Semiconductor Extrnseco tipo N:

P,As,Sb(impurezas donantes) GV

Semiconductor Extrnseco tipo P:
B,In,Al(impurezas aceptantes) GIII

Neutralidad de la carga:

Ley de accin de masas:
()

()

()

Concentracin de electrones:
()()
() (

()

)

()()

()( ())

Si:

)
Si:

Ley de accin de masas:

Nivel de Fermi:

)
Si:

)
Si:

Corriente Elctrica en los materiales
Corriente de Arrastre: [causa: Campo
elctrico

Densidad de Potencia:

Corriente de Difusin:[causa:
]

Relacin de Einstein:

Ec. Continuidad: Numero de huecos
que desaparecen del volumen V por
unidad de tiempo:
(

[ ]

[ ]