ESTUDIO DEL COMPORTAMIENTO DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES
(VOLTAJE CONTRA CORRIENTE) EN CONFIGURACION DE EMISOR COMUN
Presentado por: Deyci Carolina Carvajal Ortiz Presentado a : Luis Ignacio Gonzlez Ramrez
UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER BUCARAMANGA 2014
OBJETIVOS Estudiar los transistores bipolares en configuracin de un emisor comn, y analizar su funcionamiento como interruptor o amplificador Analizar cules son las regiones operativas en el transistor Poder calcular K (ganancia de corriente), la impedancia y las corrietes Ib e Ic
1. Midiendo el valor real de los resistores y de la fuente con el multmetro, montar en el protoboard el siguiente circuito (el transistor es un 2N2222 o 2N3904):
2. Con ayuda de un potencimetro establecer voltajes desde cero hasta 5V en la entrada VENT y llenar la tabla midiendo el voltaje en la base Vb y en la salida VSAL (voltaje en el colector). Completar la tabla calculando la corriente en la base Ib corriente en el colector Ic, el coeficiente de amplificacin K y la impedancia de colector a emisor Zce.
3. En un nico grfico en papel milimetrado mostrar la dependencia de VENTR contra VSAL y Vb. Para esto debe poner en el eje X: VENTR. Y en el Y: VSAL y Vb.
4. Identificar en el grfico y en la tabla las regiones de saturacin, corte y activa del transistor. Las regiones ya han sido identificadas en la grfica.
CONCLUSIONES
Por medio de la realizacin de este laboratorio fue posible observar la variacin de los tres estados de un transistor en configuracin de emisor comn en el momento que es interruptor o amplificador; y al graficar los resultados obtenidos podemos observar que a medida que vara el voltaje de entrada el voltaje en la salida y el voltaje de la base cambian. Para un voltaje de entrada de 0 V- 0,7V est en regin de corte, cuando el voltaje pasa de 0,7 el voltaje de salida disminuye hasta llegar aproximadamente a 0, por otro parte el voltaje de base tiende a 0,7 llegando a la regin de saturacin.