SEMICONDUCTORES

3.0. TIPO N Y TIPO P

Cuando al dopar introducimos tomos con tres electrones de valencia en un elemento de
tomos con cuatro estamos formando un semiconductor tipo P, viniendo su nombre del
exceso de carga aparentemente positiva (porque los tomos sigue sie!o eutros"
!e#i!o $ que tiee igu$l %mero !e ele&troes que !e protoes' que tienen estos
elementos. Estos tomos "extraos" que hemos aadido se recombinan con el resto pero
nos queda un hueco libre que produce atraccin sobre los electrones que circulan por
nuestro elemento. Tambin se produce una circulacin de estos huecos colaborando en
la corriente.
!in embargo, si los tomos aadidos tienen cinco electrones en su "ltima capa el
semiconductor sedenomina de tipo N, por ser potencialmente ms negativo que uno sin
dopar. En este tipo de materiales tenemos un quinto electrn que no se recombina con
los dems # que, por tanto, est libre # vaga por el elemento produciendo corriente. $ara
hacerse una idea de las cantidades que entran en %uego en esto del dopa%e se podr&a decir
que se introduce un tomo extrao por cada doscientos millones de tomos del
semiconductor.
'asta ahora hemos descrito la corriente elctrica como el paso de electrones de un lado
a otro pero ha llegado el momento de aumentar este concepto. Como hemos visto la
aparicin de un hueco produce el movimiento de un electrn hacia l de%ando de nuevo
un hueco al que ir otro electrn. Este movimiento puede verse desde dos puntos de
vista. El primero es el del electrn movindose de derecha a i(quierda, el segundo ser&a
el del hueco despla(ndose de i(quierda a derecha. Pues bien, no es correcto ni uno ni
otro, sino los dos a la vez. 'a# que pensar que tan importante es un movimiento como
el otro, # que la corriente elctrica hemos de concebirla como la suma de los dos. Como
veremos, en unos casos ser ms importante, cuantitativamente hablando, la corriente
creada por el movimiento de los electrones #, sin embargo, en otros lo ser la creada por
los huecos. !e ha adoptado por convenio que la corriente elctrica lleva el sentido de los
huecos, es decir, cuando seguimos el sentido de los electrones la corriente es negativa #
positiva en caso contrario.
)ebemos dividir a los semiconductores en dos grupos* intrnsecos y extrnsecos. Los
semiconductores extrnsecos son aquellos a los que se les ha dopado de alguna
forma, produciendo as& un semiconductor tipo $ o del tipo +. los intrnsecos son los
que no han sufrido ninguna clase de dopa!e
$uesto que el paso de electrones a travs de cualquier material siempre produce calor
nos va a ser imposible separar los efectos producidos por el dopa%e # el aumento de
temperatura en un semiconductor, as& que ambos efectos se suman # la circulacin de
electrones # huecos va a ser ma#or.
3.(. Port$!ores m$)orit$rios ) miorit$rios
+o est completa nuestra explicacin sin comentar brevemente lo que se conoce con el
nombre de portadores mayoritarios y minoritarios.
Cuando existe corriente dentro de un material hemos visto que es debida a electrones
movindose hacia un lado # a huecos despla(ndose en sentido contrario. $ero las
cantidades de unos # otros no tienen por qu ser iguales ni parecidas, esto depende del
material por el que circule la corriente. -lamamos portadores ma#oritarios a quien
contribu#a al paso de la corriente en ma#or medida #, obviamente, los minoritarios
sern aquellos que lo hagan en menor medida.
!i tenemos un material tipo + por el que circula corriente, los portadores mayoritarios
sern los electrones que le sobran por el dopa%e %unto con los electrones que saltan
debido al calor y los portadores minoritarios sern los huecos producidos al
marcharse los electrones de su sitio" $or el contrario, en un semiconductor tipo P los
portadores mayoritarios sern los huecos que tiene en exceso por el dopa%e ms los
huecos que se producen por efecto del calor, mientras que los portadores minoritarios
sern los electrones que han saltado de su sitio.
3.*. Ui+ P,N
-legados a este punto, cualquiera con un poco de curiosidad se habr hecho la siguiente
pregunta* #u$ ocurrira si se !untase un trozo de material tipo P con un trozo de
material tipo N% $ues bien, esta pregunta #a se la hi(o alguien hace unos cuantos aos #
dio origen a lo que ho# d&a se conoce como unin $.+.
)e nuevo, como electrnicos que somos, solamente nos interesa algo mu# concreto de
esta unin, lo cual no es otra cosa que su comportamiento de cara al paso de corriente
elctrica.
!upongamos, primeramente, que hemos unido por las buenas un tro(o de material tipo $
con uno tipo +, #u$ ocurre%, pues que los electrones que le sobran al material tipo
N se acomodan en los huecos que le sobran al material tipo P. $ero, o!o&, no todos
los de un bando se pasan al otro, solamente lo hacen los que estn medianamente
cerca de la frontera que los separa" / esto se le llama recombinaci'n
0 $or qu solo unos pocos1 $ues porque el hecho de que se va#an los electrones con
los huecos es debido a la atraccin mutua que existe entre ellos #a que poseen cargas
opuestas, sin embargo, una ve( que se han pasado cierta cantidad de electrones al otro
bando comien(a a haber una concentracin de electrones ma#or de lo normal, lo que
provoca que estos empiecen a repelerse entre ellos. Por tanto, se llega a un equilibrio
al haberse ido los suficientes electrones para apaciguar la atraccin hueco.electrn
inicial pero no tantos como para llegar a repelerse entre ellos.
2na ve( alcan(ado este equilibrio se dice que se ha creado una barrera de potencial.
2na barrera de potencial es simplemente una oposicin a que sigan pasando los
electrones # huecos de un lado a otro. Esta situacin permanecer inalterable mientras
no hagamos nada externo para modificarla, es decir, compensar el efecto de esa barrera
de potencial con otro potencial aportado por nosotros, por e%emplo, conectndolo a una
bater&a.
3.3 Pol$ri-$&i+ !ire&t$ e i.ers$
Existen dos formas de conectar una bater&a a una unin $.+. $rimero conectar el borne
positivo de la bater&a con el material tipo $ # el borne negativo con el material tipo + #
la otra conectar el borne positivo con el material tipo + # el borne negativo con el tipo
$. / la primera de ellas se la denomina polari(acin directa # a la segunda polari(acin
inversa. 3eamos qu ocurre en cada una de ellas. /l polari(ar directamente una unin $.
+ el polo negativo de la bater&a est in#ectando electrones al material +, mientras que el
polo positivo recibe electrones del lado $ crendose as& una corriente elctrica. Con esta
bater&a hemos conseguido vencer el obstculo que se hab&a creado debido a la barrera de
potencial existente entre ambos materiales. )e nuevo los electrones # los huecos pueden
pasar libremente a travs de la frontera.
!in embargo, al polari(ar inversamente una unin $.+ no se crea una corriente en
sentido opuesto sino que, curiosamente, no ha# corriente alguna. (sto es por que los
huecos libres del tipo P se recombinan con los electrones que proceden del polo
negativo de la batera, y los electrones libres del tipo N son absorbidos por $sta,
ale!ndose tanto huecos como electrones de la uni'n, en ve( de vencer nuestra barrera
de potencial sta se ha hecho ms grande # no existe corriente, aunque, para ser exactos,
s& existe una corriente # esta es la producida por los portadores minoritarios, pero es
demasiado pequea e inapreciable.
Port$!or m$)orit$rio
!altar a* navegacin, b"squeda
En electrnica # espec&ficamente en teor&a de semiconductores, se denominan
port$!ores m$)orit$rios a las part&culas cunticas encargadas del transporte de
corriente elctrica que se encuentran en exceso en un material semiconductor dopado
como tipo + o tipo $.
En un semiconductor tipo +, el cual consiste en un material semiconductor puro al cual
se le han agregado tomos de otro elemento qu&mico que posea al menos un electrn
adicional al que posee naturalmente dicho semiconductor 4usualmente 5sforo,
/rsnico o /ntimonio6, ha# en total mas electrones libres debido a los tomos de las
impure(as agregadas, que huecos, por lo cual en este tipo de material semiconductor, los
electrones son los portadores ma#oritarios, mientras que los huecos 4carencia de un
electrn6, son los portadores minoritarios.
$ara el caso de un semiconductor tipo $, que consisten en un material semiconductor
puro al cual se le han agregado tomos de otro elemento qu&mico que pertenece al grupo
777 de la tabla peridica de los elementos 4usualmente /luminio, 8alio, e 7ndio6 los
portadores ma#oritarios son los huecos 4o carencia de electrones6, mientras que los
portadores minoritarios son los electrones.