Tema 1: Principios Bsicos de Semiconductores

1.8. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO FET (TRANSISTOR EFECTO

DE CAMPO)
1.8.1. INTRODUCCIN
o FET:
o Dispositivo:

Unipolar.
Controlado por tensin.

1.8.2. TIPOS DE FET

o JFET: Transistor de efecto de campo de unin.
o MOSFET: Transistor efecto de campo metal-xido-semiconductor.
o Terminales:

Fuente o Surtidor (S).

Drenaje o Drenador (D).
Puerta (G).

o Analogas FET-BJT:

S E.
G B.
D C.
Polarizacin no es la misma

1.8.2.1. JFET
o Teniendo en cuenta el dopado de la barra de silicio:
JFET de canal n (nJFET).
JFET de canal p (pJFET).
o pJFET :

S, D : tipo p.
G : tipo n.

S, D : tipo n.
G : tipo p.

o nJFET :

Adoracin Hermoso Fernndez

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o Simbologa :

nJFET

pJFET

o Curvas Caractersticas nJFET:

Vp (VGS2 < VGS)

Vp o VSS: tensin de estrangulamiento ISS: corriente de estrangulamiento.

REGIN SATURACIN: ID deja de crecer y se hace constante a IDSS

(estrangulamiento). ID solo depende de VGS. El transistor se comporta como una fuente
de corriente dependiente de VGS.
REGIN LINEAL (HMICA): IDS crece proporcionalmente a VDS para la misma VGS.
El transistor es una resistencia variable dependiente de VGS.
CORTE: No existe corriente de drenador (IDS = 0).
En el pFET voltajes y corrientes de signo contrario.

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nJFET

Zonas de
deflexin
G

D
S

VGS

VDS
VGS

D
IDS

Canal N
S

FUNCIONAMIENTO nJFET
VGS = 0
o
o
o
o
o

Se crea zona de deplexin (ausente de carga).

VDS directa.
A medida que VDS aumenta, lo hace tambin la zona de deplexin.
VDS < Vp nJFET = pequea resistencia ESTADO DE CONDUCCIN.
VDS = Vp las dos zonas de deplexin se unen o dejan de crecer (ID = IDSS).

VDS fija, variando VGS

o A medida que VGS se hace ms negativa (diodo G-S: inversamente) aumento
zona de deplexin estrechamiento del canal en las proximidades de S
resistencia del canal aumenta ID disminuye.
o Si VGS se hace menos negativa disminucin zona de deplexin
ensanchamiento del canal resistencia del canal disminuye ID aumenta.
Polarizacin inversa al BJT
pJFET
o Se invierten polaridades de VDS y VGS.
o En curvas VGS es positiva.

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VDS

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1.8.2.2. MOSFET
o No se forma unin semiconductora entre canal y puerta.
o Puerta separada del canal mediante una capa de SiO2 (metal-xidosemiconductor).
o El xido es aislante IG prcticamente nula, mucho menor que en los JFET.
los MOS se emplean para tratar seales de muy baja potencia.
o Existe un cuarto terminal llamado sustrato (B).
o Prestaciones similares a las del JFET.
o Existen dos tipos de Mosfet:

Empobrecimiento.
Enriquecimiento.

o En ambos tipos existe un Mosfet de canal p y otro de canal n.

1.8.2.2.1. MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO
o Sin tensin en la puerta (G) existe canal de conduccin.
nMOS

SiO2

D
IDS

G
VGS

VDS

Canal N
S

FUNCIONAMIENTO nMOS
VGS = 0
o IDS circula libremente.
VGS negativa o polarizada inversamente
o IBG acta como barrera e IDS = 0.
o A medida que VGS se hace ms negativa IBG aumenta IDS disminuye.
VGS positiva o polarizada directamente
o Camino libre para poder circular IDS.
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o Simbologa:

nMOS

pMOS

1.8.2.2.2. MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO

o Para existencia de canal de conduccin hay que aplicar tensin en la puerta.
o nMOS: sustrato (B) tipo p en el que se han difundido dos regiones (D, S) tipo
n.
nMOS
S

n
Sustrato P

o pMOS: sustrato (B) tipo n en el que se han difundido dos regiones (D, S) tipo
p.

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FUNCIONAMIENTO nMOS
VGS

VDS
+

+
G

S
n

IDS

D
n

Sustrato P
B

o VGS provoca la existencia o no de canal de conduccin entre D y S.

o VDS proporciona la corriente IDS.
VGS = 0
o G = S = B = 0 IDS = 0.
VGS positiva y mayor que VT
o VT: tensin umbral.
o Inyeccin de electrones en B, recombinndose con los huecos existentes en
dicha zona.
o Los electrones libres se aglutinan en las proximidades de SiO2 creacin canal
de conduccin entre D y S (Inversin superficial) IDS en funcin de VDS.
o A medida que VGS ms positiva anchura de canal mayor.
o Curvas de transferencia:
I DS (mA)

-4

I DS (mA)

-4

-3

-2

-1

VT

12

VGS (V)

NMOS

-4

-8

PMOS

VGS IDS Destruccin de transistor.

nMOS:
pMOS:

VGS < VT
VGS > VT

-VT

VGS > VT.

VGS < VT.

VT: positiva
VT: negativa

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-12

VGS (V)

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____________

______________

CORTADO

CONDUCCIN

En el pMOS voltajes y corrientes de signo contrario.

nMOS

I DS

VGS

VDS
VT = 0,40V

nMOS (Saturacin): VDS VGS - VT

V DS = 0,80 0,40 = 0,40V

( A)

V DS = 1,20 0,40 = 0,80V

(B )

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pMOS

I DS

VGS

V DS

VT = 0,4V

pMOS (Saturacin): VDS VGS - VT

V DS = 1,00 (0,40 ) = 0,60V

( A)

V DS = 1,20 ( 0,40 ) = 0,80V

(B )

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o Aplicaciones:

PRINCIPALES VENTAJAS
Impedancia de entrada alta y de
salida baja
Bajo ruido
Baja capacidad de entrada
Control por voltaje
Capacidad pequea de
acoplamiento
Pequeo tamao

USOS
Adaptador de impedancias, buffer aislador o
separador.
Sintonizadores de FM, equipo para
comunicaciones
Instrumentos de medicin, equipos de prueba
Amplificadores operacionales, rganos
electrnicos, controlas de tono
Audfonos para sordera, transductores inductivos
Integracin en gran escala, computadores,
memorias

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1.9. TRANSISTORES MOSFET DE SIMETRA COMPLEMENTARIA (CMOS)

o Compuesto por un nMOS y un pMOS de enriquecimiento.

S2

D
G2

B2

D2
n

S1

G1

D1
p

B1
p

NMOS

PMOS

Sustrato P

Sustrato N

o Circuito equivalente.
S1

G1

PMOS
S
D

NMOS

G2
S2

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