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UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER


ESCUELA DE INGENIERAS LECTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES

Perfecta combinacin entre energa e intelecto

Diseo de una etapa de salida clase AB


Ricardo Vargas Ramrez. 2072070, Juan Felipe Meja. 2073672, Alberto Patio Saucedo. 2090464

Resumen En el siguiente informe se explica el diseo de la etapa


de salida clase AB. Se busca comprender sus ecuaciones
matemticas as como que parmetros de los componentes
semiconductores son relevantes en este tipo de circuitos.

I. INTRODUCCIN
Una etapa de salida es un circuito electrnico analgico que
usa transistores. Este circuito tiene como funcin reducir la
resistencia de salida de un circuito ms complejo para que
pueda entregar una seal de salida a la carga sin prdida de
ganancia. En este tipo de circuitos la linealidad es un
parmetro muy importante. Una medida necesaria en este tipo
de circuitos es la distorsin armnica total (THD) que
introduce. El requisito ms complejo en el diseo de la etapa
de salida es que entrega la cantidad pedida de potencia a la
carga de una manera eficiente, lo cual implica que la potencia
disipada en los transistores de la etapa de salida debe ser tan
baja como sea posible.
Las etapas de salida se clasifican de acuerdo con la forma de
onda de corriente de colector que resulta cuando se aplica una
seal de entrada. En la figura uno se puede observar la
clasificacin para el caso de una seal de entrada senoidal.
La etapa clase A, tiene la forma de onda que se muestra en la
figura 1(a), est polarizada a una corriente Ic mayor que la
amplitud de la corriente de seal, entonces, el transistor
conduce durante todo el ciclo de la seal de entrada. Por otra
parte, la etapa clase B, cuya forma de onda se muestra en la
figura 1(b), esta polarizado a cero corriente de cd. As, un
transistor conduce durante slo la mitad del ciclo de la onda
senoidal de entrada. Las mitades negativas de la onda senoidal
sern producidas por otro transistor que tambin opera en el
modo de clase B y conduce durante semiciclos alternados. La
etapa clase AB, implica la polarizacin del transistor a una
corriente de cd diferente de cero mucho ms pequea que la
corriente de pico de la seal de entrada. Como resultado de
esto el transistor conduce durante un intervalo ligeramente
mayor a medio ciclo como se ilustra en la figura 1(c), se
deduce que, durante los intervalos cerca de los cruces de cero
de la entrada senoidal, ambos transistores conducen. La etapa
clase C tiene un ngulo de conduccin menor a 180 grados el
resultado es la onda que se muestra en la figura 1(d).

Figura 1. Formas de onda de corriente de colector para transistores que operan


en etapas de salida (a) clase A, (b) clase B, (c) clase AB (d) clase C

Para el desarrollo de la prctica es necesario disear una etapa


de salida clase AB por lo cual se har nfasis en ella, para
explicar sus caractersticas principales.
Es necesario hacer el diseo para una corriente de carga de
300mA una ganancia aproximada de uno y una distorsin
armnica total menor al 2%.
ETAPA DE SALIDA CLASE AB
La distorsin de cruce prcticamente se puede eliminar si se
polarizan los transistores de salida complementaria a una
corriente pequea pero diferente de cero . Esto se logra con el
circuito mostrado en la figura 2 en la cual un voltaje de
polarizacin VBB se aplica entre las bases de QN y QP.
Suponiendo dispositivos acoplados,

El valor de VBB se selecciona para producir la corriente


necesaria IQ de reposo.

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Esto demuestra que para voltajes de salida positivos, la
corriente de carga es suministrada por QN, que acta como
seguidor de emisor. Mientras tanto, QP estar conduciendo una
corriente que decrece a medida que VO aumenta; para un VO
grande, la corriente en QP puede despreciarse por completo.
Ocurre lo contrario para tensiones de salida negativas.
Esto hace que la etapa clase AB opere en forma similar a la B,
con una importante excepcin: para un V I pequeo, ambos
transistores conducen, y a medida que VI aumenta o
disminuye, uno de los dos transistores se hace cargo de la
operacin. Como la transicin es muy uniforme la distorsin
de cruce se elimina casi por completo. La figura 3 me muestra
la curva caracterstica de esta etapa.

Figura 2. Etapa de salida clase AB

OPERACIN DEL CIRCUITO


Cuando VI se hace positivo, la tensin en la base de QN
aumenta en la misma cantidad y la salida se hace positiva a un
valor casi igual,

El VO positivo hace que una corriente IL circule por RL, y


entonces IN debe aumentar, esto es,

Figura 3. Curva caracterstica de la etapa de salida clase AB

POLARIZACIN USANDO EL MULTIPLICADOR DE V BE


El aumento en IN ser acompaado por un correspondiente
aumento en VBEN, pero, como el voltaje entre las dos bases
permanece constante en VBB, el aumento en VBEN resultara en
igual decremento en VEBP y por lo tanto en IP. La relacin
entre IN e IP es:

Entonces, a medida que IN aumenta, IP decrece en la misma


proporcin mientras que el producto permanece constante. Al
combinar las ecuaciones para sacar IN para una IL dada como
la solucin de la ecuacin cuadrtica.

Existen varios mtodos para polarizacin esta etapa. Pero esta


forma de polarizar presenta una mayor flexibilidad al hacer el
diseo. El circuito que presenta este tipo de polarizacin se
ilustra en la figura 4. Este circuito de polarizacin est
formado por el transistor Q1 con un resistor R1 conectado entre
base y emisor y una resistencia de retroalimentacin R2
conectada entre colector y base. La red resultante de dos
terminales se alimenta con una fuente de corriente constante
Ibias. Si despreciamos la corriente de base de Q1, entonces R1 y
R2 llevarn la misma corriente IR, dada por:

Y el voltaje VBB en los terminales de la red de polarizacin


ser

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Por razones de mercado no es posible encontrar estos valores


en resistencias discretas por lo cual use resistencias de 350 y
354.
III. TABLA DE SELECCIN DE COMPONENTES
Los componentes activos usados en el filtro son transistores
BJT en los cuales los parmetros ms relevantes en el diseo
de la etapa de salida son la corriente de colector y la corriente
de base, en la tabla 1 se muestran estos parmetros y se escoge
uno de los pares de transistores.

Figura 4. Etapa de salida clase AB que utiliza un multiplicador VBE para


polarizacin

Entonces el circuito multiplica VBE1 por un factor (1+R2/R1), y


se conoce como multiplicador de VBE. El factor de
multiplicacin se usa para establecer el valor de VBB requerido
para obtener una corriente IQ de reposo deseada.
II. DISEO
Para el diseo se asumieron los valores de VT e Is ya que estos
parmetros son de fabricacin y en las hojas de datos no pude
encontrarlos, as que tome los que usaban en el libro de
SEDRA. IS = 10-14 A y VT = 0,0276 V.
Asum una corriente de reposo IQ = 6mA

Referencia Ic(A) IB(A)


TIP41
6
2
TIP42
-6
-2
2N2222
0,6
0,1
2N2907
-0.6
-0,1
BD135
1,5
0,5
BD136
-1,5
-0,5
Tabla 1. Comparacin de transistores

Para la etapa de salida que se est diseando, cualquiera de los


transistores puede servirnos para usarlo en nuestro diseo ya
que todos satisfacen los requerimientos de la practica. Se
eligi el TIP41 Y TIP42 porque los otros dos quedan muy
ajustados a los requerimientos mximos solicitados.
IV. SIMULACIN
Se realiz la simulacin con dos transistores de la lista. El
esquema usado para las simulaciones y el montaje prctico se
puede ver en la figura 5.

Como la corriente de pico positiva es de 300mA y mi corriente


de base de QN puede ser de hasta 6mA entonces escojo una
corriente de bias Ibias = 9mA.
Dando al multiplicador una corriente mnima de 3mA en
reposo VO = 0 e IL = 0 la corriente de base de QN es
despreciable por lo tanto la corriente I bias circula por el
multiplicador por lo tanto escojo los valores de I R = 2mA e
IC1 =7 mA.
Para obtener una corriente de reposo de 6 mA en los
transistores de salida VBB es:
Asumiendo que R1 + R2 = 704
1.408v
Como IC1 = 7mA entonces

Figura 5. Esquema de la etapa de salida clase AB

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Para las pruebas con los dos transistores se us el mismo


circuito y se obtuvieron los siguientes resultados:
2.0m

a.

Para el TIP41 y TIP 42

La figura 6 me muestra un barrido en el tiempo de la seal de


entrada y la seal de salida y se puede observar que a una
frecuencia de 1KHz la seal de salida casi igual a la seal de
entrada y la corriente de carga es mayor a 300mA.
5.0V

1.0m

0
0.44KHz

2.00KHz
4.00KHz
-I(R9)
V(R9:B)
Frequency

6.00KHz

Figura 8. FFT de la tensin de salida

0V

-5.0V
0s

0.5ms
1.0ms
V(V9:+)
V(R9:B)
Time

1.5ms

2.0ms

P0 =
P1 =
P2 =
P3 =
P4 =
P5 =

Figura 6. Tensin de entrada y salida en el tiempo

En la figura 7 se puede observar la corriente en la carga.


400mA

THD = 4,89*10-5 %

200mA

b.

Para el 2n2222 y 2n2907

0A

La figura 9 me muestra un barrido en el tiempo de la seal de


entrada y la seal de salida y se puede observar que a una
frecuencia de 1KHz la seal de salida casi igual a la seal de
entrada y la corriente de carga es mayor a 300mA.

-200mA

0s

0.5ms
-I(R9)

1.0ms

1.5ms

2.0ms

5.0V

Time

Figura 7. Corriente en la resistencia de carga

En la figura 8 hacemos la transformada de Fourier a la tensin


de salida para calcular el THD tomo los valores para los
primeros 5 armnicos.

0V

-5.0V
0s

0.5ms
1.0ms
V(R3:1)
V(R1:B)
Time

1.5ms

Figura 9. Tensin de entrada y salida en el tiempo

2.0ms

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En la figura 10 se puede observar la corriente en la carga.
THD = 0,7 %
400mA

Haciendo el anlisis de la simulacin se obtuvieron los datos


de la tabla 2.
Referencia
TIP41
TIP42
2n2222
2n2907

0A

fc(KHz)

Vin(Vp)

THD(%)

4,89*10-5

0.7

Tabla 2. Comparacin de los filtros de dos OPAM


-400mA
0s

0.5ms
-I(R1)

1.0ms

1.5ms

2.0ms

V. DATOS DEL MONTAJE


Time

Figura 10. Corriente en la resistencia de carga

En la figura 11 hacemos la transformada de Fourier a la


tensin de salida para calcular el THD tomo los valores para
los primeros 5 armnicos.

Figura 11. FFT de la tensin de salida

En el desarrollo de la prctica se conectaron los componentes


electrnicos en el protoboard como en el esquema mostrado en
la figura 5 y usando el osciloscopio se graficaron las seales
de entrada y salida para 1KHz. En el circuito se us el TIP41 y
TIP42 se usaron los valores de las resistencias que estn en la
simulacin. Estos resultados se pueden ver en la figura 12

Figura 12. Tensin de entrada y salida en el tiempo

Figura 13. Tensin de entrada y la FFT

La grafica 13 me muestra la tensin de salida y su


transformada de Fourier en ella se puede ver que el armnico
de la frecuencia fundamental es mucho mayor a los dems
armnicos.
P0 =
P1 =
P2 =
P3 =
P4 =
P5 =

En la tabla 3 se hace un resumen de los valores ms


significativos obtenidos de las grficas.
Referencia
TIP41
TIP42

fc(Khz)

Vin

Vout

12.9

12

Tabla 3. Valores significativos

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VI. CONCLUSIONES
1.

Para la etapa de salida los parmetros ms relevantes


son la IB y la IC pero todos los transistores escogidos
para la comparacin cumplan con los requisitos
planteados para el diseo.

2.

La razn por la cual se escogi el TIP41 y TIP42 fue


que tenan las mejores caractersticas para el
desarrollo de la actividad.

3.

La tensin VBB no debe ser ni muy grande ni muy


pequea ya que ocasionara un mal funcionamiento
en la etapa de salida.

VII. REFERENCIAS
Electrnica: Teora de Circuitos. Boylestad Robert L, Nashelsky Louis. 6th
Edition. PH s.a.
Circuitos Microelectrnicos. Sedra Addel S, Smith Kenneth C. 4 th Edition.
Oxford University Press.