1/6

19/5/99
EL TRANSISTOR MOS DE ENRIQUECIMIENTO
p+ n+ n+
p
D
G
S B
fuente
puerta
drenador substrato
n+ p+ p+
p
D
G
S B
fuente
puerta
drenador substrato
n
D
S
G B
D
S
G
D
S
G B
D
S
G
NMOS
PMOS
aislante
2/6
19/5/99
EL TRANSISTOR MOS DE EMPOBRECIMIENTO
p+ n+ n+
p
D
G
S B
fuente
puerta
drenador substrato
n+ p+ p+
p
D
G
S B
fuente
puerta
drenador substrato
n
D
S
G B
D
S
G
D
S
G B
D
S
G
NMOS
PMOS
canal
canal
3/6
19/5/99
V
GS
V
T
I
D
V
DS
V
DS
POSITIVA Y PEQUEA
V
DS
I
D

V
GS
n+ n+
p
D
G
S
V
GS
V
DS
E
V
GD
V
GS
V
DS
=
V
DS
PEQUEA
V
GD
V
GS

CAMPO ELCTRICO UNIFORME

n+ n+
p
D
G
S
V
GS
V
DS
V
GS
V
T

se invierte la naturaleza del semiconductor

n
n+ n+
n
n+ n+
n
n+ n+
n
Corriente de arrastre a travs de un conductor
cuya seccin y conductividad se controlan con V
GS
ZONA LINEAL U HMICA
I
G
= 0
4/6
19/5/99
V
DS
POSITIVA Y GRANDE
V
GD
V
GS
V
DS
=
V
DS
GRANDE
V
GD
V
GS
<
n+ n+
p
D
G
S
V
GS
E
CAMPO ELCTRICO NO UNIFORME
n+ n+
p
D
G
S
V
GS
V
DS
n
V
DS
I
D

n+ n+
n+ n+
n
n+ n+
n
n
el canal desaparece en el extremo de drenador
V
GD
V
T
=
V
GD
V
GS
V
DS
=
V
DS
V
GS
V
T
=
V
GS
FIJA
Corriente de difusin que no depende de V
DS

ZONA DE SATURACIN
5/6
19/5/99
V
GS
V
T
I
D
V
DS
V
DS
I
D

V
GS
FIJA
CORTE HMICA SATURACIN
HMICA
SATURACIN
V
DS
V
GS
V
T
=
D
S
G V
GS
V
T

D
S
G
D
S
G
V
GS
V
T

V
DS
V
GS
V
T

V
DS
V
GS
V
T

V
GS
V
T

si
y
si
y
SATURACIN
HMICA
CORTE
V
DS
V
GS
V
T
I
D
V
GS
V
T
( ) V
DS

V
DS
R
--------- =
R V
GS
V
T
( ) ( )
1
=
I
D
V
GS
V
T
( ) V
DS
V
DS
2
2
--------- =
I
D

2
---
V
GS
V
T
( )
2
=
D
S
G
I
D
MODELOS
6/6
19/5/99
TABLA RESUMEN DE MODELOS Y CONDICIONES
D
S
G
D
S
G
D
S
G
I
D

2
--- V
GS
V
T
( )
2
=
I
D
V
GS
V
T
( ) V
DS
V
DS
2
2
--------- =
V
GS
V
T

V
DS
V
GS
V
T

V
DS
V
GS
V
T

V
GS
V
T

V
GS
V
T

G
S
D
si
y
si
y
si
V
T
0 >
S
D
G
S
D
G
S
D
G
I
D

2
--- V
SG
V
T
( )
2
=
I
D
V
SG
V
T
( ) V
SD
V
SD
2
2
--------- =
V
SG
V
T

V
SD
V
SG
V
T

V
SD
V
SG
V
T

V
SG
V
T

V
SG
V
T

G
S
D
si
y
si
y
si
V
T
0 >
G
S
D
V
T
0 <
G
S
D
V
T
0 <
V
GS
V
T
I
D
(0,0)
G
S
D
V
T
0 <
n+ n+
campo elctrico con
V
GS
0 <
n+ n+
no hay canal para
V
GS
V
T
= 0 <
PMOS
G
S
D
cambia la polaridad de los portadores