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III
-1-
Probabilidad e
( E* E )
kT
(3.1)
n
C.e kT
Ntotal
donde
(3.2)
III
-2-
Una expresin anloga se utiliza para determinar el nmero de vacancias en equilibrio a una
temperatura determinada en una red cristalina metlica:
E
v
nv
C.e kT
N
(3.3)
donde
Q
RT
(3.4)
III
-3-
difusin es mayor a temperaturas elevadas. En la Fig. III.2 se ilustra el ejemplo de difusin por vacancias del
cobre en un plano compacto en la estructura cristalina del mismo metal. Si un tomo cercano a la vacancia
posee suficiente energa de activacin, podr moverse hacia esa posicin, y contribuir a la difusin propia
de los tomos de cobre en la estructura. Esa energa de activacin para la autodifusin es igual a la suma de
la energa de activacin necesaria para formar la vacancia y la necesaria para moverla. Sus valores se
encuentran en la Tabla 2. En general, al incrementarse el punto de fusin del metal, la energa de activacin
tambin aumenta debido a que son mayores las energas de enlace entre sus tomos.
La difusin por vacancias tambin puede darse en soluciones slidas. En este caso, la velocidad de
difusin depende de las diferencias en los tamaos de los tomos y de las energas de enlace.
Mecanismos de difusin intersticial. La difusin intersticial de los tomos en las redes cristalinas tiene lugar
cuando stos se trasladan de un intersticio a otro contiguo sin desplazar permanentemente a ninguno de los
tomos de la matriz de la red cristalina (Fig. III.3). Para que el mecanismo intersticial sea efectivo, el tamao
de los tomos que se difunden debe ser relativamente pequeo comparado con los de la red; por ejemplo
hidrgeno, oxigeno, nitrgeno, boro y carbono pueden difundirse intersticialmente en la mayora de las redes
cristalinas metlicas.
III
-4-
travs de una lmina metlica. Por ejemplo, las condiciones de difusin de estado estacionario se alcanzan
cuando el gas hidrgeno se difunde a travs de una lmina de paladio si el hidrgeno se encuentra a una
presin alta en un lado y a una presin baja en el otro.
Si en el sistema mostrado en la Fig. III.4 no hay interaccin qumica entre los tomos de soluto y los
del solvente, debido a la diferencia de concentracin entre los planos 1 y 2, se producir un flujo neto de
tomos del lado de concentracin ms alta al de concentracin ms baja. La densidad de flujo o corriente se
representa en este tipo de sistemas mediante la ecuacin
J D
dC
dx
(3.5)
Fig. III.4:
Difusin en estado
estacionario
mostrando el
gradiente de
concentracin.
Tabla 3: Coeficientes
de difusin a 500 y
1000 C para algunos
sistemas solutosolvente
III
-5-
Se utiliza un signo negativo porque la difusin tiene lugar desde una concentracin mayor a otra
menor, es decir, existe un gradiente negativo. Esta ecuacin se llama primera ley de difusin de Fick y
corresponde a aquellas situaciones en que no hay cambios en el transcurso del tiempo. Las unidades del SI
para esta ecuacin son:
m2 dC Atomos 1
Atomos
J
.
.
D
2
3
m
m .s
s dx m
La Tabla 3 muestra los valores del coeficiente de difusin para algunos casos de difusin intersticial
y sustitucional. Esos valores dependen de muchas variables, las ms importantes son:
1.
2.
La temperatura a la cual tiene lugar la difusin afecta en gran manera al valor de la difusividad.
Segn aumenta la temperatura, sta se ve tambin incrementada, como lo muestra la Tabla 3,
comparando los valores a 500 C y 1000 C.
3.
El tipo de estructura cristalina del disolvente es importante. Por ejemplo, la difusividad del carbono
en hierro es 10-12 m2/s a 500 0C, valor mucho mayor que 5.10-15 m2/s, correspondiente al carbono
en hierro a la misma temperatura. La razn para esta diferencia es que la estructura cristalina BCC
tiene un factor de empaquetamiento atmico de 0,68, menor que el exhibido por la estructura FCC,
que es de 0,74. Tambin los espacios interatmicos en el hierro son mayores en la estructura BCC
que en la FCC; por ello, los tomos de carbono pueden difundir entre los tomos de hierro BCC ms
fcilmente que en FCC.
III
-6-
4.
Las imperfecciones cristalinas presentes en la regin: la mayora de las estructuras abiertas permiten
una difusin ms rpida de los tomos, por ejemplo, los lmites del grano. Las vacancias en exceso
incrementan las velocidades de difusin en metales y aleaciones.
5.
Otro aspecto muy complejo es la influencia de la concentracin de los elementos que se difunden, ya
que altas concentraciones de tomos de soluto afectarn la difusin en estado slido.
dCx d dCx
D.
dt
dx
dx
(3.6)
Cs Cx
x
erf
CS C0
2 Dt
(3.7)
donde CS = concentracin superficial del elemento en el gas que difunde hacia dentro de la superficie
C0 = concentracin inicial uniforme del elemento en el slido
Cx = concentracin del elemento a la distancia x de la superficie en un tiempo t
X = distancia desde la superficie
D = coeficiente de difusin
t = tiempo
La funcin error es una funcin matemtica que existe por definicin acordada y se usa en algunas
soluciones de la 2 ley de Fick; puede hallrsela en tablas standard.