PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES

Parmetro Simb Ge Si AsGa Unidad

N atmico Z 32 14
Peso molecular A 72.6 28.08 144.636 gr/mol
Densidad 5.323 2.33 5.32 gr/cm
Densidad atmica o molecular N

ato/cm
Densidad de estados
permitidos, electrones. N
C

est/cm
Densidad de estados
permitidos, huecos. N
V

est/cm
Masa efectiva electrn m
n
0.55 1.08 0.07 Me
Masa efectiva hueco m
p
0.39 0.55 0.43 Me
Anchura banda prohibida a 0K E
G0
0.785 1.21 1.44 eV
Anchura banda prohibida a 300K E
G
0.72 1.1 1.42 eV
Tipo de estructura de bandas Indirecta Indirecta Indirecta
Concentracin intrnseca a 300K n
i

por/cm
Movilidad de electrones a 300K
e
3800 1300 8500 cm/V.s
Movilidad de huecos a 300K
p
1800 500 400 cm/V.s
Constante de Difusin
de electrones a 300K D
e
99 34 220 cm/s
Constante de Difusin
de huecos a 300K D
h
47 13 10 cm/s
Constante dielctrica relativa 16 12 13.1
Resistividad intrnseca a 300K

45

.cm
Campo Elctrico de Ruptura E
rup

V/cm
Conductividad trmica 0.6 1.5 0.46 W/cmC

eV/k


CONSTANTES FISICAS
CONSTANTE SIMBOLO VALOR UNIDADES
Velocidad de la luz en el vaco c 2.998E+08 m/s
Aceleracin de la gravedad g 9.807 m/s
Constante de gravitacin universal G 6.673E-11 N.m/kg
Masa de la Tierra M
G
5.976E+24 Kg
Nmero de Avogadro N
o
6.023E+23 atm/mol
Volumen molar a 0C y 1 Atm. V
m
22.41 Litros
Masa electrn en reposo m
e
9.1E-31 Kg
0.511 MeV/c
Carga del electrn q
e
1.602E-19 Culombios
Relacin carga-masa del electrn q/m
e
1.759E+11 Cul/kg
Masa del protn en reposo m
p
1.675E-27 Kg
938.3 MeV/c
Masa del neutrn en reposo m
n
1.675E-27 Kg
939.6 MeV/c
Masa de peso atmico unidad u 1.66E-27 Kg
Constante de Planck h 6.626E-34 J.s
4.1361E-15 eV.s
Constante de Boltzmann K
B
1.381E-23 J/K
8.62E-05 eV/K
Constante de Stefan-Boltzmann
s
5.67E-08 W/(m.K4)
Constante de Faraday F 9.649E+04 Cul/mol
Constante de Rydberg R
H
1.097E+07 m-
Permeabilidad magntica del vaco
0
0.000001257 H/m
Permeabilidad elctrica del vaco
0
8.849E-12 F/m
Potencial equivalente de la temperatura a
300K V
T
0.0258 Voltios
Producto K.T a 300K K.T 0.0258 eV