Fabricacin de Chips

ndice
Introduccin.
Descripcin del Chip.
Popularidad de los Chip.
Tipos de Chip.
Clasificacin de los Chip.
Por nmero de componentes.
Por funciones integradas.
Limitaciones de los Circuitos Integrados.
Pasos necesarios para fabricar un chip.
Procesos que pueden intervenir en la
fabricacin de circuitos integrados

Introduccin
En Abril de 1949, el ingeniero alemn Werner
Jacobi (Siemens AG) completa la primera
solicitud de patente para circuitos integrados
como semiconductores amplificadores de
dispositivos. Jacobi realiz una tpica aplicacin
industrial para su patente, la cual no fue
registrada.
Ms tarde la integracin de circuitos fue
concebida por un cientfico de radares Geoffrey
W.A. Dummer (1909-2002), trabajando para
Royal Radar Establishment del Ministerio de
Defensa Britnico, y publicado en Washington,
D.C. en Mayo 7, 1952. A Dummer no le fue
posible construir los circuitos en 1956.
Introduccin
El primer CI fue desarrollado en 1958
por el ingeniero Jack Kilby justo meses
despus de haber sido contratado por
la firma Texas Instruments. Se trataba
de un dispositivo de germanio que
integraba seis transistores en una
misma base semiconductora para
formar un oscilador de rotacin de fase.
En el ao 2000 Kilby fue galardonado
con el Premio Nobel de Fsica por la
contribucin de su invento al desarrollo
de la tecnologa de la informacin.

Chip (Descripcin)
Un circuito integrado (CI) o chip, es una pastilla
muy delgada en la que se encuentra una enorme
cantidad (del orden de miles o millones) de
dispositivos microelectrnicos interconectados,
principalmente diodos y transistores, adems de
componentes pasivos como resistencias o
condensadores.
Chip (Descripcin)
Su rea es de tamao reducido, del orden de un
cm o inferior. Algunos de los circuitos integrados
ms avanzados son los microprocesadores, que
son usados en mltiples artefactos, desde
computadoras hasta electrodomsticos, pasando
por los telfonos mviles. Otra familia importante
de circuitos integrados la constituyen las
memorias digitales.
Popularidad de los CI
Solo ha trascurrido medio siglo desde que se
inici su desarrollo y los circuitos integrados se
han vuelto casi omnipresentes. Computadoras,
telfonos mviles y otras aplicaciones digitales
son ahora partes inextricables de las sociedades
modernas. La informtica, las comunicaciones, la
manufactura y los sistemas de transporte,
incluyendo Internet, todos dependen de la
existencia de los circuitos integrados. De hecho,
muchos estudiosos piensan que la revolucin
digital causada por los circuitos integrados es uno
de los sucesos ms significativos de la historia de
la humanidad.
Tipos
Circuitos monolticos: Estn fabricados en un
solo monocristal, habitualmente de silicio, pero
tambin existen en germanio, arseniuro de
galio, silicio-germanio, etc.

Tipos
Circuitos hbridos de capa fina: Son muy
similares a los circuitos monolticos, pero,
adems, contienen componentes difciles de
fabricar con tecnologa monoltica. Muchos
conversores A/D y conversores D/A se
fabricaron en tecnologa hbrida hasta que los
progresos en la tecnologa permitieron fabricar
resistencias precisas.
Tipos
Circuitos hbridos de capa gruesa: Se apartan bastante de
los circuitos monolticos. De hecho suelen contener circuitos
monolticos sin cpsula (dices), transistores, diodos, etc,
sobre un sustrato dielctrico, interconectados con pistas
conductoras. Las resistencias se depositan por serigrafa y se
ajustan hacindoles cortes con lser. Todo ello se encapsula,
tanto en cpsulas plsticas como metlicas, dependiendo de
la disipacin de potencia que necesiten.
Clasificacin
Atendiendo al nivel de integracin - nmero de
componentes - los circuitos integrados se
clasifican en:
SSI (Small Scale Integration) pequeo nivel: inferior
a 12
MSI (Medium Scale Integration) medio: 12 a 100
LSI (Large Scale Integration) grande: 100 a 1 000
VLSI (Very Large Scale Integration) muy grande: 10
000 a 99 999
ULSI (Ultra Large Scale Integration) ultra grande:
igual o superior a 100 000
En cuanto a las funciones integradas, los circuitos se
clasifican en dos grandes grupos:
Circuitos integrados analgicos.
Pueden constar desde simples transistores
encapsulados juntos, sin unin entre ellos, hasta
dispositivos completos como amplificadores,
osciladores o incluso receptores de radio completos.
Circuitos integrados digitales.
Pueden ser desde bsicas puertas lgicas (Y, O, NO)
hasta los ms complicados microprocesadores.
Limitaciones de los circuitos
integrados
Disipacin de potencia-Evacuacin del calor
Capacidades y autoinducciones parsitas
Lmites en los componentes
Densidad de integracin

Disipacin de potencia
Evacuacin del calor
Los circuitos elctricos disipan potencia. Cuando
el nmero de componentes integrados en un
volumen dado crece, las exigencias en cuanto a
disipacin de esta potencia, tambin crecen,
calentando el sustrato y degradando el
comportamiento del dispositivo.
Capacidades y autoinducciones
parsitas
Este efecto se refiere principalmente a las
conexiones elctricas entre el chip, la cpsula y
el circuito donde va montada, limitando su
frecuencia de funcionamiento. Con pastillas ms
pequeas se reduce la capacidad y la
autoinduccin de ellas.
Lmites en los componentes
Los componentes disponibles para integrar tienen
ciertas limitaciones, que difieren de las de sus
contrapartidas discretas.
Resistencias. Son indeseables por necesitar una
gran cantidad de superficie. Por ello slo se usan
valores reducidos.
Condensadores. Slo son posibles valores muy
reducidos y a costa de mucha superficie.
Bobinas. Slo se usan en circuitos de
radiofrecuencia, siendo hbridos muchas veces. En
general no se integran.
Densidad de integracin
Durante el proceso de fabricacin de los circuitos
integrados se van acumulando los defectos, de
modo que cierto nmero de componentes del
circuito final no funcionan correctamente.
Cuando el chip integra un nmero mayor de
componentes, estos componentes defectuosos
disminuyen la proporcin de chips funcionales.
PASOS NECESARIOS PARA
FABRICAR UN CHIP
PASO 1
Primero, se cortan pequeas tajadas (llamadas
wafers) de un lingote de silicio cristalino de un
99,9999 por ciento de pureza. Recordemos que
los tomos que componen el silicio en su estado
solid se distribuyen en forma regular formando
un cristal.
PASO 2
Se pule el wafer para eliminar impurezas o
ralladuras superficiales, logrando una
base casi perfecta para la fabricacin del
chip.
PASO 3
Ciertas porciones del silicio son alteradas
qumicamente para crear las regiones llamadas
source y drain de los transistores, que controlan
el flujo definido por la fotolitografita,
donde el wafer es cubierto con un material sensible
a la luz llamado photoresist. Luego, la luz
es proyectada a travs de una mascara con un
pattern (dise) sobre una seccin del wafer
(del tamao del chip) -un proceso similar al utilizado
para imprimir fotos de negativos. Una
maquina llamada stepper repite este proceso
para cada chip en el wafer.
PASO 4
Las reas expuestas del photoresist se
endurecen. Durante el proceso de revelado, las
partes no endurecidas del photoresist son
lavadas.
PASO 5
tomos de un material llamado dopante (por ejemplo Boro o
Arsnico) son forzados, mediante el bombardeo de iones, a
penetrar en un rea especifica en un proceso llamado doping
(dopaje), y son activados mediante un proceso trmico llamado
annealing El material resistente evita que los dopantes penetren
en reas en las que no deben ingresar. Luego de la implantacin
de iones, se remueve la resistencia endurecida y se repite el
proceso para otros tipos de dopantes implantados en diferentes
reas. En los siguientes pasos se usa un proceso parecido al de
usar patterns, pero el resist ahora acta como un etch mask
PASO 6
El gate del transistor se forma depositando y
usando patterns, una capa de dixido de
silicio (que forma el oxido del gate) y luego
una capa de polysilicon que es luego dopada
muy densamente. Este gate de polysilicon
acta como un faucet (grifo) para activar el
flujo de electrones entre el source y drain
on/off.
El resto de los pasos para la fabricacin de un chip implican la
formacin de wires (cables) que conectan el gate, source y drain de
los transistores entre si y con el mundo exterior. Capas de dixido de
silicio (que es un dielctrico o aislante) son depositadas sobre el
wafer usando el proceso llamado chemical vapor deposition (CVD).
Durante el proceso de CVD, gases que contienen tomos de
materiales que deben ser depositados reaccionan en la superficie
calentada del wafer, formando una fina pelcula de material solid.
Los metales, principalmente el aluminio, son depositados en
el wafer mediante el proceso llamado Physical Vapor Deposition
(PVD). Durante el PVD (tambin llamado sputtering) iones en estado
gaseoso son acelerados hacia el material target
(blanco) que debe ser depositado. Los iones quitan los tomos del
material target que caen y se acumulan en el wafer.
PASO 7
Los pasos 3, 4 y 5 se repiten para formar capas de dixido
de silicio, metales, cada uno con su pattern
correspondiente de modo de completar
el diseo del circuito. Una capa de un metal
conductor (usualmente aluminio) es depositada
(CVD o PVD), expuesta (photolithography) y
grabada (etched) para formar pequeas interconexiones
metlicas. Los chips complejos requieren de varias capas
de metal con conexiones verticales entre ellas llamadas
vias.
PASO 8
PASO 9
El wafer es cortado, o diced, para formar los
chips. Los chips se colocan en packages
(envases) y el llamado wirebonder (conector de
cables) conecta elctricamente los chips con los
pines o leads correspondientes del package.
PROCESOS QUE PUEDEN INTERVENIR
EN LA FABRICACIN DE CIRCUITOS
INTEGRADOS
EPITAXIA
O crecimiento epitaxial es
uno de los procesos en la
fabricacin de circuitos
integrados.
A partir de una cara de un
cristal de material
semiconductor, o substrato,
se hace crecer una capa
uniforme y de poco espesor
con la misma estructura
cristalina que este.
Mediante esta tcnica se puede
controlar de forma muy precisa
el nivel de impurezas en el
semiconductor, que son los que
definen su carcter (N o P).
Para hacer esto se calienta el
semiconductor hasta casi su
punto de fusin y se pone en
contacto con el material de base
para que, al enfriarse,
recristalice con la estructura
adecuada.
Oxidacin en semiconductores
La oxidacin es uno de los
procesos bsicos en la
fabricacin de circuitos
integrados.
Presenta la desventaja
respecto a la deposicin de
que hay un consumo del
sustrato. La ventaja es que el
xido as generado es de
ms calidad.
Otra caracterstica de la
oxidacin (u oxidacin
trmica) es que slo puede
utilizarse al principio del
proceso de fabricacin
cuando la oblea tiene an el
silicio al descubierto.

La forma ms usada es la oxidacin trmica. Para el caso del silicio (Si) la
oxidacin puede ser:
Si + 2H2O > SiO2 + 2H2
Si + O2 > SiO2
La primera es la oxidacin hmeda y la segunda oxidacin seca. La
oxidacin hmeda se realiza a travs de vapor agua a una temperatura de
900C a 1000C. El crecimiento es ms rpido pero presenta como
desventajas mayores defectos y menor control sobre la oxidacin.
La oxidacin seca se realizar con oxgeno puro a una temperatura de
1200C. Es un proceso ms lento pero por contra produce menos defectos
y ofrece un mayor control sobre el proceso.
Implantacin de iones
La implantacin de iones es un
proceso propio de la ingeniera de
materiales por el cual los iones de
un material pueden ser
implantados en otro slido,
cambiando por tanto las
propiedades fsicas de ste
ltimo.
La implantacin de iones es
utilizada en la fabricacin de
dispositivos semiconductores y en
el revestimiento de algunos
metales, as como en diversas
aplicaciones orientadas a la
investigacin en ciencia de
materiales.
Los iones provocan, por una
parte cambios qumicos en el
objetivo, ya que pueden ser de
un elemento distinto al que lo
compone, y por otra un cambio
estructural, puesto que la
estructura cristalina del objetivo
puede ser daada o incluso
destruida.

DIFUSION EN ESTADO SLIDO

Consiste en la insercin de tomos dopantes dentro del
semiconductor debido a la alta temperatura a que ste es
sometido. Con ello se consigue un perfil en la concentracin
de dopantes que disminuye montonamente.

DIFUSION EN ESTADO SLIDO
El proceso consiste en introducir las obleas
de semiconductor en un horno y dejar pasar
a travs de ellas un gas, el cual contiene las
impurezas. La temperatura del horno es de
800 a 1200C para el Si (Silicio) y de 600 a
1000C para el GaAs (Arseniuro de galio).
TIPOS DE
DIFUSION
Por concentracin constante en superficie: se
mantiene constante la concentracin de
impurezas en la superficie del semiconductor
y desde ah son difundidas al interior.
Por concentracin constante total: se deposita
la cantidad final de impurezas en la superficie
de la oblea y desde ah se difunden.
DESCOMPOSICION EN SEMICONDUCTORES
La deposicin en semiconductores es el
proceso por el cual se crea una nueva capa de
un material sobre una oblea de semiconductor.
La ventaja de esta tcnica es que al crear capas
nuevas no se afecta mucho a las ya existentes.
DESCOMPOSICION EN SEMICONDUCTORES
MATERIAL DEPOSITADO
dielctricos
xidos
nitruros
Conductores
metales
polisilicio
Otros
(por ejemplo
fotoresina)
El proceso se suele realizar en un
horno a alta temperatura y presin
controlada. Por medio de los gases
que se introducen en el horno
se logra una reaccin qumica
de la que se obtiene el nuevo
material.
CONCLUSIONES
Los microprocesadores son elementos de uso
masivo en los ltimos aos, gracias a al
versatilidad de sus aplicaciones y a lo porttil de
su almacenamiento.
Mediante un conjunto de nueve pasos, y algunas
sugerencias que influyen en su fabricacin, es
que se logra seguir desarrollando esta industria
que cada vez adquiere un valor mas pujante y de
vanguardia.
Los microprocesadores (CHIPS) son una parte
muy interesante de aplicacin de los
conocimientos de la Fsica Moderna, como el
tema de los tomos dopantes.
BIBLIOGRAFIA
http://es.wikipedia.org/wiki/Circuito_integrado#Intr
oducci.C3.B3n#Introducci.C3.B3n
http://www.intel.com/espanol/technology/magazin
e/pix/hb_fig1.gif
http://www.addlink.es/productos.asp?pid=566
GRACIAS X SU ATENCION!!!