El fotodiodo est conectado con polarizacin inversa, as los
portadores mayoritarios de cada semiconductor se reducen por lo que la zona agotamiento se ensancha y el diferencial de potencial para que los electrones salten ser mucho mayor. En un fotodiodo de la forma PIN es decir que hay una tercera zona en medio de forma pura o intrnseca, hace que la zona de agotamiento sea mucho mayor la distancia. En la zona P estn los huecos como portadores mayoritarios mientras que en la zona n son los electrones. Debido a esto se dice que hay una carga negativa de lado n y una carga positiva de lado p. Entre mayor sea la corriente aplicado al fotodiodo conectado de manera inversa mayor ser la distancia en la zona de agotamiento. Los Fotones son absorbidos en la zona P por lo que se necesita un mnimo de luz de reflexin para que haya un mximo de absorcin seguirn su camino hasta llegar a la zona de agotamiento. Cuando un Fotn llega con suficiente energa excita o choca con un electrn, le da la fuerza suficiente para que ste se mueva. Se dice que dicha fuerza es tal que le da al electrn la capacidad de pasar la zona de agotamiento, fluyendo como un conductor y como si estuviera conectado directamente.