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ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica


Laboratorio de Dispositivos Electrnicos
PRCTICA #10
Diseo de un Amplificador en Emisor Comn
Objetivo General: Disear e implementar un amplificador en configuracin de Emisor
Comn utilizando un TBJ.
Trabajo Preparatorio:
1. Disear un amplificador con TBJ en configuracin Emisor Comn que cumpla
las siguientes condiciones:
|Av|=14
Resistencia de carga = 1.8 KOhms
Vin = 200 mV
Frecuencia = 1 KHz
Para empezar a hacer el diseo part del criterio de que la resistencia de carga debe ser igual
a la resistencia de colector para que el amplificador sea ms eficiente. Es decir:

RC =R L =1.8[ k ]

Entonces:

RC
V 5.6[V ]
RC R L op

V Rc

Asumo:

V Rc =10 [V ] , para evitar posibles recortes de la seal de salida.

I c=

V Rc
=5.55 [mA ] I E
Rc

re=

26[mV ]
=4.68 []
IE

R E 1=

RC RL
r e=59.60[]
Av

Para tener mayor impedancia de entrada al transistor asumo:

V E 1+V p 1.2 [V ]

R E 1=68[]

Asumo:

R ET =

V E =1.5 [ V ]

VE
=272.7[]
IE

R E 2=R ET R E 1=204.7 [ ]
Para evitar posibles recortes de la seal de salida asumo:
Se asume para el peor de los casos un

I B=

R E 2=180

=50

IC
=0.11[mA ]

I RB 1=10 I B=1.1[ mA ]
I RB 2=I RB 1I B =0.99[mA ]
V B =V E + V JBE =2.2[V ]
V CE V p +V CE min +V o p 5[V ]
Asumo:

V CE =8.5[V ]

V CC V E +V CE +V Rc 20 [V ]
Asumo:

RB 1 =

V cc =20 [V ]
V cc V B
=16181.8 [ ]
I RB 1

Para tener una mayor impedancia de entrada asumo:

RB 2 =

RB 1 =18 [ k ]

VB
=2.22 [ k ]
I RB 2

Para tener una mayor impedancia de entrada asumo:


Calculando la nueva ganancia tenemos:

RB 2 =2.7 [ k ]

[]

AV =

RC R L
=12.38
r e+ R E 1

La cul se aproxima mucho a la ganancia requerida.

Z T =( +1 ) ( r e + R E 1) =3706.68 [ ]
Z =R B 1 R B 2 Z T =1437.38 [ ]

X CB Z
Asumo:

C B=10 [uF ]

X Cc R C
Asumo:

CC =10[uF]

X CE R E 2 X CE r e + R E 1
Asumo:

C E=100[uF ]

2. Realizar la simulacin del circuito diseado en un software computacional,


presentar las formas de onda obtenidas en todos los terminales del TBJ.
A continuacin se muestra el amplificador diseado en Proteus y las seales obtenidas:

R3
RB1

1.8k

18k

CC
10uF

CB

Q1
2N3904
A

10uF

BAT1
20V

C
D

RE1
68

V1

RB2

VSINE

2.7k

RL
1.8k

CE
100uF

RE2
180

Channel A: Base; Channel B: Colector; Channel C: Emisor