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http://www.slideshare.net/eden1jonathan/solucionario-de-singer
Los diodos de rectificacin tienen un tiempo de recuperacin inversa relativamente alto,
tpicamente de 25 s. y se utilizan en aplicaciones de baja velocidad, en las que el tiempo
de recuperacin no es crtico. Estos diodos cubren especificaciones de corriente desde
menos de una hasta varios miles de amperios, con especificaciones de voltaje desde 50 v
hasta alrededor de 5 Kv.
DIODOS SCHOTTKY
En un diodo schottky se puede eliminar ( o minimizar}) el problema de almacenamiento de
carga de una unin PN. Esto se lleva a cado estableciendo una barrera de potencial con un
contacto entre un metal y un semiconductor. Sobre una capa delgada epitaxial de silicio de tipo n
se deposita una capa de metal. La barrera de potencial simula el comportamiento de una unin PN.
El efecto de recuperacin se debe nicamente a la autocapacitancia de la unin semiconductora.
La carga recuperada de un diodo schottky es mucho menor que la de un diodo equivalente de
unin PN. Tiene una salida de voltaje directa relativamente baja.
La corriente de fuga de un diodo schottky con un voltaje de conduccin relativamente bajo tiene
una corriente de fuga relativamente alta y viceversa. Su voltaje mximo permisible esta por b
general limitado a 100 v. La especificaciones de corriente varan de 1 a 300 A. son ideales para las
fuentes de alimentacin de alta corriente y de bajo voltaje en corriente directa.
REFERENCIA:
Electrnica de Potencia, Circuitos, Dispositivos y Aplicaciones. M.H.
Rashid 2 ND ED. Prentice Hall, Pg. 25-26