Transistor Monounin

(UJT, Unijunction
Transistor)

Electrnica II: Potencia Bsica
ORDEN DE LA
PRESENTACIN
GENERALIDADES
MODELO ELCTRICO
RELACIONES PARAMTRICAS
CURVA CARACTERSTICA
CARACTERSTICAS DE Iemisor
HOJA DE ESPECIFICACIONES
CIRCUITO DE DISPARO
ACT. EXTRACLASE


Generalidades
El transistor monounin es un
dispositivo que consume muy baja
potencia en condiciones nominales
de funcionamiento.
Su uso puede ser en disparadores de
Rectificadores controlados de silicio o
circuitos de relajacin (osciladores).

Modelo elctrico
Generalmente, RBB se encuentra entre 4
a 10 k
Relaciones paramtricas del UJT
Donde:
(eta)
Separacin intrnseca
del transistor
Curva Caracterstica
Para voltajes del emisor a la izquierda
del punto pico, la magnitud de IE
nunca ser mayor a IEO
Curva Caracterstica
Una vez que VE=VP el voltaje VE decae conforme IE
aumenta hasta el punto en el valle, IV, y que
mantiene al transistor en un estado de saturacin
En la curva los
parmetros
importantes son:
IP
VV
IV
Carctersticas de Iemisor
Hoja de especificaciones
Circuito de disparo de un SCR
Un parmetro a
seleccionar
correctamente es R1
Actividades extraclase
Realizar un estudio comparativo de las secciones de libro
proporcionadas sobre: Parmetros, Smbolo, Circuito
Equivalente, y Curva Caracterstica.

Circuito bsico En que se utiliza?

Qu aspectos se pide solucionar en un circuito electrnico
clsico con UJT?. Transcriba el ejemplo 20.1 completo (pg.
948) en su cuaderno.

Suponga que se le pide disear un circuito de disparo del
UJT, Cul es el procedimiento a seguir? qu condiciones
deben cumplir los elementos del circuito?