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FundamentosdeElectrotecnia

GradoenIngenieradeOrganizacinIndustrial
2curso,2cuatrimestre
MiguelngelGarcaGarca
JoaqunMur Amada
IvnCristbalMonreal
NabilElHalabi
Curso2012/13
Transparenciasdelaasignatura:
FundamentosdeElectrotecnia 2 FundamentosdeElectrotecnia 2 Tema1 CUD/20122013
Tema1
LeyesdeKirchhoff.Referenciasde
polaridad
FundamentosdeElectrotecnia 3 FundamentosdeElectrotecnia 3 Tema1 CUD/20122013
ndice
Tema 1. Leyes de Kirchhoff. Referencias de
polaridad.
1.1. Generalidades.
1.2. Unidades.
1.3. Definiciones.
1.4. Referencias de polaridad.
1.5. Leyes de Kirchhoff.
1.5.1 Primera ley de Kirchhoff.
1.5.2 Segunda ley de Kirchhoff.
FundamentosdeElectrotecnia 4 FundamentosdeElectrotecnia 4 Tema1 CUD/20122013
1.1.Generalidades
Se llama circuito elctrico a un conjunto de
elementos conectados entre s en donde existe la
posibilidad de que circule una corriente elctrica.
La Teora de Circuitos se dedica al estudio de las
propiedades y el comportamiento de los circuitos
elctricos.
Analizar un circuito consiste en hallar para cada
elemento de dicho circuito:
la diferencia de potencial existente entre sus bornes
la corriente elctrica que lo atraviesa
FundamentosdeElectrotecnia 5 FundamentosdeElectrotecnia 5 Tema1 CUD/20122013
1.2.Unidades
Se va a utilizar fundamentalmente el sistema
internacional de unidades (S.I.)
Magnitud Unidad(S.I.)
Carga elctrica(q) Culombio(C)
Tensino cadadetensin(u) Voltio(V)
Corriente elctricaointensidad(i) Amperio (A)
Resistencia(R) Ohmio()
Capacidad(C) Faradio(F)
Coeficiente deautoinduccin(L) Henrio(H)
Densidad deflujomagntico(B) Tesla(T)
Flujomagntico() Weber(Wb)=Tm
2
Intensidad decampomagntico(H) Amperiopormetro(A/m)
FundamentosdeElectrotecnia 6 FundamentosdeElectrotecnia 6 Tema1 CUD/20122013
1.3. Definiciones
Se define la corriente elctrica como el nmero
de cargas que circulan por una seccin dada de
un conductor por unidad de tiempo debido a la
existencia de una diferencia de potencial elctrico
entre sus extremos.
Se define la tensin entre dos puntos 1 y 1' como
la diferencia entre los potenciales elctricos de
esos puntos.
( )
( )
dq t
i t
dt

11' 1 1'
( ) u t V V
FundamentosdeElectrotecnia 7 FundamentosdeElectrotecnia 7 Tema1 CUD/20122013
1.3.Definiciones
Se define rama de un
circuito al elemento o
grupo de elementos que
presenta dos terminales y
del que se puede conocer
la relacin entre la tensin
entre sus terminales y la
corriente que lo atraviesa.
Se define nudo de un
circuito al punto de unin
de dos o ms ramas.
e
g
(t)
R
1
R
2
+
R
3
R
4
C
L
i
g
(t)
A
B
D
C
1
2
3
4
5 6
FundamentosdeElectrotecnia 8 FundamentosdeElectrotecnia 8 Tema1 CUD/20122013
1.4.Referenciasdepolaridad
Para indicar la tensin en bornes o la intensidad que
circula por un elemento de un circuito:
no basta con indicar el valor de dichas magnitudes,
tambin es necesario determinar el sentido en que circula
la corriente por el elemento, o bien cul de sus dos
extremos se encuentra a mayor potencial elctrico.
Para poder determinar de una forma sencilla estos
sentidos, es necesario asignar a cada elemento de un
circuito lo que se denominan referencias de polaridad.
Por convenio, se toma como sentido de la corriente el
opuesto al movimiento de los electrones, esto es, el
sentido del movimiento de unas supuestas cargas
ideales positivas.
FundamentosdeElectrotecnia 9 FundamentosdeElectrotecnia 9 Tema1 CUD/20122013
1.4.Referenciasdepolaridad
Referencia de polaridad de intensidad:
Dado un conductor por el que circula una corriente
elctrica, la forma de dar una referencia de corriente a
dicho conductor consiste en dibujar sobre l una
flecha en sentido arbitrario.
Otra manera de establecer la referencia de corriente
en un conductor consiste en la utilizacin de un doble
subndice
i
11'
(t) = i
1'1
(t)
1
1
i(t)
Primeraforma Segundaforma
FundamentosdeElectrotecnia 10 FundamentosdeElectrotecnia 10 Tema1 CUD/20122013
1.4.Referenciasdepolaridad
Referencia de polaridad de tensin:
una forma de dar referencia a la tensin que existe
entre estos dos puntos es a travs de los subndices,
colocando en primer lugar el subndice
correspondiente al punto a mayor potencial elctrico
dibujar una flecha que, partiendo del punto supuesto
a mayor potencial elctrico, apunte al terminal a
menor potencial. El terminal supuesto a mayor
potencial se seala con el signo +.
u
11
(t)=V
1
V
1'
1
1 u(t)
+
Primeraforma Segundaforma
FundamentosdeElectrotecnia 11 FundamentosdeElectrotecnia 11 Tema1 CUD/20122013
1.5. LeyesdeKirchhoff
1.5.1. Primera Ley de Kirchhoff (1 L.K.)
La suma algebraica de todas las intensidades que
entran (salen) en (de) un nudo a travs del conjunto
de conductores que concurren en l es, en todo
instante, cero.
Ejemplos:
( ) 0
entran
algebraica
i t

( ) 0
salen
algebraica
i t

( ) ( )
entran salen
i t i t

1 2 3 4
0 i i i i
1 2 3 4
0 i i i i
1 3 2 4
i i i i
i
1
i
2
i
3
i
4
FundamentosdeElectrotecnia 12 FundamentosdeElectrotecnia 12 Tema1 CUD/20122013
1.5.LeyesdeKirchhoff
Generalizacin de la 1 L.K.
La suma algebraica de las intensidades que entran
(salen) en (de) un recinto cerrado por todos los
conductores que atraviesan su frontera es, en todo
instante, cero
i
1
i
2
i
3
i
4
Ejemplos:
( ) 0
entran
algebraica
i t

( ) 0
salen
algebraica
i t

( ) ( )
entran salen
i t i t

1 2 3 4
0 i i i i
1 2 3 4
0 i i i i
1 4 2 3
i i i i
FundamentosdeElectrotecnia 13 FundamentosdeElectrotecnia 13 Tema1 CUD/20122013
1.5.LeyesdeKirchhoff
1.5.2. Segunda Ley de Kirchhoff
La suma algebraica de las tensiones a lo largo de
cualquier trayectoria cerrada de un circuito es, en
todo instante, cero.
1 2 3 4 5
1 6 5
.............. ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) 0
.................. ( ) ( ) ( ) 0
Trayectoria ABCDEA u t u t u t u t u t
Trayectoria ABEA u t u t u t


6 2 3 4
6 2 3 4
6 1 5
6 1 5
............. ( ) ( ) ( ) ( ) 0
( ) ( ) ( ) ( )
............... ( ) ( ) ( ) 0
( ) ( ) ( )
Trayectoria EBCDE u t u t u t u t
u t u t u t u t
Trayectoria EBAE u t u t u t
u t u t u t




6 5 1 4 3 2
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )
EB
Trayectoria EAB Trayectoria EDCB
u t u t u t u t u t u t u t

Ejemplos:
u
1
(t)
A
B
C
D
E
+
+
+
+
+
+
u
5
(t)
u
4
(t)
u
3
(t)
u
2
(t)
u
6
(t)
FundamentosdeElectrotecnia 14 FundamentosdeElectrotecnia 14 Tema1 CUD/20122013
Referencias
PARRA, V. M.; ORTEGA, J.; PASTOR, A.; PEREZ, A.: Teora de Circuitos
(Tomo I). Universidad Nacional de Educacin a Distancia (UNED).
BAYOD, A.A.; BERNAL, J.L.; DOMINGUEZ, J.A.; GARCIA GARCIA, M.A.;
LLOMBART, A.; YUSTA, J.M.: Anlisis de circuitos elctricos I. Coleccin
Textos Docentes, vol. 58. Prensas Universitarias de Zaragoza.
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 1 CUD/20122013
Tema2
Elementosdecircuitos
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 2 CUD/20122013
ndice
Tema 2. Elementos de circuitos.
2.1.Elementos ideales de circuitos.
2.1.1.Dipolos.
2.1.1.1.Resistencia.
2.1.1.2.Condensador.
2.1.1.3.Bobina.
2.1.1.4.Fuentes independientes.
2.1.1.5.Fuentes dependientes.
2.1.2.Cuadripolos.
2.1.2.1.Bobinas acopladas magnticamente.
2.1.2.2.Transformador ideal.
2.2.Elementos reales de circuitos.
2.2.1.Resistencia.
2.2.2.Condensador.
2.2.3.Bobina.
2.2.4.Fuente real de tensin.
2.2.5.Fuente real de intensidad.
2.2.6.Voltmetro.
2.2.7.Ampermetro.
2.3.Asociacin de resistencias. Divisores de tensin e intensidad
resistivos.
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 3 CUD/20122013
2.1. Elementosidealesdecircuitos
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 4 CUD/20122013
2.1.Elementosidealesdecircuitos
Se denomina dipolo a todo circuito elctrico,
compuesto por uno o varios elementos simples,
que presenta dos terminales accesibles.
Se denomina cuadripolo a todo circuito elctrico,
compuesto por uno o varios elementos simples,
que presenta cuatro terminales accesibles.
1
1
Dipolo
1
1
Cuadripolo
2
2
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 5 CUD/20122013
2.1.Elementosidealesdecircuitos
Caracterizar un elemento de un circuito consiste
en expresar una relacin funcional entre la
intensidad que circula a travs de l y la cada de
tensin entre sus terminales.
Estas ecuaciones, que modelan matemticamente
el comportamiento de dichos elementos, se
denominan ecuaciones de definicin.
u f i ( ) = i g u ( ) =
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 6 CUD/20122013
2.1.1.Dipolos
El signo de las ecuaciones de definicin depende
del sentido relativo entre las referencias de
tensin y de intensidad.
+
+
+
+
u(t)
u(t)
u(t)
u(t)
i(t) i(t)
i(t)
i(t)
+ +
1
1
1
1
1
1
1
1
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 7 CUD/20122013
2.1.1.1. Resistencia
Al circular por ella una
corriente elctrica, disipa
energa en forma de
calor.
La cada de tensin entre
sus terminales es
proporcional a la
corriente que circula a
travs de ella Ley de
Ohm.
R:Resistencia
(semideenohmios,O)
u t R i t ( ) ( ) =
1
1
R
Representacin:
Ec.dedefinicin:
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 8 CUD/20122013
2.1.1.1. Resistencia
Otra ecuacin de definicin:
Se cumple que:
G:Conductancia
(semideensiemens,S)
i t G u t ( ) ( ) =
1
1
G
G
R
1
=
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 9 CUD/20122013
2.1.1.1. Resistencia
Ejemplos:
u t R i t
i t G u t
( ) ( )
( ) ( )
= +
= +
u t R i t
i t G u t
( ) ( )
( ) ( )
=
=
u(t)
i(t)
1
R
+
1
u(t)
i(t)
1
R
+
1
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 10 CUD/20122013
2.1.1.1. Resistencia
Casos particulares:
Si R = 0 (G = ), se cumple que la
cada de tensin entre sus
terminales es, en todo instante,
igual a cero (u(t)=0). A este
elemento se le denomina
cortocircuito.
Si R = (G = 0), se cumple que la
corriente que circula por ella es, en
todo instante, igual a cero (i(t) = 0).
A este elemento se le denomina
circuito abierto.
1
1
R=0
i(t)= 0
u(t)=0
+
1
1
R=
i(t)=0
u(t)= 0
+
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 11 CUD/20122013
2.1.1.2. Condensador
Elemento constituido por dos
conductores enfrentados
separados por un medio
aislante llamado dielctrico.
Al aplicar una tensin entre
estos dos conductores se
depositan cargas elctricas de
signos contrarios en cada uno
de ellos, apareciendo un
campo elctrico en el medio
aislante.
La cantidad de carga
depositada es proporcional a
la diferencia de potencial
entre las placas.
C:Capacidad
(semideenfaradios,F)

u(t)
i(t)
C
1
1
+
+ + + + + +
q(t ) C u(t ) =
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 12 CUD/20122013
2.1.1.2. Condensador
Representacin:
Ecuaciones de definicin:
1
1
C
q(t ) C u(t ) =
dq(t ) du(t )
C
dt dt
=
du(t )
i(t ) C
dt
=
du(t )
i(t ) C
dt
=
t t t t
t t
u(t ) i( )d i( )d i( )d u(t ) i( )d
C C C
0
0 0
0
1 1 1
t t t t t t t t

(
= = + =
(

} } } }
t
t
u(t ) u(t ) i( )d
C
0
0
1
t t =
}
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 13 CUD/20122013
2.1.1.2. Condensador
A partir de:
Se deduce que:
La tensin en bornes del condensador ha de ser una
funcin continua en el tiempo, ya que la existencia de
puntos de discontinuidad supondra la existencia de
instantes en los que la intensidad fuera infinita, algo
fsicamente imposible.
Si la tensin en bornes de un condensador tiene un
valor constante en el tiempo (caso de corriente
continua), su derivada respecto del tiempo es cero y,
por lo tanto, i(t) = 0 t, es decir, no circular
intensidad por el condensador. En estas condiciones,
el condensador se comporta como un circuito abierto.
du(t )
i(t ) C
dt
=
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 14 CUD/20122013
2.1.1.2. Condensador
En un tema posterior, se justificar que:
A frecuencias altas, un condensador se comporta
como un cortocircuito (elemento que, en todo
instante, presenta una tensin cero entre sus
terminales).
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 15 CUD/20122013
2.1.1.3. Bobina
Elemento constituido por un
conductor arrollado en forma
de hlice alrededor de un
ncleo. Cada una de las
vueltas del arrollamiento se
denomina espira.
Al circular una intensidad por
el conductor arrollado, se crea
un campo magntico en el
interior del ncleo de la
bobina proporcional a la
intensidad y en la direccin
del eje de la bobina. El
sentido de este campo es el
del avance de un sacacorchos
que gira con la corriente
(regla del sacacorchos).
N (t ) L i(t ) | =
L:coeficientede
autoinduccin
(semideenhenrios,H)
i(t)
i(t)
+
B
u(t)
_
Regladelamanoderecha
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 16 CUD/20122013
2.1.1.3. Bobina
Representacin:
Ecuaciones de definicin:
LeydeFaraday:
N (t ) L i(t ) | =
d (t ) di(t )
N L
dt dt
|
=
d (t )
u(t ) N
dt
|
=
di(t )
u(t ) L
dt
=
di(t )
u(t ) L
dt
=
di(t )
u(t ) L
dt
=
t t t t
t t
i(t ) u( )d u( )d u( )d i(t ) u )d
L L L
0
0 0
0
1 1 1
( t t t t t t t t

(
= = + =
(

} } } }
t
t
i(t ) i(t ) u( )d
L
0
0
1
t t =
}
1
1
L
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 17 CUD/20122013
2.1.1.3. Bobina
A partir de:
Se deduce que:
La intensidad que circula por una bobina ha de ser una
funcin continua en el tiempo, ya que la existencia de
puntos de discontinuidad implicara la existencia de
instantes en los que la tensin entre sus bornes fuera
infinita, algo fsicamente imposible.
Si la intensidad que circula por una bobina es constante en
el tiempo (caso de circuitos de corriente continua), su
derivada con respecto al tiempo es cero y, por lo tanto, la
tensin en bornes de la bobina es en todo instante cero.
En estas condiciones, la bobina se comporta como un
cortocircuito.
di(t )
u(t ) L
dt
=
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 18 CUD/20122013
2.1.1.3. Bobina
En un tema posterior, se justificar que:
A frecuencias altas, una bobina se comporta como un
circuito abierto (elemento por el que, en todo
instante, circula una intensidad cero).
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 19 CUD/20122013
2.1.1.4. Fuentesindependientes
Fuente ideal independiente de tensin:
Se trata de un elemento de circuito que establece
entre sus terminales una tensin bien definida a lo
largo del tiempo.
Dicha tensin es, adems, independiente del resto del
circuito al cual est conectada la fuente.
g
u(t ) e (t ) =
u(t)
i(t)
+
+
e
g
(t)
1
1
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 20 CUD/20122013
2.1.1.4. Fuentesindependientes
Ejemplo: Fuente ideal independiente de tensin
continua
(Notar como el valor de la tensin en bornes de la fuente es independiente del
resto del circuito)
i
1
(t) =4/2 =2 A i
2
(t) =4/4 =1 A
u
1
(t) =4 V u
2
(t) =4 V
u
1
(t)
i
1
(t)
+
+
e
g
(t)=4V
R
1
=2O
u
2
(t)
i
2
(t)
+
+
e
g
(t)=4V
R
2
=4O
1
1
1
1
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 21 CUD/20122013
2.1.1.4. Fuentesindependientes
Fuente ideal independiente de intensidad:
Se trata de un elemento de circuito que suministra
una intensidad bien definida a lo largo del tiempo.
Dicha intensidad es, adems, independiente del resto
del circuito al cual est conectada la fuente.
g
i(t ) i (t ) =
1
1
u(t)
i(t)
+
i
g
(t)
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 22 CUD/20122013
2.1.1.4. Fuentesindependientes
Ejemplo: Fuente ideal independiente de
intensidad continua
(Notar como el valor de la corriente que suministra la fuente es independiente
del resto del circuito)
i
1
(t) =2 A
u
1
(t) =i
1
(t)R
1
=4 V
i
2
(t) =2 A
u
2
(t) =i
2
(t)R
2
=8 V
u
2
(t)
i
2
(t)
+
i
g
(t)=2A
R
2
=4O
1
1
u
1
(t)
i
1
(t)
+
i
g
(t)=2A
R
1
=2O
1
1
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 23 CUD/20122013
2.1.1.4. Fuentesindependientes
Casos particulares:
Si una fuente de tensin es
constantemente de valor cero,
esto es e
g
(t) = 0 (para todo t), se
trata de un cortocircuito.
Si una fuente de intensidad es
constantemente de valor cero,
esto es, i
g
(t) = 0 (para todo t), se
trata de un circuito abierto.
1
1
e
g
(t)=0
i(t)= 0
u(t)=0
+
1
1
i
g
(t)=0
i(t)=0
u(t)= 0
+
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 24 CUD/20122013
2.1.1.5. Fuentesdependientes
Elementos tales que la tensin o intensidad que suministran
depende de la tensin o intensidad en otra parte del circuito.
Fuentedetensindependientedetensin Fuentedetensindependientedeintensidad
Fuentedeintensidaddependientedetensin Fuentedeintensidaddependientedeintensidad
o,|,,o sonconstantes
Circuito
elctrico
Circuito
elctrico
e
g
(t)=
=ou(t)
e
g
(t)=
=|i(t)
+
u(t) i(t)
+


+
o:adimensional
o:adimensional
|:ohmios[O]
:siemens[S]
Circuito
elctrico
Circuito
elctrico
i
g
(t)=
=u(t)
+
u(t) i(t)
i
g
(t)=
=oi(t)
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 25 CUD/20122013
2.1.2.Cuadripolos
Como ya se ha dicho, se denomina cuadripolo a
todo circuito elctrico, compuesto por uno o
varios elementos simples, que presenta cuatro
terminales accesibles.
Cuadripolos que se van a estudiar: bobinas
acopladas magnticamente, transformador ideal.
1
1
Cuadripolo
2
2
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 26 CUD/20122013
2.1.2.1. Bobinasacopladas
magnticamente
Dos circuitos se dice que estn
acoplados cuando intercambian
energa.
Las variables que se presentan en cada
uno de ellos no dependen nicamente
de los parmetros de sus propios
elementos, sino que tambin dependen
de parmetros de acoplamiento o
mutuos.
Propiedad: Dado un medio magntico
lineal, se cumple que el flujo
magntico en una seccin debido a la
accin conjunta de dos intensidades es
igual a la suma de los flujos en esta
misma seccin debido a la accin de
cada intensidad considerndolas por
separado.
1
1
L
1
2
2
L
2
Representacin:
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 27 CUD/20122013
2.1.2.1. Bobinasacopladas
magnticamente
Anlisis de los flujos:
m
(t ) t t
21 12
( ) ( ) | | | = +
flujode
dispersin
flujomutuo
i
1
(t)
i
2
(t)
|
S1
(t) |
S2
(t)
|
12
(t)
|
21
(t)
1
2
2
1
L
1
L
2
(t ) (t ) (t )
1 11 12
| | | = +
(t ) (t ) (t )
2 22 21
| | | = +
S
S
(t ) (t ) (t )
(t ) (t ) (t )
11 21 1
22 12 2
| | |
| | |
= +
= +
S
S
(t ) (t ) (t ) (t ) (t ) (t )
(t ) (t ) (t ) (t ) (t ) (t )
1 11 12 1 21 12
2 22 21 2 12 21
| | | | | |
| | | | | |
= + = + +
= + = + +
S m
S m
(t ) (t ) (t ) (t ) (t )
(t ) (t ) (t ) (t ) (t )
1 11 12 1
2 22 21 2
| | | | |
| | | | |
= + = +
= + = +
ij
t Flujototalqueabarcaunaespiradelabobina1
t Flujototalqueabarcaunaespiradelabobina2
t Flujoqueabarcaunaespiradelabobina"i"debido
1
2
( ):
( ):
( ):
|
|
|
aquecirculaintensidadporlabobina"j"
Circuitos
Mquinas
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 28 CUD/20122013
2.1.2.1. Bobinasacopladas
magnticamente
Relacin entre los flujos y las intensidades:
Donde:
L
1
yL
2
:coeficientesdeautoinduccindelasbobinas,
M
12
yM
21
:coeficientesdeinduccinmutua ysusunidadessonHENRIOS (H)
N (t ) L i (t )
N (t ) M i (t )
N (t ) M i (t )
N (t ) L i (t )
1 11 1 1
1 12 12 2
2 21 21 1
2 22 2 2
|
|
|
|
=
=
=
=
i
1
(t)
i
2
(t)
|
S1
(t) |
S2
(t)
|
12
(t)
|
21
(t)
1 2
2
1
L
1
L
2
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 29 CUD/20122013
2.1.2.1. Bobinasacopladas
magnticamente
Determinacin del signo en las ecuaciones:
Dibujar las bobinas acopladas en representacin espacial y
dar tambin referencias para los flujos (engorroso).
Utilizar el concepto de terminales correspondientes.
Se llaman as al conjunto de terminales (un terminal de cada
una de las bobinas acopladas) para los que se verifica que,
si entra (o sale) por ellos simultneamente intensidad en
cada una de las bobinas, se originan lneas de campo
magntico comunes del mismo sentido.
i
2
(t)
1 2
2 1
i
1
(t)
i
2
(t)
1
2
2 1
i
1
(t)
Terminales
correspondientes:
1y2
Terminales
correspondientes:
1y2


FundamentosdeElectrotecnia Tema2 30 CUD/20122013
2.1.2.1. Bobinasacopladas
magnticamente
Ecuaciones de definicin:
MultiplicarporN
1
yN
2
,yderivar
LeydeFaraday yrelacinentreflujoseintensidades
Engeneral,secumplequeM
12
=M
21
=M.
di (t ) di (t )
u (t ) L M
dt dt
di (t ) di (t )
u (t ) L M
dt dt
1 2
1 1 12
2 1
2 2 21
=
=
(t ) (t ) (t )
(t ) (t ) (t )
1 11 12
2 22 21
| | |
| | |
= +
= +
d (t ) d (t ) d (t )
N N N
dt dt dt
d (t ) d (t ) d (t )
N N N
dt dt dt
1 11 12
1 1 1
2 22 21
2 2 2
| | |
| | |
= +
= +
d (t ) d (t ) di (t ) di (t )
u (t ) N N L M
dt dt dt dt
d (t ) d (t ) di (t ) di (t )
u (t ) N N L M
dt dt dt dt
11 12 1 2
1 1 1 1 12
22 21 2 1
2 2 1 2 21
| |
| |
= + = +
= + = +
1
1
L
1
2
2
L
2
M
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 31 CUD/20122013
2.1.2.1. Bobinasacopladas
magnticamente
Signo de las ecuaciones de definicin:
Trminos que contienen L
i
: Se miran las referencias de tensin e
intensidad sobre la bobina i. Si ambas llevan el mismo sentido
sobre esta bobina, el signo del trmino es +. En caso contrario,
signo .
Trminos que contienen M
ij
: Se miran las referencias de la
tensin i, la intensidad j y los terminales correspondientes.
Si la intensidad j entra por terminal marcado de la bobina j
(se puede razonar de la misma manera en el caso de que le
intensidad j salga por el terminal marcado), la intensidad
equivalente que circulando por la bobina i creara el mismo
efecto, sera una intensidad que entrase por el terminal
marcado de la bobina i. Si dicha intensidad equivalente en la
bobina i lleva sobre ella el mismo sentido que le referencia de
la tensin i, el signo del trmino es positivo. En caso contrario,
signo .
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 32 CUD/20122013
2.1.2.1. Bobinasacopladas
magnticamente
Ejemplo:
1
1
L
1
2
2
L
2
M
12
=M
21
i
1
(t)
i
2
(t)
u
1
(t) u
2
(t)
+
+
1 2
1 1 12
2 1
2 2 21
di (t ) di (t )
u (t ) L M
dt dt
di (t ) di (t )
u (t ) L M
dt dt
=
=
1 2
1 1 12
2 1
2 2 21
di (t ) di (t )
u (t ) L M
dt dt
di (t ) di (t )
u (t ) L M
dt dt
= +
=
1 2
1 1 12
2 1
2 2 21
di (t ) di (t )
u (t ) L M
dt dt
di (t ) di (t )
u (t ) L M
dt dt
= +
=
di (t ) di (t )
u (t ) L M
dt dt
di (t ) di (t )
u (t ) L M
dt dt
1 2
1 1 12
2 1
2 2 21
= +
= +
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 33 CUD/20122013
2.1.2.2. Transformadorideal
Es un elemento constituido por dos o ms bobinas
acopladas magnticamente.
El acoplamiento magntico entre las bobinas se
consigue gracias a que stas estn arrolladas
sobre un ncleo encargado de conducir el campo
magntico que crean las intensidades que pueden
circulan por dichas bobinas.
Si la relacin entre las intensidades que circulan
por las bobinas y el flujo magntico en el ncleo
es lineal, se hablar del transformador lineal.
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 34 CUD/20122013
2.1.2.2. Transformadorideal
Un transformador se considera
ideal cuando cumple las
siguientes condiciones:
1) Las bobinas que lo forman
carecen de resistencia.
2) No existe flujo de dispersin en
las bobinas. El acoplamiento entre
ellas es perfecto.
3) La permeabilidad magntica del
medio que conduce el campo
magntico es infinita.
4) Dicho ncleo magntico carece
de histresis y en l no se inducen
corrientes parsitas.
5) No existen capacidades parsitas
entre las espiras de las bobinas ni
entre stas.
1
1
2
2
i
1
(t)
i
2
(t)
u
1
(t)
u
2
(t)
+ +
d (t )
u (t ) N
dt
d (t )
u (t ) N
dt
1
1 1
2
2 2
|
|
= +
= +
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 35 CUD/20122013
2.1.2.2. Transformadorideal
Ecuaciones de definicin:
S m
(t ) (t ) (t ),
1 1
| | | = +
S m
(t ) (t ) (t )
2 2
| | | = +
Noexistenflujosdedispersin
:Relacindetransformacin
1
1
2
2
i
1
(t)
i
2
(t)
u
1
(t)
u
2
(t)
a:1
+ +
d (t )
u (t ) N
dt
d (t )
u (t ) N
dt
1
1 1
2
2 2
|
|
= +
= +
S m
S m
d (t ) d (t )
u (t ) N N
dt dt
d (t ) d (t )
u (t ) N N
dt dt
1
1 1 1
2
2 2 2
| |
| |
= + +
= + +
m
m
d (t )
u (t ) N
dt
d (t )
u (t ) N
dt
1 1
2 2
|
|
= +
= +
u (t ) N
u (t ) N
1 1
2 2
=
N
a
N
1
2
=
u (t )
a
u (t )
1
2
=
1Ec.dedefinicin
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 36 CUD/20122013
2.1.2.2. Transformadorideal
Ecuaciones de definicin:
Ley de Ampre:
B S | =
Permeabilidadinfinita
1
1
2
2
i
1
(t)
i
2
(t)
u
1
(t)
u
2
(t)
a:1
+ +
( ) H dl N i t =

H l N i(t ) =

B H =
m
l
(t ) N i(t )
S
1
|

N i (t ) N i (t )
1 1 2 2
0 + = N i (t ) N i (t )
1 1 2 2
0 =
2Ec.dedefinicin
Noconfundira:1cona=1
N
a N N
N
N
a N N
N
1
1 2
2
1
1 2
2
: 1 : 1 :
1 1
: :
= = =
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 37 CUD/20122013
2.1.2.2. Transformadorideal
Determinacin del signo en ecuaciones de definicin:
Primera ecuacin ( )
Si ambas referencias de tensin parten de o llegan a
terminales correspondientes, signo +. En caso
contrario, signo .
Segunda ecuacin ( )
Si ambas referencias de intensidad entran o salen por
terminales correspondientes, signo +. En caso
contrario, signo .
u (t ) N
u (t ) N
1 1
2 2
=
N i (t ) N i (t )
1 1 2 2
0 =
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 38 CUD/20122013
2.1.2.2. Transformadorideal
Ejemplos:
1
1
2
2
i
1
(t)
i
2
(t)
u
1
(t)
u
2
(t)
a:1
+
+
1 1
2 2
u (t ) N
a
u (t ) N
= + = +
1 1 2 2
( ) ( ) 0 N i t N i t =
1
1
2
2
i
1
(t)
i
2
(t)
u
1
(t)
u
2
(t)
a:1
+
+
1 1
2 2
u (t ) N
a
u (t ) N
= =
1 1 2 2
( ) ( ) 0 N i t N i t + =
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 39 CUD/20122013
2.2. Elementosrealesdecircuitos
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 40 CUD/20122013
2.2.1.Resistencia
2.2.1. Resistencia
En el mercado es posible encontrar resistencias de
muy diversos tipos:
Fijas
Variables:
Potenciomtros
Con la tensin
Con la temperatura
Con la luz
Etc.
Potencimetros
LDR(luz)
VDR
(tensin)
NTC,PTC
(temperatura)
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 41 CUD/20122013
2.2.1.Resistencia
Parmetrosdeuna
resistencia:
Resistencia
Potencia mxima que
es capaz de disipar
(de W, W, 1 W, etc)
Toleranciamxima
(desde0,5%hasta10%)
Los valores se indican:
Escritos en la superficie
(100 O 10%)
Mediante franjas de
colores.
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 42 CUD/20122013
2.2.2.Condensador
2.2.2. Condensador
Diferentes tipos: electrolticos, de papel, de polister,
cermicos, etc, (segn el dielctrico).
Parmetros de un condensador:
Capacidad.
Tensin mxima que es capaz de soportar sin
perforarse.
Tolerancia (mediante valores o colores).
Polister Polipropileno
Electroltico
Tntalo
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 43 CUD/20122013
2.2.3.Bobina
2.2.3. Bobina
La bobina es el elemento en el que su
comportamiento real ms se aleja del
comportamiento ideal.
Existen diferentes tipos segn su ncleo.
Ncleodeaire Ncleo
ferrromagntico
Ncleotoroidal
Multitoma
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 44 CUD/20122013
2.2.4.Fuenterealdetensin
2.2.4. Fuente real de
tensin
En una fuente indepen
diente de tensin real, se
observa que la tensin en
sus bornes disminuye con
forme aumenta la inten
sidad que se solicita a
dicha fuente.
= ( ) ( ) ( )
g g
u t e t R i t
Circuitoequivalentedeuna
fuenterealdetensinsinusoidal
E
g
+
R
g I
Resto
circuito
U
Circuitoequivalentedeuna
fuenterealdetensincontinua
e
g
(t)
+
R
g
Resto
circuito
u(t)
+
i(t)
L
g
I
U
E
g
+
=
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 45 CUD/20122013
2.2.5.Fuenterealdeintensidad
2.2.5. Fuenterealde
intensidad
En una fuente real de
intensidad se observa que
conforme aumenta la
tensin entre sus bornes va
disminuyendo la intensidad
que suministra.
( )
= ( ) ( )
g g
i t i t G u t
U
I
I
g
Circuitoequivalentedeunafuente
realdeintensidadsinusoidal
Circuitoequivalentedeunafuente
realdeintensidadcontinua
I
g
+
G
g
I
Resto
circuito
U
i
g
(t)
+
Y
g
Resto
circuito
u(t)
i(t)
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 46 CUD/20122013
2.2.6.Voltmetro
2.2.6. Voltmetro
Instrumento que sirve para medir la tensin existente
entre dos puntos de un circuito elctrico.
Se conecta en paralelo con los dos puntos entre los
que se desea medir la tensin.
e
g
(t)
+
R
1
U
R
2
+
V
Voltmetro
ideal
V
1
1
i
V
=0 i(t)
i(t)
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 47 CUD/20122013
2.2.6.Voltmetro
Comportamiento ideal del
voltmetro: No circula intensidad
por el voltmetro.
Comportamiento real del
voltmetro: Circula cierta
intensidad por el voltmetro. Este
comportamiento se puede
modelar colocando una
resistencia interna (R
v
) en paralelo
con un voltmeto ideal.
Voltmetro ideal Voltmetro real
con resistencia interna infinita
R
V
V
i
V
=0 i
V ideal
=0
i
V
Circuitoequivalentedeun
voltmetroreal
SiR
v
=
Voltmetroideal
R
v
vieneindicadaporel
fabricante
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 48 CUD/20122013
2.2.7.Ampermetro
2.2.7. Ampermetro
Instrumento empleado para medir la intensidad que
circula por un circuito.
Se conecta en serie con la rama del circuito en la que
se desea medir la intensidad.
A
1
1
e
g
(t)
R
1
R
2
+
A
+
u
A
=0
Ampermetro
ideal
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 49 CUD/20122013
2.2.7.Ampermetro
Comportamiento ideal del
ampermetro: No hay cada de
tensin entre sus bornes.
Comportamiento real del
ampermetro: Se produce una
cierta cada de tensin entre sus
bornes. Este comportamiento se
puede modelar colocando una
resistencia interna (R
A
) en serie con
un ampermetro ideal.
Ampermetro ideal Ampermetro
real con resistencia interna cero.
R
A
u
A
u
A ideal
=0
A
u
A
=0
+
+
+
Circuitoequivalentedeun
ampermetroreal
SiR
A
=0
Ampermetro
ideal
R
A
vieneindicadaporel
fabricante
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 50 CUD/20122013
2.3. Asociacinderesistencias
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 51 CUD/20122013
2.3.Asociacinderesistencias
Asociacin de resistencias en serie:
=
=
=
=

1 1
2 2
( ) ( )
( ) ( )
( ) ( )
( ) ( )
k k
n n
u t R i t
u t R i t
u t R i t
u t R i t
= =
| |
= =
|
\ .

1 1
( ) ( ) ( )
n n
k k
k k
u t u t R i t
=
=

1
n
eq k
k
R R
SegundaLeydeKirchhoff
R
1
u(t)
+
+
R
2
R
k
R
n


1
1
+ + +
u
1
(t) u
2
(t) u
k
(t) u
n
(t)
i(t)
R
eq
u(t)
+
1
1
i(t)

=
eq
( ) R ( ) u t i t
LeydeOhm
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 52 CUD/20122013
2.3.Asociacinderesistencias
Divisor de tensin:
n
k
k
u t ) R i(t)
1
(
=
| |
=
|
\ .

k k
u (t ) R i(t) =
k k
n
k
k
u (t ) R
u(t )
R
1 =
=

k
k
n
k
k
R
u (t ) u(t )
R
1 =
=

R
1
u(t)
+
+
R
2
R
k
R
n


1
1
+ + +
u
1
(t) u
2
(t) u
k
(t) u
n
(t)
i(t)
Expresindeldivisordetensin
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 53 CUD/20122013
2.3.Asociacinderesistencias
Asociacin de resistencias en paralelo:
k k
n n
i (t ) G u(t )
i (t ) G u(t )
i (t ) G u(t )
i (t ) G u(t )
1 1
2 2
=
=
=
=

n n
k j
k k
i(t ) i (t ) G u(t )
1 1 = =
| |
= =
|
\ .

n
eq k
k
G G
1 =
=

PrimeraLeydeKirchhoff
G
1
i(t)
G
2
G
k
G
n
+
u(t)
i
1
(t) i
2
(t) i
k
(t)
i
n
(t)

G
eq
i(t)
+
u(t)
eq
i(t ) G u(t ) =
LeydeOhm
eq n
R R R
1 2
1 1 1 1

R
= + + +
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 54 CUD/20122013
2.3.Asociacinderesistencias
Divisor de intensidad:
n
k
k
i(t ) G u(t )
1 =
| |
=
|
\ .

k k
i (t ) G u(t ) =
k k
n
k
k
i (t ) G
i(t )
G
1 =
=

k
k
n
k
k
G
i (t ) i(t )
G
1 =
=

G
1
i(t)
G
2
G
k
G
n
+
u(t)
i
1
(t) i
2
(t) i
k
(t)
i
n
(t)

Expresindeldivisordecorriente
FundamentosdeElectrotecnia Tema2 55 CUD/20122013
Referencias
PARRA, V. M.; ORTEGA, J.; PASTOR, A.; PEREZ, A.: Teora de Circuitos
(Tomo I). Universidad Nacional de Educacin a Distancia (UNED).
BAYOD, A.A.; BERNAL, J.L.; DOMINGUEZ, J.A.; GARCIA GARCIA, M.A.;
LLOMBART, A.; YUSTA, J.M.: Anlisis de circuitos elctricos I. Coleccin
Textos Docentes, vol. 58. Prensas Universitarias de Zaragoza.
FundamentosdeElectrotecnia Tema3 1 CUD/20122013
Tema3
Energaypotencia
FundamentosdeElectrotecnia Tema3 2 CUD/20122013
ndice
Tema 3. Energa y Potencia.
3.1.Definiciones.
3.2.Energa y potencia en dipolos.
3.2.1.Resistencia.
3.2.2.Condensador.
3.2.3.Bobina.
3.2.4.Fuente ideal de tensin.
3.2.5.Fuente ideal de intensidad.
3.3.Energa y potencia en cuadripolos.
3.3.1.Bobinas acopladas magnticamente.
3.3.2.Transformador ideal.
FundamentosdeElectrotecnia Tema3 3 CUD/20122013
3.1. Definiciones
FundamentosdeElectrotecnia Tema3 4 CUD/20122013
3.1.Definiciones
Para las referencias de la
figura, se define la potencia
absorbida como:
Y la energa absorbida
como:
( ) ( ) (t)
abs
p t u t i =
( ) ( )
ced abs
p t p t =
0
0
(t) ( ) ( ) ( )
t t
t
w p d w t p d t t t t

= = +
} }
Recordarque:
Sip
abs
(t) > 0,eldipolo
absorbe potencia.
Sip
abs
(t) < 0,eldipolo
cede potencia.
Secumpleque:
1
1
Dipolo
+
i(t)
u(t)
(suponiendoquew()=0)
FundamentosdeElectrotecnia Tema3 5 CUD/20122013
3.2. Energaypotenciaendipolos
FundamentosdeElectrotecnia Tema3 6 CUD/20122013
3.2.1.Resistencia
La potencia absorbida por una
resistencia, para las referencias
dadas, se calcula como:
La energa absorbida por una
resistencia se calcula:
( ) ( ) ( )
abs
p t u t i t =
2
2 2
( )
( ) ( ) ( )
abs
u t
p t R i t G u t
R
= = =
Laenergaabsorbidapor
unaresistencia:
Essiemprepositiva
Sedisipaenformade
calor:LeydeJoule
2
2
( )
( ) ( )
t t
u
w t R i d d
R
t
t t t

= =
} }
1
1
R
i(t)
+
u(t)
( ) ( )
( ) ( )
u t R i t
i t G u t
=
(
(
=

FundamentosdeElectrotecnia Tema3 7 CUD/20122013
3.2.2.Condensador
La potencia absorbida por un
condensador es:
La energa almacenada por un
condensador es:
( ) (t) ( )
abs
p t u i t =
La potencia que cede un
condensador siempre es a costa
de la energa que ha almacenado
en forma de campo elctrico
entre sus placas.
La energa almacenada en un
condensador slo depende del
valor de la tensin en ese
momento y no de la forma en la
que vara esta tensin.
( )
( ) ( )
abs
du t
p t C u t
dt
=
( )
2 2
( )
( ) 1
( ) ( ) ( ) ( )
2
t u t
u
du
w t C u d C u du C u t u
d
t
t t
t

( = = =
} }
2
1
( ) ( )
2
w t C u t =
( )
( )
du t
i t C
dt
(
=
(

(suponiendoqueu()=0)
1
1
C
i(t)
+
u(t)
FundamentosdeElectrotecnia Tema3 8 CUD/20122013
3.2.3.Bobina
La potencia absorbida por una
bobina es:
La energa almacenada por una
bobina es:
( ) (t) ( )
abs
p t u i t =
La potencia que cede una bobina
siempre es a costa de la energa
que ha almacenado en forma de
campo magntico en su ncleo.
La energa almacenada en una
bobina slo depende del valor de
la intensidad en ese momento y
no de la forma en la que vara
esta intensidad.
( )
( ) ( )
abs
di t
p t L i t
dt
=
( )
2 2
( )
( ) 1
( ) ( ) ( ) ( )
2
t i t
i
di
w t L i d L i di L i t i
d
t
t t
t

( = = =
} }
2
1
( ) ( )
2
w t L i t =
( )
( )
di t
u t L
dt
(
=
(

(suponiendoquei()=0)
1
1
L
+
u(t)
i(t)
FundamentosdeElectrotecnia Tema3 9 CUD/20122013
3.2.4.Fuentedetensin
La potencia absorbida por
una fuente ideal de tensin
es:
La energa almacenada por
una fuente de tensin es:
( ) ( ) ( )
abs
p t u t i t =
( ) ( ) ( )
abs g
p t e t i t =
( ) ( ) ( ) ( )
t t
g
w t p d e i d t t t t t

= =
} }
( ) ( )
g
u t e t ( =

u(t)
i(t)
+
+
e
g
(t)
1
1
FundamentosdeElectrotecnia Tema3 10 CUD/20122013
3.2.5.Fuentedeintensidad
La potencia absorbida por una
fuente ideal de intensidad es:
La energa almacenada por una
fuente de intensidad es:
( ) ( ) ( )
abs
p t u t i t =
( ) ( ) ( )
abs g
p t u t i t =
( ) ( ) ( ) ( )
t t
g
w t p d u i d t t t t t

= =
} }
u(t)
i(t)
+
i
g
(t)
1
1
( ) ( )
g
i t i t ( =

FundamentosdeElectrotecnia Tema3 11 CUD/20122013
3.3. Energaypotenciaencuadripolos
FundamentosdeElectrotecnia Tema3 12 CUD/20122013
3.3.Energaypotenciaen
cuadripolos
Un cuadripolo puede
absorber potencia por cada
par de terminales
As pues, para las referencias
de la figura, se define la
potencia absorbida como:
Y la energa absorbida como:
1 1 2 2
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
abs
p t u t i t u t i t = +
| |
1 1 2 2
(t) ( ) ( ) ( ) ( )
t
w u i u i d t t t t t

= +
}
1
Cuadripolo
2
1 2
u
1
(t) u
2
(t)
i
1
(t)
i
2
(t)
+ +
FundamentosdeElectrotecnia Tema3 13 CUD/20122013
3.3.1.Bobinasacopladas
magnticamente
La potencia absorbida es:
La energa almacenada es:
La potencia que cede siempre es
a costa de la energa que ha
almacenado en forma de campo
magntico en su ncleo.
1 1 2 2
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
abs
p t u t i t u t i t = +
1 2
1 1
2 1
2 2
( ) ( )
( )
( ) ( )
( )
di t di t
u t L M
dt dt
di t di t
u t L M
dt dt
= +
= +
1 2 1 2
1 1 1 2 2 2
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
abs
di t di t di t di t
p t L i t M i t i t L i t
dt dt dt dt
| |
= + + +
|
\ .
2 2
1 1 1 2 2 2
1 1
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
2 2
abs
d
p t L i t Mi t i t L i t
dt
| |
= + +
|
\ .
2 2
1 1 1 2 2 2
1 1
(t) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )
2 2
t
w p d L i t Mi t i t L i t t t

= = + +
}
2
L
1
L
2
M
12
i
1
(t)
i
2
(t)
u
1
(t) u
2
(t)
1
1 2
+ +
FundamentosdeElectrotecnia Tema3 14 CUD/20122013
3.3.2. Transformadorideal
La potencia absorbida es:
La energa almacenada es:
La potencia que absorbe el primario
de un transformador ideal es igual
a la potencia que cede el
secundario.
El transformador ideal no absorbe
ni cede potencia.
1 1 2 2
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
abs
p t u t i t u t i t = +
1 2
1 2
( ) ( )
1
( ) ( )
u t a u t
i t i t
a
=
=
2 2 2 2
1
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
abs
p t a u t i t u t i t
a
| |
= +
|
\ .
( ) 0
abs
p t =
( ) ( ) 0
t
w t p d t t

= =
}
2
a:1
i
1
(t)
i
2
(t)
u
1
(t)
u
2
(t)
1
1 2
+ +
FundamentosdeElectrotecnia Tema3 15 CUD/20122013
3.4. Balancedepotenciaenuncircuito
FundamentosdeElectrotecnia Tema3 16 CUD/20122013
3.4. Balancedepotenciaenun
circuito
Para cualquier circuito se cumple que, en todo
instante, la suma algebraica de la potencia
absorbida por todos sus elementos es siempre
igual a cero.
( ) 0
abs
p t =

( ) ( )
ced elementos activos abs elementos pasivos
p t p t =

FundamentosdeElectrotecnia Tema3 17 CUD/20122013
Referencias
PARRA, V. M.; ORTEGA, J.; PASTOR, A.; PEREZ, A.: Teora de Circuitos
(Tomo I). Universidad Nacional de Educacin a Distancia (UNED).
BAYOD, A.A.; BERNAL, J.L.; DOMINGUEZ, J.A.; GARCIA GARCIA, M.A.;
LLOMBART, A.; YUSTA, J.M.: Anlisis de circuitos elctricos I. Coleccin
Textos Docentes, vol. 58. Prensas Universitarias de Zaragoza.
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 1 CUD/20122013
Tema4
Mtodosdeanlisisdecircuitos
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 2 CUD/20122013
ndice
Tema 4. Mtodos de anlisis de circuitos.
4.1. Introduccin.
4.2. Impedancias y admitancias operacionales.
4.3. Representacin de los circuitos.
4.4. Equivalencias entre ramas.
4.4.1. Equivalencia entre fuentes reales.
4.4.2. Elementos en paralelo y en serie con fuentes ideales.
4.5. Mtodos de anlisis de circuitos.
4.5.1. Acerca del nmero de ecuaciones e incgnitas.
4.5.2.Mtodo de anlisis por nudos.
4.5.3. Mtodo de anlisis por mallas.
4.6. Casos especiales.
4.6.1. Circuitos con fuentes ideales de tensin.
4.6.2. Circuitos con fuentes ideales de intensidad.
4.6.3. Circuitos con bobinas acopladas magnticamente.
4.6.4. Circuitos con transformadores ideales.
4.6.5. Circuitos con fuentes dependientes.
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 3 CUD/20122013
4.1. Introduccin
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 4 CUD/20122013
4.1.Introduccin
Analizar un circuito consiste en determinar la tensin y la intensidad,
en funcin del tiempo, en cada uno de los elementos que componen
dicho circuito.
Datos iniciales:
la configuracin del circuito,
el valor de las fuentes de tensin e intensidad del circuito,
el valor de los elementos que constituyen el circuito,
las tensiones e intensidades iniciales en cada una de las ramas del circuito.
A partir de estos datos, mediante las leyes de Kirchhoff y las
ecuaciones de definicin de los elementos, se obtiene la solucin del
circuito (tensiones e intensidades en cada elemento del circuito).
En este captulo se van a estudiar mtodos que sistematizan el
anlisis de circuitos.
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 5 CUD/20122013
4.2. Impedanciasyadmitanciasoperacionales
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 6 CUD/20122013
4.2.1.Definicindeimpedanciay
admitanciaoperacional
Se define el operador D
(operador derivada) como:
y su inversa como:
d
D
dt
=
1
dt
D
=
}
Resistencia Bobina Condensador
( ) ( ) u t R i t =
( )
( )
di t
u t L
dt
=
( )
( )
du t
i t C
dt
= ( ) ( ) u t R i t =
( ) ( ) u t L D i t = ( ) ( ) i t C D u t =
( ) ( ) i t G u t =
1
( ) ( )

i t u t
L D
=
1
( ) ( )

u t i t
C D
=
Ecuacionesde
definicindelos
distintos
elementosen
funcindel
operadorD
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 7 CUD/20122013
4.2.1.Definicindeimpedanciay
admitanciaoperacional
En general:
u(t)=Z(D)i(t) i(t)=Y(D)u(t)
Z(D): impedanciaoperacional Y(D): admitanciaoperacional
1 1
i(t)
+
u(t)
Z(D)
1 1
i(t)
+
u(t)
Y(D)
Resistencia Bobina Condensador
Impedancia
operacional
Admitancia
operacional
( ) Z D R =
( ) Y D G =
( ) Z D L D =
1
( )

Z D
C D
=
1
( )

Y D
L D
=
( ) Y D C D =
1
( )
( )
Z D
Y D
=
Secumpleque:
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 8 CUD/20122013
4.2.2.Asociacindeimpedancias
A) En serie:
Ejemplo:
1 1 i(t)
+
u
2
(t)
Z
1
(D) Z
2
(D) Z
k
(D) Z
n
(D)
+ +
+
u
k
(t)
u
n
(t)
u
1
(t)
u(t)

1 2
1 2
1
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
k n
k n
n
k
k
eq
u t u t u t u t u t
u t Z D i t Z D i t Z D i t Z D i t
u t Z D i t
u t Z D i t
=
= + + + + +
= + + + + +

=

`

=
)



1
( ) ( )
n
eq k
k
Z D Z D
=
=

( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
k k
eq
u t Z D i t
u t Z D i t
=

`
=
)
1
( ) ( )
( )
( )
k k
n
k
k
u t Z D
u t
Z D
=
=

1
( )
( ) ( )
( )
k
k
n
k
k
Z D
u t u t
Z D
=
=

1
i(t)
+
u(t)
1
R LD
( )
( ) ( ) ( )
( )
R
T R L
L
Z D R
Z D Z D Z D R LD
Z D LD
=

= + = +
`
=
)
Divisordetensin
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 9 CUD/20122013
4.2.2.Asociacindeimpedancias
B) En paralelo:
Ejemplo:
1 2
1 2
1
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
k n
k n
n
k
k
eq
i t i t i t i t i t
i t Y D u t Y D u t Y D u t Y D u t
i t Y D u t
i t Y D u t
=
= + + + + +
= + + + + +

=

`

=
)



1
( ) ( )
n
eq k
k
Y D Y D
=
=

( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
k k
eq
i t Y D u t
i t Y D u t
=

`
=
)
1
( ) ( )
( )
( )
k k
n
k
k
i t Y D
i t
Y D
=
=

1
( )
( ) ( )
( )
k
k
n
k
k
Y D
i t i t
Y D
=
=

( )
1 1
( ) ( ) ( )
1
( )
R
T R L
L
Y D G
GLD
Y D Y D Y D G
LD LD Y D
LD
=

+

= + = + =
`
=

)
1
1
i(t)
Y
1
(D)
u(t)


i
1
(t) i
2
(t) i
k
(t)
i
n
(t)
Y
2
(D) Y
k
(D) Y
n
(D)
+
Divisordeintensidad
1
i(t)
+
u(t)
1
G
1
LD
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 10 CUD/20122013
4.2.2.Asociacindeimpedancias
C) Asociacin tipo puente:
1
i(t)
+
u(t)
1
Z
1
Z
2
Z
3
Z
4
Z
m
i
1
i
2
i
3
i
4
i
m
A
B
M N
Elpuentesediceequilibrado si:
0 0
MN m
u i = =
entonces:
Si 0 y
MN AM AN MB NB
u u u u u = = =
1 3 2 4
Como 0 e
m
i i i i i = = =
1 1
1 1 2 2
2 2

AM
AN
u Z i
Z i Z i
u Z i
=

=
`
=
)
3 3
3 3 4 4
4 4

MB
NB
u Z i
Z i Z i
u Z i
=

=
`
=
)
1 1 2 2
3 3 4 4


Z i Z i
Z i Z i
=
1 2
3 4
Z Z
Z Z
=
dividiendo:
Puenteequilibrado
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 11 CUD/20122013
4.2.2.Asociacindeimpedancias
Caso particular: Puente de Wheatstone
Se llama as en el caso de que todas las impedancias del puente sean
resistencias.
Se utiliza, principalmente, para medir resistencias con alta precisin.
1
i(t)
+
u(t)
1
R
1
R
2
R
3
R
x
i
G
A
B
M
N
G
R
1
yR
2
resistenciasfijasdevalorconocido
R
3
resistenciavariabledevalorconocido
G:Galvanmetro.Instrumentoqueindicasi
haycirculacindeintensidadonoatravs
del,yelsentidoquestalleva
R
x
:Resistenciacuyovalorsedeseamedir
SevaraR
3
hastaqueGindica
quei
G
=0
1 2
3 x
R R
R R
=
2 3
1
x
R R
R
R
=
Puenteequilibrado
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 12 CUD/20122013
4.2.2.Asociacindeimpedancias
D) Asociacin en estrella y en tringulo:
a
Z
1
Z
3
Z
2
b
c
a
Z
1
Z
3
Z
2
b
c
Asociacinenestrella
Asociacinentringulo
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 13 CUD/20122013
4.3. Representacindeloscircuitos
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 14 CUD/20122013
4.3.Representacindecircuitos
Definiciones:
Rama: Elemento o grupo de elementos de
un circuito que presenta dos terminales y
del que se puede conocer su ecuacin de
definicin. En el circuito de la figura
podemos considerar que tenemos 6 ramas
(se podran contar hasta 8, en funcin de si
se consideran las fuentes como reales o
bien como ideales)
Nudo: Punto de unin de dos o ms ramas.
El circuito de la figura tiene 4 nudos (A, B, C
y D).
Grafo reticular: Representacin de un
circuito resultado de sustituir cada rama de
su esquema por un segmento orientado.
Lazo: Conjunto de ramas de un circuito que
forman una lnea cerrada (145; 123; 34
6; 2345; 256; etc.).
Malla: Lazo de un circuito que no contiene
a otro lazo en su interior. En el circuito de la
figura slo hay tres mallas: (123; 145; 3
46).
A
B
D
C
1
2
3
4
5 6
Graforeticular
e
g
(t)
R
1
R
2
+
R
3
R
4
1/CD
LD
i
g
(t)
A
B
D
C
1
2
3
4
5 6
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 15 CUD/20122013
4.4. Equivalenciasentreramas
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 16 CUD/20122013
4.4.1. Equivalenciaentrefuentes
reales
Dos dipolos activos se dicen equivalentes
respecto de sus terminales si, al cargarlos con el
mismo receptor, la tensin entre sus bornes y la
intensidad que entra (sale) de ellos es la misma.
1 1
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )
g Z g
u t e t u t e t Z D i t = =
u
1
(t)
i
1
(t)
+
+
e
g
(t)
1
1
Receptor
Z(D)
+
u
Z
(t)
u
2
(t)
i
2
(t)
+
i
g
(t)
1
1
Receptor
Z(D)
Y(D)
i
Z
(t)
' '
2 ' 2
' '
2
( ) ( ) ( ) ( )( ( ) ( ))
( ) ( ) ( ) ( )
Z g
g
u t Z D i t Z D i t i t
Z D i t Z D i t
= = =
=
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 17 CUD/20122013
1 1
( ) ( ) ( ) ( )
g
u t e t Z D i t =
' '
2 2
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
g
u t Z D i t Z D i t =
Fuentedetensin:
Fuentedeintensidad:
Paraquelasfuentesseanequivalentes:
1 2
1 2
( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
u t u t u t
i t i t i t
= =
= =
entonces:
' '
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )
g g
e t Z D i t Z D i t Z D i t =
( ) '( )
( ) ( ) ( )
g g
Z D Z D
e t Z D i t
=
=
4.4.1. Equivalenciaentrefuentes
reales
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 18 CUD/20122013
4.4.1. Equivalenciaentrefuentes
reales
Atencin: La equivalencia entre fuentes reales es
slo vlida para el resto de los elementos del
circuito al cual estn conectadas, no para los
elementos que forman la fuente real.
Laflechadelafuentedeintensidadhadeapuntarhaciaelterminal
marcadoconel+delafuentedetensin
( )
( )
( )
g
g
g
e t
i t
Z D
=
( ) ( ) ( )
g g g
e t Z D i t =
fuentetensin fuenteintensidad
( ) ( )
g g
Z D Z D =
i
g
(t)
1
1
Z
g
(D)
Y
g
(D)
+
e
g
(t)
1
1
Z
g
(D)
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 19 CUD/20122013
4.4.2. Elementosenparaleloyenserie
confuentesideales
Elementos en paralelo con una fuente ideal de
tensin
Elementos en serie con una fuente ideal de
intensidad
Atencin: Estas equivalencias son slo vlidas para los elementos del resto del
circuito, no para los elementos que intervienen en ella.
+
e
g
(t)
1
1
Z(D)
i
g
(t)
u(t)
+
+
1
1
u(t)
+
e
g
(t)
( ) ( )
g
u t e t =
Enamboscasos:
+
e
g
(t)
1 1
Z(D)
i
g
(t)
1
i
g
(t)
1
i(t)
i(t)
( ) ( )
g
i t i t =
Enamboscasos:
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 20 CUD/20122013
4.5.Mtodosdeanlisisdecircuitos
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 21 CUD/20122013
4.5.1. Acercadelnmerode
ecuacioneseincgnitas
Balance de ecuaciones e incgnitas que se tienen al
realizar el anlisis de un circuito:
Incgnitas:
Si el circuito tiene r ramas, tendremos 2r incgnitas
correspondientes a la tensin y la intensidad de cada rama.
Ecuaciones linealmente independientes:
De las ecuaciones de definicin de cada rama se obtienen r
ecuaciones linealmente independientes.
Mediante la aplicacin de la primera Ley de Kirchhoff se pueden
obtener n1 (n = nmero de nodos del circuito) ecuaciones
linealmente independientes.
Mediante la aplicacin de la segunda ley se pueden obtener
r(n1) ecuaciones linealmente independientes.
Nmero de ecuaciones lin. independientes:
Si nmero de ecuaciones linealmente independientes =
nmero de incgnitas El sistema tiene solucin nica
r+(n1)+[r(n1)]=2r
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 22 CUD/20122013
4.5.2. Mtododeanlisispor
nudos
Consiste en aplicar la primera Ley de
Kirchhoff a cada uno de los nudos del
circuito, excepto a uno de ellos que se
toma como referencia, utilizando
para ello las tensiones de nudo.
Tensiones de nudo: Cada una de las
tensiones de los n1 nudos restantes al
nudo de referencia (u
B0
(t), u
C0
(t) y
u
D0
(t))
Criterio de aplicacin de la 1 LK: Suma
de las intensidades que salen de un
nudo por los elementos pasivos que
concurren en l = Suma de las
intensidades que entran al nudo
provenientes de fuentes.
Es deseable que todas las fuentes
presentes en el circuito sean fuentes de
intensidad (en el caso de fuentes reales
de tensin, aplicar la equivalencia de
fuentes reales)
e
g
(t)
R
1
R
2
+
R
3
R
4
1/CD
LD
i
g
(t)
A
B
D
C
e
g
(t)
R
1
R
2
+
R
3
R
4
1/CD
LD
i
g
(t)
0
ref
B
D
C
u
B0
(t)
u
D0
(t)
u
C0
(t)
+
+
+
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 23 CUD/20122013
4.5.2. Mtododeanlisispor
nudos
Recomendaciones y notas:
Eleccin del nudo de referencia:
Se puede escoger a tal fin
cualquier nudo del circuito; sin
embargo, se recomienda elegir
aquel nudo al que concurran un
mayor nmero de ramas por
resultar las ecuaciones, en
general, ms sencillas.
A la hora de determinar los
nudos del circuito, hay que
asegurarse de que todos y cada
uno de los elementos del
circuito est situado entre dos
nudos.
Si dos o ms nudos del circuito
estn unidos por un
cortocircuito, elctricamente
todos esos nudos son slo uno y,
en consecuencia, todos han de
tener igual nombre.
R
1
R
2
R
3
R
4
1/CD
LD
i
g
(t)
0
ref
B
D
C
u
B0
(t)
u
D0
(t)
u
C0
(t)
e
g
(t)/R
2
+
+
+
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 24 CUD/20122013
4.5.2. Mtododeanlisispor
nudos
Aplicacin de la 1LK a todos los nudos (siguiendo el criterio dado),
excepto al nudo de referencia
R
1
R
2
R
3
R
4
1/CD
LD
i
g
(t)
0
ref
B
D
C
u
B0
(t)
u
D0
(t)
u
C0
(t)
e
g
(t)/R
2
NudoB:
B0 B0 C0 B0 D0
1 4
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
( )
1
g
u t u t u t u t u t
i t
R R
CD

+ + =
B0 C0 D0
1 4 4
1 1 1
( ) ( ) ( ) ( )
g
CD u t CD u t u t i t
R R R
| |
+ + =
|
\ .
R
1
R
2
R
3
R
4
1/CD
LD
i
g
(t)
0
ref
B
D
C
u
B0
(t)
u
D0
(t)
u
C0
(t)
e
g
(t)/R
2
NudoC:
C0 C0 B0 C0 D0
2 3 2
( )
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
1
g
e t
u t u t u t u t u t
R R R
CD

+ + =
B0 C0 D0
2 3 3 2
( )
1 1 1
( ) ( ) ( )
g
e t
CD u t CD u t u t
R R R R
| |
+ + + =
|
\ .
+
+
+
+
+
+
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 25 CUD/20122013
4.5.2. Mtododeanlisispor
nudos
R
1
R
2
R
3
R
4
1/CD
LD
i
g
(t)
0
ref
B
D
C
u
B0
(t)
u
D0
(t)
u
C0
(t)
e
g
(t)/R
2
NudoD:
D0 D0 C0 D0 B0
3 4
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
( )
g
u t u t u t u t u t
i t
LD R R

+ + =
B0 D0 C0
4 3 4 3
1 1 1 1 1
( ) ( ) ( ) ( )
g
u t u t u t i t
R R LD R R
| |
+ + + =
|
\ .
Nota: Lasintensidadessiempreseconsideransaliendo
porloselementospasivos,independientemente
delnudoqueestemosconsiderando
1 4 4
B0
C0 2
2
3 3
D0
4 3 3 4
1 1 1
( ) ( )
1 1 1
( ) ( )
( ) ( )
1 1 1 1 1
g
g
g
CD CD
R R R
u t i t
CD CD u t e t R
R R R
u t i t
R R R LD R
(
| |
+ +
( |
\ .
(
(
(
(
| |
(
(
(
+ + =
|
(
(
(
\ .
(
(

(


| |
(
+ +
|
(
\ .

Escribiendolas
ecuacionesen
formamatricial:
+
+
+
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 26 CUD/20122013
4.5.2. Mtododeanlisispor
nudos
Los elementos de la primera matriz tienen dimensiones de
admitancias, los de la segunda tienen dimensiones de
tensiones y los elementos de la tercera, dimensiones de
intensidades. En general, se puede escribir:
donde:
| | | |
( ) ( )
ij i ial
Y u t i t ( =

| |
| |
: Matrizdeadmitanciasdenudo(matrizsimtrica)
( ) : Vectordetensionesdenudo
( ) : Vectordeintensidadesdealimentacindenudo
ij
i
ial
Y
u t
i t
(

: Admitanciapropiadenudo
: Admitanciamutuadenudo
ii
ij
i j
Y
Y
=
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 27 CUD/20122013
4.5.2. Mtododeanlisispor
nudos
Escritura sistemtica de las ecuaciones:
Y
ii
: Suma de las admitancias de los elementos pasivos
que concurren en el nudo i.
Y
ij
,
ij
: Suma, con signo , de las admitancias de los
elementos pasivos que comparten el nudo i y el nudo j
u
i
(t): Tensiones de nudo (incgnitas).
i
ial
(t): Suma algebraica de las intensidades
provenientes de fuentes que entran en el nudo i. Estas
intensidades se toman positivas si entran en el nudo i
y negativas si salen de dicho nudo.
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 28 CUD/20122013
4.5.2. Mtododeanlisispor
nudos
Y
BB
: En el nudo B concurren la
resistencia R
1
, el condensador C y la
resistencia R
4
.
Y
CC
: En el nudo C concurren la
resistencia R
2
, el condensador C y la
resistencia R
3
.
Y
DD
: En el nudo D concurren la
resistencia R
3
, el condensador L y la
resistencia R
4
.
Y
BC
: El nudo B y el nudo C comparten
el condensador C
R
1
R
2
R
3
R
4
1/CD
LD
i
g
(t)
0
ref
B
D
C
u
B0
(t)
u
D0
(t)
u
C0
(t)
e
g
(t)/R
2
Y
BD
: El nudo B y el nudo D
comparten la resistencia R
4
.
Y
CD
: El nudo C y el nudo D comparten
la resistencia R
3
.
2 3
1 1
CC
Y CD
R R
= + +
3 4
1 1 1
DD
Y
R LD R
= + +
BC
Y CD =
4
1
BD
Y
R
=
3
1
CD
Y
R
=
+
+
+
1 4
1 1
BB
Y CD
R R
= + +
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 29 CUD/20122013
4.5.2. Mtododeanlisispor
nudos
Matriz simtrica Y
CB
=Y
BC
, Y
DB
=Y
BD
, Y
DC
=Y
CD
i
Bal
: Al nudo B le llega la intensidad proveniente
de la fuente i
g
(t), y entra en dicho nudo.
i
Cal
: Al nudo C le llega la intensidad proveniente
de la fuente e
g
(t)/R
2
, y entra en dicho nudo.
i
Dal
: Al nudo D le llega la intensidad proveniente
de la fuente i
g
(t), y sale de dicho nudo.
R
1
R
2
R
3
R
4
1/CD
LD
i
g
(t)
0
ref
B
D
C
u
B0
(t)
u
D0
(t)
u
C0
(t)
e
g
(t)/R
2
( ) ( )
Bal g
i t i t =
2
( ) ( ) /
Cal g
i t e t R =
( ) ( )
Dal g
i t i t =
1 4 4
B0
C0 2
2
3 3
D0
4 3 3 4
1 1 1
( ) ( )
1 1 1
( ) ( )
( ) ( )
1 1 1 1 1
g
g
g
CD CD
R R R
u t i t
CD CD u t e t R
R R R
u t i t
R R R LD R
(
| |
+ +
( |
\ . (
(
(
(
| |
(
(
(
+ + =
|
(
(
(
\ .
(
(

(


| |
(
+ +
|
(
\ .

+
+
+
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 30 CUD/20122013
4.5.2. Mtododeanlisispor
nudos
Una vez resuelto el sistema (que, en el caso ms general, se
tratar de un sistema de ecuaciones diferenciales), a partir de
las tensiones de nudo, se pueden determinar las tensiones e
intensidades en todos y cada uno de los elementos del circuito.
R
1
R
2
R
3
R
4
1/CD
LD
i
g
(t)
0
ref
B
D
C
u
B0
(t)
u
D0
(t)
u
C0
(t)
e
g
(t)/R
2
e
g
(t)
R
1
R
2
+
R
3
R
4
1/CD
LD
i
g
(t)
A
B
D
C
u
B0
(t)
u
D0
(t)
u
C0
(t)
+
u
R1
i
R1
+
u
C
i
C
1 0
0
1
1
( ) ( )
( )
( )
R B
B
R
u t u t
u t
i t
R
=
=
( )
0 0
0 0
( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
C B C
C B C
u t u t u t
i t CD u t u t
=
=
+
+
+ +
+
+
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 31 CUD/20122013
4.5.2. Mtododeanlisispor
nudos
En el ejemplo empleado, el circuito analizado no es el circuito original, sino
que se trata de un circuito equivalente a ste. A la hora de calcular
tensiones e intensidades en el circuito original a partir del circuito
equivalente, atencin a las ramas transformadas y los elementos que las
forman.
R
1
R
2
R
3
R
4
1/CD
LD
i
g
(t)
0
ref
B
D
C
u
C0
(t)
e
g
(t)/R
2
e
g
(t)
R
1
R
2
+
R
3
R
4
1/CD
LD
i
g
(t)
A
B
D
C
u
C0
(t)
+
u
R2
u
R2
+
Circuitoequivalente Circuitooriginal
2 0
0
2
2
( ) ( )
( )
( )
R C
C
R
u t u t
u t
i t
R
=
=
2 0
0
2
2
( ) ( ) ( )
( ) ( )
( )
R C g
C g
R
u t u t e t
u t e t
i t
R
=

=
Distintas!!!!!

+ +
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 32 CUD/20122013
4.5.2. Mtododeanlisispor
mallas
Consiste en aplicar la segunda Ley
de Kirchhoff a cada malla del
circuito, utilizando para ello las
intensidades de circulacin de
malla.
Intensidades de circulacin de malla:
Intensidad que es comn a todos las
ramas que forman una malla
Criterio de aplicacin de la 2 LK:
Cadas de tensin positivas las origina
la intensidad de la malla considerada.
Es deseable que todas las fuentes
presentes en el circuito sean fuentes
de tensin (en el caso de fuentes
reales de intensidad, aplicar la
equivalencia de fuentes reales)
Nota: El sentido de las intensidades
de circulacin de malla es arbitrario, a
eleccin de cada cual.
e
g
(t)
R
1
R
2
+
R
3
R
4
1/CD
LD
i
g
(t)
A
B
D
C
e
g
(t)
R
1
R
2
+
R
3
R
4
1/CD
LD
i
g
(t)
A
B
D
C
i
1
(t)
i
2
(t)
i
3
(t)
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 33 CUD/20122013
4.5.2. Mtododeanlisispor
mallas
Aplicacin de la 2LK a todas las mallas del circuito (siguiendo el
criterio dado).
e
g
(t)
R
1
R
2
+
1/CD
LD
R
4
i
g
(t)
A
B
D
+
R
4
i
1
(t)
i
2
(t)
i
3
(t)
R
3
C
Malla1:
( )
1 1 1 3 2 1 2
1
( ) ( ) ( ) ( ) ( ( ) ( )) 0
g
R i t i t i t e t R i t i t
CD
+ + + =
1 2 1 2 2 3
1 1
( ) ( ) ( ) ( )
g
R R i t R i t i t e t
CD CD
| |
+ + =
|
\ .
Malla2:
( ) ( )
2 2 1 3 2 3 2
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) 0
g
R i t i t e t R i t i t LDi t + + =
( )
2 1 2 3 2 3 3
( ) ( ) ( ) ( )
g
R i t R R LD i t R i t e t + + + =
Malla3:
( ) ( )
4 4 3 3 3 2 3 1
1
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) 0
g
R i t R i t R i t i t i t i t
CD
+ + + =
1 3 2 4 3 3 4
1 1
( ) ( ) ( ) ( )
g
i t R i t R R i t R i t
CD CD
| |
+ + + =
|
\ .
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 34 CUD/20122013
4.5.2. Mtododeanlisispor
mallas
Escribiendo estas ecuaciones en forma matricial:
1 2 2
1
2 2 3 3 2
3 4
3 4 3
1 1
( )
( )
( )
( )
1 1 ( ) ( )
g
g
g
R R R
e t
i t
CD CD
e t
R R R LD R i t
i t R i t
R R R
CD CD
(
+ +
(

(
(
(
(
(
+ + =
(
(
(
(
(
(



+ + (

Los elementos de la primera matriz tienen dimensiones de
impedancias, los de la segunda tienen dimensiones de
intensidades y los elementos de la tercera, dimensiones de
tensiones. En general, se puede escribir:
| | | |
( ) ( )
ij i ial
Z i t e t ( =

FundamentosdeElectrotecnia Tema4 35 CUD/20122013
4.5.2. Mtododeanlisispor
mallas
donde:
Escritura sistemtica de las ecuaciones:
Z
ii
: Suma de las impedancias de los elementos pasivos
que pertenecen a la malla i.
| |
| |
: Matrizdeimpedanciasdemalla(matriz simtrica)
( ) : Vectordeintensidadesdealimentacindemalla
( ) : Vectordetensionesdealimentacindemalla
ij
i
ial
Z
i t
e t
(

: Impedanciapropiademalla
: Impedanciamutuademalla
ii
ij
i j
Z
Z
=
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 36 CUD/20122013
4.5.2. Mtododeanlisispor
mallas
Z
ij
,
ij
: Suma algebraica de las impedancias de los elementos
pasivos que pertenecen simultneamente a la malla i y a la
malla j
Signo positivo: Las intensidades de ambas mallas llevan el
mismo sentido sobre la impedancia considerada.
Signo negativo: Las intensidades de ambas mallas tienen
sentidos contrarios sobre la impedancia considerada.
i
i
(t): Intensidades de circulacin de malla (incgnitas).
e
ial
(t): Suma algebraica de los valores de las fuentes de
tensin que pertenecen a la malla i.
Signo positivo: Si la intensidad de la malla considerada sale
por el terminal marcado con + de la fuente.
Signo negativo: Si la intensidad de la malla considera entra
por el terminal marcado con + de la fuente.
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 37 CUD/20122013
4.5.2. Mtododeanlisispor
mallas
e
g
(t)
R
1
R
2
+
1/CD
LD
R
4
i
g
(t)
A
B
D
+
R
4
i
1
(t)
i
2
(t)
i
3
(t)
R
3
C
Z
11
: A la malla 1 pertenecen la
resistencia R
1
, el condensador C y la
resistencia R
2
.
Z
22
: A la malla 2 pertenecen la
resistencia R
2
, la resistencia R
3
y la
bobina L.
Z
33
: A la malla 3 pertenecen la
resistencia R
4
, la resistencia R
3
y el
condensador C.
Z
12
: La malla 1 y la malla 2
comparten la resistencia R
2
. i
2
lleva
sentido contrario a i
1
sobre R
2
.
Z
13
: La malla 1 y la malla 3
comparten el condensador C.
Z
23
: La malla 2 y la malla 3
comparten la resistencia R
3
.
11 1 2
1
Z R R
CD
= + +
22 2 3
Z R R LD = + +
33 4 3
1
Z R R
CD
= + +
12 2
Z R =
13
1
Z
CD
=
23 3
Z R =
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 38 CUD/20122013
4.5.2. Mtododeanlisispor
mallas
Matriz simtrica Z
21
=Z
12
, Z
31
=Z
13
,
Z
32
=Z
23
e
1al
: A la malla 1 pertenece la fuente
e
g
(t) e i
1
(t) entra por el +.
e
2al
: A la malla 2 pertenece la fuente
e
g
(t) e i
2
(t) sale por el +.
e
3al
: A la malla 3 pertenece la fuente
R
4
i
g
(t) e i
3
(t) entra por el +.
1
( ) ( )
al g
e t e t =
3 4
( ) ( )
al g
e t R i t =
2
( ) ( )
al g
e t e t =
e
g
(t)
R
1
R
2
+
1/CD
LD
R
4
i
g
(t)
A
B
D
+
R
4
i
1
(t)
i
2
(t)
i
3
(t)
R
3
C
1 2 2
1
2 2 3 3 2
3 4
3
1 1
( )
( )
( )
( )
1 1 ( ) ( )
4 3
g
g
g
R R R
e t
i t
CD CD
e t
R R R LD R i t
i t R i t
R R R
CD CD
(
+ +
(

(
(
(
(
(
+ + =
(
(
(
(
(
(



+ + (

FundamentosdeElectrotecnia Tema4 39 CUD/20122013
4.5.2. Mtododeanlisispor
mallas
Una vez resuelto el sistema (que, en el caso ms
general, se tratar de un sistema de ecuaciones
diferenciales), a partir de las intensidades de malla, se
pueden determinar las tensiones e intensidades en
todos y cada uno de los elementos del circuito.
1 1
1 1 1
( ) ( )
( ) ( )
R
R
i t i t
u t R i t
=
=
( )
( )
1 3
1 3
( ) ( ) ( )
1
( ) ( ) ( )
C
C
i t i t i t
u t i t i t
CD
=
=
e
g
(t)
g
R
1
R
2
+
R
3
R
4
1/CD
LD
i
g
(t)
A
B
D
C
+
u
R1
i
R1
+
u
C
i
C
e
g
(t)
R
1
R
2
+
1/CD
LD
R
4
i
g
(t)
A
B
D
+
R
4
i
1
(t)
i
2
(t)
i
3
(t)
R
3
C
i
1
(t)
i
2
(t)
i
3
(t)
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 40 CUD/20122013
4.5.2. Mtododeanlisispor
mallas
En el ejemplo empleado, el circuito analizado no es el circuito original, sino
que se trata de un circuito equivalente a ste. A la hora de calcular
tensiones e intensidades en el circuito original a partir del circuito
equivalente, atencin a las ramas transformadas y los elementos que las
forman.
Circuitoequivalente Circuitooriginal
4 3
4 4 3
( ) ( )
( ) ( )
R
R
i t i t
u t R i t
=
=
( )
4 3
4 4 3
( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
R g
R g
i t i t i t
u t R i t i t
= +
= +
Distintas!!!!!

e
g
(t)
R
1
R
2
+
1/CD
LD
R
4
i
g
(t)
A
B
D
+
R
4
i
3
(t)
R
3
C
+
u
R4
i
R4
e
g
(t)
R
1
R
2
+
R
3
R
4
1/CD
LD
i
g
(t)
A
B
D
C
+
u
R4
+
i
R4
i
3
(t)
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 41 CUD/20122013
4.6.Casosespeciales
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 42 CUD/20122013
4.6.1. Circuitosconfuentesideales
detensin
En el caso de anlisis por mallas no es ningn
problema, ya que el mtodo prefiere fuentes de
tensin (no importa si ideales o reales).
En el caso de anlisis por nudos, y al tratarse de una
fuente ideal de tensin, que no conocemos como
convertir en fuente de intensidad, ser necesario
encontrar una forma de solventar este inconveniente.
Procedimiento:
Se da una referencia a la intensidad que circula por la
fuente ideal de tensin.
Esta intensidad (que circular por la fuente ideal de
tensin) se trata, a todos los efectos, como la intensidad
suministrada por una fuente de intensidad.
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 43 CUD/20122013
4.6.1. Circuitosconfuentesideales
detensin
Se ha aadido una incgnita al problema (la
intensidad que circula por la fuente), por lo que hay
que aadir una ecuacin adicional a las ecuaciones
resultantes del anlisis del circuito por el mtodo de
los nudos.
Esta ecuacin adicional se construye poniendo el valor
conocido de la fuente ideal (su tensin), en funcin de
las incgnitas principales del problema (en este caso
las tensiones de nudo).
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 44 CUD/20122013
4.6.1. Circuitosconfuentesideales
detensin
Ejemplo: Analizar por el mtodo de los nudos
e
g
(t)
R
1
R
2
+
C
B
R
3
A
i
g
(t)
e
g
(t)
R
1
R
2
+
0
B
R
3
A
i
g
(t)
u
A0
(t)
u
B0
(t)
i
e
(t)
0 1 2 2
0
2 2 3
1 1 1
( ) ( )
1 1 1 ( )
( )
0
A g e
B
u t i t R R R
u t
R R R
i t
(
+
(
+
( (
(
=
( (
(

+
(

2ecuaciones,3incgnitas:u
A0
(t),u
B0
(t)ei
e
(t)
Ecuacinadicional:
0
( ) ( )
g A
e t u t =
Porlotanto:3ecuaciones,3incgnitasSOLUCINNICA
Loquesabemosdelafuente:e
g
(t)
Enfuncindelasincgnitas:u
A0
(t),u
B0
(t)
Incgnitaaadida
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 45 CUD/20122013
4.6.2. Circuitosconfuentesideales
deintensidad
En el caso de anlisis por nudos no es ningn
problema, ya que el mtodo prefiere fuentes de
intensidad (no importa si ideales o reales).
En el caso de anlisis por mallas, y al tratarse de una
fuente ideal de intensidad, que no conocemos como
convertir en fuente de tensin, ser necesario
encontrar una forma de solventar este inconveniente.
Procedimiento:
Se da una referencia a la tensin que cae en bornes de la
fuente ideal de intensidad.
Esta tensin (que cae en bornes de la fuente ideal de
intensidad) se trata, a todos los efectos, como se tratan las
tensiones en bornes de las fuentes de tensin.
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 46 CUD/20122013
4.6.2. Circuitosconfuentesideales
deintensidad
Se ha aadido una incgnita al problema (la tensin
en bornes de la fuente), por lo que hay que aadir una
ecuacin adicional a las ecuaciones resultantes del
anlisis del circuito por el mtodo de las mallas.
Esta ecuacin adicional se construye poniendo el valor
conocido de la fuente ideal (su intensidad), en funcin
de las incgnitas principales del problema (en este
caso las intensidades de circulacin de malla).
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 47 CUD/20122013
4.6.2. Circuitosconfuentesideales
deintensidad
Ejemplo: Analizar por el mtodo de las mallas
1 1
2 3 2
0 ( ) ( )
0 ( )
( )
( )
i g
i
R i t e t
R
u t
u R t t i

( ( (
=
( ( (
+

2ecuaciones,3incgnitas:i
1
(t),i
2
(t)yu
i
(t)
Ecuacinadicional:
2 1
( ) ( ) ( )
g
i t i t i t =
Porlotanto:3ecuaciones,3incgnitasSOLUCINNICA
Loquesabemosdelafuente:i
g
(t)
Enfuncindelasincgnitas:i
1
(t),i
2
(t)
Incgnitaaadida
e
g
(t) R
1
R
2
+
C
B
R
3
A
i
g
(t)
e
g
(t) R
1
R
2
+
C
B
R
3
A
i
g
(t)
i
1
(t)
i
2
(t)
u
i
(t)
+
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 48 CUD/20122013
4.6.3. Circuitosconbobinas
acopladasmagnticamente
Los circuitos que contengan bobinas acopladas
magnticamente y/o transformadores ideales, se
analizarn mediante el mtodo de las mallas
(salvo casos especiales en los que se pueda obviar
el acoplamiento magntico).
Es posible la escritura directa de las ecuaciones de
malla, si bien, en el caso de presencia de bobinas
acopladas magnticamente y/o transformadores
la regla para dicha escritura se hace ms
complicada (buscar en la bibliografa en caso de
inters)
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 49 CUD/20122013
4.6.3. Circuitosconbobinas
acopladasmagnticamente
En el caso de presencia de bobinas acopladas magnticamente,
se recomienda aplicar la 2LK a cada malla. Para aplicarla, se
suman las tensiones en todos los elementos de cada malla y se
hace esta suma igual a cero. Se recomienda empezar la suma de
tensiones en un punto de la malla y terminarla en ese mismo
punto, teniendo en cuenta que las tensiones en las bobinas
acopladas no slo se deben a que circula intensidad por ellas,
sino que tambin se deben a que circula intensidad por las
bobinas con las que estn acopladas.
En el caso de presencia de transformadores ideales, se
recomienda aplicar la 2 LK a cada malla incluyendo la cada de
tensin en los devanados del transformador y escribir ms
adelante las ecuaciones de definicin del transformador de
acuerdo a las referencias consideradas.
Recordar el criterio de escritura de la 2 LK en el mtodo de
anlisis por mallas: Cadas de tensin positivas las crea la
intensidad de la malla considerada en cada momento.
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 50 CUD/20122013
4.6.3. Circuitosconbobinas
acopladasmagnticamente
Ejemplo:
R
1
R
2
+
+
i
1
(t)
i
2
(t)
R
3
e
g1
(t)
e
g2
(t)
L
1
D
L
2
D
MD
Malla1:
( )
1
1 1 2 1 1 2 2 1 1
CadadetensinenbobinaL
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) 0
g
L D i t MD i t R i t i t R i t e t + + =

Malla2:
( )
2
2 2 2 1 3 2 1 2 1
CadadetensinenbobinaL
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) 0
g
e t L D i t MD i t R i t R i t i t + + + =

En la bobina L
1
cae tensin debido a
que circula intensidad por ella (en
este caso i
1
(t)), pero tambin debido
a que circula intensidad por la
bobina L
2
(en este caso i
2
(t)).
Idem para la bobina L
2
1
1 1 2 1 1
2
1 2 3 1 2
( )
( )
( )
( )
g
g
e t
L D R R R MD i t
e t
R MD L D R R i t
+ + (
( (
=
(
( (
+ +


FundamentosdeElectrotecnia Tema4 51 CUD/20122013
4.6.3. Circuitosconbobinas
acopladasmagnticamente
Ejemplo:
Malla1:
( ) ( )
1 2
1 1 1 2 2 1 2 1 2 1 1
CadadetensinenbobinaL CadadetensinenbobinaL
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) 0
g
L D i t MD i t i t L D i t i t MD i t R i t e t + + + + =

Malla2: ( )
2
2 1 2 3 2 2 2 1 1
CadadetensinenbobinaL
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) 0
g
e t R i t R i t L D i t i t MD i t + + + =

1
1 2 2 2 1
2
2 2 3 1 2
( )
2 ( )
( )
( )
g
g
e t
L D L D R MD MD L D i t
e t
MD L D L D R R i t
+ + + (
( (
=
(
( (
+ +


R
1
R
2
+
+
i
1
(t)
i
2
(t)
R
3
e
g1
(t)
e
g2
(t)
L
1
D
L
2
D
MD
CadadetensinpositivaenL
2
como
elementodelamalla1
CadadetensinpositivaenL
2
como
elementodelamalla2
Porelcriterioexpresado:
+
+
+
+
Fundamentos de Electrotecnia Tema 4 1 CUD / 2012-2013
4.6.3 Escritura directa de las ecuaciones de malla
con circuitos que contengan bobinas
acopladas magnticamente.

Fundamentos de Electrotecnia Tema 4 2 CUD / 2012-2013
4.6.3. Circuitos con bobinas
acopladas magnticamente
Escritura directa de las ecuaciones de malla con circuitos
que contengan bobinas acopladas magnticamente.
Escribir la matriz de impedancias como si todas las
bobinas fueran independientes (sin induccin mutua).
Inspeccionar el circuito por si alguna intensidad de
malla i
k
(t) atraviesa dos bobinas acopladas a la vez.
En tal caso, aadir en la posicin Z
kk
de la diagonal de
la matriz:
92MD si en una bobina i
k
(t) entra por x y en la otra i
k
(t)
sale por x
9+2MD en otro caso (Es decir, en las dos bobinas i
k
(t) entra
por x o en las dos bobinas i
k
(t) sale por x)
Fundamentos de Electrotecnia Tema 4 3 CUD / 2012-2013
4.6.3. Circuitos con bobinas
acopladas magnticamente
Inspeccionar el circuito por si hay algn par de
bobinas acopladas atravesadas por dos
intensidades de malla diferentes i
k
(t) y i
m
(t). En tal
caso, aadir en la posicin Z
km
de la matriz (y en
su simtrica Z
km
):
9MD si en una bobina i
k
(t) entra por x y en la otra i
m
(t)
sale por x
9+MD en otro caso [en las dos bobinas las intensidades
entran por x o en las dos bobinas salen por x ]
Fundamentos de Electrotecnia Tema 4 4 CUD / 2012-2013
4.6.3. Circuitos con bobinas
acopladas magnticamente
Ejemplo:
R
1


R
2



+



















+
i
1
(t)
i
2
(t)
R
3











e
g1
(t)
e
g2
(t) L
1
D

L
2
D





MD

Sistema sin considerar acoplamientos
magnticos:
1 1 1 2 1 1
2 1 2 3 1 2
( ) ( )
( ) ( )
g
g
e t L D R R R i t
e t R L D R R i t
MD
MD

1 1 1 2 1 1
2 1 2 3 1 2
( ) ( )
( ) ( )
g
g
e t L D R R R i t
e t R L D R R i t




i
1
(t) no atraviesa dos bobinas acopladas a la vez
i
2
(t) tampoco atraviesa dos bobinas acopladas a la vez
o no hay que aadir trminos en la diagonal
i
1
(t) entra por x en L
1
e i
2
(t) sale por x en L
2

o hay que aadir en la posicin (1,2) y en (2,1) de la matriz el trmino MD
Fundamentos de Electrotecnia Tema 4 5 CUD / 2012-2013
4.6.3. Circuitos con bobinas
acopladas magnticamente
Ejemplo:
1 1 2 2 2 1
2 2 2 3 1 2
( ) 2 ( )
( ) ( )
g
g
MD
MD
e t L D L D R MD L D i t
e t L D L D R R i t

R
1


R
2



+



















+
i
1
(t)
i
2
(t)
R
3











e
g1
(t)
e
g2
(t) L
1
D

L
2
D



MD


Sistema sin considerar acoplamientos
magnticos:
1 1 2 2 2 1
2 2 2 3 1 2
( ) ( )
( ) ( )
g
g
e t L D L D R L D i t
e t L D L D R R i t




i
1
(t) atraviesa dos bobinas acopladas a la vez, entrando en ambas bobinas por x
o hay que aadir un trmino +2MD en la diagonal (1,1)
1 1 2 2 2 1
2 2 2 3 1 2
( ) ( )
( ) ( )
2
g
g
e t L D L D R L D i t
e t L D L D R R i
MD
t

Signo + porque i
1
(t) entra en ambas bobinas por x
i
1
(t) entra por x en L
1
e i
2
(t) sale por x en L
2

o hay que aadir en la posicin (1,2) y en (2,1) de la matriz el trmino MD
Fundamentos de Electrotecnia Tema 4 8 CUD / 2012-2013
4.6.3. Circuitos con bobinas
acopladas magnticamente
Ejemplo:
1 2 1 1 12
3 1
13
13 2
( ) ( )
( ) 0
2
g
M D
M D
L D L D i M D t e t
L D R i t


Sistema sin acoplamientos magnticos:
1 2 1 1
3 1 2
0 ( ) ( )
0 ( ) 0
g
L D L D i t e t
L D R i t


i
1
(t) atraviesa las bobinas 1 y 2 a la vez,
entrando por x en L
1
y saliendo por x en L
2

o hay que aadir un trmino -2M
12
D
1 2 1 1
3
2
1 2
1
0 ( ) ( )
0 ( ) 0
2
g
L D L D i t e t
L D R i t
M D


Signo - porque i
1
(t) entra y sale por x
i
1
(t) entra por c en L
1
e i
2
(t) sale por c en L
3
o aadir trminos M
13
D
12 1 2 1 1
3 1 2
13
13
23
23
( ) ( )
( ) 0
2
g
L D L D i t e t
L D R
M
i t
D
M
M D M D
D M D

i
1
(t) sale por en L
2
e i
2
(t) entra por en L
3
o aadir trminos M
23
D
i
1
(t)
i
2
(t)
+ e
g1
(t)



























L
1
L
2
L
3
M
13
M
23
M
12 R
1


FundamentosdeElectrotecnia Tema4 52 CUD/20122013
4.6.4. Circuitoscon
transformadoresideales
Ejemplo:
R
1
R
2
+
+
i
1
(t)
i
2
(t)
R
3
e
g1
(t)
e
g2
(t)
a:1
u
s
(t)
u
p
(t)
i
s
(t)
i
p
(t)
+
+
Malla1:

1 1 2 2 1 1
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) 0
p g
u t R i t i t R i t e t
Malla2:

2 3 2 1 2 1
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) 0
g s
e t u t R i t R i t i t
Ecs.transformador:
( )
( )
p
s
u t
a
u t

( )
1
( )
p
s
i t
i t a

1
2
( ) ( )
( ) ( )
p
s
i t i t
i t i t


1 1 2 2 1 1
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) 0
s g
au t R i t i t R i t e t
1 2
1
( ) ( ) i t i t
a

( ) ( )
p s
u t au t

2 3 2 1 2 1
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) 0
g s
e t u t R i t R i t i t
1 2
1
( ) ( ) i t i t
a

incgnitas:
1 2
( ), ( ), ( )
s
u t i t i t
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 53 CUD/20122013
4.6.5. Circuitosconfuentes
dependientes
El tratamiento de las fuentes dependientes es
idntico al seguido con las fuentes independientes.
Por cada fuente dependiente, ser necesario agregar
una ecuacin expresando la tensin o la intensidad
de la que depende dicha fuente en funcin de las
incgnitas principales del mtodo de anlisis utilizado
(las tensiones de nudo en el caso del mtodos de
nudo o las intensidades de circulacin de malla en el
caso del mtodo de mallas).
En algunos casos, y si se reagrupan las ecuaciones
una vez escritas, es posible que la matriz de
admitancias de nudo/impedancias de malla, no sea
simtrica.
FundamentosdeElectrotecnia Tema4 54 CUD/20122013
Referencias
PARRA, V. M.; ORTEGA, J.; PASTOR, A.; PEREZ, A.: Teora de Circuitos
(Tomo I). Universidad Nacional de Educacin a Distancia (UNED).
BAYOD, A.A.; BERNAL, J.L.; DOMINGUEZ, J.A.; GARCIA GARCIA, M.A.;
LLOMBART, A.; YUSTA, J.M.: Anlisis de circuitos elctricos I. Coleccin
Textos Docentes, vol. 58. Prensas Universitarias de Zaragoza.
FundamentosdeElectrotecnia Tema5 1 CUD/20122013
Tema5
TeoremasFundamentalesdelAnlisis
deCircuitos
FundamentosdeElectrotecnia Tema5 2 CUD/20122013
ndice
Tema5. Teoremasfundamentalesdelanlisisde
circuitos.
5.1.Introduccin.
5.2.Teorema de Superposicin.
5.3.TeoremadeThvenin.Equivalente
Thvenin.
5.4.Teorema de Norton. Equivalente Norton.
5.5.Equivalente Thvenin y equivalente Norton.
FundamentosdeElectrotecnia Tema5 3 CUD/20122013
5.1. Introduccin
FundamentosdeElectrotecnia Tema5 4 CUD/20122013
5.1.Introduccin
Un teorema es una proposicin que hay que
demostrar por medio de un razonamiento lgico a
partir de hechos o de hiptesis de los cuales el
teorema es la consecuencia evidente (opuesto a
problema).
Consta de tres partes:
hiptesis, que es lo que se supone;
tesis, que es lo que se afirma;
y demostracin, que es lo que prueba la tesis.
Los teoremas que a continuacin se van a exponer
pueden representar una alternativa o un
complemento a los mtodos de anlisis que
usualmente se aplican.
FundamentosdeElectrotecnia Tema5 5 CUD/20122013
5.1.Introduccin
Un circuito lineal es aquel cuyo comportamiento
puede caracterizarse por medio de una ecuacin
diferencial lineal.
Una propiedad importante de los circuitos lineales
es que, si todas las fuentes de un circuito lineal
son multiplicadas por una cantidad constante, las
respuestas de dicho circuito se vern
multiplicadas por esa misma constante (principio
de linealidad).
FundamentosdeElectrotecnia Tema5 6 CUD/20122013
5.2. Teoremadesuperposicin
FundamentosdeElectrotecnia Tema5 7 CUD/20122013
5.2.Teoremadesuperposicin
Si en un circuito lineal actan varias fuentes de
excitacin de forma simultnea, la respuesta
(tensin o intensidad) de dicho circuito ser igual
a la suma de las respuestas de dicho circuito
cuando acta cada una de las fuentes de
excitacin por separado.
Este teorema es vlido para circuitos que incluyan
fuentes dependientes.
FundamentosdeElectrotecnia Tema5 8 CUD/20122013
5.2.Teoremadesuperposicin
1
1
1 2 4
g
E
I
R R R


Pordivisordeintensidad:
1 2
3
4 1 2
1
1 1
R R
I u
R R R

u =R
2
I
1 2 3
I I I I
1 2
2 4 1 2 4
g g
E E
I
R R R R R


E
g1
R
1
+
R
4
U
=
=
+
E
g2
+
U
R
2
R
3
I
Ejemplo:DeterminarlaintensidadIaplicandoelteoremadesuperposicin.
2
2
1 2 4
g
E
I
R R R


Superposicin:
E
g2
,U=0
E
g1
,U=0
E
g1
, E
g2
=0
FundamentosdeElectrotecnia Tema5 9 CUD/20122013
5.3. TeoremadeThvenin.EquivalenteThvenin
FundamentosdeElectrotecnia Tema5 10 CUD/20122013
5.3.TeoremadeThvenin
Ante cualquier otro dipolo conectado a l, un dipolo
activo es equivalente a una fuente real de tensin,
formada por, una fuente ideal de tensin de valor la
tensin que aparece entre los terminales del dipolo activo
si stos se encuentran a circuito abierto, y en serie una
impedancia de valor la impedancia vista desde los
terminales del dipolo pasivo correspondiente al activo
dado.
Thvenin
Dipolo
activo
Cualquier
dipolo
1
1
Cualquier
dipolo
+
Z
eq
u
0
(t)
1
1
FundamentosdeElectrotecnia Tema5 11 CUD/20122013
5.3.TeoremadeThvenin
Determinacin de los valores de la fuente real:
El circuito pasivo correspondiente al activo dado se
construye haciendo cero todas las fuentes independientes
del circuito. Las fuentes dependientes se dejan tal cual
estn en el circuito, es decir, no se tocan.
El equivalente Thvenin de un dipolo activo es la fuente
real que le es equivalente.
Dipolo
activo
u
0
(t)
i(t)=0
Dipoloactivoacircuitoabierto
1
1
+
Dipolo
pasivo
Z
eq
(D)
Dipolopasivo
1
1
FundamentosdeElectrotecnia Tema5 12 CUD/20122013
5.4. TeoremadeNorton.EquivalenteNorton
FundamentosdeElectrotecnia Tema5 13 CUD/20122013
5.4.TeoremadeNorton
Ante cualquier otro dipolo conectado a l, un dipolo
activo es equivalente a una fuente real de intensidad,
formada por, una fuente ideal de intensidad de valor la
intensidad que circula entre los terminales del dipolo
activo si stos se cortocircuitan, y en paralelo una
impedancia de valor la impedancia vista desde los
terminales del dipolo pasivo correspondiente al activo
dado.
Norton
Cualquier
dipolo
Z
eq
i
cc
(t)
1
1
Dipolo
activo
Cualquier
dipolo
1
1
FundamentosdeElectrotecnia Tema5 14 CUD/20122013
5.4.TeoremadeNorton
Determinacin de los valores de la fuente real:
El circuito pasivo correspondiente al activo dado se
construye haciendo cero todas las fuentes independientes
del circuito. Las fuentes dependientes se dejan tal cual
estn en el circuito, es decir, no se tocan.
El equivalente Norton de un dipolo activo es la fuente
real que le es equivalente.
Dipolo
activo
i
cc
(t)
u(t)=0
Dipoloactivoencortocircuito
1
1
+
Dipolo
pasivo
Z
eq
(D)
Dipolopasivo
1
1
FundamentosdeElectrotecnia Tema5 15 CUD/20122013
5.5.EquivalenteThveninyequivalenteNorton
FundamentosdeElectrotecnia Tema5 16 CUD/20122013
5.5. EquivalenteThveniny
EquivalenteNorton
El equivalente Thvenin y el equivalente Norton
de un mismo dipolo activo, son fuentes reales
equivalentes.
Dipolo
activo
1
1
1
1
i
cc
(t) Z
eq
(D)
+
Z
eq
(D)
u
0
(t)
1
1
Siempresecumpleque:
0
( ) ( ) ( )
eq cc
u t Z D i t
Eq.Thvenin
Eq.Norton
FundamentosdeElectrotecnia Tema5 17 CUD/20122013
Referencias
PARRA, V. M.; ORTEGA, J.; PASTOR, A.; PEREZ, A.: Teora de Circuitos
(Tomo I). Universidad Nacional de Educacin a Distancia (UNED).
BAYOD, A.A.; BERNAL, J.L.; DOMINGUEZ, J.A.; GARCIA GARCIA, M.A.;
LLOMBART, A.; YUSTA, J.M.: Anlisis de circuitos elctricos I. Coleccin
Textos Docentes, vol. 58. Prensas Universitarias de Zaragoza.
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 1 CUD/20122013
Tema6
Anlisisdecircuitosenrgimen
estacionariosinusoidal
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 2 CUD/20122013
ndice
Tema 6. Anlisis de circuitos en rgimen estacionario
sinusoidal.
6.1. Introduccin.
6.2. Generacin de una tensin sinusoidal.
6.3. Formas de onda sinusoidales. Propiedades.
6.3.1. Formas de onda sinusoidales.
6.3.2. Valores asociados a formas de onda sinusoidales.
6.4. Circuitos alimentados con fuentes sinusoidales.
6.5. Determinacin del Rgimen Estacionario Sinusoidal (RES).
6.5.1. Determinacin del Rgimen Estacionario Sinusoidal por el
mtodo de los coeficientes indeterminados.
6.5.2. Determinacin del Rgimen Estacionario Sinusoidal por el
mtodo simblico.
6.6. Impedancias y Admitancias complejas. Asociacin de
impedancias complejas.
6.6.1. Impedancias y admitancias complejas.
6.6.2. Asociacin de impedancias complejas.
contina
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 3 CUD/20122013
ndice
6.7. Elementos pasivos en rgimen estacionario sinusoidal.
6.7.1. Resistencia.
6.7.2. Bobina.
6.7.3. Condensador.
6.7.4. Bobinas acopladas magnticamente.
6.7.5. Transformador ideal.
6.8. Leyes de Kirchhoff en rgimen estacionario sinusoidal.
6.8.1. Primera ley de Kirchhoff en rgimen estacionario sinusoidal.
6.8.2. Segunda ley de Kirchhoff en rgimen estacionario sinusoidal.
6.9. Mtodos de anlisis de circuitos en rgimen estacionario
sinusoidal.
6.10.Teoremas fundamentales en rgimen estacionario sinusoidal.
6.10.1. Teorema de superposicin.
6.10.2. Teorema de Thvenin.
6.10.3. Teorema de Norton.
6.11.Estudio de circuitos bsicos en rgimen estacionario sinusoidal.
6.11.1. Circuito RC.
6.11.2. Circuito RL.
6.11.3. Circuito RLC.
6.11.4. Resumen.
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 4 CUD/20122013
6.1.Introduccin
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 5 CUD/20122013
6.1. Introduccin
Generacin, transporte, distribucin y consumo de la energa
elctrica se lleva a cabo principalmente en forma sinusoidal.
Inicialmente, el principal uso de la electricidad era la
iluminacin. A medida que la energa elctrica cobr
importancia como fuente de energa, comenz la disyuntiva
entre corriente alterna y corriente continua, adoptndose
finalmente como mayoritario el uso de la corriente alterna.
La principal ventaja de la corriente alterna sobre la continua
es la eficiencia en el transporte de la energa elctrica.
Se van a ver los fundamentos del anlisis de circuitos en
rgimen estacionario sinusoidal, utilizando para ello el
mtodo simblico desarrollado por Steinmetz. Para el anlisis
de dichos circuitos, se utilizarn los nmeros complejos.
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 6 CUD/20122013
6.2.Generacindeunatensinsinusoidal
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 7 CUD/20122013
6.2. Generacindeunatensin
sinusoidal
Bobina rectangular de N espiras situada en un campo
magntico uniforme.
Flujo que atraviesa una espira:
Flujo que atraviesa las N espiras de la bobina:
cos
S
BdS B A | u = =
}

cos N B A u u =

N
S
e
B
dS
u
u = et
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 8 CUD/20122013
6.2. Generacindeunatensin
sinusoidal
Si la bobina gira con una velocidad angular e, el flujo que
la atraviesa variar con el tiempo:
Por la Ley de induccin de Faraday, se inducir una
fuerza electromotriz en bornes de la bobina de valor:
De forma ms general, se puede escribir:
donde U
0
es el valor mximo que alcanza la tensin
generada en bornes de la bobina.
( ) cos t N B A t e u =
( )
( )
m
d t
u t N B A sen t N sen t
dt
e e e e
u
= = = u
( )
0
( ) cos
u
u t U t e = +
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 9 CUD/20122013
6.3. Formasdeondasinusoidales.Propiedades
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 10 CUD/20122013
6.3.1. Formasdeondasinusoidales
Se dice que una forma de onda es sinusoidal si sigue la
ecuacin:
Para toda forma de onda sinusoidal se verifica que:
Toda forma de onda sinusoidal se puede expresar en forma
seno o coseno, con slo cambiar su fase inicial:
0
( ) sen( ) f t F t e = +
0
: Amplitud
:Pulsacin
:Fasedelaonda
:Faseinicial
F
t
e
e

+
donde:
2 =2 T f e t e t =
: periodo(s)
: frecuencia(Hz)
T
f
donde:
0 0
0 0
( ) sen( ) cos( 2)
( ) cos( ) sen( 2)
f t F t F t
f t F t F t
e e t
e e t
= + = +
= + = + +
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 11 CUD/20122013
6.3.2. Valoresasociadosaformas
deondasinusoidales
Valordepico: Distancia
verticalentreelceroyel
valormximo(oel
mnimo)delaformade
onda.Enondassinusoidales
coincideconlaamplitud(F
0
).
Valordepicoapico:
Distanciaverticalentreel
valormximoyelvalor
mnimodeunaformade
onda.Enondassinusoidales,
dosveceslaamplitud(2F
0
).
Valormedio: Promedio
integralenunperodo.
0 0
0
1
( en 0 ) s
T T
m
F
t f f t d dt
T T
t e = = =
} }
Ciclo: Porcindeonda
comprendidaenunintervalo
igualaunperiodo.
Frecuencia: Ndeciclosque
tienenlugarenunaunidadde
tiempo.
1
1 T f f
T
= =
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 12 CUD/20122013
6.3.2. Valoresasociadosaformas
deondasinusoidales
Valor eficaz: Es el resultado de:
El valor eficaz de cualquier forma de onda siempre es distinto de cero.
Interpretacin fsica del valor eficaz:
El valor eficaz de una tensin alterna es el valor de la tensin
continua que, aplicada a una resistencia, produce la misma
disipacin de calor que el producido por dicha tensin alterna
aplicada a esa misma resistencia.
El valor eficaz de una intensidad alterna es el valor de la intensidad
continua que, circulando por una resistencia, produce la misma
disipacin de calor que el producido por dicha intensidad alterna
circulando por esa misma resistencia.
( )
2
0
0
Sloenelcasodeformasde
1
( ) ondasinusoida s le
2

T
ef
F f t dt
T
F
= =
}
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 13 CUD/20122013
6.3.2. Valoresasociadosaformas
deondasinusoidales
Desfase entre dos ondas:
Para medir el desfase entre dos
ondas, se comparan estados
homlogos de ambas ondas que
estn separados por menos de un
semiperiodo (1 y 2 1 y 2, pero
no 1 y 2, por ejemplo).
Adelanta lo que primero sucede y,
teniendo en cuenta que el eje
horizontal es un eje de tiempo
creciente, el punto 1 sucede antes
que el punto 2. Por lo tanto, en el
ejemplo, la onda 1 adelanta a la
onda 2.
d suele expresarse en grados
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 14 CUD/20122013
6.3.3. Propiedadesdelasformasde
ondasinusoidales
Las ondas sinusoidales cumplen las siguientes
propiedades matemticas:
Al sumar o restar varias ondas sinusoidales de la
misma frecuencia se obtiene otra onda sinusoidal de
la misma frecuencia.
Al derivar o integrar cualquier nmero de veces una
onda sinusoidal se obtiene otra onda sinusoidal de la
misma frecuencia.
El producto de dos formas de onda sinusoidales, es
otra forma de onda sinusoidal (aunque no de la
misma frecuencia).
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 15 CUD/20122013
6.4. Circuitosalimentadosconfuentes
sinusoidales
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 16 CUD/20122013
6.4. Circuitosalimentadosconfuentes
sinusoidales
Sea un circuito:
Aplicando la 2 ley de Kirchhoff al circuito:
Y a partir de las ecuaciones de definicin de los
elementos del circuito:
( ) ( ) ( )
g R L
e t u t u t = +
( ) ( )
R
u t R i t = ( ) ( )
L
u t LD i t =
+
R
LD
+
u
R
(t)
+
u
L
(t)
e
g
(t)=E
0
cos (et+
u
)
i(t)
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 17 CUD/20122013
6.4. Circuitosalimentadosconfuentes
sinusoidales
La ecuacin diferencial que rige el
comportamiento del circuito es:
Y dado que la fuente de tensin es sinusoidal:
La intensidad que circula por el circuito (es decir,
su respuesta) es la solucin de esta ecuacin
diferencial.
( ) ( ) ( )
g
R i t LD i t e t + =
0
( ) ( ) cos( )
u
R i t LD i t E t e + = +
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 18 CUD/20122013
6.4. Circuitosalimentadosconfuentes
sinusoidales
Solucin: Intensidad que circula por el circuito i(t)
1 IV1
100m 300m 500m 700m 900m
TIME in seconds
-1.00
-600m
-200m
200m
600m
I
V
1

i
n

a
m
p
e
r
e
s
P
l
o
t
1
1
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 19 CUD/20122013
6.4. Circuitosalimentadosconfuentes
sinusoidales
Solucin completa de la ecuacin diferencial:
Ecuacin diferencial homognea:
Es el modo natural del circuito, constituye su rgimen
transitorio.
Se amortigua con el tiempo.
No depende de la forma de onda de la fuente de
excitacin del circuito.
homognea
( ) ( )
particular
i t i (t) i t = +
( )
( ) 0
di t
R i t L
dt
+ =
0 0
( )
R
t
L
h
E E
i t e
R R

=
Solucin
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 20 CUD/20122013
6.4. Circuitosalimentadosconfuentes
sinusoidales
Solucin de la ecuacin diferencial homognea:
1 IV1
100m 300m 500m 700m 900m
TIME in seconds
-15.0
-5.00
5.00
15.0
25.0
I
V
1

i
n

a
m
p
e
r
e
s
P
l
o
t
1
1
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 21 CUD/20122013
6.4. Circuitosalimentadosconfuentes
sinusoidales
Solucin particular:
Se prueba una solucin que tenga la misma forma que
la excitacin del circuito:
Esta solucin constituye el rgimen permanente o
rgimen estacionario del circuito.
Queda totalmente determinada calculando el valor de
la amplitud I
0
y el valor del ngulo
i
.
0
( ) cos( )
p i
i t I t e = +
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 22 CUD/20122013
6.4. Circuitosalimentadosconfuentes
sinusoidales
Solucin particular de la ecuacin diferencial:
1 IV1
1.10 1.30 1.50 1.70 1.90
TIME in seconds
-2.00
-1.00
0
1.00
2.00
I
V
1

i
n

a
m
p
e
r
e
s
P
l
o
t
1
1
Rgimenpermanente
orgimenestacionario
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 23 CUD/20122013
6.4. Circuitosalimentadosconfuentes
sinusoidales
Solucin completa i(t):
1 IV1
1.10 1.30 1.50 1.70 1.90
TIME in seconds
-400m
-200m
0
200m
400m
I
V
1

in

a
m
p
e
r
e
s
P
lo
t
1
1
1 IV1
100m 300m 500m 700m 900m
TIME in seconds
-1.00
-600m
-200m
200m
600m
I
V
1

i
n

a
m
p
e
r
e
s
P
l
o
t
1
1
1 IV1
100m 300m 500m 700m 900m
TIME in seconds
-15.0
-5.00
5.00
15.0
25.0
I
V
1

in

a
m
p
e
r
e
s
P
lo
t
1
1
+
=
Rgimen
Estacionario
Sinusoidal(RES)
=
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 24 CUD/20122013
6.5. DeterminacindelRgimenEstacionario
Sinusoidal
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 25 CUD/20122013
6.5. DeterminacindelRgimen
EstacionarioSinusoidal
El rgimen estacionario de un circuito viene dado
por la solucin particular de la ecuacin
diferencial que rige el comportamiento de dicho
circuito.
Formas de determinar los parmetros de la
solucin particular:
Mtodo de los coeficientes indeterminados o
cualquier otro que permita la resolucin de la
ecuacin diferencial.
Mtodo simblico.
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 26 CUD/20122013
6.5.1 DeterminacindelRESporel
mtododeloscoefs.indeterminados
Mtodo de los coeficientes indeterminados:
Se considera una solucin particular de la ecuacin con
la misma forma que el trmino independiente, donde I
0
y
i
son los coeficientes a determinar.
Esta solucin ha de satisfacer la ecuacin diferencial:
Desarrollando las sumas de senos y cosenos se llega a:
0 0 0
sen( ) cos( ) cos( )
i i u
LI t RI t E t e e e e + + + = +
0 0 0 0
0 0
sen cos cos cos cos sen sen
cos cos sen sen
i i i i
u u
LI t LI t sen RI t RI t
E t E t
e e e e e e
e e
+ =
=
0
( ) cos( )
p i
i t I t e = +
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 27 CUD/20122013
6.5.1 DeterminacindelRESporel
mtododeloscoefs.indeterminados
Agrupando trminos e igualando coeficientes, se
obtiene:
Ecuaciones que constituyen un sistema de ecuaciones
que permite calcular las incgnitas I
0
y
i
.
Elevando al cuadrado los dos miembros de ambas
ecuaciones:
0 0 0
cos cos
i i u
RI LI sen E e =
0 0 0
sen cos sen
i i u
RI LI E e =
2 2 2 2 2 2 2 2 2 2
0 0 0 0
cos sen 2 cos sen cos
i i i i u
R I L I R LI E e e + =
2 2 2 2 2 2 2 2 2 2
0 0 0 0
sen cos 2 cos sen sen
i i i i u
R I L I R LI E e e + + =
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 28 CUD/20122013
6.5.1 DeterminacindelRESporel
mtododeloscoefs.indeterminados
Sumando miembro a miembro ambas ecuaciones:
y despejando, se obtiene:
Si dividimos ambas ecuaciones:
que tambin puede escribirse:
0
0
2 2 2
E
I
R L e
=
+
2 2 2 2 2 2
0 0 0
R I L I E e + =
sen cos
cos sen
i i
u
i i
R L
tg
R L
e

e
+
=
+
tg
tg
1 tg
i
u
i
L
R
L
R
e

e

+
=

FundamentosdeElectrotecnia Tema6 29 CUD/20122013


6.5.1 DeterminacindelRESporel
mtododeloscoefs.indeterminados
Si se denota por tg a la expresin:
se obtiene que:
y, por lo tanto:
Esto es, la solucin particular de la ecuacin diferencial
queda:
L
tg
R
e
=
( )
u i
tg tg = +
i u
=
0
2 2 2
( ) cos( )
p u
E
i t t
R L
e
e
= +
+
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 30 CUD/20122013
6.5.2 DeterminacindelRESporel
mtodosimblico
Mtodo simblico:
Consiste en la resolucin analtica de circuitos en
rgimen estacionario sinusoidal mediante la aplicacin
del clculo complejo a travs del mtodo vectorial
complejo.
El mtodo se basa en la frmula de Euler:
Esta ecuacin representa, en el plano complejo, un
vector unitario que gira en el sentido contrario a las
agujas del reloj, con una velocidad angular de e
radianes/segundo.
cos sen siendo 1
j t
e t j t j
e
e e = + =
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 31 CUD/20122013
6.5.2 DeterminacindelRESporel
mtodosimblico

e
et


et
Re
Im
et
t=0
F
0

F
0
(sen et + )
F
0
sen 0 F
Sea una forma de onda sinusoidal:
Esta funcin sinusoidal se puede considerar como el
resultado de proyectar en el eje vertical un vector
giratorio, tal y como puede verse en la figura siguiente.
0
( ) ( ) f t F sen t e = +
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 32 CUD/20122013
6.5.2 DeterminacindelRESporel
mtodosimblico
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 33 CUD/20122013
6.5.2 DeterminacindelRESporel
mtodosimblico
En t = 0, el nmero complejo forma un ngulo con el eje
horizontal. De acuerdo con el lgebra de los nmeros
complejos y la frmula de Euler, este nmero se puede
representar por la forma:
Ahora bien, si el vector que representa al nmero complejo
gira en sentido contrario a las agujas del reloj con una
velocidad angular de e rad/s, en el instante t el vector habr
barrido un ngulo et, que sumado a la fase inicial significar
que el ngulo que forma el vector con el eje real ser:
En estas condiciones, el vector giratorio F
0
(FASOR) se puede
representar en la forma:
2 f e t =
( )
( )
: /
:
pulsacin radianes segundo
f frecuencia Herzios
e
0
0 0 0
cos
j
F F e F j F sen

= = +
t u e = +
( )
( )
0 0 0 0
j t j j t j t
F F e F e e F e
e e e +
= = =
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 34 CUD/20122013
6.5.2 DeterminacindelRESporel
mtodosimblico
La aplicacin del mtodo simblico para determinar la
solucin particular de la ecuacin diferencial se basa en la
transformacin del circuito al campo complejo, basndose
en la posibilidad de representar las ondas sinusoidales
mediante fasores.
Transformacin del circuito al campo complejo:
La fuente de excitacin es sinusoidal, por lo que se le puede
asociar un fasor:
Sustituyendo en la ecuacin diferencial la fuente sinusoidal
por su fasor asociado, se tendr:
0 0 0 0 0
( ) cos( ) sen( )
u
j j t
u u u
E E E e e E t j E t
e
e e = = = + + +
0
( ) ( ) R i t LD i t E + =
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 35 CUD/20122013
6.5.2 DeterminacindelRESporel
mtodosimblico
En cuanto a la intensidad que circula por el circuito,
tambin ser sinusoidal, y se le podr asociar un fasor:
Sustituyendo en la ecuacin diferencial:
Puede verse que esta ecuacin se trata ahora de una
ecuacin en nmeros complejos, en vez de una ecuacin
diferencial.
0 0 0 0 0
( ) cos( ) sen( )
i
j j t
i i i
I I I e e I t j I t
e
e e = = = + + +
0 0 0
u i i
j j j j t j t j t
RI e e j LI e e E e e
e e e
e + =
0 0
( ) R j L I E e + =
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 36 CUD/20122013
6.5.2 DeterminacindelRESporel
mtodosimblico
Se resuelve planteando la igualdad de mdulos y
argumentos:
Si en vez de utilizar valores de amplitud si se utilizan
valores eficaces, algo habitual en ingeniera elctrica, la
ecuacin se escribir:
Este proceso de transformacin para conseguir que las
ecuaciones diferenciales pasen a ser ecuaciones
algebraicas, suele denominarse transformar el circuito al
campo complejo.
2 2 2
0 0

siendo
i u
R L I E
L
arctg
R
e
e

+ =
+ = =
( ) R j L I E e + =
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 37 CUD/20122013
6.5.2 DeterminacindelRESporel
mtodosimblico
Una vez resuelta la ecuacin o sistemas de ecuaciones
en nmeros complejos, se tendrn los fasores
correspondientes a las respuestas de los circuitos.
Para hacer la transformacin inversa, y obtener as la
expresin temporal de las respuestas de los circuitos,
se tomar la parte real o la parte imaginaria de los
nmeros complejos que representan a estos fasores
en funcin de si las excitaciones se han expresado en
forma coseno (parte real) o en forma seno (parte
imaginaria).
| |
| |
( ) Re 2 cos( )sifuentesenformacoseno
( ) Im 2 sen( )sifuentesenformaseno
i
i
i
i t I I t
I I
i t I I t
e

e
= = +
=
= = +
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 38 CUD/20122013
6.5.2 DeterminacindelRESporel
mtodosimblico
Procedimiento para realizar la transformacin de un
circuito al campo complejo:
Comprobar que todas las fuentes de excitacin del circuito
son de la misma pulsacin. Si no lo son, y se desea analizar
el circuito por el mtodo simblico, ser imprescindible
hacerlo aplicando el teorema de superposicin.
Comprobar que todas las fuentes de excitacin del circuito
una nica forma seno o coseno, y si no la tienen
transformarlas sumando o restando t/2 a su fase inicial.
Sustituir las expresiones temporales de las fuentes de
excitacin del circuito por sus fasores asociados. Dichos
fasores se escribirn como nmeros complejos cuyo
mdulo es el valor eficaz y como argumento la fase inicial
de cada una de las fuentes.
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 39 CUD/20122013
6.5.2 DeterminacindelRESporel
mtodosimblico
Sustituir las expresiones temporales de las distintas
variables del circuito por sus fasores asociados.
En las impedancias operacionales del circuito, se
sustituye el operador derivada, D, por je.
En la siguiente pgina se ve un ejemplo de esta
transformacin.
En amarillo, circuito en el dominio del tiempo.
En azul, circuito en el campo complejo.
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 40 CUD/20122013
6.5.2 DeterminacindelRESporel
mtodosimblico

e
g
(t)=E
0
cos(et+
u
)
+
R
LD
i(t)
u
R
(t)
u
L
(t)
+
+ +

E
g

+
R
jeL
I
U
R

U
L

+
+
+
( ) ( ) ( )
g R L
e t u t u t = +
( ) ( )
R
u t R i t =
0
( ) ( ) cos( )
u
R i t LD i t E t e | + = +
g R L
E U U = +
R
U R I =
L
U j L I e =
i
I I = ( ) Re( ) 2 cos( )
i
i t I I t e = = +
homognea
( ) ( )
particular
i t i (t) i t = +
( ) R j L I E e + =
( ) ( )
L
u t LD i t =
( )
particular estacionario
i t i (t) =
2 2 2
2 2 2

siendo
i u i u
E
R L I E I
R L
L
arctg
R
e
e
e

+ = =
+
+ = = =
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 41 CUD/20122013
6.6. Impedanciasyadmitanciascomplejas.
Asociacindeimpedancias
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 42 CUD/20122013
6.6.1.Impedanciasyadmitancias
complejas
Dado un dipolo pasivo, se definen:
Impedancia compleja: relacin entre la tensin
compleja en bornes del dipolo y la intensidad
compleja que lo atraviesa.
U
Z
I
=
Formapolar
Z
Z Z =
Formabinmica Z R jX = +
: Resistencia
: Reactancia
R
X
1
I
1
U
+
Z
Representacin:
Unidades:
: Ohmios( )
: Ohmios( )
: Ohmios( )
Z
R
X
O
O
O
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 43 CUD/20122013
6.6.1.Impedanciasyadmitancias
complejas
Admitancia compleja: relacin entre la intensidad
compleja que atraviesa un dipolo y la tensin
compleja entre sus bornes.
I
Y
U
=
Formapolar
Y
Y Y =
Formabinmica Y G jB = +
: Conductancia
: Susceptancia
G
B
1
I
1
U
+
Y
Representacin:
Unidades:
: Siemens(s)
: Siemens(s)
: Siemens(s)
G
B
Y
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 44 CUD/20122013
6.6.1.Impedanciasyadmitancias
complejas
Siempre se cumple que:
Atencin:
Comprobacin:
Entonces:
1
Z
Y
=
1 1 1
pero y Y G B
Z R X
= = =
( )( )
2 2 2 2
1 1 R jX R X
Y j G jB
Z R jX R jX R jX R X R X

= = = = = +
+ + + +
2 2 2 2

R X
G B
R X R X
= =
+ +
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 45 CUD/20122013
6.6.2.Asociacindeimpedancias
complejas
Asociacin de impedancias complejas en serie:
1 1
2 2
k k
n n
U Z I
U Z I
U Z I
U Z I
=
=
=
=

1 1
n n
k k
k k
U U Z I
= =
| |
= =
|
\ .

1
n
eq k
k
Z Z
=
=

SegundaLeydeKirchhoff
eq
U Z I =
LeydeOhm

Z
1
Z
2
Z
k
Z
n
U
1
U
2
U
k
U
n
1 1
U
I
I
1 1
Z
eq
U
+ + + + +
+

FundamentosdeElectrotecnia Tema6 46 CUD/20122013


Divisor de tensin:
1
n
k
k
U Z I
=
| |
=
|
\ .

k k
U Z I =
1
k k
n
k
k
Z U
U
Z
=
=

1
k
k
n
k
k
Z
U U
Z
=
=

Expresindeldivisorde
tensin

Z
1
Z
2
Z
k
Z
n
U
1
U
2
U
k
U
n
1 1
U
I
+ + + +
+
6.6.2.Asociacindeimpedancias
complejas
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 47 CUD/20122013
Asociacin de admitancias complejas en paralelo:
1 1
2 2
k k
n n
I Y U
I Y U
I Y U
I Y U
=
=
=
=

1 1
n n
k k
k k
I I Y U
= =
| |
= =
|
\ .

1
n
eq k
k
Y Y
=
=

PrimeraLeydeKirchhoff
eq
I Y U =
LeydeOhm

Y
2
Y
k
Y
n
I
1
1
1
U
I
1
1
U
+

I
2
I
k
I
n
Y
1
Y
eq
I
+
6.6.2.Asociacindeimpedancias
complejas
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 48 CUD/20122013
Divisor de intensidad:
1
n
k
k
I Y U
=
| |
=
|
\ .

k k
I Y U =
1
k k
n
k
k
Y I
I
Y
=
=

1
k
k
n
k
k
Y
I I
Y
=
=

Expresindeldivisorde
intensidad
Y
2
Y
k
Y
n
I
1
1
1
U
I
+

I
2
I
k
I
n
Y
1
6.6.2.Asociacindeimpedancias
complejas
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 49 CUD/20122013
6.7. ElementospasivosenRES
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 50 CUD/20122013
6.7. Elementospasivosbsicosen
rgimenestacionariosinusoidal
A continuacin se ven las impedancias complejas de los
distintos elementos pasivos bsicos que forman parte de los
circuitos elctricos.
Hay que recordar que para transformar las impedancias
operacionales al campo complejo, se sustituye el operador
derivada, D, por el nmero complejo je.
Recordar tambin que cualquier circuito pasivo puede
representarse mediante su impedancia equivalente, de
manera que:
Z
U
Z R jX Z
I
= = + =
2 2
Z
Z R X
X
arctg
R

= +
=
U Z I =

u Z i
U Z I

=
= +
Z
U
1
1
I
+
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 51 CUD/20122013
6.7.1. Resistencia
0
u i
U R I
U R I

=

=

=

1
1
R
+
U
I
0
0
0
R
Z R R j
X
>

= = +

=

Diagramavectorial
Resistencia:
u
=
i
Tensin e intensidad estn en fase
1
1
R
+
u(t)
i(t)
( ) Z D R =
( ) ( ) u t R i t =
Z R =
0
0
Z
Z R
Z R R

= =

=

FundamentosdeElectrotecnia Tema6 52 CUD/20122013


6.7.2. Bobina
90
90
u i
U L I
U L I
e
e

=

=

= +

0
0
0
R
Z j L j L
X L
e e
e
=

= = +

= >

Diagramavectorial
Bobina:
u
=
i
+90
u
>
i
La tensin adelanta 90 a la intensidad
( ) Z D LD =
( ) ( ) u t LD i t =
Z j L e =
1
1
LD
+
u(t)
i(t)
1
1
jeL
+
U
I
90
90
Z
Z L
Z j L L
e
e e

= =

= +

FundamentosdeElectrotecnia Tema6 53 CUD/20122013


6.7.2. Bobina
90
90
Z
Z L
Z j L L
e
e e

= = +

= +

Sie =0(corrientecontinua) Z=eL =0 Cortocircuito


Sie (altafrecuencia) Z=eL Circuitoabierto
Elvalordependedelafrecuencia
Z j L e =
1
1
jeL
+
U
I
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 54 CUD/20122013
6.7.3. Condensador
1
1
90
90
u i
U I
U I
C
C
e
e

0
1 1
0
1
0
R
Z j j
C C X
C
e e
e
=

= =

= s

Diagramavectorial
Condensador:
u
=
i
90
u
<
i
La tensin retrasa 90 respecto de
la intensidad
1
( ) Z D
CD
=
1
( ) ( ) u t i t
CD
=
( )
1 1 j
Z j
j C j j C C e e e
= = =
1
1 1
90
90
Z
Z
Z j
C
C C
e
e e

= =

1 1
1/CD
+
u(t)
i(t)
1
1
+
U
I
1/jeC
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 55 CUD/20122013
6.7.3. Condensador
1
1 1
90
90
Z
Z
Z j
C
C C
e
e e

= =

Sie =0(corrientecontinua) Z=1/eC Circuitoabierto


Sie (altafrecuencia) Z=1/eC = 0 Cortocircuito
Elvalordependedelafrecuencia
( )
1 1 j
Z j
j C j j C C e e e
= = =
1
1
+
U
I
1/jeC
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 56 CUD/20122013
6.7.4. Bobinasacopladas
magnticamente
1 1 1 2
2 2 2 1
( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
u t L D i t MD i t
u t L D i t MD i t
= +
= +
1 2 1 1
2 1 2 2


U j L I j M I
U j L I j M I
e e
e e
= +
= +
Paralasreferenciasyterminalescorrespondientesindicados:
1
1
2
2
I
1
I
2
U
1
U
2
jeL
1
jeL
2
jeM
1
1
2
2
i
1
(t)
i
2
(t)
u
1
(t)
u
2
(t)
MD
L
1
D L
2
D
+
+
+
+
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 57 CUD/20122013
6.7.5. Transformadorideal
Diagramavectorial
1
1
2
2
i
1
(t) i
2
(t)
u
1
(t)
u
2
(t)
a:1
1
1 1 2 2
2
1
1 1 2 2
2
( )
( ) ( )
( )
( ) 1
( ) ( ) 0
( )
u t
N u t N u t a
u t
i t
N i t N i t
i t a
= =
+ = =
Paralasreferenciasyterminalescorrespondientesindicados:
1
1
2
2
I
1
I
2
U
1
U
2
a:1
1
1 1 2 2
2
1
1 1 1 1
2
1 1
0 180
U
N U N U a
U
I
N I N I
I a a
= =
+ = = =
+ +
+
+
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 58 CUD/20122013
6.8. LeyesdeKirchhoffenRES
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 59 CUD/20122013
6.8.1. 1LeydeKirchhoffenRES
La suma de todas las intensidades complejas que
entran (salen) en (de) un nudo a travs del conjunto
de conductores que concurren en l, es siempre cero.
Ejemplos:
0
entran
I =

entran salen
I I =

1 2 3 4
0 I I I I + =
1 2 3 4
0 I I I I + + =
1 3 2 4
I I I I + = +
I
1
I
2
I
3
I
4
0
salen
I =

Atencin:Notarquelassumassonvectoriales,NOENMDULO
Engeneral:
1 2 3 4
0 I I I I + =
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 60 CUD/20122013
6.8.2. 2LeydeKirchhoffenRES
La suma de las tensiones complejas a lo largo de
cualquier trayectoria cerrada de un circuito, es
siempre cero.
1 2 3 4 5
1 6 5
.................. 0
..................................... 0
Trayectoria ABCDEA U U U U U
Trayectoria ABEA U U U
+ =
=
6 2 3 4 6 2 3 4
6 1 5 6 1 5
....... 0
................. 0
Trayectoria EBCDE U U U U U U U U
Trayectoria EBAE U U U U U U
+ = = +
+ = =
6 5 1 4 3 2 EB
Trayectoria EAB Trayectoria EDCB
U U U U U U U = = + = +

Ejemplos:
U
4
U
5
U
6
U
1
U
2
U
3
A
B
C
D
E
+
+
+
+
+
+
Atencin:Notarquelassumassonvectoriales,NOENMDULO
Engeneral:
1 2 3 4 5
0 U U U U U + =
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 61 CUD/20122013
6.9. MtodosdeanlisisdecircuitosenRES
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 62 CUD/20122013
6.9. Mtododeanlisisde
circuitosenRES
Mtodos de anlisis:
Mtodo de nudos.
Mtodo de mallas.
Las variables empleadas en los mtodos de
anlisis (tensiones de nudo e intensidades de
malla) sern fasores y vendrn representadas por
nmeros complejos.
Los sistemas de ecuaciones resultantes de aplicar
el mtodo de anlisis elegido a un circuito, sern
sistemas de ecuaciones en nmeros complejos, en
vez de sistemas de ecuaciones diferenciales.
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 63 CUD/20122013
6.10. TeoremasfundamentalesenRES
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 64 CUD/20122013
6.10.1.Teoremadesuperposicin
Dado un circuito lineal, la respuesta de dicho circuito
cuando actan en l de manera simultnea varias
fuentes de excitacin, es igual a la suma de las
respuestas del circuito si acta cada fuente de
excitacin de manera independiente.
Este teorema es de uso imprescindible para analizar, por el
mtodo simblico, circuitos en los que haya fuentes de
distintas formas de onda, o bien en el caso de que, aun
siendo todas las fuentes sinusoidales, no tengan todas la
misma pulsacin.
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 65 CUD/20122013
6.10.2.TeoremadeThvenin
Ante cualquier otro dipolo conectado a l, un dipolo
activo es equivalente a una fuente real de tensin,
formada por, una fuente ideal de tensin de valor la
tensin que aparece entre los terminales del dipolo activo
si stos se encuentran a circuito abierto, y en serie una
impedancia de valor la impedancia vista desde los
terminales del dipolo pasivo correspondiente al activo
dado.
Dipolo
activo
Cualquier
dipolo
Cualquier
dipolo
+
Z
eq
U
0
Thvenin
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 66 CUD/20122013
6.10.2. TeoremadeThevenin
Determinacin de los valores de la fuente:
El circuito pasivo correspondiente al activo dado, se
construye haciendo cero todas las fuentes
independientes del circuito. Las fuentes dependientes
se dejan tal cual estn en el circuito, es decir, no se
tocan.
Dipolo
activo
U
0
I=0
Dipoloactivoacircuitoabierto
1
1
+
Dipolo
pasivo
Z
eq
(D)
Dipolopasivo
1
1
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 67 CUD/20122013
6.10.3. TeoremadeNorton
Ante cualquier otro dipolo conectado a l, un dipolo
activo es equivalente a una fuente real de intensidad,
formada por, una fuente ideal de intensidad de valor la
intensidad que circula entre los terminales del dipolo
activo si stos se cortocircuitan, y en paralelo una
impedancia de valor la impedancia vista desde los
terminales del dipolo pasivo correspondiente al activo
dado.
Norton
Cualquier
dipolo
Z
eq
I
cc
1
1
Dipolo
activo
Cualquier
dipolo
1
1
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 68 CUD/20122013
6.10.3. TeoremadeNorton
Determinacin de los valores de la fuente real:
El circuito pasivo correspondiente al activo dado se
construye haciendo cero todas las fuentes
independientes del circuito. Las fuentes dependientes
se dejan tal cual estn en el circuito, es decir, no se
tocan.
Dipolo
activo
I
cc
(t)
U=0
Dipoloactivoencortocircuito
1
1
+
Dipolo
pasivo
Z
eq
(D)
Dipolopasivo
1
1
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 69 CUD/20122013
6.11. EstudiodecircuitosbsicosenRES
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 70 CUD/20122013
6.11.1.CircuitoRC
1 1
( ) ( )
R C
U U U RI j I R j I
C C e e
= + = + =
2
2
1
1
1
0
Z
Z R
C
Z R j
C
C
arctg
R
e
e
e

| |

= +
|

\ .

= <

2
2
1

u i Z u i
U R I
U Z I
C e

| |

= +
|
=

\ .

= + <

La tensin retrasa a la
intensidad un ngulo igual
al argumento de la
impedancia
Z
.
1
1
R
+
U
R
I
+
U
C
+
U
j(1/eC)
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 71 CUD/20122013
6.11.1.CircuitoRC
Im
Re
I
U
R
U
C
U

Z
1
1
R
+
U
R
I
+
U
C
+
U
j(1/eC)
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 72 CUD/20122013
6.11.2.CircuitoRL
La tensin adelanta a la
intensidad un ngulo igual
al argumento de la
impedancia
Z
.
( )
R L
U U U RI j LI R j L I e e = + = + = +
2 2 2
0
Z
Z R L
Z R j L
L
arctg
R
e
e
e

= +

= +

= >

2 2 2

u i Z u i
U R L I
U Z I
e

= +
=

= + >

1
1
R
+
U
R
I
+
U
L
+
U
jeL
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 73 CUD/20122013
6.11.2.CircuitoRL
Im
Re
I
U
R
U
L
U

Z
1
1
R
+
U
R
I
+
U
L
+
U
jeL
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 74 CUD/20122013
6.11.3.CircuitoRLC
1
1
R L C
U U U U RI j LI j I
C
R j L I
C
e
e
e
e
= + + = + =
(
| |
= +
( |
\ .

2
2
1
1
si 0
1
1
( )
1
si 0
1
si 0
Z
Z Z
Z
Z R L
C
L
C
Z R j L
L
C
C
arctg L
R C
L
C
e
e
e
e
e
e
e
e
e
e
e
e

| |

= +
|

\ .

> >

= +



= = =

< <

1
1
R
+
U
R
I
+
U
L
+
U
jeL
j(1/eC)
U
c
+
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 75 CUD/20122013
6.11.3.CircuitoRLC
En funcin del valor del condensador, de la bobina y de la
pulsacin e, el ngulo de la impedancia equivalente puede ser
mayor, menor o igual cero, y , por lo tanto, la tensin puede
adelantar, retrasar o estar en fase, respectivamente, respecto de
la intensidad que recorre el circuito.
Caso particular: si eL = (1/eC) RESONANCIA
2
2
1

si 0
si 0
si 0
Z u i
u i Z Z u i
Z u i
U R L I
C
U Z I
e
e


| |

= +
|

\ .

=

> >


= + = =

< <

FundamentosdeElectrotecnia Tema6 76 CUD/20122013


6.11.3.CircuitoRLC
Im
Re
I
U
R
U
L
U

Z
U
C
1
0
Z
L
C
e
e
> >
1
1
R
+
U
R
I
+
U
L
+
U
jeL
j(1/eC)
U
c
+
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 77 CUD/20122013
6.11.3.CircuitoRLC
Im
Re
I
U
R
U
L
U

Z
=0
U
C
1
0
Z
L
C
e
e
= =
1
1
R
+
U
R
I
+
U
L
+
U
jeL
j(1/eC)
U
c
+
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 78 CUD/20122013
6.11.3.CircuitoRLC
Im
Re
I
U
R
U
L
U

Z
U
C
1
0
Z
L
C
e
e
< <
1
1
R
+
U
R
I
+
U
L
+
U
jeL
j(1/eC)
U
c
+
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 79 CUD/20122013
6.11.4.Resumen
El desfase entre la tensin en bornes y la
intensidad que circula por un dipolo pasivo, que
puede representarse mediante su impedancia
equivalente, es siempre igual al argumento de
dicha impedancia equivalente.
U Z I =

u Z i u i Z
U Z I

=
= + =
Z
U
1
1
I
+ Z
Z R jX
Z Z
= +
=
(Ejemploconimpedanciadecarcterinductivo)
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 80 CUD/20122013
6.10.4.Resumen
En RES, se pueden clasificar los elementos pasivos
(tambin llamados impedancias o cargas) en los
siguientes tipos:
(HELICE)
Cargas U respectodeI
Resistivaspuras
Inductivaspuras
Capacitivaspuras
Carcterinductivo
Carctercapacitivo
Enfase
Adelanta90
Retrasa90
Adelantaunngulo
Z
Retrasaunngulo
Z
FundamentosdeElectrotecnia Tema6 81 CUD/20122013
6.10.4.Resumen
En general, el valor de la impedancia de los elementos pasivos
depende de la frecuencia, tanto su mdulo como su
argumento.
Si nos fijamos en una impedancia de carcter inductivo,
tenemos que:
Si aumenta la frecuencia de la fuente de excitacin, es decir,
aumenta su pulsacin, tanto el mdulo de la impedancia Z,
como su argumento
Z
, aumentan su valor.
2 2 2
0
Z
Z R L
Z R j L
L
arctg
R
e
e
e

= +

= +

= >

FundamentosdeElectrotecnia Tema6 82 CUD/20122013


Referencias
PARRA, V. M.; ORTEGA, J.; PASTOR, A.; PEREZ, A.: Teora de Circuitos
(Tomo I). Universidad Nacional de Educacin a Distancia (UNED).
BAYOD, A.A.; BERNAL, J.L.; DOMINGUEZ, J.A.; GARCIA GARCIA, M.A.;
LLOMBART, A.; YUSTA, J.M.: Anlisis de circuitos elctricos I. Coleccin
Textos Docentes, vol. 58. Prensas Universitarias de Zaragoza.
BAYOD, A.A.: Circuitos monofsicos en rgimen estacionario senoidal.
Coleccin Textos Docentes, vol. 107. Prensas Universitarias de Zaragoza.
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 1 CUD/20122013
Tema7
Potenciaenrgimenestacionario
sinusoidal
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 2 CUD/20122013
ndice
Tema 7. Potencia en rgimen estacionario sinusoidal.
7.1. Potencia instantnea.
7.2. Potencia instantnea en dipolos pasivos bsicos.
7.2.1. Resistencia.
7.2.2. Bobina.
7.2.3. Condensador.
7.3. Expresin de la potencia en el campo complejo. Tringulo de potencias.
7.3.1. Expresin de la potencia en el campo complejo.
7.3.2. Tringulo de potencias.
7.4. Potencia compleja en dipolos pasivos.
7.4.1. Dipolo pasivo bsico.
7.4.2. Resistencia.
7.4.3. Bobina.
7.4.4. Condensador.
7.5. Factor de potencia.
7.5.1. Definicin del factor de potencia.
7.5.2. Efectos de un factor de potencia bajo.
7.5.3. Compensacin del factor de potencia.
7.6. Teoremas relacionados con la potencia en RES.
7.6.1. Teorema de Boucherot.
7.6.2. Teorema de la mxima transferencia de potencia.
7.7. Medida de la potencia.
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 3 CUD/20122013
7.1.Potenciainstantnea
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 4 CUD/20122013
7.1. Potenciainstantnea
Dado un dipolo, con las referencias de la figura:
Se define la potencia instantnea absorbida por el dipolo como:
Teniendo en cuenta que en un circuito en rgimen estacionario
sinusoidal:
( ) ( ) ( )
abs
p t u t i t =
( ) 2 cos( )
( ) 2 cos( )
u
i
u t U t
i t I t
e
e
= +
= +
U eI sonvalores
eficaces
1
1
i(t)
u(t)
+
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 5 CUD/20122013
7.1. Potenciainstantnea
Representando grficamente estas formas de onda se tiene:
La potencia instantnea es una funcin sinusoidal de frecuencia doble
a la de la onda de tensin o intensidad
La potencia es cero en los instantes en que i(t)=0 u(t)=0
En los instantes en los que p(t) > 0, el dipolo absorbe energa de la
fuente de excitacin; mientras que en los instantes en los que p(t) < 0,
es el dipolo el que devuelve parte de esta energa a la fuente de
excitacin
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 6 CUD/20122013
7.1. Potenciainstantnea
Analticamente:
Expresin que puede escribirse como:
O tambin:
Notar que:
Los trminos U, I y cos son constantes, no dependen del tiempo y,
por lo tanto, el trmino UI cos tambin es una cantidad constante
La potencia instantnea se puede expresar como suma de dos
trminos, uno constante y otro dependiente del tiempo, sinusoidal, y
de frecuencia doble de la de la tensin o la intensidad
( ) ( ) ( ) 2 cos( )cos( )
u i
p t u t i t UI t t e e = = + +
| |
( ) ( ) ( ) cos(2 ) cos( )
u i u i
p t u t i t UI t e = = + + +
( ) cos(2 2 ) cos
u u i
p t UI t UI siendo e = + + =
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 7 CUD/20122013
7.1. Potenciainstantnea
Integrando la potencia instantnea a lo largo del tiempo:
Integrando a lo largo de un nmero entero de periodos
de la potencia, se ve que:
El valor medio de la potencia instantnea coincide con el
trmino constante.
Este trmino se denomina potencia media o potencia activa, y
su producto por el tiempo es el valor de la energa total
suministrada por la fuente de excitacin al circuito durante el
tiempo considerado.
t t t
u
w t w p t dt UI dt UI t dt
0 0 0
( ) (0) ( ) cos cos(2 2 ) e = = + +
} } }
( )
nT nT nT
u
p t dt UI dt UI t dt nT UI
0 0 0
( ) cos cos(2 2 ) cos 0 e = + + = +
} } }
( )
nT UI
P UI
nT
cos
Energatransferida
cos
intervalodetiempo

= = =
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 8 CUD/20122013
7.1. Potenciainstantnea
Al trmino sinusoidal se le denomina potencia fluctuante,
y muestra las fluctuaciones de la potencia instantnea en
torno al valor medio.
Su integral, a lo largo de un nmero entero de periodos, es
cero
( ) cos(2 2 )
u
F t UI t e = +
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 9 CUD/20122013
7.2. Potenciainstantneaendipolospasivos
bsicos
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 10 CUD/20122013
7.2.1. Resistencia
En cualquier instante p
abs
(t)
siempre es mayor o igual a
cero, esto es, una resistencia
siempre absorbe energa del
circuito.
Una resistencia no almacena
energa
( ) 2 cos( )
( ) 2 cos( )
i
i
i t I t
u t RI t
e
e
= +
= +
( ) ( ) u t R i t =
2 2
( ) cos(2 2 )
abs i
p t RI t RI e | = + +
Potenciamedia
P=RI
2
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 11 CUD/20122013
7.2.2. Bobina
Se efecta constantemente una transferencia energtica entre la
fuente de excitacin y el campo magntico asociado a la bobina.
( ) 2 cos( )
( ) 2 cos( / 2)
i
i
i t I t
u t I L t
e
e e t
= +
= + +
( ) ( ) u t LD i t =
2
( ) cos(2 2 / 2) 0
abs i
p t LI t e e t = + + +
Potenciamedia
P=0
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 12 CUD/20122013
7.2.3. Condensador
Se efecta constantemente una transferencia energtica entre la
fuente de excitacin y el campo elctrico asociado al condensador
( ) 2 cos( )
( ) 2 (1/ )cos( / 2)
i
i
i t I t
u t I C t
e
e e t
= +
= +
( ) ( ) i t CDu t =
2
( ) (1 / ) cos(2 2 / 2) 0
abs i
p t C I t e e t = + +
Potenciamedia
P=0
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 13 CUD/20122013
7.3. Expresindelapotenciaenelcampo
complejo.Tringulodepotencias.
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 14 CUD/20122013
7.3.1. Expresindelapotenciaen
elcampocomplejo
Undipolopasivosepuede
representarmediantesu
impedanciacompleja
equivalente,departerealRy
parteimaginariaX.
Multiplicandotodosloslados
deltringuloporla
intensidadqueentraenel
dipolo
Tringulode
impedancias
Tringulode
tensiones
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 15 CUD/20122013
7.3.1. Expresindelapotenciaen
elcampocomplejo
Multiplicando nuevamente
los lados del tringulo de
tensiones por la intensidad
que entra en el dipolo
Cateto horizontal: Potencia
media absorbida por la parte
resistiva. Potencia Activa.
Cateto vertical: Es el valor de
la amplitud de las oscilaciones
de la potencia absorbida en la
componente reactiva del
dipolo. Potencia Reactiva.
2
2
: cos
:
Potencia activa P RI UI
Potencia reactiva Q XI UIsen

= =
= =
Tringulode
potencias
RI
2
XI
2

Z
U
Z
I
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 16 CUD/20122013
7.3.1. Expresindelapotenciaen
elcampocomplejo
Dado el tringulo de potencias
La hipotenusa de dicho tringulo, de longitud UI, tiene
dimensiones de potencia y se denomina Potencia
Compleja ( S ).
El mdulo de dicho vector, S, recibe el nombre de
Potencia Aparente.
S P jQ UI jUIsen cos = + = +
S UI P Q
2 2
= = +
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 17 CUD/20122013
7.3.1. Expresindelapotenciaen
elcampocomplejo
Expresin general de la potencia compleja
Sea un dipolo, y las referencias mostradas en la figura:
La potencia compleja absorbida por el dipolo se calcula:
donde I* denota al conjugado de la intensidad compleja I
Unidades:
*
abs
S U I =
: : ( )
: : ( )
: : ( )
P potencia activa W Vatios
Q potencia reactiva var Voltamperios reactivos
S potencia aparente VA Voltamperios
1
1
I
U
+
Dipolo
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 18 CUD/20122013
7.3.1. Expresindelapotenciaen
elcampocomplejo
La potencia activa es la potencia consumida por
un elemento y que se invierte en realizar un
trabajo.
Tanto la potencia aparente como la potencia
reactiva no tienen significado fsico. Se definen
porque son tiles para los clculos electrotcnicos
y porque se pueden medir.
La potencia reactiva es un indicador de la energa
intercambiada en cada semiciclo entre los elementos
que almacenan energa y la fuente de excitacin.
La potencia aparente es un indicador de la
disponibilidad o limitacin de una instalacin.
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 19 CUD/20122013
7.3.2. Tringulodepotencias
A partir del tringulo de potencias, se puede
escribir:
2 2
tg
cos
S P Q
Q
P
P
S

= +
=
=
P S
Q S
cos
sen

=
=
cos
sen
P UI
Q UI

=
=
como S U I =
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 20 CUD/20122013
7.3.2. Tringulodepotencias
El signo de las potencias activa y reactiva absorbidas
por un dipolo, depende del ngulo entre la tensin en
bornes del dipolo y la intensidad que lo atraviesa. De
esta manera y para las referencias indicadas, se tiene:
Re
U
Im
U
U
U
I

=
u

i
>0
Pabs >0 Receptor
Qabs >0Inductivo
=
u

i
>0
Pabs <0 Generador
Qabs >0AbsorbeQ
=
u

i
<0
Pabs<0 Generador
Qabs<0CedeQ
=
u

i
<0
Pabs >0 Receptor
Qabs <0Capacitivo
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 21 CUD/20122013
7.3.2. Tringulodepotencias
La especificacin de la potencia en mquinas y equipos
de corriente alterna es diversa y tiene origen prctico:
En mquinas generadoras de corriente alterna y
transformadores, se expresa su potencia en forma de potencia
aparente (en VA, kVA, MVA). El conocimiento de esta potencia y
de la tensin nominal, permite calcular la corriente mxima de
diseo de la mquina
En motores de corriente alterna se especifica la tensin de
alimentacin y la potencia mecnica en el eje (en kW o en CV,
1CV = 736 W), de forma que, conociendo el rendimiento,
permite saber la potencia activa que absorbe
En el caso de las reactancias, la potencia se expresa en forma de
potencia reactiva (en var o kvar)
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 22 CUD/20122013
7.4. Potenciacomplejaendipolospasivos
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 23 CUD/20122013
7.4.1. Dipolopasivogenrico
En un dipolo pasivo, siempre R > 0, por lo que: P
abs
> 0
Sin embargo, puede ocurrir que:
U Z I =
2 2 2
* * ( )
abs abs abs
S U I Z I I R jX I RI jXI P jQ = = = + = + = +
Z R jX = +
2
2
abs
abs
P RI
Q XI
=
=
0 0
0 0
abs
abs
X Carcter inductivo Q
X Carcter capacitivo Q
> >
< <
* S U I =
1
1
I
U
+
Z
entonces:
Entrminosdesuimpedanciaequivalente:
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 24 CUD/20122013
7.4.1. Dipolopasivogenrico
En un dipolo pasivo, siempre G > 0, por lo que: P
abs
> 0
Sin embargo, puede ocurrir que:
I Y U =
2 2 2
* ( )* * * ( )
abs abs abs
S U I U Y U Y UU G jB U GU jBU P jQ = = = = = = +
Y G jB = +
2
2
abs
abs
P GU
Q BU
=
=
0 0
0 0
abs
abs
B Carcter inductivo Q
B Carcter capacitivo Q
< >
> <
* S U I =
1
1
I
U
+
Y
entonces:
Entrminosdesuadmitanciaequivalente:
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 25 CUD/20122013
7.4.2. Resistencia
7.4.3. Bobina
2
2
* 0 0
abs
U
S U I RI
R
= = + = +
Y G jB G = + =
Z R jX R = + =
2
2
* 0 0
abs
U
S U I j LI j
L
e
e
= = + = +
1
Y G jB j
L e
= + =
Z R jX j L e = + =
0
abs
P =
2
2
0
abs
U
Q LI
L
e
e
= = >
2
abs
P RI = 0
abs
Q =
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 26 CUD/20122013
7.4.4. Condensador
2
2
* 0 0
abs
I
S U I j jU C
L
e
e
= = =
Y G jB j C e = + =
1
Z R jX j
C e
= + =
0 =
abs
P
2
2
0
abs
I
Q CU
C
e
e
= = s
0
abs
P =
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 27 CUD/20122013
Dipolopasivogenrico:
Dipolospasivos(cargas)
Re
Im
I
U
U
=+90
= 90
Re
Im
I
U
I
Como:
90 Z +90
SIEMPRE
Z
Z Z =
y u = Z + i
Tensincomoorigendefases
Intensidadcomoorigendefases
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 28 CUD/20122013
7.5. Factordepotencia
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 29 CUD/20122013
7.5.1 Definicindelfactorde
potencia
En general, en un dipolo, la potencia activa es menor
que la potencia aparente
Se define el Factor de potencia como la relacin:
En rgimen estacionario sinusoidal:
P
f d p
S
. . . =
P UI
f d p
S UI
cos
. . . cos

= = =
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 30 CUD/20122013
7.5.1 Definicindelfactorde
potencia
El ngulo es el ngulo entre la tensin
compleja en bornes de un dipolo y la
intensidad compleja que lo atraviesa. Si el
dipolo es pasivo, este ngulo es el argumento
de su impedancia equivalente.
La tensin de trabajo de un generador es una
magnitud esencialmente constante, y viene dada
por el diseo de su aislamiento y por el campo
magntico admisible en su interior, mientras que
su corriente mxima viene dada por la seccin de
sus conductores.
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 31 CUD/20122013
7.5.1 Definicindelfactorde
potencia
As pues, la medida de la capacidad de un
generador, que viene dada por su potencia
aparente, es esencialmente constante.
Dependiendo del factor de potencia con el que
trabaje una instalacin, sta estar mejor o peor
aprovechada.
S
S
Q
1
Q
2
P
1
P
2

1

2
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 32 CUD/20122013
7.5.1 Definicindelfactorde
potencia
Observando los dos casos lmite: (aprovechamiento)
En el caso de factor de potencia unidad, la potencia activa
y la potencia aparente coinciden, con lo cual, la potencia
reactiva consumida es cero.
En el caso de factor de potencia igual a cero, la potencia
reactiva y la potencia aparente coinciden, con lo que la
potencia activa es nula
P
Q=0
S
cos =1
Q
P=0
S
cos =0
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 33 CUD/20122013
7.5.2. Efectosdeunfactorde
potenciabajo
Para una misma potencia activa, a menor factor de
potencia, mayor es la intensidad que circula por las
lneas.
Este incremento de la intensidad, como consecuencia
de un factor de potencia bajo, lleva, entre otros
efectos, a un aumento de prdidas por efecto Joule
en los conductores del generador y en las lneas de
transporte de energa. Adems, aumentan las cadas
de tensin en dichas lneas de transporte.
siP,U=ctesycos I
cos
P
I
U

= + |
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 34 CUD/20122013
7.5.2. Efectosdeunfactorde
potenciabajo
Otro efecto que se produce, a causa de un factor de
potencia bajo, es la saturacin de la capacidad de un
sistema.
Supongamos el sistema:
max
10000
100
100
S
I A
U
= = =
max
10000 S UI VA = =
cos 1000 P UI W = =
1000
100
cos 1000,1
P
I A
U |
= = =
E
g
I
+
+ +
S=10kVA
R
g
+jX
g
Z
P=1kW
cos=0,1
100V 100V
Generacin Transporte Consumo
Generador:
Carga:
Sistemasaturado
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 35 CUD/20122013
7.5.2. Efectosdeunfactorde
potenciabajo
El mismo sistema operando con mejor factor de
potencia:
max
10000
100
100
S
I A
U
= = =
max
10000 S UI VA = =
cos 1000 P UI W = =
1000
10
cos 1001
P
I A
U |
= = =
E
g
I
+
+ +
S=10kVA
R
g
+jX
g
Z
P=1kW
cos =1
100V 100V
Generacin Transporte Consumo
Generador:
Carga:
Sobran90A
En la primera situacin, con un consumidor se alcanza la capacidad
mxima del sistema. En el segundo caso es posible alimentar a ms
usuarios con el mismo sistema.
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 36 CUD/20122013
7.5.2. Efectosdeunfactorde
potenciabajo
Como se ha visto:
Las prdidas en los sistemas elctricos (tanto en la
generacin como en el transporte) aumentan cuando se
dan factores de potencia bajos.
El aprovechamiento de las instalaciones generadoras y de
transporte de energa elctrica es mucho peor si se dan
factores de potencia bajos.
El RETB (Reglamento Electrotcnico para Baja
Tensin) obliga a que los receptores trabajen con un
factor de potencia mayor de 0,9.
Si el f.d.p. es menor, ser necesariocompensar el
factor de potencia de una instalacin.
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 37 CUD/20122013
7.5.3. Compensacindelfactorde
potencia
Dado que las lneas de transporte y la mayora de receptores
presentan carcter inductivo, es decir, absorben potencia
reactiva, la compensacin del factor de potencia se hace
mediante la conexin, en paralelo con el receptor, de bateras
de condensadores (elementos que ceden potencia reactiva sin
consumir potencia activa).
Esta conexin hace que la potencia reactiva total consumida
por el sistema compensado sea menor que la potencia
reactiva absorbida por el receptor trabajando aislado y, por lo
tanto, que aumente el factor de potencia del conjunto.
1
1
U
+
Dipolo
Receptor
C
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 38 CUD/20122013
7.5.3. Compensacindelfactorde
potencia
La potencia reactiva que cede un condensador
sometido a una tensin U vale:
2
2 2
ced
U
Q XI CU
X
e = = =
1
1
U
+
Dipolo
Receptor
C
Dipolo:
AbsorbeP
AbsorbeQ
Condensador:
NoabsorbeP
CedeQ
Conjunto:
AbsorbelamismaP
AbsorbemenosQ
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 39 CUD/20122013
7.5.3. Compensacindelfactorde
potencia
Al conectar una batera de condensadores en
paralelo con un receptor que consume potencia
reactiva, la nueva potencia reactiva que absorbe el
conjunto ser:
Mientras que la potencia activa del conjunto
permanecer constante, ya que el condensador no
absorbe potencia activa.
Entonces:
abs total abs receptor ced condensador
Q Q Q =
ced condensador abs receptor abs total
Q Q Q =
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 40 CUD/20122013
7.5.3. Compensacindelfactorde
potencia
Representando esto en el tringulo de potencias:
El valor de la capacidad de la batera de
condensadores requerida para pasar de factor de
potencia cos a un factor de potencia cos se
calcula:
' ' ( ')
ced condensador
Q Q Q Ptg Ptg P tg tg = = =
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 41 CUD/20122013
7.5.3. Compensacindelfactorde
potencia
Dado que la potencia reactiva que cede un
condensador vale:
Entonces:
Con lo que:
2
ced condensador
Q CU e =
2
( ') CU P tg tg e =
2
( ') P tg tg
C
U

e

=
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 42 CUD/20122013
7.6. Teoremasrelacionadosconlapotenciaen
RES
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 43 CUD/20122013
7.6.1. TeoremadeBoucherot
En todo circuito alimentado por fuentes
sinusoidales de la misma pulsacin, se conservan,
de manera independiente, la potencia activa y la
potencia reactiva.
algebraica
algebraica
0
0
abs
abs
P
Q
=
=

0
abs abs
abs
S P j Q = + =

=0 =0
0 0
abs
abs
S S = =

Atencin:
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 44 CUD/20122013
7.6.2. Teoremadelamxima
transferenciadepotencia
De entre las infinitas cargas que pueden conectarse
en bornes de un dipolo activo alimentado por fuentes
sinusoidales, absorber la mxima potencia activa la
carga para la que se cumpla que el valor de su
impedancia compleja sea igual al conjugado de la
impedancia compleja del equivalente Thvenin del
dipolo al cual se conecta.
absorbelamxPsi: Z
Z
Dipolo
activo
Z
eq
Z
U
0
1
1
1 1
+
*
eq
Z Z =
*
donde: R
eq eq eq
Z jX =

Equivalente Thevenin
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 45 CUD/20122013
7.6.2. Teoremadelamxima
transferenciadepotencia
En muchas aplicaciones es importante lograr la mxima
transferencia de potencia entre el circuito y la carga que
alimenta.
En otras no se busca esta transferencia mxima, ya que,
cuando se da, el rendimiento del circuito es del 50%. (Ejemplo:
Transporte de energa elctrica)
Z
eq
=R
eq
+jX
eq
Z=R
eq
jX
eq
U
0
1
1
I
+
R R 2R
T eq eq eq eq eq eq
Z Z Z jX jX = + = + + =
0 0
2R
T eq
U U
I
Z
= =
2 2
2 0 0
e e
2
e
R R
4R 4R
absZ q q
q eq
U U
P I = = =
( )
2 2
2 0 0
e e e
2
e
R R 2R
2R 4R
ced fuente q q q
q eq
U U
P I = + = =

2
0
e
2
0
e
4R
0,5
2R
q
absZ
ced fuente
q
U
P
P U
q = = =
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 46 CUD/20122013
7.6.2. Teoremadelamxima
transferenciadepotencia
De entre las infinitas resistencias que pueden
conectarse en bornes de un dipolo activo alimentado
por fuentes sinusoidales, absorber la mxima
potencia activa la resistencia para la que se cumpla
que su valor sea igual al mdulo de la impedancia
compleja del equivalente Thvenin del dipolo al cual
se conecta.
absorbelamxPsi: R
R
Dipolo
activo
Z
eq
R
U
0
1
1
1 1
+
eq
R Z =
2 2
donde: R
eq eq eq
Z X = +

Equivalente Thevenin
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 47 CUD/20122013
7.7. Medidadelapotencia
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 48 CUD/20122013
7.7.Medidadelapotencia
Potencia aparente:
Si se conoce el valor eficaz de la tensin en bornes de
un elemento, y el valor eficaz de la intensidad que
circula por l, se puede conocer la potencia aparente,
ya que:
Potencia activa:
El instrumento utilizado para la medida de la potencia
activa se denomina Vatmetro.
Dado que:
S U I =
cos P U I =
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 49 CUD/20122013
7.7.Medidadelapotencia
Un vatmetro ha de medir la tensin eficaz, la intensidad
eficaz y el coseno del ngulo de desfase entre estas dos
magnitudes.
Para ello, este equipo consta de un elemento que mide la
tensin, llamado bobina voltimtrica y que se conecta en
paralelo con la tensin que se desea medir; y un elemento
encargado de medir la intensidad, denominado bobina
ampermetrica y que se coloca en serie con la intensidad a
medir.
El producto de estas tres magnitudes da como resultado la
medida de la potencia activa que absorbe la parte del
circuito que se encuentra aguas abajo del punto de
conexin del vatmetro.
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 50 CUD/20122013
7.7.Medidadelapotencia
El smbolo empleado para el vatmetro es:
Potencia reactiva:
El instrumento utilizado para la medida de la
potencia reactiva se denomina Varmetro.
Su principio de funcionamiento es el mismo que
el del vatmetro, pero utilizando el seno del
ngulo de desfase entre tensin e intensidad
W W
Bobinaamperimtrica
Bobinavoltimtrica
var
FundamentosdeElectrotecnia Tema7 51 CUD/20122013
Referencias
PARRA, V. M.; ORTEGA, J.; PASTOR, A.; PEREZ, A.: Teora de Circuitos
(Tomo I). Universidad Nacional de Educacin a Distancia (UNED).
BAYOD, A.A.; BERNAL, J.L.; DOMINGUEZ, J.A.; GARCIA GARCIA, M.A.;
LLOMBART, A.; YUSTA, J.M.: Anlisis de circuitos elctricos I. Coleccin
Textos Docentes, vol. 58. Prensas Universitarias de Zaragoza.
BAYOD, A.A.: Circuitos monofsicos en rgimen estacionario senoidal.
Coleccin Textos Docentes, vol. 107. Prensas Universitarias de Zaragoza.
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 1 CUD/20122013
Tema8
Sistemastrifsicosequilibrados
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 2 CUD/20122013
ndice
Tema 8. Sistemas trifsicos equilibrados.
8.1. Introduccin.
8.2. Generacin de un sistema trifsico.
8.3. Conexiones en estrella y en tringulo.
8.3.1. Conexin en estrella (Y).
8.3.2. Conexin en tringulo (D).
8.4. Conexin de sistemas trifsicos.
8.4.1. Sistema estrellaestrella.
8.4.2. Sistema tringulotringulo.
8.4.3. Sistema estrellatringulo.
8.4.4. Sistema tringuloestrella.
8.5. Tensiones e intensidades en sistemas trifsicos.
8.5.1. Tensin de lnea o compuesta.
8.5.2. Intensidad de lnea.
8.5.3. Tensin de fase o simple.
8.5.4. Intensidad de fase.
8.6. Sistemas trifsicos equilibrados.
8.6.1. Relacin entre magnitudes de lnea y fase.
8.6.2. Equivalentes monofsicos.
8.6.3. Equivalencia de cargas.
8.6.4. Potencia en sistemas trifsicos equilibrados.
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 3 CUD/20122013
8.1.Introduccin
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 4 CUD/20122013
8.1. Introduccin
Los sistemas trifsicos son los ms habitualmente empleados
en la generacin, el transporte y la distribucin de la energa
elctrica.
Esto es debido a que los sistemas trifsicos presentan notables
ventajas sobre los monofsicos. Entre estas ventajas se
pueden citar:
Para transportar una determinada energa a una determinada tensin,
con unas determinadas prdidas, es ms econmico el sistema
trifsico ya que supone un ahorro de cobre del 25%
La potencia instantnea es constante. Esto se refleja en un par
totalmente uniforme en los motores trifsicos, y las consiguientes
menores vibraciones
Los motores trifsicos pueden arrancar por s mismos, mientras que
los monofsicos precisan sistemas de arranque especiales
Los sistemas trifsicos son capaces de generar campos magnticos
giratorios
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 5 CUD/20122013
8.1. Introduccin
Las instalaciones de pequea potencia (por ejemplo las
instalaciones domsticas) son monofsicas, pero no se tratan
ms que de una derivacin de un sistema trifsico.
Para conocer y estudiar el funcionamiento de los sistemas
elctricos de potencia se hace necesario entonces conocer el
anlisis de los circuitos trifsicos. No obstante, hay que tener
en cuenta que:
Las tcnicas de anlisis vistas en el caso de circuitos monofsicos son
aplicables directamente a sistemas trifsicos.
En muchas ocasiones, el anlisis de los sistemas trifsicos se efecta
mediante su reduccin a sistemas monofsicos equivalentes, cuyo
estudio ya se ha visto.
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 6 CUD/20122013
8.1. Introduccin
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 7 CUD/20122013
8.1. Introduccin
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 8 CUD/20122013
8.1. Introduccin
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 9 CUD/20122013
8.1. Introduccin
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 10 CUD/20122013
8.1. Introduccin
Transporte Distribucin
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 11 CUD/20122013
8.1. Introduccin
Distribucinenbajatensin
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 12 CUD/20122013
8.2.Generacindeunsistematrifsico
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 13 CUD/20122013
8.2. Generacindeunsistema
trifsico
Como se ha visto:
-2
-1
0
1
2
0 2 4 6
u
aa
'(t)
t
N S
a
a
B
u
e
N S
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 14 CUD/20122013
8.2. Generacindeunsistema
trifsico
-2
-1
0
1
2
0 2 4 6
u
aa
'(t)
t
-2
-1
0
1
2
0 1 2 3 4 5 6
t
u
bb
'(t)
-2
-1
0
1
2
0 1 2 3 4 5 6
t
u
cc
'(t)
N S
a
a
B
e
c
c
b
b
120
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 15 CUD/20122013
8.2. Generacindeunsistema
trifsico
-1,5
-1
-0,5
0
0,5
1
1,5
0 1 2 3 4 5 6
uaa'(t)
ubb'(t)
ucc'(t)
aa' 0
u (t) U sen( t) e =
bb' 0
2
u (t) U sen t
3
t
e
| |
=
|
\ .
cc' 0 0
4 2
u (t) U sen t U sen t
3 3
t t
e e
| | | |
= = +
| |
\ . \ .
aa'
U
bb'
U
cc'
U
120
120
120
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 16 CUD/20122013
8.2. Generacindeunsistema
trifsico
Se dispone de tres fuentes reales de tensin con la
misma amplitud y desfasadas 120 entre s
Fase: cada una de las partes de un circuito trifsico
donde se genera, se transporta o se utiliza cada una
de las tensiones del sistema
Secuencia de fases: orden en el que se suceden los
valores mximos de las tensiones en las fases
abc: secuencia directa
acb: secuencia inversa
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 17 CUD/20122013
8.2. Generacindeunsistema
trifsico
aa'
U
bb'
U
cc'
U
aa'
U U0 =
bb'
U U 120 =
cc'
U U 240 U120 = =
Secuenciadirecta
N S
a
a
B
e
c
c
b
b
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 18 CUD/20122013
8.2. Generacindeunsistema
trifsico
Secuenciainversa
aa'
U
bb'
U
cc'
U
aa'
U U0 =
bb'
U U 240 U120 = =
cc'
U U 120 =
N S
a
a
B
e
c
c
b
b
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 19 CUD/20122013
8.3.Conexionesenestrella(Y)yentringulo(A)
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 20 CUD/20122013
8.3.1. Conexinenestrella
E
ga
Z
ga
+
a
a
E
gb
Z
gb
+
b
b
E
gc
Z
gc
+
c
c
Z
a
a
a
Z
b
b
b
Z
c
c
c
Z
La
Z
La
Z
Lb
Z
Lb
Z
Lc
Z
Lc
Z
Ln
n n
Fasea
Faseb
Fasec
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 21 CUD/20122013
8.3.1. Conexinenestrella
Se unen entre s uno de los terminales de cada
una de las fases (punto neutro de la estrella)
n
E
ga
Z
ga
a
+
E
gb
Z
gb
b +
E
gc
Z
gc
c
+
a
b
c
n
a
+
a
b
c
b
c
n
Z
ga
Z
gb
Z
gc
E
ga
E
gb
E
gc
n
Generadorenestrella
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 22 CUD/20122013
8.3.1. Conexinenestrella
n
Z
a
a
Z
b
b
Z
c
c
a
b
c
n
a
a
b
c
b
c
n
Z
a
Z
b
Z
c
n
Cargaenestrella
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 23 CUD/20122013
8.3.2. Conexinentringulo
E
ga
Z
ga
+
a
a
E
gb
Z
gb
+
b
b
E
gc
Z
gc
+
c
c
Z
a
a
a
Z
b
b
b
Z
c
c
c
Z
La
Z
La
Z
Lb
Z
Lb
Z
Lc
Z
Lc
Fasea
Faseb
Fasec
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 24 CUD/20122013
8.3.2. Conexinentringulo
Se unen el terminal final de una fase con el
terminal comienzo de la siguiente:
Generadorentringulo
Z
ga
Z
gb
Z
gc
E
ga
E
gb
E
gc
+
a
a
b
b
c c
Z
ga
a
a
b
c
+
E
ga
E
gb
E
gc
Z
gb
Z
gc
b
c
a
b
c
+
+
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 25 CUD/20122013
8.3.2. Conexinentringulo
a
b
c
c
b
a
Z
c
Z
c
Z
a
Z
a
Z
b
Z
b
a
b
Z
a
Z
b
Z
c
c
c
a
b
a
b
c
a
a
b
b
c
c a
b
c
Cargaentringulo
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 26 CUD/20122013
8.4.Conexindesistemastrifsicos
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 27 CUD/20122013
8.4.1. Sistemaestrella estrella
Sistema YY
a
+
b
c
n
Z
ga
Z
gb
Z
gc
E
ga
E
gb
E
gc
a
b
c
n
Z
a
Z
b
Z
c
Z
La
Z
Lb
Z
Lc
Z
nn
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 28 CUD/20122013
8.4.2. Sistematringulo tringulo
Sistema AA
Z
La
Z
Lc
Z
ga
E
ga
E
gb
E
gc
Z
gb
Z
gc
a
b
c
Z
a
Z
b
Z
c
a
b
c
+
Z
Lb
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 29 CUD/20122013
8.4.3. Sistemaestrella tringulo
Sistema YA
Z
La
Z
Lc
a a
b
c
Z
a
Z
b
Z
c
Z
Lb
+
b
c
n
Z
ga
Z
gb
Z
gc
E
ga
E
gb
E
gc
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 30 CUD/20122013
8.4.4. Sistematringulo estrella
Sistema AY
Z
La
Z
Lc
Z
ga
E
ga
E
gb
E
gc
Z
gb
Z
gc
a
b
c
a
b
c
+
Z
Lb
n
Z
a
Z
b Z
c
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 31 CUD/20122013
8.5. Tensioneseintensidadesensistemas
trifsicos
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 32 CUD/20122013
8.5.1. Tensindelneaotensin
compuesta
Tensin entre dos conductores de lnea.
a
+
b
c
n
Z
ga
Z
gb
Z
gc
E
ga
E
gb
E
gc
U
ab
U
bc
U
ca
U
bc
U
ab
U
ca
Z
a
Z
b
Z
c
a
b
c
+
+
+
+
+
+
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 33 CUD/20122013
8.5.2. Intensidaddelnea
Intensidad que circula por cada uno de los conductores
de la lnea de conexin entre generacin y carga.
a
+
b
c
n
Z
ga
Z
gb
Z
gc
E
ga
E
gb
E
gc
Z
a
Z
b
Z
c
a
b
c
I
a
I
b
I
c
I
a
I
b
I
c
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 34 CUD/20122013
8.5.3. Tensindefaseotensin
simple
Tensin en bornes de cada una de las fases, ya sea de la
generacin o de la carga
+
E
gc
E
ga
E
gb
Z
ga
Z
gb
Z
gc
a
b
c
Z
a
Z
b Z
c
a
b
c
n
U
bn
U
an
U
cn
U
ab
U
bc
U
ca
+
+
+
+
+
+
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 35 CUD/20122013
8.5.4. Intensidaddefase
Intensidad que circula por cada fuente de la generacin o
por cada impedancia de la carga.
+
E
gc
E
ga
E
gb
Z
ga
Z
gb
Z
gc
a
b
c
Z
a
Z
b Z
c
a
b
c
n
I
an
I
cn
I
bn
I
ab
I
bc
I
ca
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 36 CUD/20122013
8.5. Tensioneseintensidades
+
E
gc
E
ga
E
gb
Z
ga
Z
gb
Z
gc
a
b
c
Z
a
Z
b Z
c
a
b
c
n
I
an
I
cn
I
bn
U
ab
U
bc
U
ca
U
ca
U
ab
U
bc
I
an
I
bn
I
cn
En una conexin en tringulo, las
tensiones de lnea coinciden con las
tensiones de fase.
En una conexin en estrella, las
intensidades de lnea coinciden con
las intensidades de fase.
+
+
+
+
+
+
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 37 CUD/20122013
8.6. Sistemastrifsicosequilibrados
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 38 CUD/20122013
8.6. Sistemastrifsicos
equilibrados
Sistema equilibrado: Cuando son iguales las
impedancias en cada de las fases que componen
las cargas, son iguales las impedancias internas
de las fuentes que representan cada fase de la
generacin y son iguales las impedancias de las
tres lneas que unen generacin y carga, y las
fuentes de tensin que representan la generacin
tienen el mismo valor eficaz y estn defasadas
120.
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 39 CUD/20122013
8.6. Sistemastrifsicos
equilibrados
Ejemplo de sistema equilibrado
a
+
b
c
n
Z
g
Z
g
Z
g
E
ga
E
gb
E
gc
a
b
c
n
Z
Z
Z
Z
L
Z
L
Z
L
( )
( )
gb ga
gc ga
E E 1 120
E E 1 120
ga gb gc g
E E E E = = =
=
= +
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 40 CUD/20122013
8.6.1. Relacinentremagnitudes
delneaydefase
Relacin entre tensiones de lnea y tensiones de fase
Z
a
Z
b Z
c
a
b
c
n
U
an
U
bn
U
cn
U
ab
U
bc
U
ca
secuenciadire Suponiendosist.eq. :
0 origendefases
120
120
c a

t
an F
bn F
cn F
U U
U U
U U
=
=
= +
Por2LK:
ab an bn
bc bn cn
ca cn an
U U U
U U U
U U U
=
=
=
( ) ( )
1 0 1 120 3 1 30
ab an bn F F
U U U U U = = =
Estoes:
3
Lastensionesdelneaadelantan30
alastensionesdefasecorrespondientes
ab L F
U U U = =
Si
ab bc ca L
U U U U = = =
Secuenciadirecta
+
+
+
+
+
+
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 41 CUD/20122013
8.6.1. Relacinentremagnitudes
delneaydefase
120
30
60
ab an bn
U U U =
U
an
U
cn
U
bn
U
bn
U
ab
Secuenciadirecta:U
an
,U
bn
,U
cn
Comprobarqueensist.trifsicos
equilibradosdesecuenciainversa:
3
ab L F
U U U = =
Lastensionesdelnearetrasan
30respectodelastensiones
de fase correspondientes.
120
120
U
ab
adelanta30aU
an
Comprobarque:
U
bc
adelanta30aU
bn
U
ca
adelanta30aU
cn
Entringulo,lastensionesdelnea
coincidenconlastensionesdefase
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 42 CUD/20122013
8.6.1. Relacinentremagnitudes
delneaydefase
Relacin entre intensidades de lnea e intens. de fase
I
c
secuenciadire Suponiendosist.eq. :
0 origendefases
120
120
c a

t
ab F
bc F
ca F
I I
I I
I I
=
=
= +
Por1LK:
a ab ca
b bc ab
c ca bc
I I I
I I I
I I I
=
=
=
( ) ( )
1 0 1120 3 1 30
a ab ca F F
I I I I I = = =
Estoes:
3
Lasintensidadesdelnearestrasan30
alasintensidadesdefasecorrespondientes
a L F
I I I = =
Si
a b c L
I I I I = = =
Secuenciadirecta
I
b
I
a
I
ab
I
bc
I
ca
Z
a
Z
b
Z
c
a
b
c
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 43 CUD/20122013
8.6.1. Relacinentremagnitudes
delneaydefase
120
30
60
a ab ca
I I I =
I
ab
I
ca
I
bc
I
ca
I
a
Secuenciadirecta:I
ab
,I
bc
,I
ca
Comprobarqueensist.trifsicos
equilibradosdesecuenciainversa:
3
a L F
I I I = =
Lasintensidadesdelneaadelantan
30respectodelasintensidades
de fase correspondientes.
120
120
I
a
retrasa30aI
ab
Comprobarque:
I
b
retrasa30aI
bc
I
c
adelanta30aI
ca
Enestrella,lasintensidadesdelnea
coincidenconlasintensidadesdefase
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 44 CUD/20122013
8.6.2. Equivalentesmonofsicos
Equivalente YY
a
+
b
c
n
Z
g
Z
g
Z
g
E
ga
E
gb
E
gc
a
b
c
n
Z
Z Z
Z
L
Z
L
Z
L
Z
N
I
a
I
nn
I
b
I
c
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 45 CUD/20122013
8.6.2. Equivalentesmonofsicos
( )
' '

ga g a L a a N nn g L a N nn
E Z I Z I Z I Z I Z Z Z I Z I = + + + = + + +
( )
' '

gb g b L b b N nn g L b N nn
E Z I Z I Z I Z I Z Z Z I Z I = + + + = + + +
( )
' '

gc g c L c c N nn g L c N nn
E Z I Z I Z I Z I Z Z Z I Z I = + + + = + + +
E
ga
E
gb
E
gc
E
ga
0
ga gb gc
E E E + + =
( )( )
'
3
ga gb gc g L a b c N nn
E E E Z Z Z I I I Z I + + = + + + + +
0 =
( )
' nn a b c
I I I I = + +
Como:
( )( )
3 0
g L N a b c
Z Z Z Z I I I + + + + + =
( )
0
a b c
I I I + + =
'
0
nn
I =
'
0
nn
U =
Esto es: En un sistema trifsico equilibrado YY, los neutros de las estrellas siempre
estn a la misma tensin.
Si esto es as, podemos unir dichos neutros mediante un cortocircuito, tal y como se ve
en el esquema siguiente:
Sumando
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 46 CUD/20122013
8.6.2. Equivalentesmonofsicos
Equivalente YY
a
+
b
c
n
Z
g
Z
g
Z
g
E
ga
E
gb
E
gc
a
b
c
n
Z
Z Z
Z
L
Z
L
Z
L
I
a
I
b
I
c
Aplicandola2LKalastrayectoriasindicadasenlafigura,setieneque:
a
c
b
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 47 CUD/20122013
8.6.2. Equivalentesmonofsicos
+
Z
g
E
ga
Z
L I
a
a a
n n
Z
Z
L
+
Z
g
E
gb
I
b
Z
Z
L
+
Z
g
E
gc
I
c
Z
( )
ga
a
g L
E
I
Z Z Z
=
+ +
( )
gb
b
g L
E
I
Z Z Z
=
+ +
( )
gc
c
g L
E
I
Z Z Z
=
+ +
Intensidadesquetambinseobtienensiseanalizanlostrescircuitosmonofsicos:
EquivalentesmonofsicosdeunsistemaYY
Bastaconanalizarunolosequivalentesparaobtenerlastensioneseintensidadespara
elrestodelasfases.Slohabrquetenerencuentaqueestastensioneseintensidades
sernfasoresdesfasados120respectodelascalculadassobreelequivalenteelegido.
a
b c
b b
n n
c c
n n
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 48 CUD/20122013
8.6.3. Equivalenciadecargas
Equivalencia estrellatringulo
b
n
Z
Y
a
c
Z
Y
Z
Y
Z
D
Z
D
Z
D
a
b
c
D
Y
3
Z
Z =
D Y
3 Z Z =
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 49 CUD/20122013
8.6.3. Equivalenciadecargas
Cargas en estrella en paralelo
Z
1
Z
1
Z
1
Z
2
Z
2
Z
2
Z
1
a
b
c
n
n
Z
1
Z
1
Z
2
Z
2
Z
2
a
b
c
n
n
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 50 CUD/20122013
8.6.3. Equivalenciadecargas
Cargas en tringulo en paralelo
Z
2
Z
1
Z
1
Z
1
a
b
c
Z
2
Z
2
Z
1
Z
1
Z
2
Z
2
Z
2
a
b
c
Z
1
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 51 CUD/20122013
8.6.4. Potenciaensistemas
trifsicosequilibrados
Sea un sistema trifsico equilibrado:
La potencia activa absorbida por una fase vale:
Como el sistema es equilibrado, la potencia absorbida
por las 3 fases vale:
a
b
c
Carga
Trifsica
cos
F F F
P U I =
3 3 cos
T F F F
P P U I = =
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 52 CUD/20122013
8.6.4. Potenciaensistemas
trifsicosequilibrados
Dado que en una carga conectada en estrella se
cumple:
Y si la carga est conectada en tringulo se cumple:
Entonces, en ambos casos:
3
L
F
L F
U
U
I I
=
=
1

3
F F L L
U I U I =
3
F L
L
F
U U
I
I
=
=
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 53 CUD/20122013
8.6.4. Potenciaensistemas
trifsicosequilibrados
Y entonces se tiene:
En los sistemas trifsicos, si se habla de tensin o
intensidad y no se indica nada ms, se hace
referencia, de forma implcita, a magnitudes de
lnea. Entonces:
Atencin: U e I son magnitudes de lnea, pero:
3 co s
3 sen
T L L
T L L
P U I
Q U I

=
=

,
F F
U I =
3 co s
3 se n
T
T
P UI
Q UI

=
=
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 54 CUD/20122013
8.6.4. Potenciaensistemas
trifsicosequilibrados
Dado que la potencia compleja vale:
Entonces:
Por lo que la potencia aparente trifsica vale:
T T T
S P jQ = +
3
T
S UI =
( )
3 co s jse n
T T T
S P jQ UI = + = +
P
T
Q
T
S
T
Tringulodepotenciastrifsicas

( )
,
F F
U I =
FundamentosdeElectrotecnia Tema8 55 CUD/20122013
Referencias
PARRA, V. M.; ORTEGA, J.; PASTOR, A.; PEREZ, A.: Teora de Circuitos
(Tomo I). Universidad Nacional de Educacin a Distancia (UNED).
BAYOD, A.A.; BERNAL, J.L.; DOMINGUEZ, J.A.; GARCIA GARCIA, M.A.;
LLOMBART, A.; YUSTA, J.M.: Anlisis de circuitos elctricos I. Coleccin
Textos Docentes, vol. 58. Prensas Universitarias de Zaragoza.
SALLN, J.: Sistemas trifsicos. Dpto. Ingeniera Elctrica. Universidad de
Zaragoza.
BAYOD, A.A.: Anlisis de circuitos trifsicos en rgimen estacionario
senoidal. Coleccin Textos Docentes, vol. 108. Prensas Universitarias de
Zaragoza.