MOSFET DECRECIENTE

MOSFET: EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METAL-XIDOSEMICONDUCTOR

EL MOSFET ES UN DISPOSITIVO DE CUATRO TERMINALES LLAMADOS
FUENTE (S), DRENADOR (D), COMPUERTA (G) Y SUSTRATO (B).
EL SUSTRATO (PIN 4) GENERALMENTE EST CONECTADO INTERNAMENTE AL
TERMINAL DE LA FUENTE, Y POR ESTE MOTIVO SE PUEDEN ENCONTRAR
DISPOSITIVOS MOSFET DE TRES TERMINALES.
MOSFET SE CONSTRUYE CON UNA CAPA DE OXIDO DE SILICIO POR SU
CAPACIDAD DE FORMAR COMPUERTAS AUTO-ALINEADAS.
MOSFET EN LOS QUE LA COMPUERTA ES UN METAL QUE SE ENCUENTRA
AISLADO DEL CANAL POR MEDIO DE UN OXIDO DE SEMICONDUCTOR (SIO2)
EL CANAL EXISTE FSICAMENTE, LOS CONTACTOS DE LOS PINES SON
METLICOS
SE RIGE POR LA EC. DE SHOKLEY ID = IDSS (1 - VGS /VP) 2
MOSFET INCRECIENTE
CONTACTOS METLICOS, 4 PINES, NO POSEE CANAL, NO SE RIGE POR LA EC
DE SHOKLEY
LA CORRIENTE DE DRENAJE SE DEFINE COMO UN EXPONENCIAL A PARTIR
DEL NIVEL DE UMBRAL: ID = K (VGS VGS (TH)) 2
EN LAS HOJAS DE CARACTERSTICAS TCNICAS SE DEFINEN CLARAMENTE
LOS VALORES DE VOLTAJE DE UMBRAL Y UN NIVEL DE CORRIENTE DE
DRENAJE (ID (ENCENDIDO)), VALORES QUE PERMITEN ENCONTRAR EL VALOR DE
LA CONSTANTE K. Pero se
calcula K = ID (ENCENDIDO) / VGS (ENCENDIDO) - VGS (TH)
REPRESENTACIN G. DECREMETAL REPRESENTACIN G. INCREMENTAL