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Tema 1 Paaas
Tema 1 Paaas
Tema 1
5.6.-
Introduccin
Clasificacin de los materiales.
Semiconductores intrnsecos. Estructura cristalina.
Semiconductores extrnsecos. Impurezas donadoras y aceptadoras.
4.1.- Semiconductores tipo n. Impurezas donadoras.
4.2.- Semiconductores tipo p. Impurezas aceptadoras.
Modelo de las bandas de energa.
Conduccin en metales y semiconductores.
1.- INTRODUCCIN.
Figura 1.1.-
Clasificacin general de los slidos basada en el grado de orden atmico: (a) amorfo, (b)
policristalino y(c) cristalino
+
Iones
Figura 1.2.-
Disposicin esquemtica de los tomos en un plano del metal (tomos monovalentes). Los puntos
negros representan el gas electrnico, y cada tomo ha contribuido con un electrn a este gas.
(a)
Figura 1.3.-
(b)
(a) Celda unitaria de la estructura de diamante. (b) ampliacin del vrtice superior de la red de
diamante de (a)
+4
+4
Ion de Silicio
+4
+4
+4
+4
+4
+4
Enlace covalente
Figura 1.4.-
Electrn libre
+4
+4
+4
Enlace covalente
Hueco
+4
+4
+4
Ion de Silicio
+4
+4
+4
Electrones de valencia
Figura 1.5.-
n = p = ni
n = concentracin de e- (n de e- / unidad de volumen)
p = concentracin de h+ (n de h+ / unidad de volumen)
ni = concentracin intrnseca.
Adems, el nmero de portadores presentes en un semiconductor intrnseco (ni)
es funcin de la temperatura de trabajo.
Por otra parte, cuando un e- en las proximidades de un h+ se ver atrado y caer
en l aniquilndose ambos, de forma que ya no contribuyen a la conduccin de
corriente. Este proceso de aniquilacin de electrones y huecos se denomina
recombinacin. Los procesos de generacin trmica de pares e- - h+ y de recombinacin
de los mismos coexisten. En la situacin de equilibrio termodinmico el nmero de
generaciones es igual al de recombinaciones.
+4
+4
+4
Electrn libe
+4
+5
+4
Ion de Silicio
Ion de impureza donadora
+4
+4
+4
Electrones de valencia
Figura 1.6.-
Red de cristal con un tomo de silicio desplazado por un tomo de impureza pentavalente.
Enlaces covalentes
+4
+4
+4
Hueco
Electrones de valencia
+4
+3
+4
Ion de Silicio
Ion de impureza aceptadora
+4
Figura 1.7.-
+4
+4
Red de cristal con un tomo de silicio desplazado por un tomo de impureza trivalente.
N ACEPTADORES
n N DONADORES
p
Como n p
n i2
n i2
p
ND
En un semiconductor tipo p
N A N D N A n i
p NA
p n
n i2
2
Como n p n i n
NA
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cristal. Entre ambas, existe una banda de estados no permitidos denominada banda
prohibida o gap de energas (Figura 1.8.).
E (Energ a de los electrones)
Banda d e conduccin
EC M nima energa de la B. d e conduccin
EG B anda proh ibida E C - EV
EV M xim a en erga de la B. d e valencia
Banda de valenci a
Figura 1.8.-
11
Figura 1.9.-
Figura 1.10.- Explicacin de la diferencia entre (a) aislante, (b) semiconductores y (c) metales utilizando el
modelo de bandas de energa.
Finalmente, falta por analizar el papel de las impurezas desde un punto de vista
energtico. Para ello basta con recordar que una impureza donadora posee un quinto eligado a ella que no se encuentra en ningn enlace covalente pero que tampoco tiene
libertad para deambular libremente por el cristal. Es decir, este quinto e- posee una
energa que no pertenece ni a la banda de valencia ni a la banda de conduccin del
semiconductor puro. Sin embargo, a nada que le suministremos una pequea cantidad
de energa es capaz de convertirse en un portador libre. Por lo tanto, si queremos indicar
el estado de dicho e- en el diagrama de bandas, lo debemos situar muy cerca de la banda
de conduccin (Figura 1.11.).
Figura 1.11.- Inclusin de los niveles donadores E = ED al diagrama de bandas de energa. Las lneas
discontinuas de anchura x indican la naturaleza localizada de los estados donadores.
covalente no completo se situar muy prximo a la banda de valencia para que a nada
que se aporte energa puedan pasar con facilidad e- de la banda de valencia.
En la Figura 1.12. se muestra el comportamiento de las impurezas aceptadoras y
donadoras en funcin de la temperatura utilizando el diagrama de bandas de energa. A
temperaturas muy bajas, prximas a 0 K todos los niveles donadores estn ocupados y
los aceptadores vacos, puesto que no hay energa suficiente para que se realicen
transiciones electrnicas. A medida que aumentamos la temperatura, los e- de los
niveles donadores pasan a la banda de conduccin y los e- de la banda de valencia a los
niveles aceptadores, creando h+ en la banda de valencia y producindose la ionizacin
de las impurezas correspondientes. A temperatura de 300 K se puede asegurar la
ionizacin total de las impurezas aceptadoras y donadoras, o lo que es lo mismo, la
prctica totalidad de los e- de la banda de conduccin y de los h+ de la banda de valencia
proceden de la ionizacin de dichas impurezas. Decimos la prctica totalidad por que
siempre se habrn creado pares e- - h+ que proceden de la rotura estadstica de enlaces
covalentes.
Figura 1.12.- Representacin grfica de la accin (a) donadora y (b) aceptadora utilizando el modelo de bandas
de energa.
Fn q E
J E
15
n
electro nes
huecos
Jn
Jp
J p q Dp
d p
d x
J n q Dn
d n
d x
16