user.
2. A critical component is any component of a life support

device or system whose failure to perform can be
reasonably expected to cause the failure of the life support
device or system, or to affect its safety or effectiveness.
PRODUCT STATUS DEFINITIONS

Definition of Terms
Datasheet Identification
Product Status
Definition
Advance Information
Formative or In
Design
This datasheet contains the design specifications for

product development. Specifications may change in
any manner without notice.
Preliminary
First Production
This datasheet contains preliminary data, and

supplementary data will be published at a later date.
Fairchild Semiconductor reserves the right to make
changes at any time without notice in order to improve
design.
No Identification Needed
Full Production
This datasheet contains final specifications. Fairchild

Semiconductor reserves the right to make changes at
any time without notice in order to improve design.
Obsolete
Not In Production
This datasheet contains specifications on a product

that has been discontinued by Fairchild semiconductor.
The datasheet is printed for reference information only.
Rev. E
Medium Power Linear Switching Applications
Complement to TIP31/31A/31B/31C
TO-220
1.Base
2.Collector
3.Emitter
PNP Epitaxial Silicon Transistor

Symbol
VCBO
Parameter
: TIP32
: TIP32A
: TIP32B
: TIP32C
Value
- 40
- 60
- 80
- 100
Units
V
V
V
V
- 40
- 60
- 80
-100
V
V
V
V
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage : TIP32

: TIP32A
: TIP32B
: TIP32C
VEBO
-5
IC
-3
ICP
-5
IB
Base Current
-3
PC
40
PC
TJ
150
TSTG
Storage Temperature
- 65 ~ 150

Symbol
VCEO(sus)
ICEO
ICES
Parameter
* Collector-Emitter Sustaining Voltage
: TIP32
: TIP32A
: TIP32B
: TIP32C
: TIP32/32A
: TIP32B/32C
Test Condition
IC = - 30mA, IB = 0
Min.
Max.
-40
-60
-80
-100
Units
V
V
V
V
VCE = - 30V, IB = 0
VCE = - 60V, IB = 0
- 0.3
- 0.3
mA
mA
VCE = - 40V, VEB = 0

VCE = - 60V, VEB = 0
VCE = - 80V, VEB = 0
VCE = - 100V, VCE = 0
- 200
- 200
- 200
- 200
A
A
A
A
-1
mA

: TIP32
: TIP32A
: TIP32B
: TIP32C
IEBO
VEB = - 5V, IC = 0
hFE
* DC Current Gain
VCE = - 4V, IC = - 1A
VCE = - 4V, IC = - 3A
VCE(sat)
* Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = - 3A, IB = - 375mA
- 1.2
VBE(sat)
* Base-Emitter Saturation Voltage
VCE = - 4V, IC = - 3A
- 1.8
fT
Current Gain Bandwidth Product
VCE = - 10V, IC = - 500mA
25
10
3.0
50
MHz
* Pulse Test: PW300s, Duty Cycle2%

VCE = -4V
100
10
1
-1
-10
-100
-1000
VBE(sat), VCE(sat)[mV], SATURATION VOLTAGE
1000
-10000
IC /IB = 10
-1000
V BE(sat)
-100
V CE(sat)
-10
-10000
-1
-10
-1000
-10000
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage

50
-10
IC(MAX) (PULSE)
IC(MAX) (DC)
s
1m
-1
TIP32 V CEO MAX.

TIP32A V CEO MAX.
TIP32B V CEO MAX.
TIP32C V CEO MAX.
45
100 s
s
5m
-100
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-0.1
-10
-100
VCE [V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
25
50
75
100
125
150
175
200
Package Demensions
TO-220
4.50 0.20
2.80 0.10
(3.00)
+0.10
1.30 0.05
18.95MAX.
(3.70)
3.60 0.10
15.90 0.20
1.30 0.10
(8.70)
(1.46)
9.20 0.20
(1.70)
9.90 0.20
1.52 0.10
0.80 0.10
2.54TYP
[2.54 0.20]
10.08 0.30
(1.00)
13.08 0.20
(45
1.27 0.10
+0.10
0.50 0.05
2.40 0.20
2.54TYP
[2.54 0.20]
10.00 0.20
TRADEMARKS
ACEx
Bottomless
CoolFET
CROSSVOLT
E2CMOS
FACT
FACT Quiet Series
FAST
FASTr
GTO
HiSeC
ISOPLANAR
MICROWIRE
POP
PowerTrench
QFET
QS
Quiet Series
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
DISCLAIMER
LIFE SUPPORT POLICY

INTERNATIONAL.
As used herein:


Definition of Terms
Product Status
Definition
Advance Information
Formative or In
Design

Preliminary
First Production

design.
Full Production

Obsolete
Not In Production

Rev. E
BD135/137/139
BD135/137/139
Medium Power Linear and Switching
Applications
Complement to BD136, BD138 and BD140 respectively
TO-126
1. Emitter
2.Collector
3.Base
NPN Epitaxial Silicon Transistor

Symbol
VCBO
Parameter
: BD135
: BD137
: BD139
Value
45
60
80
Units
V
V
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
: BD135
: BD137
: BD139
45
60
80
V
V
V
VEBO
IC
1.5
ICP
3.0
IB
Base Current
0.5
PC
12.5
PC
1.25
TJ
150
TSTG
Storage Temperature
- 55 ~ 150

Symbol
VCEO(sus)
Parameter
Collector-Emitter Sustaining Voltage
: BD135
: BD137
: BD139
Test Condition
IC = 30mA, IB = 0
Min.
Typ.
Max.
45
60
80
Units
V
V
V
ICBO
VCB = 30V, IE = 0
0.1
IEBO
VEB = 5V, IC = 0
10
hFE1
hFE2
hFE3
DC Current Gain
VCE = 2V, IC = 5mA

VCE = 2V, IC = 0.5A
VCE = 2V, IC = 150mA
: ALL DEVICE
: ALL DEVICE
: BD135
: BD137, BD139
VCE(sat)
IC = 500mA, IB = 50mA
VBE(on)
Base-Emitter ON Voltage
VCE = 2V, IC = 0.5A
25
25
40
40
250
160
0.5
hFE Classification
Classification
10
16
hFE3
40 ~ 100
63 ~ 160
100 ~ 250
BD135/137/139
100
60
50
40
30
20
10
0
10
100
400
IB
350
IC = 10
70
450
IC = 20 IB
80
500
VCE(sat)[mV], SATURATION VOLTAGE
VCE = 2V
90
300
250
200
150
100
50
0
1E-3
1000
0.1
10
Figure 2. Collector-Emitter Saturation Voltage
10
1.1
1.0
IC MAX. (Pulsed)
)
(on
V
V BE
=5
V CE
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
100us
0.1
BD139
BD137
BD135
0.8
10us
IC MAX. (Continuous)
s
1m
t)
(sa
V BE 0 I B
1
IC =
0.9
DC
VBE[V], BASE-EMITTER VOLTAGE
0.01
0.2
0.01
0.1
1E-3
0.01
0.1
10
10
100
VCE [V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
Figure 3. Base-Emitter Voltage
20.0
17.5
15.0
12.5
10.0
7.5
5.0
2.5
0.0
0
25
50
75
100
125
150
175
BD135/137/139
Package Demensions
8.00 0.30
11.00
3.20 0.10
0.20
3.25 0.20
14.20MAX
3.90
0.10
TO-126
(1.00)
(0.50)
0.75 0.10
#1
2.28TYP
[2.280.20]
2.28TYP
[2.280.20]
16.10
0.30
13.06
0.75 0.10
0.20
1.75 0.20
1.60 0.10
+0.10
0.50 0.05
TRADEMARKS
ACEx
Bottomless
CoolFET
CROSSVOLT
E2CMOS
FACT
FACT Quiet Series
FAST
FASTr
GTO
HiSeC
ISOPLANAR
MICROWIRE
POP
PowerTrench
QFET
QS
Quiet Series
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
DISCLAIMER
LIFE SUPPORT POLICY

INTERNATIONAL.
As used herein:


Definition of Terms
Product Status
Definition
Advance Information
Formative or In
Design

Preliminary
First Production

design.
Full Production

Obsolete
Not In Production

Rev. E
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Electrnica de Potencia

PRCTICAS DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA

Prcticas de Electrnica de Potencia

Fig. 1 Situacin del punto de trabajo

potencia entregada a la c arg a

4. Ventajas e inconvenientes de los diferentes tipos de amplificadores

Funcionamiento en clase B respecto al de clase A

Prcticas de Electrnica de Potencia

Prdida de potencia en reposo despreciable, ya que el punto de trabajo est situado

Rendimiento mayor como consecuencia de los puntos anteriores: un 78.5% terico

En la configuracin en contrafase es necesario emplear dos transistores idnticos

Distorsin de cruce, producida porque los transistores no empiezan a conducir hasta

Funcionamiento en clase AB respecto al de clase B

Elimina la distorsin de cruce

Mayor consumo de potencia debido a que circula corriente en reposo.

Prcticas de Electrnica de Potencia

Fig 1 Amplificador clase A

Se deben medir los siguientes parmetros:

Ganancia de tensin Vo/Vi

Los clculos tericos que se deben realizar son:

Punto de polarizacin (VCEQ, ICQ)

Prcticas de Electrnica de Potencia

Prcticas de Electrnica de Potencia

El esquema se puede ver en la figura siguiente:

Determinar la resistencia de polarizacin R para proporcionar una tensin de 5 voltios

Nota: montar los transistores de potencia TIP31C/32C con disipadores.

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted

Collector-Emitter Voltage : TIP31

Collector Current (DC)

Collector Current (Pulse)

Collector Dissipation (TC=25C)

Collector Dissipation (Ta=25C)

Electrical Characteristics TC=25C unless otherwise noted

VCE = 40V, VEB = 0

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

* Collector-Emitter Saturation Voltage

* Base-Emitter Saturation Voltage

Current Gain Bandwidth Product

VCE = 10V, IC = 500mA

* Pulse Test: PW300s, Duty Cycle2%

2000 Fairchild Semiconductor International

Rev. A, February 2000

hFE, DC CURRENT GAIN

VBE(sat), VCE(sat)[mV], SATURATION VOLTAGE

IC[mA], COLLECTOR CURRENT

IC[mA], COLLECTOR CURRENT

Figure 1. DC current Gain

Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage

TIP31 VCEO MAX.

PC[W], POWER DISSIPATION

IC[A], COLLECTOR CURRENT

VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE

Figure 3. Safe Operating Area

2000 Fairchild Semiconductor International

TC[ C], CASE TEMPERATURE

Figure 4. Power Derating

Rev. A, February 2000