262463556.

doc

Pgina 1 de 1

Sensores monolticos o de silicio. Son dispositivos basados en las propiedades trmicas de las
uniones semiconductoras (PN), particularmente la dependencia de la tensin base-emisor (VBE) de
los transistores bipolares con la temperatura cuando la corriente de colector es constante.
Generalmente incluyen sus propios circuitos de procesamiento de seales, as como varias
funciones de interface especiales con el mundo externo.

Sensores de temperatura de silicio

Los sensores de silicio, son circuitos integrados que
aprovechan la variacin predecible del voltaje de la unin
base-emisor (VBE) de los transistores bipolares para realizar
mediciones confiables y exactas de temperatura. Se
caracterizan por su pequeo tamao y son especialmente
apropiados para aplicaciones de medicin y control de
temperatura en el rango de -55C a +150C. Adems, no
requieren de etapas de linealizacin, amplificacin ni
compensacin externas debido a que incorporan en la
misma pastilla sus propios circuitos de procesamiento de
seales.
La mayora de sensores de silicio proporcionan como
salida un voltaje que vara linealmente con la temperatura
en grados Kelvin (K), Celsius (C) o Fahrenheit (F).
Algunos ejemplos representativos son el LM34, el
LM35, el LM135 y el LM50, todos ellos de National Semiconductor y con una sensibilidad nominal
de l0mV por grado. Tambin se dispone de sensores con salida por corriente. Dos ejemplos representativos son el LM334 y el AD590, cuyas sensibilidades tpicas son 1 mA/K y 1A/K,
respectivamente.
La integracin de circuitos de procesamiento en los sensores de temperatura de silicio elimina tambin,
en muchos casos, la necesidad de comparadores o de convertidores A/D externos para convertir la salida
anloga a un nivel lgico o un cdigo digital. Los sensores de salida por comparador, en particular, son
muy tiles para detectar condiciones de falla, impulsar calefactores o enfriadores, y otras aplicaciones
de control y alarma.