Transistor Bipolar Transistor Bipolar: Introducción A La Electrónica

TRANSISTOR BIPOLAR
Funcionamiento general
Estructura, dopados, bandas de energa y potenciales
Curvas, parmetros relevantes
Niveles de concentracin de portadores
Ecuaciones de
d DC
Modelo de Ebers-Moll
Modelo de pequea seal
Polarizacin
Anlisis de circuitos
Aplicaciones
Introduccin a la Electrnica
Generalidades
Los transistores BJT (Bipolar Junction Transistor) son componentes de 3
terminales, y representan la extensin natural de los diodos, por el hecho que
estn compuestos por un par de junturas P-N.
Bipolar Entran en juego tanto electrones como huecos.
Existen dos variantes posibles de configuracin, llamadas PNP y NPN, en
funcin de la naturaleza del dopado que tengan.
A los terminales se los llama Emisor,
Emisor , Base
Base y Colector.
Colector .
Constructivamente, el Emisor tiene un dopaje mucho ms alto que la Base; y a su
vez la Base tambin tiene un dopaje mayor que el Colector.
Configuraciones
Representacin esquemtica:
Posibles configuraciones (modelo cuadripolo):
Curvas
Estos dispositivos presentan curvas
parametrizadas, debido al nmero de
p
corrientes y tensiones presentes.
Existe una zona llamada de saturacin,
una de corte y una activa.
Un transistor:
Est en corte si la juntura BE no est
polarizada.
Est en saturacin si la juntura CB
queda polarizada en directa.
Caso contrario se encuentra trabajando
en la zona activa, siempre que la juntura
BE est en directa y CB en inversa.
Zonas de trabajo
Si bien el transistor BJT pareciera ser
un dispositivo simtrico (ColectorEmisor), constructivamente el
p
mucho
Colector tiene una superficie
mayor que el Emisor. Por este
motivo, si bien es posible el
funcionamiento en inversa, las
caractersticas son totalmente
diferentes y la performance en
amplificacin es muy pobre.
Electrosttica
En condiciones de equilibrio, sin potenciales

elctricos externos, se lo puede ver
simplemente
p
como la unin de dos diodos.
Los anchos de las zonas de vaciamiento son
diferentes debido a las diferencias de los
dopajes en cada sector
sector. Recordar que a mayor
dopaje, menor es el ancho.
Electrosttica
Para un transistor NPN
Volviendo al BJT PNP, si polarizamos la

juntura BE en directa y la CB en inversa
(modo de trabajo en zona activa), los
niveles de energa en el transistor sern
La barrera de p
potencial de la jjuntura BE
disminuye a causa de la polarizacin
directa, mientras que la de la juntura CB
aumenta por la polarizacin inversa.
Funcionamiento
La polarizacin directa de la juntura BE origina
una circulacin de corriente por difusin.
Los huecos que pasan de Emisor a Base son
acelerados por el campo elctrico presente en la
zona de
d vaciamiento
i i
en CB y llegan
ll
all Colector.
C l
Asimismo existe una corriente de electrones de
Base a Emisor. Como el dopado de Base es
mucho menor que el de Emisor, la corriente de
electrones ser inferior a la de huecos, siendo en
este caso un dispositivo
p
qque funciona en base a
huecos.
La Base debe tener un ancho menor a la longitud
de difusin para minimizar la recombinacin.
recombinacin
Funcionamiento
IEP = Corriente de difusin de huecos desde E a B.

ICP = Corriente de difusin de huecos que logra atravesar la B y llega a C. Si la Base est
bien diseada, la recombinacin de huecos en esa zona es prcticamente nula IEP ICP.
IEN = Corriente de difusin de electrones de B a E (<< IEP)
ICN = Corriente de saturacin
s t r in inversa
in ers de electrones
ele trones (<< ICP)
IB = Corriente de Base. Muy pequea, debido a que IE IC
Parmetros relevantes
Para el caso antes visto de un transistor PNP,
en la configuracin Emisor comn, la
corriente de salida vendr dada por IC
(huecos), mientras que la de entrada ser la IB
(electrones).
(electrones)
En este caso habr una ganancia de corriente
que vendr dada por IC/IB.
Parmetros de mrito en un transistor:
Eficiencia del Emisor

Factor de transporte
Ganancia de corriente en Base comn
Ganancia de corriente en Emisor comn
Eficiencia del Emisor
La relacin entre la corriente de huecos que va de E a B (caso PNP) y la de
electrones que viaja de B a E depende de la relacin de dopado que exista
entre ambas zonas. Cuanto mayor sea la diferencia, menor ser la corriente de
electrones
l
(y
( por ende
d la
l IB )
La relacin existente entre la corriente de portadores del Emisor y la corriente
total del Emisor se lo conoce como Eficiencia del Emisor.
Cuanto ms cercano a 1 sea , menor ser la IB y mayor ser la ganancia de

corriente en configuracin Emisor comn.
Factor de transporte de Base
Los portadores mayoritarios inyectados desde el Emisor a la Base por difusin
se convierten en minoritarios en esa zona. Parte de ellos se recombinan en la
Base y parte llegan a la juntura CB para continuar su trayectoria por el
Colector.
La relacin entre la corriente que llega a la juntura CB y la que ingresa por la
juntura BE se denomina Factor de transporte de la Base y viene expresada
por:
L
La corriente
i
de
d recombinacin
bi i ddebe
b ser provista
i por parte dde lla corriente
i
IB ,
por lo cual cuanto ms cercano a 1 sea este factor, menor ser la IB.
Ganancia de corriente en Base comn
En la zona activa de trabajo, la IC puede ser representada por:
dc es la
l ganancia de
d corriente en Base comn.
ICBO es la corriente de Colector con IE = 0.
Por otro lado:
S bi d que:
Sabiendo
Llegamos
g
a:
Ganancia de corriente en Emisor comn
En la zona activa de trabajo
trabajo, la IC puede ser representada
por:
dc es la ganancia de corriente en Emisor comn.
ICEO es la corriente de Colector con IB = 0.
Con la ecuacin
, sabiendo que
obtenemos:
b
Igualando con la 1 ecuacin se llega a

Como ICEO es despreciable, la ganancia de corriente ser:
Transistor en zona activa directa

En la zona de trabajo activa se aplica
un potencial en directa en la juntura
Base-Emisor, e inversa en BaseColector.
npB(0) = npB*eVbe/UT
pnE(0) = pnE*e
* Vbe/UT
Los gradientes de concentracin
generan una densidad de corriente por
difusin, cuyo valor vendr dado por:
j = D*q*n/x
Funcionamiento activa directa

Corriente de electrones desde el
Emisor (mayoritarios) a la Base
(minoritarios).
(minoritarios)
Corriente de menor amplitud de
huecos de Base a Emisor.
Pequea corriente de huecos entre
Base y Colector (corriente de fuga)
Ecuaciones en zona activa directa
Transistor en zona activa inversa

En la zona de trabajo inversa se aplica
un potencial en directa en la juntura
Base-Colector, e inversa en BaseEmisor.
npB(WB) = npB*eVbc/UT
pnC((WB) = pnC*eVbc/UT
Los gradientes de concentracin
generan una densidad de corriente por
difusin, cuyo valor vendr dado por:
j=D
D*q*
q n/x
Funcionamiento activa inversa

Corriente de electrones desde el
Colector (mayoritarios) a la Base
(minoritarios).
Corriente de menor amplitud de
huecos de Base a Colector.
Debido a la diferencia de dopados, la
corriente
rri nt dde B
Base ser
r m
mayorr a lla dde
Colector (ganancia pobre).
Ecuaciones en zona activa inversa
Ecuaciones globales
Ecuaciones globales
Modelo Ebers
Ebers--Moll (NPN)
Modelo simplificado Ebers

Ebers--Moll
P
Para funcionamiento
f i
i
en zona activa
i se
desprecia la corriente inversa:
Modelo de pequea seal
Modelo Lineal Incremental (MLI).

Vlido en un entorno del punto de operacin.
til para clculos manuales.
Modelo de parmetros h (hbrido).
M d l dde p
Modelo
parmetros
t y ((admitancia).
d it i )
Modelo de parmetros s (scattering).
Notacin:
iB I B Q ib
Modelo de parmetros Hbridos

Vlido para la zona de trabajo Activa.
Partimos
P i
de
d las
l ecuaciones
i
del
d l modelo
d l simplificado
i lifi d de
d Ebers
Eb Moll:
M ll
iE I ES e vBE / U T
iC F iE F iB
iB
1
iE
F 1

Resistencia de entrada:
1
i
g ie
B
hie vBE
ri hie
vBE
I ES e vBE / U T
F 1
IB

UT
UT UT F
IB
IC
Responde a la inversa de la pendiente de la

curva iB vs vBE

Transferencia Directa:
h fe
iC
iB
ic
F
ib

Conductancia de Salida:
Efecto
Ef
Early
E l C
Correccin
i ecuacin
i dde iC.
vCE
i 'C iC 1
VA
g o hoe
ro
iC
vCE
IC
VA
1 VA
hoe I C

Efecto Early

Transferencia Inversa:
hre
vBE
vCE
vBE iC
v I
BE C
iC vCE
iC VA
vBE
1 vBE U T
iC
F iB
IC
hre
UT IC UT
I C VA VA
Habitualmente se lo desprecia (250V/V)


Modelo
M d l Hb
Hbrido
id para b
bajas
j ffrecuencias
i
Modelo altas frecuencias. Incorpora capacidades de difusin y de

vaciamiento en las junturas.
j
Curvas tpicas
M d l Hb
Modelo
Hbrido
id
iC
gm
vBE
r hie
IC
UT
Transconductancia
1
ro
hoe
Modelo de alta frecuencia

Para contar con un modelo de pequea seal que sea vlido tambin en altas
frecuencias, es necesario agregar las capacidades que surgen a partir de las
j nt r ddell tr
junturas
transistor
n i t r y su ffuncionamiento
n i n mi nt int
interno.
rn
Capacidades inherentes al funcionamiento de un BJT:
Capacidad
p
de Difusin.
Capacidades de Vaciamiento.
Capacidad de Difusin
Variaciones de tensin directa provocan variaciones en la concentracin de
portadores en la Base.
Capacidad de Difusin
Carga de electrones minoritarios en Base:
Multiplicando y dividiendo por DnB/WB se llega a:
Tiempo de trnsito de Base:
Capacidades de Vaciamiento
Variaciones de tensin inversa en la juntura provocan variaciones en el ancho
de la zona de vaciamiento.
Para la juntura BE en directa tenemos:
Capacidad de entrada total del BJT:
Capacidades de Vaciamiento
En la juntura BC la tensin aplicada en zona activa es inversa, por lo cual se
produce un efecto de modulacin en el ancho de la zona de vaciamiento.
En el caso de transistores integrados, debe agregarse la capacidad entre

Colector y Sustrato.
Modelo pequea seal alta frecuencia
Ejemplo
Calcular la ganancia de tensin Vo/Vi para el siguiente circuito:
Considerar:
20V
IC = 1mA
F = 200
VA = 100V
Solucin:
S l i
hie = F*UT/IC = 5K
hffe = F = 200
1/hoe = VA/IC = 100K
hre = UT/VA = 250*10-6
10k
Vo
BC548
Vi
1k
Vo/Vi 330
Polarizacin
La polarizacin de un circuito define el punto de operacin del dispositivo
activo. En base a esto quedan determinadas sus caractersticas de
funcionamiento y los parmetros
p
del modelo de pequea
p q
seal.
Polarizacin fija
Polarizacin con divisor resistivo
Polarizacin con resistencia de emisor
Polarizacin por realimentacin de Colector
Anlisis grfico
Anlisis grfico
Polarizacin fija
Es simple de realizar, pero trae problemas de estabilidad del punto de trabajo.
Polarizacin con divisor resistivo
Polarizacin con resistencia de Emisor

Muyy buena estabilidad trmica
Realimentacin negativa
Polarizacin realimentacin Colector

Muyy buena estabilidad trmica
Realimentacin negativa
Ejemplo
Hallar los p
puntos de trabajo
j de ambos BJT.
J hFE = =100
Configuracin Emisor Comn

Alta impedancia de entrada
Gana en tensin
Gana en corriente
Configuracin Base comn
Gran ancho de banda.

banda
Baja impedancia de entrada
Gana en tensin
No gana en corriente
Configuracin Colector comn
Buen ancho de banda.

banda
Baja
j impedancia
p
de salida
No gana en tensin
Gana en corriente
Seguidor de Emisor
Teorema de Miller
Un componente dispuesto entre el puerto de entrada y salida puede trabajarse
de la siguiente forma:
K = ganancia de tensin entre puerto de salida y entrada
Ejemplo
Resolver el siguiente circuito
Ejemplo
Resolver el siguiente circuito:
Ejemplo
Capacitor en Emisor
Configuracin Cascode

Gran ancho de banda
Alta impedancia
p
de entrada
Gana en tensin y corriente
Amplificador clase B
Se utiliza en etapas de potencia como
ser amplificadores de audio
Al carecer de polarizacin presenta
distorsin de cruce por cero
Logra una eficiencia del 78%
Amplificador clase AB
Se polariza para eliminar la distorsin de cruce por cero
Disminuye levemente la eficiencia
Aplicaciones - Inversor lgico

Utilizado en las primeras familias lgicas para implementar una funcin
NOT
Aplicaciones Driver de rel
Fuente de Corriente bsica
Fuente de Corriente bsica

IC considerando
id
d R0
Variacin de IC2 en funcin de VCE2
Resistencia de Salida
Equivalente Thevenin
Fuente de Corriente modificada
Fuente de Corriente Widlar

Se utiliza para aplicaciones que requieran
corrientes de polarizacin de baja intensidad
(del orden de los 5 A), sin tener que utilizar
resistencias elevadas. Este circuito tambin
presenta una impedancia de salida mayor.
Va =
Fuente de Corriente Widlar
Va =
Se debe iterar para hallar IC2 en funcin de IR.

Fuente de Corriente Wilson

La fuente de corriente Wilson proporciona
una resistencia de salida grande, como as
tambin una baja dependencia de la corriente
de salida respecto a F.
Va =

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TRANSISTOR BIPOLAR

Posibles configuraciones (modelo cuadripolo):

En condiciones de equilibrio, sin potenciales

Volviendo al BJT PNP, si polarizamos la

IEP = Corriente de difusin de huecos desde E a B.

Eficiencia del Emisor

Cuanto ms cercano a 1 sea , menor ser la IB y mayor ser la ganancia de

Igualando con la 1 ecuacin se llega a

Transistor en zona activa directa

Funcionamiento activa directa

Ecuaciones en zona activa directa

Transistor en zona activa inversa

Funcionamiento activa inversa

Ecuaciones en zona activa inversa

Modelo simplificado Ebers

Modelo de pequea seal

Modelo Lineal Incremental (MLI).

Modelo de parmetros Hbridos

Modelo de parmetros Hbridos

Modelo de parmetros Hbridos

Responde a la inversa de la pendiente de la

Modelo de parmetros Hbridos

Modelo de parmetros Hbridos

Modelo de parmetros Hbridos

Modelo de parmetros Hbridos

Habitualmente se lo desprecia (250V/V)

Modelo de parmetros Hbridos

Modelo altas frecuencias. Incorpora capacidades de difusin y de

Modelo de alta frecuencia

Multiplicando y dividiendo por DnB/WB se llega a:

Tiempo de trnsito de Base:

Capacidad de entrada total del BJT:

En el caso de transistores integrados, debe agregarse la capacidad entre

Modelo pequea seal alta frecuencia

Polarizacin con divisor resistivo

Polarizacin con resistencia de Emisor

Polarizacin realimentacin Colector

Configuracin Emisor Comn

Configuracin Base comn

Gran ancho de banda.

Configuracin Colector comn

Buen ancho de banda.

K = ganancia de tensin entre puerto de salida y entrada

Alta impedancia de entrada

Aplicaciones - Inversor lgico

Aplicaciones Driver de rel

Fuente de Corriente bsica

Fuente de Corriente bsica

Variacin de IC2 en funcin de VCE2

Fuente de Corriente modificada

Fuente de Corriente Widlar

Fuente de Corriente Widlar

Se debe iterar para hallar IC2 en funcin de IR.

Fuente de Corriente Wilson

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