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Microondas 3 ITT-ST
Tema 4: Circuitos resonantes de microondas
Pablo Luis Lpez Esp
Microondas ITT-ST Tema 4
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c
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m
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c
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o
n
d
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s
Circuitos resonantes de microondas.
Circuitos RLC de parmetros concentrados
Circuito resonante serie.
Circuito resonante paralelo.
Acoplamiento de circuitos resonantes.
Circuitos resonantes con lneas de transmisin.
Lneas terminadas en cortocircuito.
Lneas terminadas en circuito abierto.
Circuitos resonantes con guas de onda: cavidades.
Cavidades en gua rectangular.
Cavidades en gua cilndrica.
Circuitos resonantes con materiales dielctricos.
Otros circuitos en lnea microstrip y stripline.
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o
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n
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s
Circuitos RLC de parmetros concentrados.
Circuito RLC serie
Impedancia de entrada al circuito:
En funcin de la potencia disipada y las energas medias
almacenadas:
1
IN
Z R j L
j C

= + +
( )
2
2
2
D M E
IN
P j W W
Z
I
+
=
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Circuitos RLC de parmetros concentrados (II).
En resonancia ambas energas son iguales.
Se define el factor de calidad como:
En funcin de este factor, la impedancia puede ponerse como:
0
1
LC
=
0 0
2 2
M E M E
D D D
W W W W
Q
P P P

+
= = =
0
0
1 L
Q
R CR

= =
0
2
2
IN
RQ
Z R j R j L

= + = +
0
f
Q
BW
=
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d
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s
Circuitos RLC de parmetros concentrados (III).
Circuito RLC paralelo:
Impedancia de entrada al circuito:
La pulsacin de resonancia tiene idntica expresin que en el
caso serie:
1
1 1
IN
Z j C
R j L

= + +


0
1
LC
=
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s
Circuitos RLC de parmetros concentrados (IV).
En resonancia, el factor de calidad se expresa como:
A partir de este valor, la impedancia de entrada ser:
0
0
R
Q RC
L

= =
1
0
1
2
1 2
IN
R
Z jC
R
j Q

= + =



+
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Factor de calidad total. Acoplamiento.
Cuando el circuito resonante se conecta a una carga, la
resistencia del circuito aumenta y por tanto, el factor de calidad
cambia:
Se define el coeficiente de acoplamiento como:
g = 1 Acoplamiento crtico.
g < 1 Infra-acoplamiento (undercoupling)
g > 1 Sobreacoplamiento (overcoupling)
0 0
0 0
1 1
1 1
T
L
T L
U L
L L
Q
R R
R R R
L L Q Q


= = = =
+
+ +
T
L
Q
g
Q
=
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d
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o
n
d
a
s
Mejora del acoplamiento (I)
0 1 0
1 0 1
1
2
eq
Q C C
C C C C
>> >>

0 0
2 2 2 2
0 0 0 0
D
Y B
Z j
Y B Y B
=
+ +
1
0 0
1 2 2 2 2
0 0 0 0
I L
Y B
Z jX jX j
Y B Y B
= +
+ +
( )
2
0 1 0
1 2
1
0
2
1 0 1 0 0
1 1
1 2 2 1
1
eq
C C Q
C C
Q
C C C C Q
>> >>
=
+ +
+

2
0 0 eq
R Q R
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Mejora del acoplamiento (II)
2
1
0
2
1
eq
C
R R
C

= +


1 2
1 2
eq
C C
C
C C
=
+
2
0
1
eq
n
R R
n

=


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Circuitos resonantes con lneas de transmisin.
Una lnea de transmisin terminada en cortocircuito o circuito
abierto se comporta como un circuito resonante si su longitud
es igual a cuarto o media longitud de onda.
Impedancia de entrada a una lnea cargada:
Propiedades de la tangente hiperblica:
tgh
tgh
L C
IN C
C L
Z Z d
Z Z
Z Z d

+
=
+
( )
( ) ( )
( ) ( )
tgh tg
tgh
1 tgh tg
x j y
x jy
j x y
+
+ =
+
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Lnea cortocircuitada.
Lnea terminada en cortocircuito:
Considerando media longitud de onda y alrededor de la
frecuencia de resonancia ( = 0 + ):
tgh
IN C
Z Z d =
0

2
P
v
d

= =
0 P
d
d
v

= = +
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Lnea cortocircuitada (II).
Puesto que la tangente es una funcin peridica:
Considerando bajas prdidas, la impedancia de entrada puede
aproximarse como:
( )
0 0 0
tg tg tg d




= + =


0
0
0
1
IN C C
d j
Z Z Z d j
j d

+

= +

+
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Lnea cortocircuitada (III).
Comparando esta expresin con la del circuito resonante serie
de parmetros concentrados:
El factor de calidad del circuito resonante es:
C
R Z d =
0
2
C
Z
L

=
0
2
C
C
Z
=
0
2
L
Q
R

= =
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Lnea cortocircuitada (IV).
Si se considera una lnea de longitud d = /4 y alrededor de la
frecuencia de resonancia ( = 0 + ):
Aprovechando relaciones trigonomtricas:
0
2
p
v
d

=
0
2 2
d

= +
( )
0 0 0
cotg cotg tg
2 2 2 2
d

= + =


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Lnea cortocircuitada (V).
Considerando bajas prdidas, la impedancia de entrada a la
lnea es:
Comparando con el circuito resonante paralelo de parmetros
concentrados:
0
0 0
1
2
2 2
C
IN C
j d
Z
Z Z
d j d j

+
=

+ +
C
Z
R
d
=
0
4
C
C
Z

=
0
4
C
Z
L

=
0
2
R
Q
L


= =
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Lnea en circuito abierto.
Lnea terminada en circuito abierto:
Impedancia de entrada a la lnea:
cotgh
IN C
Z Z d =
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Lnea en circuito abierto (II).
Considerando media longitud de onda y alrededor de la
frecuencia de resonancia ( = 0 + ):
Comparando con el circuito resonante paralelo de parmetros
concentrados:
0
0 0
1
C
IN C
j d
Z
Z Z
d j d j

+
=

+ +
C
Z
R
d
=
0
2
C
C
Z

=
0
2
C
Z
L

=
0
2
R
Q
L


= =
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Lnea en circuito abierto (III).
Si se considera una lnea de longitud d = /4 y alrededor de la
frecuencia de resonancia ( = 0 + ), siguiendo los pasos
descritos anteriormente, los elementos del circuito resonante
serie de parmetros concentrados equivalente son:
C
R Z d =
0
4
C
Z
L

=
0
4
C
C
Z
=
0
2
L
Q
R

= =
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Circuitos resonantes en gua de onda.
Se construyen mediante tramos de gua de onda terminados en
cortocircuito.
La potencia se disipa en las paredes metlicas y en el
dielctrico que rellena la cavidad.
La energa se almacena en los campos elctricos y magnticos
confinados.
Pueden solucionarse planteando la ecuacin de onda sujeta a
las condiciones de contorno de la cavidad o, de manera ms
sencilla, a partir de las soluciones de los modos TE o TM de los
distintos tipos de gua.
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s
Cavidades en guas rectangulares.
Expresin del campo elctrico en la cavidad:
Para que se anule en z = 0 ambas amplitudes deben ser iguales
( ) ( )
, ,
, , ,
m n m n
j z j z
t
E x y z e x y A e A e
+ +

= +

( ) ( ) ( )
,
, , 2 , sen
t m n
E x y z jA e x y z
+
=

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n
t
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m
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n
d
a
s
Cavidades en guas rectangulares (II).
Para que se anule en z = d
Nmero de ondas de la cavidad y frecuencias de resonancia
El modo fundamental de la cavidad es el TE101
,
1, 2, 3...
m n
d l l = =
2 2 2
, , m n l
m n
k
a b d

= + +


, ,
, ,

2
m n
m n
r r
c k
f

=

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a
n
t
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Cavidades en guas rectangulares (III).
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Cavidades en guas rectangulares (IV).
Representacin de la amplitud del campo elctrico dentro de la
cavidad:
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s
Cavidades en guas rectangulares (V).
Factor de calidad de la cavidad. Energas elctrica y magntica.
Potencia disipada en los conductores.
* 2
0
4 16
E y y
V
abd
W E E dV E

= =

( )
2
* * 2
0
2 2 2 2
1
4 16
M x x z z E
V
TE
abd
W H H H H dV E W
Z k a

= + = + =

0
2
S
R

=
2 2 2 2
2
0
2 2 2
2 8 2 2
S S
c t
Paredes
R R E ab bd a d
P H dS
d a d a

= = + + +

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Cavidades en guas rectangulares (VI).
Potencia disipada en el dielctrico:
Factores de calidad
2
2
0
"
1 "

2 2 8
d
V V
abd E
P J E dV E dV

= = =


0
2
E
C
C
W
Q
P

=
0
2 ' 1
" tg
E
D
D
W
Q
P


= = =
1
1 1
T
D C
Q
Q Q
=
+
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Cavidades en guas rectangulares (VII).
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s
Cavidades en guas cilndricas.
Cavidad cilndrica:
Para que se cumpla la condicin
de contorno en z=0
( ) ( ) ( )
,
, , 2 , sen
t m n
E x y z jA e x y z
+
=

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n
t
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o
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n
d
a
s
Cavidades en guas cilndricas (II).
Constantes de propagacin modos TE y TM
Condicin de resonancia:
Frecuencias de resonancia modos TE
2
, 2
,
'
n m
n m
p
k
a

=


2
, 2
,
n m
n m
p
k
a

=


,
1, 2, 3...
m n
d = =
2
2
,
, ,
'
2
n m
n m
r r
p
c
f
a d

= +

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n
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n
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s
Cavidades en guas cilndricas (III).
Frecuencias de resonancia modos TM
El modo fundamental es el TE111. El primer modo TM es el
TM110
Para la construccin de frecuencmetros se emplea el modo
TE011 por su mayor factor de calidad.
2
2
,
, ,
2
n m
n m
r r
p
c
f
a d

= +

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Cavidades en guas cilndricas (IV).
Carta de modos
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Cavidades en guas cilndricas (V).
Energa elctrica almacenada:
Potencia disipada en los conductores:
( )
2 2 2
0 0 0
2
2
d a
E
z r
W W E E d d dz

= = =
= = +

( )
( )
2
2 2 4 2
2 0
, 2
,
,
2 1 '
'
8 '
E n n m
n m
n m
k a H d n
W W J p
p
p




= =





( )
( ) ( )
2
2
2 2
2 2
0 , 2 2
,
, ,
' 1 1
2 2 '
' '
S
C n n m
n m
n m n m
R ad an a n
P H J p
p
p p

= + +






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s
Cavidades en guas cilndricas (VI).
Potencia disipada en el dielctrico:
Factor de calidad. QC decrece segn la raz de f
( )
2 2
*
1 ''

2 2
D
V V
P J E dV E E dV

= = +


( )
( )
2
2 2 4 2
2 0
, 2
,
,
''
1 '
'
8 '
D n n m
n m
n m
k a H d n
P J p
p
p




=





0
C
C
W
Q
P

=
0
2 ' 1
" tg
E
D
D
W
Q
P


= = =
1
1 1
T
D C
Q
Q Q
=
+
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Cavidades en guas cilndricas (VII).
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Excitacin de cavidades
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Frecuencmetros de cavidad
Frecuencmetro con una cavidad cilndrica ajustable donde
se excita el modo TM011
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s
Resonadores dielctricos.
Consisten en un pequeo disco o un cubo fabricados en un
material dielctrico de alta permitividad.
Si la constante relativa es alta se asegura un cierto
confinamiento de los campos. Se emplean materiales con
constante dielctrica entre 10 y 100 como xidos de titanio y
bario.
Menores tamao, coste y peso que las cavidades metlicas.
No existen prdidas en el conductor. Los factores de calidad
que se obtienen son de varios miles.
El modo de resonancia habitual es el TE01 anlogo al TE011 de
las guas cilndricas.
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Resonadores dielctricos (II).
Geometra de un resonador dielctrico cilndrico.
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Resonadores dielctricos (III).
Despreciando los efectos de borde, la frecuencia de resonancia
se obtiene:
Si la constante dielctrica es alta, el factor de calidad es
aproximadamente 1/tg
tg
2
L

=
2
2 2 2 01
0 0 C
p
k k k
a

= =


2
2 2 2 01
0 0 r C r
p
k k k
a


= =


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Algunas Referencias
Alpuente, J. et al (2001). Lneas de Transmisin y Redes de
Adaptacin en Circuitos de Microondas. Servicio de
Publicaciones de la UAH.
Pozar, D. M. (1998). Microwave Engineering. John Wiley and
Sons.
Ramo, S. et al. (1993). Fields and waves in Communication
Electronics. John Wiley and Sons. 3 Ed.