INTRODUCCION.

Durante muchos aos el sector de la electrnica de potencia ha centrado su

investigacin en el desarrollo de componentes capaces de alcanzar grandes
velocidades de conmutacin y grandes cargas y que fueran sustitutivos de las
tecnologas anteriores que, para ciertas aplicaciones, ya haban quedado
obsoletas -como es el caso del transistor bipolar BJ !Bipolar Junction
ransistor-, los "#$%& y de los 'D"#$ !D"#$%& vertical() *ara ello, los
investigadores han combinado desde hace m+s de dos d,cadas las
posibilidades de los transistores bipolares y los denominados "#$%&, un
transistor de efecto de campo basado en la estructura "#$ !"etal #-ide
$emiconductor()
De esta combinacin nace en los aos ./, 01B !del ingl,s, 0nsulated 1ate
Bipolar ransistor( como un dispositivo semiconductor de gran capacidad que
generalmente es utilizado en sistemas o aparatos que requieren circuitos de
electrnica realmente potentes y con velocidades de conmutacin de hasta 2/
34z) 5unque no seamos conscientes de ello, los 01B nos acompaan en todo
momento y han sido claves en el desarrollo de la electrnica de potencia) $us
aplicaciones principales se centran en los sectores de6 control de motores,
sistemas de alimentacin ininterrumpida, sistemas de soldadura, iluminacin de
ba7a frecuencia y alta potencia) &st+n presentes en la circuitera de los
automviles, trenes, metros, autobuses, aviones y barcos pero tambi,n de los
electrodom,sticos del hogar mediante la intercone-in de diversos 01B que
controlan los motores el,ctricos) Dichos transistores 01B son la 8ltima
generacin en el campo de los dispositivos de conmutacin para alta tensin
que combina los atributos del BJ y del "#$%&) 9a combinacin de una
puerta aislada tipo "#$ y un colector:emisor bipolar le permite conmutar
tensiones y corrientes mucho mayores) &l flu7o de corriente se controla a trav,s
de una fuente de tensin de alta impedancia que permite que se puedan
controlar intensidades elevadas con una potencia de control muy ba7a) De
hecho, uno de los ,-itos de 01B es su ba7a necesidad de energa de control
para pasar del modo conduccin al modo bloqueo y viceversa)
&n resumidas cuentas para variar la velocidad de los motores de corriente
alterna, por e7emplo los que llevan incorporados algunos electrodom,sticos, lo
que se hace es alterar la frecuencia y amplitud de las ondas senoidales que
mueven los arrollamientos de dicho motor) &s decir, el motor girar+ con la
misma frecuencia que dichas ondas que pueden crearse mediante diversos
01B interconectados) 9a estructura de estos transistores es bastante comple7a
pero de muy reducidas dimensiones, de tamao apro-imado a un sello de
correos) B+sicamente podramos decir que es similar a la estructura de un
"#$%& a la que se aade un nuevo sustrato * como material semiconductor
deba7o de la zona ; epita-ia) &sto otorga a 01B una capacidad de conduccin
ambipolar) Durante sus primeros aos 01B tuvo que hacer frente a un
problema de latch-up que normalmente produca que el dispositivo se
destruyera t,rmicamente que se solucion mediante la modificacin del dopado
y la profundidad del sustrato)
9os 01B acumulan la mayor parte del mercado de componentes de potencia
para aplicaciones de media y alta tensin, no slo por su capacidad de
potencia sino tambi,n porque son tan r+pidos que la frecuencia de los impulsos
que generan son imperceptibles por el odo humano) &sta particularidad los ha
hecho especialmente interesantes para el desarrollo de los sistemas de aire
acondicionado, frigorficos, lavava7illas, ect), en los que los consumidores son
especialmente sensibles al ruido que emiten) 9a mayor parte de los ruidos de
los compresores procede de la utilizacin de transistores no demasiado r+pidos
y que slo se activan y desactivan en frecuencias audibles por las personas)
*ero las aplicaciones de 01B van mucho m+s all+ del control de motores)
5lgunos fabricantes de tecnologas de consumo ya los est+n utilizando para
me7orar sus dispositivos o dotarles de nuevas capacidades) *or e7emplo, una
de las 8ltimas aplicaciones de estos transistores ha permitido integrarlos en los
tel,fonos mviles para dotar a sus c+maras de un flash de -enn realmente
potente) &sto ha sido posible gracias a que los 01B han reducido
enormemente sus dimensiones) #tro e7emplo curioso de aplicacin de esta
tecnologa es su utilizacin para activar o desactivar los p-eles en las pantallas
t+ctiles de nueva generacin, sistemas de iluminacin de edificios o centrales
de conmutacin telefnica) 0ncluso ya e-isten algunos desfibriladores que
incorporan 01Bs) 9as posibilidades que nos ofrece 01B son innumerables)
De hecho ha sido uno de los componentes claves en el desarrollo del tren de
alta velocidad 5'&) 5 medida que esta tecnologa ha ido evolucionando, los
fabricantes de dispositivos el,ctricos y electrnicos han me7orado la capacidad
de conmutacin de sus soluciones para reducir las p,rdidas y me7orar la
velocidad y capacidad de carga) 01B se presenta como un <supertransistor=
que permitir+ avanzar en el desarrollo de la electrnica de electrodom,sticos
pero tambi,n son y ser+n una de las tecnologas b+sicas de los coches
el,ctricos)
MARCO TEORICO
El transistor Bipolar de Puerta Aislada (IGBT)
&l 01B es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que
combina los atributos del BJ y del "#$%&) *osee una compuerta tipo
"#$%& y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada) &l gate
mane7a volta7e como el "#$%&) 5l igual que el "#$%& de potencia, el 01B
no e-hibe el fenmeno de ruptura secundario como el BJ) 1eneralmente se
aplica a circuitos de potencia) &ste es un dispositivo para la conmutacin en
sistemas de alta tensin) 9a tensin de control de puerta es de unos >?') &sto
ofrece la venta7a de controlar sistemas de potencia aplicando una seal
el,ctrica de entrada muy d,bil en la puerta)
Caractersticas de funcionamiento
5lta capacidad de mane7ar corriente !como un bipolar(
%acilidad de mane7o !"#$%&!
El I"BT se suele usar cuando se dan estas condiciones
Ba7o ciclo de traba7o
Ba7a frecuencia !@ 2/ A4z(
5plicaciones de alta tensin !B>/// '(
5lta potencia !B? AC(
CARACTER#$TICA$ E%&CTRICA$.
D5;$0$#D 01B) EFD'5 E5D5E&D0$0E5 G $0"B#9#$)
%F;E0#;5"0&;# D&9 D5;$0$#D 01B
E5D5E&DH$0E5$ D& E#;"F5E0I;
&l encendido es an+logo al del "#$, en el apagado destaca la corriente de
<cola=6
%ormas de #nda Earactersticas de la ensin y Eorriente en el 5pagado de un
ransistor IGBT conmutando una carga inductiva !no comienza a ba7ar Id hasta
que no sube completamente Vd(
9a corriente de cola se debe a la conmutacin m+s lenta del BJT, debido a la
carga almacenada en su base !huecos en la regin n-()
J *rovoca p,rdidas importantes !corriente relativamente alta y tensin muy
elevada( y limita la frecuencia de funcionamiento)
J 9a corriente de cola, al estar compuesta por huecos que circulan por la
resistencia de dispersin, es la causa del <latch up= din+mico)
J $e puede acelerar la conmutacin del BJT disminuyendo la vida media de los
huecos en dicha capa !creando centros de recombinacin() iene el
inconveniente de producir m+s p,rdidas en conduccin)
J &n los *-01B la capa nK se puede construir con una vida media corta y la
n- con una vida media larga, as el e-ceso de huecos en n- se difunde hacia la
capa nK dnde se recombinan !efecto sumidero(, disminuyendo m+s r+pido la
corriente)
Lrea de #peracin $egura !$#5( de un ransistor 01B)
a( SOA directamente *olarizada !FBSOA( b( SOA 0nversamente
*olarizada !RBSOA(
J 0
Dma-
, es la m+-ima corriente que no provoca latch up)
J '
D$ma-
, es la tensin de ruptura de la unin B-E del transistor bipolar)
J 9imitado t,rmicamente para corriente continua y pulsos duraderos)
J 9a DB$#5 se limita por la M
'D$
:M
t
en el momento del corte para evitar el latch-
up din+mico)
E5D5E&DH$0E5$ G '59#D&$ 9H"0& D&9 01B)
J 0
Dma-
9imitada por efecto 9atch-up)
J '
1$ma-
9imitada por el espesor del -ido de silicio)
J $e disea para que cuando '
1$
N '
1$ma-
la corriente de cortocircuito sea entre
O a >/ veces la nominal !zona activa con '
D$
N'
ma-
( y pueda soportarla durante
unos ? a >/ Ps) y pueda actuar una proteccin electrnica cortando desde
puerta)
J '
D$ma-
es la tensin de ruptura del transistor pnp) Eomo Q es muy ba7a, sera
'
D$ma-
NB'
EB/
&-isten en el mercado 01Bs con valores de R//, >)2//, >)S//,
2)>// y T)T// voltios) !5nunciados de R)? A'()
J 9a temperatura m+-ima de la unin suele ser de >?/UE)
J &-isten en el mercado 01Bs encapsulados que soportan hasta O// o R//
5mp)
J 9a tensin '
D$
apenas vara con la temperatura) $e pueden conectar en
paralelo f+cilmente) $e pueden conseguir grandes corrientes con facilidad,
!>)2// o >)R// 5mperios()
&n la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios AC y
un par de "C, traba7ando a frecuencias desde ? A4z a O/A4z)

a) &fecto de '
1$
y la corriente de drenador sobre la cada en conduccin
!*,rdidas en conduccin() Fso de '
1$ ma-
!normalmenteN>?'()
b( &fecto de la corriente de drenador sobre la derivada de la cada en
conduccin respecto a la temperatura)
Aplicaciones "enerales I"BT
9os 01B acumulan la mayor parte del mercado de componentes de
potencia para aplicaciones de media y alta tensin, no slo por su capacidad
de potencia sino tambi,n porque son tan r+pidos que la frecuencia de los
impulsos que generan son imperceptibles por el odo humano)
#tro e7emplo curioso de aplicacin de esta tecnologa es su utilizacin
para activar o desactivar los p-eles en las pantallas t+ctiles de nueva
generacin, sistemas de iluminacin de edificios o centrales de conmutacin
telefnica)
&stos dispositivos semiconductores de potencia se utilizan en
convertidores EE:E5, en maquinaria, robots industriales, compresores de
equipos de aire acondicionado, equipos de fabricacin de semiconductores,
unidades de control de motores en automviles y vehculos el,ctricos hbridos,
equipos de soldadura)
Aplicaciones de I"BT en control por modos desli'antes
&l control en modo deslizante !'$E( aplicado a sistemas de estructura
variable !'$$( fue introducido en los aos ?/ en la antigua Fnin $ovi,tica por
&melyanov y otros colaboradores) $eg8n la definicin de $ira-Damrez V$ira-
Damirez, >W..X una superficie en el espacio de estado de un sistema din+mico
representa una relacin entre las variables de estado que describen el
comportamiento del sistema) $i ,ste es forzado a evolucionar sobre esta
superficie, las relaciones est+ticas de la din+mica resultante quedan
determinadas por los par+metros y ecuaciones que definen la superficie)
9a teora de sistemas de Eontrol por "odo Deslizante !CMD( representa
una parte fundamental de la teora de sistemas no lineales) &sta teora consiste
en el empleo de acciones de control conmutadas o discontinuas sobre una o
varias superficies de conmutacin) Fno de los principales inconvenientes
asociados a la t,cnica de E"D es la intensa actividad que debe e7ercer la seal
de control, lo que resulta en la presencia de oscilaciones de alta frecuencia)
Caso particular: Seales de referencia peridicas con valor medio nulo
&n el caso de poseer una seal de referencia con valor medio nulo, la
tensin de salida deber+ adquirir polaridad positiva y negativa en r,gimen
deslizante) &n el apartado anterior se mostr que cuando 8nicamente se utiliza
un interruptor bidireccional en corriente e-isten inconvenientes, determinados
por las inecuaciones que ofrecen la e-istencia de r,gimen deslizante, para
garantizar el deslizamiento cuando la tensin adquiere polaridad opuesta a la
tensin de entrada) Decu,rdese, por otra parte, que en el convertidor Boost el
dominio de e-istencia de r,gimen deslizante impona vB&, por lo que al invertir
la polaridad de la tensin de entrada se conseguir+n dos zonas de e-istencia
de r,gimen deslizante sin interseccin entre ellas, lo que implica que no podr+
lograrse seguimiento de seal con valor medio nulo mediante control en modo
de deslizamiento en este convertidor)
Fna solucin, ampliamente utilizada, que permite abordar esta problem+tica
consiste en variar la polaridad de la fuente de entrada adecuadamente
mediante la utilizacin de un puente completo de interruptores) 9a figura 2)O
muestra un esquema circuital de un puente completo implementado con
interruptores 01B, mientras que la ley de conmutacin, denominada de dos
estados, viene dada seg8n la tabla 2)W) *ara ello, se define la variable s que
indicar+ la polaridad de dicha fuente, de este modo cuando eNl la fuente de
entrada tiene polaridad positiva y cuando eN -l la fuente de entrada adquiere
polaridad negativa)
5plicacin del 01B en *C"6
9a "odulacin por 5ncho de *ulso !*C"( es un sistema de control para los
inversores con el cual se obtiene una onda de salida de notables
caractersticas y elevada prestacin, con reducido contenido armnico y seg8n
sea la aplicacin se puede optar por una salida de par+metros fi7os o variables6
J 'ariacin de la tensin de salida)
J 'ariacin de la frecuencia)
J 'ariacin a relacin constante ensin Y %recuencia)
&l circuito de potencia es el puente, en este caso monof+sico,
normalmente implementado con transistores "#$ o 01B, debido a que en
general traba7a con una frecuencia de conmutacin del orden de los >? 34z)
$eg8n la aplicacin, en *C" se lo utiliza entre >34z y O/ 34z y de hecho los
elementos operan en conmutacin)
9as altas frecuencias de conmutacin son deseables para motores de
corriente alterna, ya que permiten la operacin del equipo con una corriente en
el estator pr+cticamente senoidoal y un r+pido control de corriente para un alto
rendimiento din+mico) 5dem+s el ruido puede ser reducido a una frecuencia del
orden de los 2/3hz)
Decientemente los BJ y los "#$%&s han sido cmodamente usados para
esto, pero como una tercera posible alternativa los 01B han emergido
recientemente) 0B1 ofrece ba7a resistencia y requiere poca energa para la
activacin)
E% IN(ER$OR PUENTE TRI)*$ICO

9a figura T-. nos muestra el circuito que puede cumplir con los requisitos
solicitados por la ecuacin !T-O() *or lo tanto el motor 5E puede ser controlado
a velocidades diferentes a su valor nominal y a8n conservar las caractersticas
nominales de su torque)
9a 8nica forma de poder conseguir una onda de volta7e que cumpla con
el requisito de cambiar proporcionalmente su volta7e y frecuencia al mismo
tiempo, es por medio de un circuito 0nversor)
&n la figura T-. se muestran las partes que conforman la etapa de
potencia de todo tipo de variador de velocidad de motor 5E en la actualidad)

9a alimentacin de entrada es '5E monof+sico o trif+sico dependiendo
de la potencia del motor 5E a controlar) Dicho volta7e 5E es rectificado por
medio de un puente de diodos)

9uego tenemos la etapa de filtrado compuesta de filtro de corriente !bobina( y
filtro de volta7e !capacitor(, con el ob7etivo de disponer de una barra de volta7e
DE lo m+s continua posible !bornes KDE:-DE()

Dicha barra DE es la entrada al circuito inversor, el cual por medio del traba7o
conmutado de los 01B la convierte en un volta7e de salida !bornes F, ', C(
denominada <$eno-*C"=, que cumple con el requisito de mantener la relacin
':f a proporcin constante)


(O%TA+E $ENO,P-M

9a figura T-W muestra en forma detallada la onda <$eno-*C"= de salida del
inversor trif+sico en puente) 9a amplitud !'d( de dicha onda es igual a la barra
de volta7e DE !bornes KDE:-DE de entrada al circuito inversor()

&l motor recibe dicha onda de volta7e por los bornes de salida F,',C y la filtra
obteniendo corrientes !0F, 0') 0C( casi senoidales) &l promedio de volta7e eficaz
<'= depende del ancho de los pulsos y la frecuencia efectiva <f= vista por el
motor es >:) 9a velocidad de conmutacin de los transistores 01B es >:t
denominada <frecuencia portadora=)

&l resultado es que el motor recibe la relacin <':f= proporcional a sus valores
nominales, consiguiendo que desarrolle su traba7o a8n a velocidades menores
que lo normal y sin p,rdida de torque)

Bibliografica
.ttp//ccpot.0aleon.com/enlaces1232112..tml
.ttp//444.i5ercom.net/User)iles/)ile/industrial/I"BT.pdf
.ttp//almade.errero.5lo0spot.com/6717/71/transistores,i05t..tml
Control difuso por modo desli'ante para la resoluci8n del pro5lema de
$e0uimiento en $istemas No %ineales
*or J#$Z "5;F&9 5;DD5D& D5 $)[ *&DD# 5;#;0# &**5 1) G J#$Z
J&$\$ %&DD&D $) Fniversidad $imn Bolvar) $artene7as Y &stado "iranda,
'enezuela)
Control en modo deslizante aplicado a la generacin de seal en
convertidores conmutados C!C" esis doctoral presentada para la
obtencin del ttulo de doctor de Domingo Biel Sol. #ublicacin I$$$"
*O-ER E%ECTRONIC$) 45;DB##3 &D0#D-0;-E40&%) "F45""5D 4)
D5$40D) *h)D), %ello] 0&&, %ello] 0&&&) *rofessor and Director) Fniversity of
%lorida) Fniversity of Cest %lorida Joint *rogram and Eomputer &ngineering
Fniversity of Cest %lorida) *ensacola, %lorida
CONC%U$IONE$
$oto 'erduzco &dgar &mir
&l 01B es interesante, implementando caractersticas de los BJ y de
los "#$%&, que generalmente se usan para sistemas de potencia con
capacidad de comulacin o s]itcheo de 2/3hz seg8n le, y tambi,n dice que
se puede aplicar en grandes volta7es de mas de >///', cosa que me pareci
realmente sorprendente) &s asi como pienso que por sus caractersticas
reemplaz a los BJ y a los "osfet en algunas aplicaciones ya sea por que
ocupaban mayor frecuencia de conmutacin, necesitaban soportar mayor
volta7e o ocupaban soportar mayor potencia, y asi progresar con el desarrollo
de la tecnologa)