CONCEPTOS UNIDAD II.

DEFECTOS EN LA ESTRUCTURA CRISTALINA

ndices de Miller: Notacin cristalogrfica que permite identificar a los diferentes planos y
direcciones cristalogrficas existentes en un cristal.
ndices de Miller para planos: Para definir un plano reticular o el conjunto de sus par alelos, se
utilizan tres ndices de Miller (h k l), segn los siguientes pasos:
Se determinan las intersecciones del plano con los ejes cristalogrficos, de tal forma que el
plano no debe contener a ninguno de los ejes. Las intersecciones se expresan en funcin del
parmetro de red que, independientemente del valor que tenga, se asocian a la unidad.
Se calculan los recprocos de los nmeros resultantes.
Se buscan los nmeros enteros ms pequeos que se encuentren en la misma relacin que
los recprocos.
Se expresa la notacin de Miller para el plano considerado.

Ejemplos:

Ejercicios:






Soluciones:
Plano A:

Plano B:

Plano C:







Plano D:

Plano E:

ndices de Miller para direcciones: Para definir una direccin cristalogrfica, se utilizan tres ndices
de Miller [h k l], segn los siguientes pasos:
Se determina la coordenada inicial (X1,Y1,Z1) y la coordenada final (X2,Y2,Z2) de la direccin.
Se restan las coordenadas identificadas:
(X2,Y2,Z2) - (X1,Y1,Z1) = X2 X1 Y2 Y1 Z2 Z1
Se buscan los nmeros enteros ms pequeos.
Se expresa la notacin de Miller para la direccin considerada.

Ejemplos:



Imperfecciones Cristalinas: La estructura cristalina perfecta no existe, ya que contiene diferentes
tipos de defectos o imperfecciones de red que destruyen su periocidad y con ello la ubicacin ideal
de los puntos homlogos del retculo. Los defectos o imperfecciones en los materiales repercuten
directamente sobre sus propiedades.
Las imperfecciones o defectos cristalinos se clasifican segn su geometra y forma en:
Defectos puntuales.
Defectos Lineales.
Defectos Superficiales.

La existencia de estos defectos condiciona el comportamiento general del material. Por
ejemplo, la presencia de defectos de punto permite el movimiento de tomos mediante el
mecanismo de difusin que tiene lugar durante los tratamientos trmicos; la existencia de
defectos de lnea facilita la deformacin plstica del material y la resistencia a la corrosin se
relaciona con la presencia de defectos de superficie.
Defectos Puntuales: Los defectos puntuales son los defectos cristalinos ms sencillos y se relacionan
directamente con los nudos de la red. Este tipo de defectos se origina en una primera etapa durante
la solidificacin del material, bien por la posicin incorrecta de un tomo en un lugar no adecuado
del cristal o por la ausencia de alguno de ellos en su correspondiente posicin de equilibrio. Adems
los cambios de temperatura que tienen lugar durante los calentamientos y enfriamientos del
material dan lugar a fluctuaciones en la energa interna de los tomos lo que provoca su difusin
interna, desplazndolos de sus posiciones de mnima energa. Por otra parte, tambin pueden
originarse durante su procesamiento mediante forja, laminacin, extrusin, etc
Segn su naturaleza los defectos puntuales se clasifican en intrnsecos y extrnsecos, agrupados en
los intrnsecos en las categoras de vacantes o intersticiales; mientras que dentro de los extrnsecos
se encuentran defectos sustitucionales, adems de intersticiales.
Defecto puntual intrnseco de Vacancia: Por si carcter intrnseco, se trata de defectos inherentes
a la propia red del material cristalino. Una vacante se produce cuando un tomo no ocupa su
posicin de equilibrio en la red, dejando por tanto un hueco en la mima y generando una distorsin
en su entorno.

Defecto Puntual intrnseco Intersticiales: El intersticio es el espacio libre entre tomos que
forman el cristal. Como es lgico este espacio intersticial es mucho menor que el propio
volumen del tomo que forma la red, por lo que si un tomo se sita de forma anmala en uno
de los espacios interatmicos genera un defecto puntual de naturaleza intersticial, provocando
una zona deformada por distorsin expansiva de los planos cristalogrficos que le rodean. Este
tipo de defecto es poco frecuente como consecuencia del impedimento que el tamao de los
intersticios impone. Se trata de un defecto intrnseco al material, aunque tambin puede
inducirse en el material mediante irradiacin neutrnica.


Defectos puntuales extrnsecos: Se trata de defectos puntuales de naturaleza externa,
consecuencia de la presencia de tomos de distinta naturaleza al metal base en la red cristalina. Si
estas impurezas se sitan en los intersticios de la red se denominan intersticiales. As los tomos de
elementos de pequeo radio atmico pueden alojarse fcilmente en los intersticios sin apenas
provocar distorsin en la red el material, como ocurre en el caso de los no metales como H,O,N o C
y en metales como por ejemplo B, cuyos radios atmicos oscilan entre 6,5 y 11,7 nm.
Si la impureza sustituye u ocupa una posicin de equilibrio en la red del metal se considera un
defecto sustitucional. Para que esto ocurra la impureza debe tener un tamao, carga y estructura
similar al sustituido. En cuanto al tamao, la diferencia entre los radios atmicos de ambos tipos de
tomos no debe superar el 15%. En relacin a la carga, se requiere que la diferencia de
electronegatividad sea mnima. Por ltimo para que la solubilidad en estado slido sea completa,
ambos tipos de elementos deben presentar estructuras cristalinas similares.

Por otra parte se han caracterizado otros tipos de defectos puntuales, que son ms habituales en
los materiales cermicos, tales como el de Schottky, que se define como un par de defectos vacante-
intersticio, de manera que se produce la ausencia de los tomos/iones en sus posiciones de
equilibrio; o el de Frenkel, obtenido mediante irradiacin con partculas nucleares, que asocia un
par de vacante-intersticio de modo que la especie ocupante del intersticio se sita en el intersticio
contiguo, generando as una defecto doble.

Defectos de Lnea. Dislocaciones: Los defectos cristalinos denominados dislocaciones son defectos
asociados principalmente a la deformacin mecnica. Cuando se considera el movimiento de los
tomos de un plano con respecto a otro en un cristal se produce cizallamiento o cortadura
caracterizado por el desplazamiento relativo de los mismos. Pues bien los esfuerzos tericos para
necesarios para producir dicho desplazamiento frente a los reales discrepan fuertemente, siendo
estos ltimos muy inferiores a los tericos. Estas diferencias se justifican por la existencia de
defectos lineales o dislocaciones en la red. Por ejemplo, para un metal de cobre la tensin crtica de
cortadura terica es del orden de 1000 MPa, mientras que el real para deslizar planos atmicos
entre s es de una orden de magnitud menor, 100MPa.
Dislocacin de Borde: Este tipo de dislocaciones puede considerarse como un plano insertado (o
faltante) en el interior del cristal que provoca una deformacin local de la red. La dislocacin suele
designarse con una T invertida que representa el borde de un semiplano extra de tomos.


Dislocacin Helicoidal: Este tipo de dislocaciones se puede definir como planos en forma de
escalera de caracol en el interior del cristal. Su nombre procede del apilamiento en espiral de
planos cristalinos a lo largo de la lnea de dislocacin.

Vector de Burgers: Las dislocaciones se caracterizan mediante el vector de Burgers, determinndose
mediante el circuito de Burgers que se realiza paso a paso alrededor de la dislocacin o defecto.
El cristal sin defecto tendr un circuito cerrado, en un cristal con dislocaciones ser necesario para
cerrar el circuito un vector de desplazamiento de cierre b que caracteriza el defecto en la estructura
cristalina y se denomina vector de Burgers.






Movimiento de dislocaciones: Las dislocaciones se mueven con mayor facilidad en los planos de
mayor densidad atmica ya que la distancia entre tomos es menor por lo que el deslizamiento
paso a paso ser ms fcil que en los planos de menor densidad atmica.


Defectos Superficiales: Los defectos de punto y de lnea se encuentran en el propio cristal o red
cristalina que crece en todas las direcciones hasta llegar a un lmite, que puede ser la propia
superficie del material o la superficie entre los mltimples cristales, tambin denominados granos,
que constituyen el material, lo que permite establecer los denominados defectos de superficies:
La propia superficie del cristal o superficie libre.
Las superficies inter cristalinas o fronteras de grano.
Fronteras de Grano: El defecto de superficie ms importante en el campo de los materiales es la
frontera de grano, superficie en la que se encuentran los cristales o granos adyacentes con
diferentes oerientaciones de red en un material policristalino. Es decir, formado por una gran
cantidad de cristales o granos y que representa a la inmensa mayora de los materiales metlicos
utilizados. Los materiales mono cristalinos no presentan defectos superficiales el tipo frontera de
grano, ya que estn formados por un solo cristal, utilizandose funsdamentalmente en el campo de
los semiconductores en la industria electrnica.


Endurecimiento por solucin slida: Las soluciones slidas, tanto de sustitucin como intersticiales,
se caracterizan por una dureza mayor que la del material original. Al introducir tomos de distinta
naturaleza, la diferencia de tamao de los radios atmicos (en el elemento de sustitucin) o la
reduccin de los intersticios (en los elementos intersticiales) reduce las posibilidades de movimiento
de la red con lo que impide la deformacin.
Endurecimiento por afinamiento de grano: Los bordes o fronteras de grano obstaculizan el
desplazamiento de las dislocaciones. En una aleacin metlica, cuanto ms pequeo sea el grano
mayor ser la longitud de borde de grano que debern sortear las dislocaciones, reduciendo las
posibilidades de deformacin de los cristales por lo que la resistencia ser mayor. El tamao del
grano depende de las caractersticas del proceso de solidificacin.
Endurecimiento por deformacin: Es un fenmeno o proceso por medio del cual un metal dctil se
vuelve ms duro y resistente a medida que es deformado plsticamente. Este fenmeno se explica
de la siguiente manera:
El metal posee dislocaciones en su estructura cristalina.
Cuando se aplica una fuerza sobre el material, las dislocaciones se desplazan causando la
deformacin plstica.
Al moverse las dislocaciones aumentan en nmero en una zona determinada.
Al haber ms dislocaciones agrupadas, se estorban entre s, volviendo ms difcil que las
dislocaciones se mueva, por lo que se requiere de una fuerza cada vez mayor para
mantenerlas en movimiento. Se dice que el metal se ha endurecido.
Difusin en estado slido: La moovilidad de las moleculas, iones o tomos se entiende bien en el
estado lquido o gas, pero quizs no tanto en el estado slido. Pues bien, tambin los tomos pueden
desplazarse internamente en el estado slido, viendose favorecido este movimiento por la
existencia de vacantes o intersticiales que son susceptibles de moverse a travs de la red.
Por lotanto la difusin puede ser definida como el mecanismo de desplazamiento o migracin de
tomos a travs de la red cristalina-










Mecanismos de difusin: Los tomos pueden desplazarse por el interior de la red cristalina si la
energa de activacin proporcionada por vibracin trmica es suficiente y si existen defectos de red
del tipo vacantes o instersticiaes para establecer el camino de la difusin. En los metales, las
vacantes siempre estn presentes y dispuestas a facilitar la difusin sustitucional de los tomo,
aumentando su nmero a medida que se eleva la temperatura.
Mecanismo a travs de vacancias: Un primer mecanismo de difusin tiene lugar mediante
la migracin de vacantes, de tal forma que un tomo puede desplazarse desde su posicin
de equilibrio hasta la vacante ms prxima, siempre que disponga de la energa de
activacin suficiente, generandose un flujo de vacantes en sentido contrario a su
desplazamiento.

Mecanismo a travs de intersticios: El otro mecanismo de difusin corresponde a los
intersticiales, de modo que las impurezas o elementos de aleacin intersticiales pueden
desplazarse a travs de los intersticios de la red cristalina siempre que alcancen la energa
de activacin suficiente. Los intersticiales ms idneos son aquellos que presentan radios
atmicos pequeos como el H, C, N, B, etc

Energa de Activacin: La energa de activacin Q es la barrera energtica que hay que superar para
que tenga lugar el proceso de difusin. Por lo tanto, slo tendr lugar este mecanismo cuando la
activacin trmica del sistema, consecuencia de la temperatura aplicada, supere dicha barrera.



Primera Ley de Fick (flujo estacionario): Cuando la concentracin de defectos es constante con el
tiempo se considera rgimen o flujo estacionario. En la siguiente figura se representan dos
secciones de la barra de un metal formado por planos cristalogrficos cuyas concentraciones en
defectos son C1 y C2, siendo C1>C2, en funcin de la distancia x1<x2. En estas condiciones se
establece un flujo neto de tomos o defectos desde el plano de mayor concentracin al de menor
concentracin, definido por la primera ley de Fick mediante la expresin:
=

Segunda Ley de Fick (flujo transitorio): El flujo no estacionario se presenta cuando la concentracin
de defectos vara con el tiempo, siendo este el caso ms general en ingeniera de materiales.
Suponiendo que el coeficiente de difusin (D) es independiente de la concentracin la segunda ley
de Fick se expresa de la siguiente manera:

2


Una de las soluciones utilizadas tecnolgicamente de la segunda ley de Fick es:

0
= (

2( )
)

El cociente entre parntesis se denomina z, que corresponde a la funcin de error gaussiana:
= (

2( )
)




Para obtener la funcin de error se utiliza la siguiente tabla:

La interpolacin analtica se realiza del siguiente modo:

1

2

1
=

1

2

1


Factores que influyen en la difusin: El coeficiente de difusin D de un sistema, cuya magnitud
indica la velocidad de difusin, depende de diferentes factores.
Temperatura: Cuanto mayor sea la temperatura a la que se produce la difusin, mayor ser
la probabilidad de vencer las barreras de energa y por tanto ser mayor la velocidad de
difusin. La dependencia de la temperatura con la velocidad de difusin puede aproximarse
mediante la ecuacin de Arrhenius:
=
0

Siendo:
D : Coeficiente de difusin del sistema [

].
Do : Constante preexponencial [

].
Q : Energa de activacin [

]
R : Constante unviersal de los gases 8,314 [


]
T : Temperatura absoluta [K].


Mecanismos de difusin: Segn sea por vacantes o por intersticiales influir en el
coeficiente de difusin.
Concentracin: La influencia de la concentracin sobre la difusin se explica, por un lado,
por la variacin de las fuerzas de cohesin afectadas por la composicin qumica del
material; por otro lado por la direccin de difusin, que no es al azar sino que transcurre en
el sentido que provoca un mayor descenso en la energa interna de la red.
Estructura Cristalina: Los diferentes factores de empaquetamiento, as como las distancias
interatmicas que presentan las diferentes redes cristalinas, justifican la mayor o menor
facilidad de difusin o coeficiente de difusin.
Defectos cristalinos: La difusin es mayor en las zonas con mayor densidad de defectos
cristalinos. As, por ejemplo, la difusin es mayor en las fronteras de grano, defecto
superficial, y un nmero de vacantes en exceso incrementa la velocidad de difusin.