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S.E.I.T.
D.G.I.T.
cenidet
DESARROLLO E IMPLEMENTACIN DE UN
BANCO DE PRUEBAS PARA CARACTERIZAR
DISPOSITIVOS DE ALTA POTENCIA
PARA
OBTENER
EL
GRADO
DE
MAESTRO EN CIENCIAS EN
INGENIERA ELECTRNICA
P
ING.
IVN
ALCAL
A:
BAROJAS
DIRECTORES DE TESIS
DR.
DRA.
CUERNAVACA, MOR.
ABRAHAM
CLAUDIO
MARA
COTOROGEA
SNCHEZ
PFEIFER
MARZO
2003
S.E.P.
S.E.I.T.
D.G.I.T.
cenidet
DESARROLLO E IMPLEMENTACIN DE UN
BANCO DE PRUEBAS PARA CARACTERIZAR
DISPOSITIVOS DE ALTA POTENCIA
PARA
OBTENER
I
EL
GRADO
DE
MAESTRO EN CIENCIAS EN
INGENIERA ELECTRNICA
P
ING.
IVN
ALCAL
A:
BAROJAS
DIRECTORES DE TESIS
DR.
DRA.
CUERNAVACA, MOR.
ABRAHAM
MARA
CLAUDIO
COTOROGEA
SNCHEZ
PFEIFER
MARZO, 2003
CONTENIDO
Simbologa
iii
Nomenclatura
2
3
4
6
6
8
9
11
13
13
14
16
17
18
20
20
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
33
36
36
36
41
43
43
43
45
46
51
52
54
55
55
56
56
57
60
61
61
62
64
64
66
66
68
69
69
78
80
81
Bibliografa
85
Anexo I
Anlisis en Mathcad
87
Anexo II
Hojas de datos
93
ii
SIMBOLOGA
1, 2
i
t
Ac
Ap
At
Aw(B)
Bm
C1,2,...
CL
Cp
Ct
D
D1,2
D1R,2R,...
DE
di/dt
dv/dt
E
f
fosc
IA
iCap
IC
iD
ID1,D2,...
IG, IGQ
Iin
IK
iL
INS
Io
ip
Iprom
Ipt
IQ1,Q2,Q3
ireg
is
J
Eficiencia
Regulacin
Factor de amplificacin de corriente
Variacin de corriente
Variacin del tiempo
rea efectiva del ncleo
Producto de reas
rea de superficie
Tamao del alambre
Densidad de flujo
Capacitor
Capacitor de filtrado
Capacitancia parsita
Capacitor de oscilacin
Ciclo de trabajo
Diodo
Diodos del rectificador
Diodo de emisor
Pendiente de corriente
Pendiente de voltaje
Energa
Frecuencia
Frecuencia de oscilacin
Corriente de nodo
Corriente en capacitor
Corriente de carga
Corriente a la salida del rectificador
Corriente en el diodo
Corriente de compuerta
Corriente de entrada
Corriente de ctodo
Corriente en la carga o de salida
Corriente en el secundario del transformador
Corriente de salida
Corriente en el primario del transformador
Corriente promedio en el transistor
Corriente pico del transistor
Corriente en el transistor
Corriente en los IGBTs del regulador
Corriente en el secundario del transformador
Densidad de corriente
iii
J3, J2, J1
Ke
Kf
Kg
Ku
Lcarga
Lp
Lpar
Ls
MLT
n
Np
Ns
Nr
Po
Pp
Ps
Pt
Q1,2,3,4
QE
QG
R2,...
RG(on)
RG (off)
Rind
RL
Rp
Rpar
Rs
Rt
T
t
T1, T2
td
tf
toff
ton
tr
Tr1, Tr2
ts
tt
V0
V1
V2
VAK
vCE
iv
VCE(sat)
Vd
Vin
vL
VLcarga
Vo
Voc
Vp
VS
VTR
Wtef
NOMENCLATURA
AUX
BJT
BM
CA
CD
DAGTO
DSEP
DUT
ETO
FS
GTO
IGBT
IGCT
JFET
MCT
MOS
MOSFET
MTO
MVA
NPT
PSpice
PT
PWM
SIT
SOA
SPT
ZCS
ZVS
Auxiliar
Transistor bipolar
Behavioral modelig
Corriente alterna
Corriente directa
Tiristor de apagado por compuerta asistido por un diodo
Dispositivos semiconductores de potencia controlados
Dispositivo bajo prueba
Tiristor apagado por emisor
Field-Stop
Tiristor de apagado por compuerta
Transistor bipolar de compuerta aislada
Tiristor con compuerta conmutada integrada
Transistor de efecto de campo unin
Tiristor controlado por MOS
Metal xido semiconductor
Transistor de efecto de campo metal xido semiconductor
Tiristor de apagado por MOS
Mega volts amperes
Non Punch-Through
Programa de simulacin de circuitos elctricos y electrnicos
Punch-Through
Modulador de ancho de pulso
Transistor de induccin esttico
rea de operacin segura
Soft-Punch-Through
Conmutacin a corriente cero
Conmutacin a voltaje cero
vi
Captulo 1
En este captulo se presentan en forma general los problemas a los que se enfrenta el
diseador de circuitos al seleccionar el dispositivo adecuado para la aplicacin deseada. Las
diversas aplicaciones implican requerimientos energticos particulares que demandan
ciertas caractersticas a los dispositivos. As, uno de los problemas a los que se enfrenta el
diseador, es poder seleccionar el dispositivo semiconductor de potencia que presente las
caractersticas mas adecuadas a la aplicacin, por lo cual es importante conocer bien las
caractersticas con las que cuentan los dispositivos. Este estudio inicia con una introduccin
sobre la electrnica de potencia en general.
La electrnica de potencia es una rama de la ingeniera elctrica que combina la
energa elctrica, la electrnica y el control. El control se encarga del rgimen permanente y
de las caractersticas dinmicas de los sistemas de lazo cerrado. La energa elctrica tiene
que ver con el equipo de potencia esttico y rotativo o giratorio, para la generacin,
transmisin y distribucin de la misma. La electrnica se ocupa de los dispositivos y
circuitos semiconductores requeridos en el procesamiento de seales para cumplir con los
objetivos de control deseados. La electrnica de potencia se puede definir como la
aplicacin de la electrnica de estado slido para el control y la conversin de la energa
elctrica. Algunas de sus aplicaciones son: control de calor, control de la intensidad
luminosa, controles de motor, reguladores CA y CD, calentamiento por induccin,
compensadores de VAR estticos, filtros activos y muchos ms.
El elemento base de un sistema electrnico de potencia es el dispositivo que se
utiliza para realizar la funcin de interrupcin. Hoy en da la electrnica de potencia
aprovecha los avances de la tecnologa como son: fabricacin de circuitos integrados y
dispositivos semiconductores de potencia, que trabajan bajo la supervisin de un control
electrnico. La tendencia es producir mdulos inteligentes, donde el control, la proteccin y
la etapa de potencia sean integrados en un mismo encapsulado.
lo tanto, se hace necesario conocer las caractersticas de estos dispositivos para lograr su
ptima utilizacin en las diferentes condiciones de operacin [1].
a)
b)
Figura 1.3 Modelo del GTO: a) Estructura del GTO, b) Circuito equivalente
Suponiendo que un GTO es dividido en el transistor npn Tr1 en el lado del ctodo y
transistor pnp Tr2 en lado del nodo y estn conectados como se muestra en la Figura 1.3b.
En esta Figura, el factor de amplificacin de corriente del transistor Tr1 es llamado 1 y la
del transistor Tr2 y 2. Si una corriente inversa IGQ fluye a travs de la compuerta, la
corriente de base IB en el transistor Tr1 es reducida cuando IGQ es incrementado. Esta
relacin puede ser expresada por la siguiente ecuacin:
IB = 2 * IA - IGQ
(1.1)
(1.2)
La relacin entre la corriente de nodo (IA) y la corriente de ctodo (IK) del GTO es
expresada por la siguiente ecuacin:
IA = IK + IGQ
(1.3)
En el apagado del GTO, IB debe ser tan pequea como IRB. La magnitud de corriente
inversa IGQ que satisface esta condicin puede ser calculada por la siguiente ecuacin:
IGQ = (1 + 2 1) * IA / 1
(1.4)
A) Proceso de encendido
En general el proceso transitorio de encendido del GTO es muy similar al de los
tiristores convencionales conocidos y se muestra en la Figura 1.4. Este proceso presenta
tres intervalos:
El tiempo de retardo (td), el cual es el tiempo transcurrido del comienzo del pulso
de la corriente de compuerta hasta que la corriente de nodo alcanza 10% del valor
final de IA.
El tiempo de subida (tr), el cul es el tiempo entre el 10% y el 90% de IA.
El tiempo de propagacin (ts), el cual est definido a partir del 10% de la tensin Vs
y representa el tiempo durante el cual la corriente se propaga lateralmente hasta la
terminal del ctodo.
B) Proceso de apagado
Este tambin es dividido en tres intervalos:
El tiempo de almacenamiento (ts), durante el cual el exceso de portadores de la base
p es extrado va la corriente de compuerta y todas las uniones (J1,J2 y J3) son
polarizadas. En el periodo final de almacenamiento, la corriente de nodo cae a un
valor de 90% IA y la regin de carga espacial empieza a crecer alrededor de J2.
El tiempo de bajada (tf) es el tiempo transcurrido del 90% al 10% de IA. Durante
este tiempo el voltaje sobreincrementa el dispositivo y los portadores minoritarios
son desalojados de la base n a la p. Al final de este periodo la unin J3 empieza a
bloquear.
El tercer periodo es una cola (tt) durante la cual la corriente a travs del dispositivo
va del 10% a cerca de cero.
1.2.2 Caractersticas
El GTO tiene varias ventajas, las cuales son [8], [9], [10] , [11]:
A) altas densidades de corriente en conduccin
B) altos voltajes de bloqueo
C) alta capacidad de resistencia a fuertes dv/dt en estado de bloqueo
D) posibilidad de integrar un diodo inverso
Figura 1.5 Circuitos equivalentes de los dispositivos derivados del GTO: a) IGCT b) MTO
c) ETO d) DAGTO
b) MTO
El MTO (tiristor apagado por MOS) usa solo un interruptor de compuerta QG.
Durante el apagado, el interruptor de compuerta es encendido, desviando la
corriente a travs del diodo compuerta-ctodo del GTO y realizando un apagado con
ganancia unitaria [3], [12].
El MTO es un dispositivo de conmutacin basado en el GTO. El GTO requiere una
realizacin compleja de circuitos de potencia que implican diseos cuidadosos de circuitos
impulsores y snubbers. Las mejoras realizadas al MTO son las siguientes:
Mayor velocidad de conmutacin y menores prdidas que el GTO.
Capacidad de corriente de algunos cientos de amperes, fuente de algunos miles de
amperes, capacidad de bloqueo de 6 KV.
Voltaje de saturacin en estado estable 4 V, la eficiencia en operacin de
convertidores de potencia es mejor que la eficiencia empleando IGBTs.
Tiempo de retardo similar al GTO, el tiempo de almacenamiento en el apagado es
mas bajo que el GTO. El tiempo de cada de la corriente en el apagado es de 5 s.
El comportamiento de conmutacin en el encendido es limitado por el di/dt. En el
apagado en conmutacin dura las prdidas son similares al GTO.
La utilizacin de menos snubbers en el apagado del dispositivo es limitado por la
corriente critica, por que la velocidad de subida de la corriente en el impulsor en el
apagado no es suficientemente rpida para mantener la ganancia unitaria en la
operacin de apagado.
c) ETO
El ETO (tiristor apagado por emisor) es otro tipo de tecnologa basada en
dispositivos semiconductores superiores de alta potencia, en este caso en la tecnologa
desarrollada del GTO y del MOSFET de potencia. El tiristor de pagado por emisor es un
10
dispositivo semiconductor hbrido que apaga al GTO por debajo de las condiciones de
ganancia unitaria. El ETO combina las ventajas del GTO y del IGBT: del GTO rangos de
corrientes y voltajes grandes y voltajes pequeos de saturacin, del IGBT control por
voltaje, gran velocidad de conmutacin y un ancho RBSOA (rea de operacin segura
polarizada inversamente) [13].
El ETO hace uso de dos interruptores para realizar una conmutacin de corriente
alta en el apagado. Durante el apagado, el interruptor de emisor QE es apagado mientras que
la compuerta del interruptor QG es encendida. Un voltaje tan alto como el voltaje de ruptura
de QE puede ser aplicado en el lazo de la compuerta de la inductancia parsita, realizando
una conmutacin de corriente rpida. Durante el transitorio de encendido, QE es encendido
y QG es apagado [14], [15].
Un gran pulso de corriente es inyectado en la compuerta del GTO para reducir el
tiempo de retardo de encendido y mejorar el rango di/dt de encendido.
El proceso de apagado es controlado por voltaje y el impulsor de compuerta del
ETO es muy compacto y disipa menos potencia.
d) DAGTO
El DAGTO (tiristor de apagado por compuerta asistido por un diodo) es una nueva
configuracin que ayuda al GTO a alcanzar una ganancia unitaria al apagado y la capacidad
de necesitar menos snubbers al apagado utilizando diodos discretos conectados en serie. El
DAGTO incrementa significativamente el voltaje de apagado el cual puede ser usado para
la conmutacin de la corriente [11].
El DAGTO puede realizar conmutaciones de corrientes muy grandes en el apagado
por el uso del diodo DE. La ganancia de apagado unitaria se logra rpidamente y puede ser
mantenida hasta el final del proceso transitorio de apagado.
11
a)
b)
Figura 1.6 Modelo del IGBT: a) Estructura interna del IGBT, b) Diagrama equivalente
12
1.3.2 Caractersticas
El objetivo de los fabricantes al disear el IGBT era obtener un dispositivo que
aprovechara las ventajas del transistor bipolar y del MOSFET : alta capacidad de corriente,
cada de tensin directa (voltaje colector-emisor de saturacin) muy baja debida a la
modulacin de la zona n- que proporciona la tecnologa bipolar y bajas prdidas por
conmutacin, as como la facilidad de comando gracias a la compuerta aislada que ofrece la
tecnologa MOSFET, tratando de mantener las mejores caractersticas dinmicas. Las
ventajas esenciales de los transistores IGBT son: un rea de operacin segura (SOA por sus
siglas en ingles) casi cuadrada y comandado en tensin [16], [17].
El IGBT combina en un solo dispositivo la tecnologa bipolar (el componente
utilizado es el transistor bipolar pnp) y la tecnologa MOS (el componente utilizado es el
MOSFET de canal n). Este dispositivo aprovecha las caractersticas de ambas tecnologas,
las cuales son: alta capacidad de corriente, voltaje de saturacin bajo, bajas perdidas por
conmutacin, control por tensin. En la Figura 1.6a se muestra la estructura del IGBT.
Ventajas:
a)
b)
c)
d)
13
e) comando en tensin
Desventajas:
a) comportamiento dependiente de la temperatura
b) cola de corriente en el apagado (prdidas por conmutacin mayores a un
MOSFET)
c) prdidas en conduccin superiores a un GTO
14
n-) a travs de la implementacin de la zona buffer n+ tpica para la tecnologa PT. Dadas
las distintas estructuras de estas tecnologas, los IGBT de tipo PT, NPT y SPT tienen
tambin caractersticas elctricas diferentes. La Figura 1.7 muestra las estructuras
tradicionales PT y NPT, as como la nueva estructura SPT.
La tecnologa SPT permite la construccin de convertidores con un mayor rango de
potencia, fijando el estndar de voltaje en 1200 V. Estos dispositivos vienen empaquetados
en mdulos y sus caractersticas son: mayor robustez, permite la conexin en paralelo de
los mdulos, transiciones suaves en la conmutacin del dispositivo, bajo incremento de la
resistencia del modulo ante variaciones de temperatura y requerimientos de impulsores
igual que la tecnologa NPT.
ltimamente, se han aplicado para todas las tecnologas una nueva estructura de
compuerta llamada trench-gate a diferencia de la estructura convencional de compuerta
plana. Esta estructura permite reducir las prdidas en conduccin, puesto que el canal del
MOSFET se forma en direccin vertical a la superficie del chip y requiere menos rea
activa. De esta manera se aumenta la densidad de las celdas. Resumiendo, los beneficios
obtenidos con la estructura trench-gate incluyen una disminucin de la resistencia del canal
MOS y la eliminacin de la regin JFET.
Por otro lado, las aplicaciones en las cuales los IGBT han sido tpicamente
empleados son de baja y mediana potencia. Sin embargo, debido a las recientes
aportaciones tecnolgicas, actualmente existen IGBTs de alta potencia que compiten a los
GTOs, los cuales han sido tpicamente usados en aplicaciones de alta potencia. Por lo
anterior es que en este trabajo de tesis se ha propuesto el desarrollo de un banco de pruebas
para caracterizar dispositivos de alta potencia.
Estructura
15
16
1.5 Justificacin
El estudio de los dispositivos semiconductores de alta potencia tiene varias
aportaciones originales para solucionar la problemtica abordada y la necesidad de
investigar sobre ellos tiene dos importantes aspectos.
Analizar a fondo el funcionamiento del dispositivo para poder conocer las
implicaciones al usar dispositivos de alta potencia y su proceso de conmutacin para
aprovechar al mximo sus caractersticas en las diferentes aplicaciones de alta
potencia.
Obtener informacin del GTO que nos permita entender hacia donde estn siendo
orientadas las mejoras que se han realizado en estos dispositivos.
Suministrar informacin del comportamiento de los DSEPs de alta potencia a
fabricantes y diseadores.
17
Figura 1.9 rea de operacin segura y la trayectoria I = f (V) para cada tipo de conmutacin
1.6 Objetivos
a) Objetivo general
Disear e implementar un banco de pruebas que permita estudiar
experimentalmente el comportamiento de los dispositivos de alta potencia en diferentes
condiciones de conmutacin dura
b) Objetivos particulares
El principal objetivo de esta tesis es disear un banco de pruebas para caracterizar
dispositivos de alta potencia, por lo que se propone lo siguiente para lograrlo:
Simulacin de los circuitos propuestos con el programa PSpice para validar los
procedimientos del diseo.
Construccin del banco de pruebas (que incluye los impulsores de compuerta, los
sistemas de control y la fuente de CD)
Realizacin de algunas pruebas para comprobar el buen funcionamiento del banco
de pruebas.
18
Captulo 2
Metodologa abordada
En este captulo se presentan las caractersticas con las cuales deben contar las
fuentes de alto voltaje de CD y diversos tipos de fuentes de alto voltaje en CD con el fin de
presentar las ventajas y desventajas que ofrece cada una de ellas, as como el mtodo para
realizar la caracterizacin de dispositivos semiconductores en forma experimental. Se
presentan tambin los requerimientos mnimos necesarios para obtener buenos resultados
mediante simulacin.
20
Metodologa abordada
a) Modo repetitivo
Cuando el modo de funcionamiento es en modo repetitivo, el control es a frecuencia
fija con un ciclo de trabajo reducido con el fin de limitar el incremento de temperatura del
componente.
Este modo de funcionamiento tiene la ventaja de ser una evaluacin muy cercana a
la realidad respecto al cableado y los aspectos trmicos, pero no es adecuado para analizar
la conmutacin propia del componente. La repeticin de ciclos permite establecer mtodos
de medicin por acumulacin y efectuar correcciones de ruido sncronos. Sin embargo esta
estrategia presenta los siguientes problemas:
Potencia instalada igual a las prdidas del componente, lo que requiere un sistema
de enfriamiento y cableado necesariamente grandes.
Interdependencia de parmetros: frecuencia, ciclo de trabajo, temperatura, etc.
b) Modo impulsional
El funcionamiento en modo impulsional es una estrategia de pruebas donde se trata
de una experimentacin en valores reales de corriente, tensin y temperatura. Adems, el
componente es sometido una sola vez a las condiciones de conmutacin lo que, como ya se
mencion, permite una limitacin en nmero de componentes y de la potencia instalada de
la fuente y por otro lado mayor compactacin de los componentes, a fin de reducir el
cableado.
2.1.1.3 Tipo de control
Para el control de la operacin de los dispositivos auxiliares, as como el disparo del
dispositivo bajo prueba, existen dos posibilidades: automtico o de tiempo preestablecido.
a) Control automtico
En este esquema de comando, el encendido y apagado de los dispositivos auxiliares
y bajo prueba se realizan automticamente a valores determinados de voltaje o corriente.
Este sistema de control permite condiciones de conmutacin que pueden ser ajustadas
independientemente de la carga. Es un sistema de control directo.
b) Tiempo preestablecido
En este tipo de comando se establecen los tiempos de encendido y de apagado de los
dispositivos. Este es un sistema de control en lazo abierto, donde los parmetros son solo
indirectamente incontrolados.
22
Metodologa abordada
23
24
Metodologa abordada
25
2.3.1 Flyback
La topologa del circuito para el convertidor flyback se muestra en la Figura 2.2.
Cuando el transistor Q1 se activa, el voltaje de alimentacin aparece a travs del primario
del transformador y se induce un voltaje correspondiente en el secundario. Cuando Q1 esta
apagado, se induce un voltaje de polaridad opuesta en el primario por el secundario, debido
a la accin de transformacin. El voltaje mnimo del circuito abierto del transistor es Voc =
Vin. Si Iin es la corriente promedio de entrada con componente ondulatoria despreciable y el
ciclo de trabajo es D = 50%, la corriente pico del transistor es Ipt = Iin/D = 2Iin. La corriente
de entrada es pulsatoria y discontinua. Sin la presencia del diodo D2, fluir una corriente de
CD a travs del transformador. Cuando Q1 esta apagado, el diodo D2 y el condensador C
restablecen el ncleo del transformador. C se descarga a travs de R, cuando D2 est
apagado y en cada ciclo se pierde energa. Este circuito es muy sencillo y est restringido a
aplicaciones por debajo de 500 W. Se trata de un convertidor directo que requiere de un
lazo de retroalimentacin de control de voltaje.
El ncleo del transformador tambin se puede restablecer instalando un embobinado
de restablecimiento como se muestra en la Figura 2.3a , donde la energa almacenada en el
ncleo del transformador es devuelta a la alimentacin aumentando la eficiencia. El voltaje
en circuito abierto del transistor de la Figura 2.3a es
Np
Voc = Vin 1
Nr
(2.1)
26
Metodologa abordada
a)
b)
Figura 2.3 Convertidor flyback: a) convertidor con bobinado de restablecimiento, b) formas de
onda de voltajes y corrientes
2.1.2 Push-pull
En la topologa del convertidor push-pull el voltaje pico de colector del transistor de
conmutacin es limitado a dos veces el voltaje de entrada. Esto es debido a la simetra del
tap central del transformador con igual numero de vueltas en el devanado primario. El
suministro de voltaje nunca es almacenado en el transformador, por lo cual mas potencia
puede ser manejada obteniendo una mas grande eficiencia y con mejor regulacin que otros
convertidores. El esquema del circuito bsico del convertidor push-pull es mostrado en la
Figura 2.4a, as como sus formas de onda de las corrientes y voltajes en la Figura 2.4b. Los
transistores de conmutacin Q1 y Q2 conducen alternadamente cada medio ciclo en un
ciclo de trabajo determinado por la entrada de la fuente de voltaje Vin, la relacin de
transformacin y el voltaje de salida deseado. As, el ciclo de trabajo mximo alcanzable es
ligeramente menor que el 50 % para el tiempo de apagado del transistor de conmutacin.
Cuando Q1 se activa, Vin aparece a travs de una mitad del primario. Cuando Q2 se
activa, Vin es aplicado a travs de la otra mitad del transformador. El voltaje del bobinado
primario oscila desde -VS. La corriente promedio a travs del transformador debera en
forma ideal ser cero. El voltaje promedio de salida es
Vo = V2 =
Ns
V1 = a V1 = a Vin
Np
(2.2)
27
a)
b)
Figura 2.4 Convertidor push-pull: a) circuito del convertidor, b) formas de onda de voltajes y
corrientes
28
Metodologa abordada
a)
b)
Figura 2.5 Convertidor medio puente: a) circuito del convertidor, b) formas de onda de voltajes y
corrientes
Cuando Q2 est activo, Vin/2 aparece a travs del primario del transformador.
Cuando Q1 est activo, aparece un voltaje inverso de valor Vin/2 a travs del primario del
transformador. El voltaje primario oscila desde Vin/2 hasta Vin/2. El voltaje en circuito
abierto del transistor es Voc = Vin y la corriente pico del transistor es Ipt = 2Iin. La corriente
promedio del transistor es Iprom = Iin. En aplicaciones de alto voltaje, el circuito medio
puente es preferible al circuito push-pull. Sin embargo, para aplicaciones en bajo voltaje, es
preferible el circuito push-pull debido a las bajas corrientes de transistor.
El voltaje promedio de salida es
Vo = V2 =
Ns V1 = a V1 = 0.5 a Vin
Np
(2.3)
devanados secundarios son ahora positivos con respecto al extremo sin punto. El voltaje en
el devanado secundario es una versin escalada del voltaje en el devanado primario.
Cuando el par de transistores Q2-Q3 son encendidos, el extremo sin punto del devanado
primario es ahora Vin, mientras el extremo punteado es cercano al potencial de tierra.
El voltaje promedio de salida es
Vo = V2 =
Ns
V1 = a V1 = a Vin
Np
(2.4)
El voltaje en circuito abierto del transistor es Voc = Vin y la corriente pico del
transistor es Ipt = Iin. La corriente promedio del transistor es slo Iprom = Iin/2. De todas las
configuraciones, este circuito opera con los menores esfuerzos de voltaje y de corriente en
los transistores y es muy popular para aplicaciones de alta potencia por arriba de 750 W.
Una desventaja es el uso de 4 interruptores, lo cual eleva su costo.
a)
b)
Figura 2.6 Convertidor puente completo: a) circuito del convertidor, b) formas de onda de
voltajes y corrientes
30
Metodologa abordada
31
(3) Control de las prdidas del conductor y el ncleo en CA a 10 kHz con un nivel
aceptable.
(4) Devanado de alambre terciario para el control derivado a una seal de
retroalimentacin de voltaje para la salida del convertidor de CD-CD.
Figura 2.7. Esquema simplificado del circuito de potencia de la fuente de 400 KW [9]
Metodologa abordada
compensa rpidas sobrecargas. El punto fijo de voltaje para cada convertidor CD-CD llega
de la fuente de potencia completa en el control del lazo de voltaje, la cul usa
retroalimentacin seudo-derivativa con limitaciones locales [9]. La retroalimentacin de la
fuente de potencia en conjunto viene con un divisor de voltaje 10000 a 1. Un generador de
rampa suministra una porcin del control del rizo de voltaje durante la recuperacin de una
reduccin.
2.4 Conclusiones
Se presentaron los puntos principales a considerar para el diseo de circuitos de
prueba los cuales son: mtodo de pruebas, modo de funcionamiento y el tipo de control, de
entre los cuales de acuerdo a los requerimientos de los dispositivos se ve que los circuitos
especiales de prueba, as como el tipo de funcionamiento en modo impulsional y con un
tiempo
preestablecido son las condiciones en las cuales se puede estudiar el
funcionamiento del dispositivo con un menor costo y menores componentes y exigencias a
la lnea de distribucin.
33
Otro punto importante es el tener un simulador el cual debe tener los modelos de
todo componente lo mas cercano a ellos para tener resultados mucho mas cercanos a lo
realizado experimentalmente.
Referente a las fuentes de alto voltaje, se presentaron diferentes tipos de ellas
resaltando sus mayores ventajas, as como sus desventajas, de entre las cuales podemos
resaltar que las que presentan mejores caractersticas fueron la topologa puente completo y
la fuente de alta potencia, por ser las que se adecuan mas a los requerimientos exigidos,
entre los cuales se puede mencionar un alto voltaje de salida, aislamiento, etc.
34
Captulo 3
35
Elevador
Rectificador
36
Filtro
37
1.1
Rt Ct
(3.1)
(3.2)
Rt = 5.5 k
(3.4)
Rt
(3.3)
38
10 V/div
10 V/div
20 s/div
Figura 3.5 Seales obtenidas del circuito generador de pulso
39
C) Circuito Impulsor
El circuito impulsor utilizado para la activacin de las compuertas de los IGBTs es
el integrado M57959L de POWEREX y se muestra en la Figura 3.7. Las seales obtenidas
a la salida de los impulsores se muestran en la Figura 3.8
10 V/div
10 s/div
Figura 3.8 Seales de compuerta de los IGBTs
40
Vin = 500 V
Ip= 5 A
Vo = 2500 V
Io = 1 A
Vd = 1 V
f = 20 kHz
= 98 %
=1%
Kf = 4 (Seal cuadrada)
Ku = 0.4
Bm = 0.35 T
1.
2.
3.
4.
5.
Paso
Formula general
Potencia de
salida
Po (Vo Vd ) Io
Potencia aparente
Pt = Po
Coeficiente
elctrico
Ke 0.145 K f f Bm 10
Geometra del
ncleo
2
2
Kg
-4
Pt
2 Ke
Seleccin del
ncleo en funcin
de Kg y
disponibilidad
6.
Po
Inductancia del
Lp
2
devanado primario
2 f I p
7.
Nmero de vueltas
Lp I p 104
del devanado
N p Bm Ac
primario
41
Valores
Vo = 2500 V
Vd = 1 V
Io = 1 A
Po = 2501 V
=0.98
Kf = 4
f = 20 kHz
Bm = 0.35 T
Pt = 7.14 kW
Ke = 11368
=1
5
Kg = 1.715154 cm
4
Ap = 17.797 cm
Wtfe = 253 gr
2
Ac = 2.790 cm
MLT = 11.6 cm
2
At = 201.9 cm
Po = 2501 W
Ip = 5 A
f =20 kHz
Lp = 795 H
Ip = 5 A
Bm= 0.3 T
2
Ac = 2.790 cm
Valor calculado
Po = 2501 W
Pt = 7.14 kW
Ke = 11368
5
Kg = 0.314 cm
Ncleo seleccionado
EC70
Lp = 795 H
Np = 47 Vueltas
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
Densidad de
corriente
Pt 104
Pt = 7.14 kW
Kf = 4
Ku = 0.4
f = 20 kHz
Bm= 0.3 T
4
Ap = 17.797 cm
Ip = 5 A
2
J = 358 A/cm
K f Ku f Bm Ap
Tamao del
Aw(B) Ip
alambre del
J
devanado primario
Seleccin del
tamao del
alambre en
funcin de Aw (B)
Resistencia del
Rp MLT N p re
devanado primario
Aw(B) = 0.01651 cm
re 104.3
cm
Pp = (Ip) Rp
Prdidas en el
cobre secundario
Ps = (Io) Rs
Ls
Aw(B) = 0.0142 cm
Ps
2
2 f Io
Ns N p Vo
Vin
Aw(B) Io
J
Aw (B) = 0.00279 cm
re 531.4
cm
Rs MLT Ns re
MLT = 11.6 cm
Ns = 225
re 531.4
cm
Io = 1 A
Rs = 0.058
42
AWG # 15
MLT = 11.6 cm
Np = 47
re 104.3
cm
Ip = 5 A
Rp =0.056
Ps = 2500 W
Io = 1 A
f =20 kHz
Np = 47 Vueltas
Vo = 2500 V
Vin = 500 v
Io = 1 A
2
J = 358 A/cm
Perdidas en el
cobre primario
Inductancia del
devanado
secundario
Numero de vueltas
del devanado
secundario
Tamao del
alambre del
devanado
secundario
Seleccin del
tamao del
alambre en
funcin de Aw(B)
Resistencia del
devanado
secundario
J = 358 A/cm
Rp = 0.056
Pp = 1.45 W
Ls = 20 mH
Ns = 235 vueltas
Aw(B) = 0.00279
2
cm
2
AWG # 22
Rs = 0.858
Ps = 0.058 W
3.3.1 Funcionamiento
El anlisis del comportamiento de la fuente se presenta para un solo periodo de
tiempo (0 < t < T), el cual se divide en 2 etapas. La primera etapa es de 0 < t DT, cuando
los interruptores Q1 y Q4 estn encendidos, mientras Q3 y Q2 estn apagados. El otro
intervalo es de DT < t T, cuando estn encendidos Q3 y Q2 y permanecen apagados Q1 y
Q2.
Etapa 1 (0 < t TD)
En este tiempo empieza a circular una corriente positiva a travs de la inductancia
del primario llegando hasta una punto mximo de corriente y cayendo a cero
inmediatamente. Mientras esto sucede en el primario, en el secundario se empieza a
descargar la energa almacenada hasta llegar a cero. El flujo de corriente se puede apreciar
en la figura 3.10a y en la figura 3.10b se muestra la secuencia de disparo de los
dispositivos.
Etapa 2 (DT < t T)
En este tiempo empieza a circular una corriente negativa a travs de la inductancia
del primario llegando hasta una punto mximo de corriente y cayendo a cero
inmediatamente. Mientras esto sucede en el primario, en el secundario se empieza a
descargar la energa almacenada hasta llegar acero. El flujo de corriente se puede apreciar
en la figura 3.11a y en la figura 3.11b se muestra la secuencia de disparo de los
dispositivos.
43
a)
b)
Figura 3.9 Fuente de voltaje a) Circuito de la fuente de CD, b) Secuencia de disparo de los
IGBTs y formas de onda
a)
b)
a)
b)
Voltaje en el
primario
Vp Vin
Vp - Vin
Voltaje en el
secundario
Corriente en el
primario
Vs Vp n
Vs Vp n
ip =
Corriente en el
secundario
is =
Vp t
ip =
Lp
Corriente a la salida
del rectificador
Vs
(DT t)
Ls
Vs (DT t)
iD =
Ls
Corriente en el
condensador
icap =
Vp (t DT )
Lp
Vs
(T t)
Ls
Vs
(T t)
iD =
4 Ls
is =
Vs
n Vs
(DT t) 4 Ls
RL
45
icap =
Vs
4 Ls
(T t) -
Vs
RL
Corriente en la carga
iL = Vs
RL
iL =
Voltaje en la carga
vL = V s
vL = Vs
Vs
RL
46
200 V/div
4 A/div
50 s/div
a)
100 V/div
2 A/div
50 s/div
b)
100 V/div
1 A/div
50 s/div
c)
Figura 3.13 Voltaje y corriente en el primario del transformador (vp , ip):
a) Mathcad, b) PSpice, c) Experimental
47
1000 V/div
400 mA/div
50 s/div
a)
500 V/div
200 mA/div
50 s/div
b)
500 V/div
200 mA/div
0 s/div
c)
Figura 3.14 Voltaje y corriente en el secundario del transformador (vs , is):
a) Mathcad, b) PSpice, c) Experimental
48
1000 V/div
400 mA/div
50 s/div
a)
500 V/div
400 mA/div
50 s/div
b)
500 V/div
400 mA/div
10 s/div
c)
Figura 3.15 Voltaje en el secundario del transformador y Corriente en la salida del
rectificador (vs , iD): a) Mathcad, b) PSpice, c) Experimental
49
100 V/div
200(7) mA/div
50 s/div
a)
400 V/div
200 mA/div
50 s/div
b)
200 V/div
200 mA/div
10 s/div
c)
Figura 3.16 Voltaje y Corriente en la carga (vL , iL):
a) Mathcad, b) PSpice, c) Experimental
50
3.6 Conclusiones
Como se puede apreciar, los resultados analticos, las simulaciones y las pruebas
experimentales arrojan resultados muy similares.
La potencia mxima de salida fue de Po = 1349 W y se obtuvo para una tensin de
entrada de Vin = 380 V, con Vo = 1900 V e Io = 710 mA. como se puede apreciar en los
resultados experimentales de la Figura 3.17.
Las especificaciones planteadas para el diseo de la fuente fueron de Vo =
2500 V e Io = 1 A (Po = 2500 W), pero no se pudieron alcanzar, puesto que la fuente que se
utiliz para alimentar el bus de CD del inversor solo soporta alrededor de los 1000 W con
una tolerancia de 300 W.
200 mA/div
1 kV/div
10 s/div
Figura 3.17 Voltaje y corriente a la salida de la fuente
52
Captulo 4
Banco de pruebas
54
Banco de pruebas
di
dt
(4.1)
IC
dv
dt
(4.2)
Como se aprecia en estas dos ecuaciones, la corriente que se puede obtener depende
fuertemente del condensador que se seleccione, ya que mientras mas chico sea el valor de la
capacitancia de este, la corriente mxima que se obtenga ser pequea, as que, si se
selecciona un valor de capacitancia grande, la corriente mxima obtenida ser mayor.
Otra ecuacin, que es de mucha utilidad para los propsitos del banco de pruebas, es
la ecuacin de la energa. Con esta ecuacin, haciendo algunas igualaciones y despejes se
pueden calcular los valores mximos obtenidos en funcin de algunos parmetros.
E
1
1 2
V2 C I L
2
2
(4.3)
V2 C
L
(4.5)
55
a)
b)
Figura 4.3 Conmutacin dura: a) circuito de prueba simplificado, b) secuencia de disparo y
formas de onda
56
Banco de pruebas
di
Lcarga
dt
despejando i:
i
t
VLc arg a t
Lc arg a
(4.5)
Si Lcarga es muy grande (Lcarga >> VLcarga t), entonces iL puede ser considerada
constante durante la conduccin y las conmutaciones.
Etapa 2- Libre circulacin (t2 < t < t3)
En el periodo de tiempo t2 < t < t3 todos los interruptores permanecen apagados. En
esta etapa la corriente es casi constante y las prdidas son debidas solo a la resistencia
parsita del inductor y de las prdidas por conduccin del diodo. El flujo de corriente de
esta etapa se muestra en la Figura 4.5a y en la Figura 4.5b se muestra la secuencia de
disparo de los dispositivos. Esta etapa es importante para estabilizar la tensin de la fuente
(V0) y mostrar el comportamiento de recuperacin inversa del diodo al momento del
encendido del DUT.
57
a)
b)
Figura 4.4 Conmutacin dura: a) Flujo de corriente en la etapa 1, b) Formas de onda en la etapa 1
a)
b)
Figura 4.5 Conmutacin dura: a) Flujo de corriente en la etapa 2, b) Formas de onda en la etapa 2
58
Banco de pruebas
a)
b)
Figura 4.6 Conmutacin dura: a) Flujo de corriente en la etapa 3, b) Formas de onda en la etapa 3
a)
b)
Figura 4.7 Conmutacin dura: a) Flujo de corriente en la etapa 4, b) Formas de onda en la etapa 4
59
Corriente (A)
100
200
300
400
300
300
300
300
100
Voltaje (V)
900
900
900
900
500
600
700
800
400
Tiempo (ms)
0.722
1.44
2.17
2.88
3.9
3.25
2.8
2.43
1.62
60
Energa (J)
32.5
130
292.5
520
292.5
292.5
292.5
292.5
32.5
Banco de pruebas
500
600
700
800
500
500
500
1.3
1.1
0.928
0.812
1.04
1.56
1.95
32.5
32.5
32.5
32.5
20.8
46.8
73.1
Como se puede observar en la tabla 4.1 la energa mxima utilizada fue de 520 J,
menor a la energa almacenada en el banco de condensadores y de acuerdo a la ecuacin
4.5 la corriente mxima para este arreglo es de 427 A, ya que seria la corriente a la cual se
transferira por completo la energa almacenada en el banco de condensadores.
a)
b)
61
a)
b)
62
Banco de pruebas
a)
b)
a)
b)
63
Durante este periodo (t4 < t < t5), se presenta una sobre tensin en las terminales
colector-emisor del DUT debido principalmente a la inductancia parsita de cableado del
circuito de prueba (entre mayor sea el valor de esta inductancia mayor es el pico de
voltaje). Para limitar esta sobretensin se utiliza una resistencia de compuerta de mayor
valor (RG(off) = 220) que en el encendido (RG(on) = 47). En el diseo de convertidores se
debe considerar este valor pico de tensin con fines de proteccin del dispositivo contra
corto circuito, para que de esta manera no se rebasen los lmites de operacin del mismo.
4.3.2.3 Consideraciones de diseo
Para la realizacin de esta prueba se consideraron los siguientes aspectos:
V0 variable de 20V hacia arriba
C = 1467 F
Ic variable en funcin del voltaje V0
4.4 Conclusiones
Se presentaron las caractersticas generales con las que debe contar un banco de
pruebas de las cuales podemos resaltar el voltaje y tensin que debe manejar en modo
impulsional, adems del aislamiento entre la fuente y la carga.
Un punto importante es la obtencin de la alta corriente en modo impulsional, la
cual se logra mediante el almacenamiento de energa del banco de condensadores, la cual es
transmitida a la inductancia de carga para cada prueba en particular.
Se analiz el circuito de prueba para la conmutacin dura y el corto circuito tipo I,
de lo cual se aprecia que la nica variacin entre ellos son las secuencias de disparo.
64
Captulo 5
Pruebas y Resultados
66
Pruebas y resultados
que la corriente crece con una cierta pendiente (dic/dt), se presenta una cada de tensin en
las terminales del dispositivo (VCE). Conociendo los valores de estas variables, es posible
estimar la inductancia parsita de cableado Lpar del circuito de prueba mediante la siguiente
expresin:
VCE
(5.1)
Lpar
diC / dt
L5
PARAMETERS:
{Lp}
Ic = 150
I2
D9
{Ic}
Rg = 47
Lp = 100n
Cp = 1.92n
Vce = 500
HFA25TB60
{Vce}
Vo
Z1
R5
Cp
{Cp}
CM150DY-24H
{Rg}
Vge
Le
10n
TD = 0
TF = 0
PW = 20u
PER = 40u
V1 = -15
V2 = 15
TR = 0
67
terminales del dispositivo (Ic). Esta capacitancia se puede calcular mediante la siguiente
ecuacin:
Ic
Cpar
(5.2)
dvCE / dt
A manera de verificar el buen funcionamiento del banco de pruebas, en las pruebas en
conmutacin dura se vari el voltaje de alimentacin V0 y posteriormente la corriente de carga
IC, y se tomaron las seales en el encendido y en el apagado del dispositivo bajo prueba.
Ic
CM150DU-24HB
(A)
150
(V)
Vce
1200
(A)
ICM
300
V(V)
ce (sat)
2.9
td(ns)
(on)
200
(ns)
tr
250
td(ns)
(off)
300
(ns)
tf
350
(ns)
trr
300
CM1000HA-28H
1000
1400
2000
3.1
800
2000
1200
650
300
HFA16PB120
IF (A)
16
VR (V)
1200
IFSM (A)
190
IFRM (A)
64
trr (ns)
30
68
Pruebas y resultados
69
Variacin V0 Encendido
a)
b)
c)
Figura 5.4 Voltaje colector-emisor vCE (t): a) Simulacin, b) Experimental CM150DU24HB, c) Experimental CM1000HA-28H
70
Pruebas y resultados
Variacin V0 Encendido
a)
b)
c)
Figura 5.5 Corriente colector iC (t): a) Simulacin, b) Experimental CM150DU-24HB,
c) Experimental CM1000HA-28H
71
Variacin V0 Apagado
a)
b)
c)
Figura 5.6 Voltaje colector-emisor vCE (t): a) Simulacin, b) Experimental CM150DU-24HB, c)
Experimental CM1000HA-28H
72
Pruebas y resultados
Variacin V0 Apagado
a)
b)
c)
Figura 5.7 Corriente colector iC (t): a) Simulacin, b) Experimental CM150DU-24HB, c)
Experimental CM1000HA-28H
73
Variando IC Encendido
a)
b)
c)
Figura 5.8 Voltaje colector-emisor vCE (t): a) Simulacin, b) Experimental CM150DU-24HB, c)
Experimental CM1000HA-28H
74
Pruebas y resultados
Variando IC Encendido
a)
b)
c)
Figura 5.9 Corriente colector iC (t): a) Simulacin, b) Experimental CM150DU-24HB, c)
Experimental CM1000HA-28H
75
Variando IC Encendido
a)
b)
c)
Figura 5.10 Voltaje colector-emisor vCE (t): a) Simulacin, b) Experimental CM150DU-24HB, c)
Experimental CM1000HA-28H
76
Pruebas y resultados
Variando IC Encendido
a)
b)
c)
Figura 5.11 Corriente colector iC (t): a) Simulacin, b) Experimental CM150DU-24HB, c)
Experimental CM1000HA-28H
77
AUX
DUT
DUT
a)
b)
78
Pruebas y resultados
a)
b)
Figura 5.14 Voltaje vCE y corriente iC en el dispositivo bajo prueba: a) simulacin,
b) experimental CM150DU-24HB (escalas 25 V y 30 A)
En la Figura 5.13 se observa la seal de control del DUT, la cual debe de garantizar
que la duracin del corto circuito dure un tiempo menor a 10 s para evitar el
sobrecalentamiento y la destruccin del dispositivo. Para el encendido en corto circuito se
utiliz una resistencia de compuerta RG(on) de 47 , mientras que para el apagado se
utiliz otro valor RG(off) mucho mayor de 220 , con el fin de hacer ms lento el apagado
del DUT y evitar altos picos de tensin debido a los valores elevados de diC/dt en un
apagado de corto circuito (apagado de un nivel de corriente muy alto correspondiente a la
corriente de saturacin).
En la Figura 5.13 se observa que tanto en simulacin, como en las curvas
experimentales la tensin de compuerta del DUT no alcanz el valor mximo de 15 V, ni
tampoco se mantuvo durante el periodo de 10 s, debido a una retroalimentacin de
compuerta. Esta retroalimentacin se puede explicar con el nivel bajo de tensin de
alimentacin seleccionado para esta prueba con el fin de proteger el dispositivo.
Durante el tiempo de subida del corto circuito, como se observa en la Figura 5.14 se
presenta una cada de tensin proporcional debida a la inductancia parsita de cableado la
cual no puede exceder la tensin de alimentacin menos la tensin de saturacin en
conduccin de los dos dispositivos (AUX y DUT).
V0 Lpar diC / dt 2VCE(sat)
Como la tensin V0 fue demasiada baja y la inductancia parsita muy grande este
efecto limita la velocidad de subida de la corriente iC durante el corto circuito, como se
observa en la Figura 5.14.
79
a)
b)
Figura 5.15 Grficas realizadas a voltaje elevado a) Seal de compuerta,
b) Voltaje vCE y corriente iC
Para verificar esta suposicin, se realiz una simulacin a una tensin de
alimentacin V0 = 1000 V, correspondiente al valor nominal de tensin de bloquo del
mdulo CM150DU-24HB, la cual se muestra en la Figura 5.15.
Se puede observar que a esta tensin las formas de onda corresponden a las
esperadas para un corto circuito, es decir, el DUT enciende en un lapso corto durante el
cual el diC/dt causa una cada de tensin transitoria en sus bornes debido a la inductancia
parsita Lpar.
5.3 Conclusiones
Se realizaron pruebas en conmutacin dura tanto en simulacin, como
experimentalmente con los mdulos CM150DU-24HB y CM1000HA-28H.
Para la obtencin de la corriente impulsional necesaria dependi fuertemente de la
inductancia de carga, el voltaje de alimentacin y el tiempo del dispositivo auxiliar, pero el
parmetro mas importante fue el banco de condensadores el cual fue el que almacen la
energa a utilizar en cada una de las pruebas y siendo el parmetro que limitaba la mxima
corriente impulsional que se poda alcanzar en funcin de otros parmetros.
Como se observa en las graficas obtenidas de las pruebas realizadas con los
mdulos CM150DU-24HB y CM1000HA-28H son muy similares, sin embargo se puede
apreciar que con el mdulo CM1000HA-24H se presentaron algunas distorsiones y picos
causados por la inductancia parsita del circuito. Referente a la prueba en corto circuito tipo
I se aprecia que se presentaron problemas a bajo voltaje y debido a esto se dao el
dispositivo CM150DU-24HB.
80
Captulo 6
Conclusiones y trabajos futuros
82
Corriente de conduccin
(IC)
V0
Encendido
- El tiempo de caida
de vCE aumenta
- Aumenta la
pendiente diC/dt
Apagado
- El tiempo de subida
de vCE aumenta
- Aumenta la cola de
apagado de iC
IC
- El tiempo de
encendido aumenta
- Aumenta la
pendiente diC/dt
- Aumenta la
pendiente diC/dt
Trabajos futuros
Como trabajos futuros para realizarse se proponen los siguientes:
Implementar un sistema de cargado de condensadores para controlar el tiempo
de carga y descarga durante las pruebas realizadas.
Agregar snubbers para controlar el di/dt.
Disminuir la inductancia parsita de cableado utilizando barras en lugar de
cables en la parte de potencia para unir todos los componentes.
Implementar un soporte mecnico robusto que resista las potencias de
conmutacin muy elevadas que se quieren manejar con este banco y evite las
posibles vibraciones mecnicas.
83
84
Bibliografa
MITSUBISHI
HIGH POWER SEMICONDUCTORS, FEATURE
APPLICATIONS OF GATE TURN-OFF THYRISTORS Agosto 1998.
AND
[11] Y. Li, K. Motto and A. Q. Huang " A Novel Approach for Realizing Hard-Driven GateTurn-Off Thyristor ". IEEE Power Electronics Specialists Conference-PESC00, p 8791, Junio 2000.
[12] M. Gutierrez, G. Venkataramanan, A. Moreira, A. Sundaram. Performance
Characterization of MOS turn Off Thyristors.1999
[13] Y. Li, K. Motto and A. Q. Huang " Series and Parallel Operation of Emitter Turn-Off
(ETO) Thyristor". p 2873-2879, 2000.
[14] Y. Li and A. Q. Huang The emitter turn-off thyristor (ETO) a new mos-bipolar high
power device ". VPEC Seminar Procedings, p 179-183, September 1997.
[15] Y. Li and A. Q. Huang and F. C. Lee Introducing The Emetter Turn-off Thyristor
(ETO), IEEE Industrial Applications Society-IAS, p 860-864, 1998.
[16] S. Dewar, S. Linder, C. V. Arx, A. Mukhitinov, G. Debled Soft Punch Through (SPT)
Setting new Standards in 1200 V IGBT, Power Conversion and Intelligent, Motion,
PCIM00. p 593-600, 2000.
[17] T. Laska, L. Lorenz, A. Mauder The new IGBT Generation A great Improvement
Potential for Motor Drive Systems IEEE Industrial Aplication Society, Annual
Meeting, IAS00, p 2885-2889, 2000
[18] Simon S. Ang Power Switching Converters Editorial Dekker
[19] D. W. Shimer, A. C. Lange, J. N. Bombay " A HIGH-POWER SWITCH-MODE DC
POWER SUPPLY FOR DYNAMIC LOADS ", IAS 94. p 1097-1105, 1994.
[20] J. Aguayo, A. Claudio, M. Cotorogea Anlisis Comparativo de Transistores IGBT
tipo NPT y PT en conmutacin Dura CIECE 1999, Guanajuato, Mxico.1999
[21] M. A. Rodrguez, Desarrollo e implementacin de un procedimiento de extraccin de
parmetros para un modelo fsico de IGBT, Tesis de maestra, cenidet, Cuernavaca
Morelos, 2001.
86
Anexo I
Anlisis en Matcad
20000
1
F
300
0.5 T 510
DT
A 2.510
4 10 5
5 10 5
Vo( t )
Vp( t )
200
Vp( t)
200
1 10 5
2 10 5
3 10 5
1000
Vs( t)
1000
1 10 5
2 10 5
3 10 5
4 10 5
5 10 5
transformadortransformador
Figura Voltaje
AII.2Voltaje
en secundario
el secundario
del
del
88
n 5
Anexo I
Lp
79510
I( t )
Vp( t ) t
2Lp
Vp( t )
2Lp
H( t )
(t
A)
if( ( t 0) ( t A ) I( t ) if( ( t A ) ( t T) H( t ) 0 )
Ip( t )
Ip( t)
5
0
1 10 5
2 10 5
t 3 10 5
4 10 5
5 10 5
2010
I( t )
Vs( t ) ( A
4Ls
t)
H( t )
Vs( t )
4Ls
(T
t)
if( ( t 0) ( t A ) I( t ) if( ( t A ) ( t T) H( t ) 0 )
Is( t )
0.5
Is( t)
0.5
0
1 10 5
2 10 5
3 10 5
4 10 5
89
5 10 5
Ip( t)
Is( t) 5
5
0
1 10 5
2 10 5
3 10 5
4 10 5
5 10 5
CorrientesCorrientes
secundario
Figura AII.5
primario
del delprimario
y
y
del
del secundariotransformadortransformador
Id( t )
Is( t )
0.6
0.4
Id( t)
0.2
0
0
1 10 5
2 10 5
3 10 5
t
4 10 5
90
5 10 5
Anexo I
5.4810
44010 6
Ic( t ) Id( t )
n Vo( t )
R
0.2
Ic( t )
0.2
0.4
0
1 10 5
2 10 5
3 10 5
4 10 5
5 10 5
FiguraCorriente
capacitor
AII.7 Corriente
el
en
el decapacitor
filtrado de filtrado
IL( t )
Id( t )
Ic( t )
0.2738
IL( t )
0.2736
0.2734
0
1 10 5
2 10 5
3 10 5
4 10 5
Corriente
enCorriente
Figura
AII.8
la carga en la carga
91
5 10 5
VL( t )
n Vo( t )
1502
1501
VL( t) 1500
1499
1498
0
1 10 5
2 10 5
3 10 5
4 10 5
de desalida
salida
DVL( t )
Id( t ) R 1 e
C R
0.05
DVL( t)
0.05
2 10 5
4 10 5
6 10 5
92
8 10 5
5 10 5
Anexo II
94
Anexo II
95
96
Anexo II
97
AI.2 CM1000HA-28H
98
Anexo II
99
100
Anexo II
101
102
Anexo II
103