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Tema 4 - Ejercicios Resueltos
Tema 4 - Ejercicios Resueltos
RD = 100
40K
Q1
Vb
Q2
1K
Datos del BJT: = 50; VBE = 0,7V ; V = 0,5V ; VBESAT = 0,8V ; VCESAT = 0,2V
Datos del MOSFET: k = 0,5mA/V ; VT = 3V
Soluci
on:
a) VB para que Q2 empiezce a conducir.
Q2 ON VGS = VT = 3V
10 3
= 3,5mA
2
IC
3,5
IB =
=
= 0,07mA
50
IC =
IB + I1
IB
VCE = 3V
Vb
0,7V
I1
I1 =
QueGrande.org
0,7V
= 0,7mA
1K
1
QueGrande.org
I1 =
0,5
= 0,5mA
1
IB = 0
VB = 0,5 + 0,5 40 = 20,5V
c) Valores de VDS en ambos casos.
I) Q2 = OF F VDS = VDD = 10V
II) ID = k(VGS VT )2 = 0,5(10 3)2 = 24,5mA
VDS = 10 24,5 0,1 = 7,55V
VGS VT = 10 3 = 7 SAT
Feb-94. Obtener los puntos de trabajo para los transistores BJT y FET del circuito de la
figura:
I1
RD = 470
IB
RC = 100
RS = 100
QueGrande.org
QueGrande.org
I1
VEC
IB
S
RC = 100
VGS
I2
I1 =
IC
RS = 100
VEB
= 1,49mA
0,470
IB << I1 ID I1
VGS = V 1
I2 =
ID
IDSS
"
= 2 1
#
1,49
= 0,78V
4
0,78
= 7,8mA
0,1
QueGrande.org
QueGrande.org