El Memristor

Imagen de un circuito con 17 memristores capturada mediante un Microscopio de fuerza atmica.

Es llamado informalmente el cuarto elemento faltante bsico de la electricidad, los primeros tres
son el resistor, la inductancia y la capacitancia. La importancia de los Memristores es que
funcionan como synapses, el remplazar a los transistores clsicos de la electrnica por
Memristores puede llevar a la creacin de circuitos analgicos que podran pensar como el
cerebro humano.
Un memristor efectivamente almacenara informacin porque el nivel de su resistencia elctrica
cambia cuando es aplicada la corriente. Donde una resistencia tpica proporciona un nivel estable
de resistencia, un memristor puede tener un alto nivel de resistencia que puede ser interpretado
en una computadora en trminos de datos como un "1", y un bajo nivel que puede ser
interpretado como un "0". As, controlando la corriente, los datos pueden ser guardados y
reescritos. En un sentido, un memristor es una resistencia variable.
Solo necesitaban un sustrato de platino puro, al cual le depositaban dixido de titanio en su parte
superior, luego otro depsito de dixido de titanio seguido de otro sustrato de platino. La
diferencia entre los dos xidos reside en que a uno le falta tomos de oxigeno, estos tomos
faltantes actan como portadores de carga.
Este anuncio fue hecho por Williams en el 2008

Esta configuracin es tan buena conductora como los metales. Al removerse tomos de Oxigeno
del dixido de titanio, los agujeros (holes) que dejan (ausencias de cargas negativas) se comportan
como cargas positivas, similar a los electrones en una unin PN clsica.
En la figura siguiente, el voltaje positivo empuja las cargas positivas hacia abajo dentro del otro
TiO2, de esta forma el espesor del TiO2-x se incrementa al mismo tiempo que el espesor del TiO2
disminuye, despus de un tiempo la separacin entre los dixidos deja de ser la marcada por la
linea azul para convertirse en la marcada por la linea roja.
Al colocar un voltaje negativo podemos invertir el proceso y
aumentar el espesor de TiO2.

Aplicaciones potenciales
Pueden ser formados como memoria de estado slido no voltil, que permitira una mayor
densidad de datos que los discos duros con tiempos de acceso similares a la DRAM,
sustituyendo ambos componentes. Adems, al ser un dispositivo analgico, no solo podra
almacenar bits ("1"s y "0"s), sino bytes o cadenas de bytes en el mismo espacio,
solamente mejorando el dispositivo de control del memristor. Esto ofrece un futuro muy
prometedor a largo plazo.