ESCUELA POLITECNICA NACIONAL

LABORATORIO DE
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

TRABAJO PREPARATORIO

Prctica #: 02
Tema: Simulacin

Ismael Kastillo
GR 6

1. En el circuito de la figura 1, calcular:

a. Corriente en cada uno de los ramales
b. Voltaje en cada uno de los elementos
M1= malla R1-R4
M2=malla R4-R2-R3
M3=malla R2-C1

Figura 1
4920 I1 4700 I2 = 84.85
-4700 I1 +1000 I2 2000 I3 = 0
-2000 I2 + (2000 j265.25) I3 = 0
I1= 3.08 +j 0.676 mA
I2= -14.78 +j 0.707 mA
I3= -14.6 j 1.23 mA
VR1 = I1*R1 = 0.677 +j 0.149 V
VR2 = (I2-I3)*R2 = -0.36 +j 3.88 V
VR3 = I2*R3 = -48.77 +j 2.33 V
VR4 = (I1-I2)*R4 = 83.94 j 0.146 V
VC1= I3*-j/(2*pi*f*C1) = -0.326 + 3.87 V

2. En la figura 2 obtener la forma de onda de voltaje Vo.

Vo

Figura 2
VO = V4 I*R5
SEM +:
I = (V4-V2)/R5
Vo= V2 = 1.5 V
SEM -:
I = (V4+V3)/R5
Vo= -V3 = -2.5 V
T=1/f = 1 ms
Por lo tanto la seal de onda Vo es una constante 1.5 V durante 0.5
ms y luego es una constante -2.5 V durante otros 5 ms.

Simulacin mediante Proteus

Figura 2