Lista 2

2014-I
Fsica e Tecnologia de Dispositivos Semicondutores

Lista 2
Marvyn W. Inga C. & Diego Scoca
June 9, 2014
Outline
Exerccio 1
Obtenha V
0
, X
N
e X
P
e W e o campo eltrico mximo
Corrente de saturao devido aos eltrons e aos buracos
Resistncia dinmica em V = 0
Grco da capacitncia DC para tenses negativas e positivas
Exerccio 2
Estudo de curvas I vs. V considerando diferentes Rs1, Rs e Rp
Exerccio 3
Obtenha curvas de , e e em funo da espessura da base
Curvas na congurao de base comum para este transistor
Curvas na congurao de emissor comum para este transistor
Exerccio 4
Faa um esboo do diagrama de banda e obtenha
B
Obtenha V
0
em funo de = E
C
E
F
Obtenha a capacitncia em funo da tenso reversa na juno
Obtenha a expresso da probabilidade de tunelamento para um eltron com energia
Fsica e Tecnologia de Dispositivos Semicondutores - FI227
Exerccio 5
Repita o desenvolvimento da juno metal isolante para o semicondutor tipo n
Marvyn W. Inga C. & Diego Scoca | UNICAMP Fsica Aplicada I 3/47
Exerccio 1
Uma juno de GaAs tem num lado N
A
= 4 10
18
cm
3
e N
D
= 1 10
16
cm
3
. Obtenha:
V
0
, X
N
e X
P
A corrente de saturao devido aos eltrons e aos buracos
A resistncia dinmica em V = 0
Um grco da capacitncia DC para tenses negativas e positivas.
Obtenha V
0
, X
N
e X
P
Figure 1: Carga, campo eltrico, potencial e nveis de energia na regio de carga espacial de juno p-n
E
g
= qV
0
+ (E
cn
E
F
) + (E
F
E
vp
)
Ento
qV
0
= E
g
(E
cn
E
F
) (E
F
E
vp
) (1)
Lembre-se
E
c
E
F
= kT ln(
N
D
N
C
) (2)
E
F
E
v
= kT ln(
N
A
N
V
) (3)
Reemplazando em (1)
qV
0
= E
g
+kT ln(
N
D
N
C
) +kT ln(
N
A
N
V
)
qV
0
= E
g
+kT ln
_
N
D
N
A
N
C
N
V
_
(4)
Elemento m
c
/m
0
m
v
/m
0
E
g
GaAs 0.065 0.52 1.42 eV
Table 1: Massas efetivas de eltrons e buracos para o GaAs a T = 300 K
Temos
N
C
(T) = 2.5 10
19
_
m
c
m
0
_
3/2
_
T
300 K
_
3/2
cm
3
(5)
N
V
(T) = 2.5 10
19
_
m
v
m
0
_
3/2
_
T
300 K
_
3/2
cm
3
(6)
Usando os valores da tabela (1) a T = 300 K
N
C
(T) = 2.5 10
19
(0.065)
3/2
cm
3
= 4.14 10
17
cm
3
(4.7 10
17
cm
3
) (7)
N
V
(T) = 2.5 10
19
(0.52)
3/2
cm
3
= 9.38 10
18
cm
3
(7.0 10
18
cm
3
) (8)
Reemplazando em (4)
qV
0
= 1.42 eV + (0.025 86 eV) ln
_
(1 10
16
cm
3
) (4 10
18
cm
3
)
(4.14 10
17
cm
3
) (9.38 10
18
cm
3
)
_
= 1.42 eV 0.12 eV
V
0
= 1.30 JC
1
= 1.30 V
Para X
N
X
N
=
_
2N
A
V
0
(N
D
+N
A
)N
D
q
(9)
X
N
=
_
2 (12.9 8.854 10
16
C
2
N
1
cm
2
) (4 10
18
cm
3
) (1.30 10
2
NC
1
cm)
(1 10
16
cm
3
+ 4 10
18
cm
3
) (1 10
16
cm
3
) (1.602 10
19
C)
Finalmente
X
N
= 430.9 nm
Para X
P
X
P
=
_
2N
D
V
0
(N
D
+N
A
)N
A
q
(10)
ento
X
P
=
_
2 (12.9 8.854 10
16
C
2
N
1
cm
2
) (1 10
16
cm
3
) (1.30 10
2
NC
1
cm)
(1 10
16
cm
3
+ 4 10
18
cm
3
) (4 10
18
cm
3
) (1.602 10
19
C)
Finalmente
X
P
= 1.1 nm
Para W temos
W = X
P
+X
N
(11)
ento
W = 432.0 nm
Para o campo eltrico mximo
E
mx
= E(x = 0) =
qN
D
X
N
=
qN
A
X
P
(12)
E
mx
=
(1.602 10
19
C) (1 10
22
m
3
) (430.9 10
9
m)
12.9 8.854 10
12
Fm
1
ento
E
mx
= 6.0 10
6
Vm
1
Figure 2: Variao da densidade de carga, campo eltrico e potencial electrosttico no modelo unidimensional
da juno p-n
Corrente de saturao devido aos eltrons e aos buracos
I
0
= J
0
A = qA
_
D
N
N
A
L
N
+
D
P
N
D
L
P
_
n
2
i
(13)
Usando
Elemento D
N
D
P
L
N
L
P
n
i
GaAs 220 cm
2
s
1
10 cm
2
s
1
50 m 10 m 10
7
cm
3
Table 2: Valores tpicos para o GaAs
I
0
A
= (1.6 10
19
C)
_
220 cm
4
s
1
(4 10
18
) (50 10
4
)
+
10 cm
4
s
1
(1 10
16
) (10 10
4
)
_
(10
14
cm
6
)
I
0
A
= 1.62 10
17
A/cm
2
Para A = 100 m
2
= 10
6
cm
2
, temos
I
0
= 1.62 10
23
A (14)
Resistncia dinmica em V = 0
Temos
R
D
=
dV
dI
=
d
dI
_
kT
q
ln
_
I +I
0
I
0
__
=
I
0
I +I
0
kT
qI
0
(15)
Por tanto
R
D
|
V =0
=
kT
qI
0
(16)
Reemplazando I
0
para A = 100 m
2
temos
R
D
|
V =0
=
(1.38 10
23
JK
1
) (300 K)
(1.6 10
19
C) (1.62 10
23
A)
R
D
|
V =0
= 1.6 10
21

Grco da capacitncia DC para tenses negativas e positivas
A capacitncia diminui com a tenso reversa pois W aumenta.
C
A
=

W(V )
=
_
qN
D
N
A
2(N
D
+N
A
)(V
0
+V )
(17)
C
A
=
_
(1.6 10
19
C) (114.22 10
12
Fcm
1
) (1 10
16
cm
3
) (4 10
18
cm
3
)
2(1 10
16
cm
3
+ 4 10
18
cm
3
) (1.30 V +V )
C
A
= 0.3 10
6
_
1
(1.30 +V )
F/cm
2
(18)
Da Fig.2 para valores cercanos a V
0
= 1.30 V temos que C/A 10
7
F/cm
2
. Ento para um valor tpico
de A = 10
4
cm
2
(10
4
m
2
), obtemos um valor tpico da capacitncia
C = 10 pF
Figure 3: Grco da capacitncia DC para tenses negativas e positivas
Exerccio 2
Considerando o diodo acima, faa um estudo de curvas I vs. V considerando diferentes Rs1, Rs e Rp,
conforme descritos na pgina 19 do tpico 4. (obtenha diversas curvas e discuta sobre os efeitos)
Estudo de curvas I vs. V considerando diferentes Rs1, Rs e Rp
Temos
i =
(V R
s1
i R
p
i
0
)
R
p
+i
0
exp
_
q
kT
_
V
_
1 +
R
s
R
p
_
i
_
R
s1
+R
s
+
R
s
R
s1
R
p
___
(19)
V < 0; i = V/(R
p
+R
(
s1)) (mais efeitos de ruptura)
V >> V
0
; i = V/(R
p
+R
s1
)
Agora consideraremos diferentes Rs1, Rs e Rp
1. Considerando R
p
= 10 , R
s1
= 1 (R
s
= 10 ) e R
s
(R
s1
) varivel
2. Considerando R
p
= 1 k, R
s1
= 10 (R
s
= 10 ) e R
s
(R
s1
) varivel
3. Considerando R
p
= 1 G, R
s1
= 10 (R
s
= 10 ) e R
s
(R
s1
) varivel
Exerccio 3
Um transistor bipolar de silcio p-n-p tem dopagens N
AE
= 4 10
18
, N
DB
= 10
16
cm
3
e N
AC
=
4 10
17
. Obtenha curvas de , e e em funo da espessura da base. Obtenha as curvas na congurao
de base comum para este transistor. Faa uma tabela de V
CB
e I
E
em funo de pares I
C
, I
B
(Veja p. 21
do tpico 5). Com os valores de I
E
obtenha V
BE
. Faa curvas para o caso de emissor comum.
Obtenha curvas de , e e em funo da espessura da base
As correntes no transistor p-n-p so mostradas na gura abaixo:
A ecincia de injeo obtido da relao: I
E
p
= I
E
.
A ecincia de transporte B obtido da relao: I
C
p
= BI
E
p
.
Como I
C
= I
C
p
= BI
E
p
= BI
E
obtemos I
C
= I
E
, onde = B.
Alm disso, sabemos que I
B
= I
E
I
C
= I
C
_
1
1
_
= I
C
_
1
_
, fornecendo a relao
I
C
= I
B
, com =
_

1
_
.
Para calcularmos , e em funo da espessura da base, precisamos calcular todas as correntes. Desta
maneira, temos que
B = cosh
1
_
W
L
p
_
(20)
=
1
1 +
D
nE
L
p
N
DB
D
p
L
nE
N
AE
tanh
_
W
L
p
_ (21)
= B =
1
cosh
_
W
L
p
_
+
D
nE
L
p
N
DB
D
p
L
nE
N
AE
sinh
_
W
L
p
_ (22)
=
_

1
_
=
1
cosh
_
W
L
p
_
+
D
nE
L
p
N
DB
D
p
L
nE
N
AE
sinh
_
W
L
p
_
1
(23)
Note que tende a 1 quando N
AE
N
DB
e quando W/L
p
1.
Note tambm que
D
nE
L
p
N
DB
D
p
L
nE
N
AE
10
3
Curvas na congurao de base comum para este transistor
Vamos agora plotar as curvas caractersticas para a congurao de base comum (gura abaixo) desse
transistor. Para isso, precisamos das expresses das correntes em funo das respectivas tenses.
Deste modo, obtemos:
I
C
=
N
I
E
I
Cs
_
e
qV
CB
/kT
1
_
; I
Cs
I
Cs
0
(1
I
N
) (24)
I
E
=
I
I
C
I
Es
_
e
qV
EB
/kT
1
_
; I
Es
I
Es
0
(1
I
N
) (25)
mas,
I

I
Cs
e
N

I
Es
= (26)
=
eAD
p
L
p
p
B
0
cosh
1
_
W
L
p
_
(27)
I
Cs
=
eAD
p
L
p
p
B
0
coth
_
W
L
p
_
+
eAD
nC
L
nC
n
C
0
(28)
I
Es
=
eAD
p
L
p
p
B
0
coth
_
W
L
p
_
+
eAD
nE
L
nE
n
E
0
(29)
Assim, vemos que precisamos de apenas 3 parmetros para descrever I
Cs
, I
Es
e para descrever as correntes
coletor, emissor e base em funo de V
EB
e V
CB
!
I
C
= I
B
=
N
I
E
I
Cs
_
exp
_
qV
CB
kT
_
1
_
(30)
Para um transistor de p-n-p de Si com base de espessura W = 1 m, comprimento de difuso L
p
= 10 m
e concentrao de impurezas 100 vezes menor que a do emissor. Tambm tomamos D
n
E
/D
p
3 e
L
p
/L
n
E
= 3 un valor tpico. Substituindo estes valores na expresso para o obtemos para o fator de
amplicao de corrente = 71.4 que um valor tpico para um bom transistor.
Ento
=

1 +
= 0.986 (31)
Finalmente
I
C
I
Cs
= 0.986
I
E
I
Cs
_
exp
_
qV
CB
kT
_
1
_
(32)
A curva na congurao de base comum para este transistor mostrada no siguiente slide.
Para I
C
= 0 temos
V
CB
=
kT
q
ln
_
N
I
E
I
Cs
+ 1
_
(33)
0
2
4
6
8
10
-0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
I
c
/
I
c
0
-Vcb (V)
Ie/Ic0=2
Ie/Ic0=4
Ie/Ic0=6
Ie/Ic0=8
Ie/Ic0=10
Figure 4: Curva caracterstica de transistor p-n-p com I
E
/I
Cs
como parmetro usado na congurao de
base comum.
Curvas na congurao de emissor comum para este transistor
I
C
= I
B
I
C
s0
_
exp
_
q(V
CE
+V
BE
)
kT
_
1
_
(34)
Ento
I
C
I
C
s0
=
I
B
I
C
s0
_
exp
_
q(V
CE
+V
BE
)
kT
_
1
_
(35)
Exerccio 4
Considere um juno Si/Ti.
B
Obtenha V
0
em funo de = E
C
E
F
E = E
C
em funo de /kT
Resolva o item d numericamente e faa um grco
B
Figure 5: Diagrama de energia de junces metal-semicondutor (a) sistemas separados, e (b) conetados num
mesmo sistema. Quando o gap (c) reducido e (d) chega a ser zero.
Da Fig. 3(d) temos
B
=
m
(36)
A anidade eletrnica para o Si = 4.05 V e a funo trabalho para o Ti q
m
= 4.33 eV, ento
B
= 0.28 V
Obtenha V
0
em funo de = E
C
E
F
qV
0
= q
B
(E
C
E
F
) = q
B
(37)
Ento
V
0
=
B

q
(38)
X
N
=
_
2[q
B
(E
C
E
F
)]
q
2
N
D
(39)
Ento
C(V
ap
)
A
=

X
N
=
_
q
2
N
D
2[q
B
(E
C
E
F
) qV
ap
]
(40)
C(V
ap
)
A
= (1.6 10
19
C)
_
(8.854 10
14
Fcm
1
) (10
15
cm
3
)
2(0.28 eV 1.11 eV qV
ap
)
C(V
ap
)
A
= (2.7 10
9
)
_
1
0.83 +qV
ap
F/cm
2
(41)
Medindo-se C para diversas tenses reversas V
ap
nos permite obter
B
Figure 6: A capacitncia (C) para diversas tenses reversas V
ap
Desde que saibamos E
C
E
F
a intercesso de 1/C
2
vs. V
ap
nos d:
q
B
= qV
i
+ (E
C
E
F
) (42)
A equao de Schrodinger independente do tempo
h
2m
2
+V = E (43)
Vemos que a funo de onda dever ter comportamentos distintos nas 3 reas.
Calculando as funes de onda em cada rea
REA 1
d
2
dx
2
+k
2
1
= 0; k
1
=
_
2mE
h
2
(44)
Ento
I
(x) = A
1
exp(ik
1
x) +B
1
exp(ik
1
x) (45)
REA 2
d
2
dx
2
k
2
2
= 0; k
2
=
_
2m(V E)
h
2
(46)
Ento
II
(x) = A
2
exp(k
2
x) +B
2
exp(k
2
x) (47)
REA 3
III
(x) = A
3
exp(ik
1
x) +B
3
exp(ik
1
x) (48)
No caso de uma juno, identicamos
a = X
N
, E = E
C
, V
0
=
B
Ento a expresso da probabilidade de tunelamento para um eltron com energa E = E
C
:
T =
A
3
A
1
2
(49)
T =
1
1 +
_

2
B
4E
C
(
B
E
C
)
_
sinh
2
_
2X
N
_
2m
e
(
B
E
C
)
h
2
_ (50)
Exerccio 5
Repita o desenvolvimento da juno metal isolante semicondutor (pp 25 a 36) , tpico 6 (incluindo grcos
de Q
s
vs
s
) para o semicondutor tipo n. (Eu posso passar os arquivos do Power point e do Excel para
vocs editarem. Portanto, s precisa saber o que est fazendo e explicar.
Repita o desenvolvimento da juno metal isolante para o semicondutor tipo n
Do diagrama (Fig. 2 - Sze) de banda de energia para uma estrutura MIS (Metal-Isolante-Semicondutor)
ideal com V = 0, temos que
ms

m
_
+
E
g
2q
B
_
= 0 para tipo-n (51)
ms

m
_
+
E
g
2q
+
B
_
= 0 para tipo-p (52)
Para V = 0, o diagrama de banda de energia ca:
Agora, estamos interessados em relacionar o potencial/campo gerado na superfcie com as cargas na
superfcie e assim, obter a relao entre as condies (depleo, acmulo e inverso) em funo da tenso
desenvolvida na interface Isolante-Semicondutor. Nas notas de aula esse desenvolvimento foi realizado para
um semicondutor tipo-p. Agora, faremos essa anlise para um semicondutor tipo-n. Devido a diferena
de notao, chamaremos
Bn0
e
bi
da gura de
s
e , respectivamente, com
s
< 0 na gura
(conveno).
Assim, temos que a densidade de portadores em x :
n
n
(x) = n
n
0
e
q(x)/kT
p
n
(x) = p
n
0
e
q(x)/kT
(53)
onde n
n
0
e p
n
0
so as concentraes longe da interface.
Na interface, temos:
n
s
(x) = n
n
0
e
q
s
(x)/kT
p
s
(x) = p
n
0
e
q
s
(x)/kT
(54)
Deste modo, note que se
s
> 0, temos acmulo.
Se
B
<
s
< 0 temos depleo.
Se
s
<
B
< 0 temos inverso.
A equao de Poisson nos diz:
d
2
dx
2
=
(x)
=
q
_
N
A
N
+
D
+n
n
(x) p
n
(x)
d
2
dx
2
=
q
_
n
n
0
_
e
q
s
(x)/kT
1
_
p
n
0
_
e
q(x)/kT
1
_
Integrando do bulk em direo a superfcie, obtemos que
_
d
dx
_
2
= E
2
(x) =
2kT
n
n
0
__
e
q
s
(x)/kT
+
q(x)
kT
1
_
p
n
0
n
n
0
_
e
q(x)/kT
q(x)
kT
1
__
Ou seja,
E(x) =
_
2kT
n
n
0
__
e
q
s
(x)/kT
q(x)
kT
1
_
+
p
n
0
n
n
0
_
e
q(x)/kT
+
q(x)
kT
1
___
1/2
E(x) =
2kT
qL
D
F
_
,
p
n
0
n
n
0
_
; L
D

_
kT
n
n
0
q
2
onde
F
_
,
p
n
0
n
n
0
_
=
__
e
q
s
(x)/kT
q(x)
kT
1
_
+
p
n
0
n
n
0
_
e
q(x)/kT
+
q(x)
kT
1
__
1/2
Na superfcie,
E
s
=
Q
s
x =Q
s
=
2kT
qL
D
F
_
,
p
n
0
n
n
0
_
Deste modo, o sinal + (-) para < 0 (para cima) (> 0 (para baixo)), Q
s
> 0 (< 0)
Para compararmos com os clculos feitos para um semicondutor tipo-p, mostramos a gura abaixo.
-
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