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El transistor JFET.

Polarizacin
Introduccin
P
N
P
D
S
G
N
G
D
S
V
V
D DS
GS
G N N
P
P
S
D
S
D
G
V

D
SG
V
SD
JFET de canal P JFET de canal N
El transistor de efecto de campo de unin (JFET) es un dispositivo electrnico notablemente diferente del transistor
bipolar. Su funcionamiento se basa en el estrechamiento de una regin de semiconductor llamado canal, que une los
electrodos de fuente (source: S) y drenador (drain: D), debido a la formacin de una zona de vaciamiento desprovista de
portadores libres en la unin PN entre la zona de puerta (gate: G) y el canal. La zona de vaciamiento crece al aumentar
la tensin inversa aplicada a la unin puerta-canal de modo que la conduccin entre drenador y fuente se puede controlar
con la tensin entre puerta y fuente (V
GS
).
En el JFET la unin entre puerta y canal siempre debe estar polarizada en inversa de modo que la corriente de puerta
es extremadamente pequea y se puede despreciar en la gran mayora de los casos. Cuando la puerta se utiliza como
terminal de entrada se obtienen impedancias de entrada del orden de cientos de M. El transistor JFET es por lo tanto un
dispositivo controlado por la tensin entre su puerta y su fuente mientras que el BJT estaba controlado por la corriente de
su base.
-2
0
2
4
6
8
10
12
14
0 1 2 3 4 5

d

(
m
A
)
Vds (voltios)
0
2.5
5
7.5
10
12.5
15
-4 -3 -2 -1 0

d

s
a
t
.

(
m
A
)
Vgs (voltios)
Caractersticas del JFET de canal N BF245
V
P
DSS

-1
-0.5
0
0.5
1
-0.1 -0.05 0 0.05 0.1

d
s

(
m
A
)
Vds (voltios)
CORTE
SATURACON
LNEAL o
TRODO
Vgs=0
Vgs=~0.5
Vgs=~1
Vgs=~1.5
Vgs=~2
Vgs=~2.5
Vgs=~3
En la gura anterior se muestran las curvas caractersticas de un JFET de canal N (en particular de un BF245). En la
primera grca se muestra la variacin de la corriente de drenador, I
D
, en funcin de la tensin V
DS
para distintos valores
de V
GS
. Se aprecian tres regiones de funcionamiento distintas:
CORTE: Para valores de V
GS
sucientemente negativos (V
GS
<V
P
-3 voltios) la corriente se hace cero.
LINEAL, tambin llamada TRIODO: La corriente I
D
depente tanto de V
GS
como de V
DS
. Para valores pequeos de
V
DS
la corriente es proporcional a V
DS
(ver zoom). El JFET se comporta por lo tanto como una resistencia variable
(r
ON
) cuyo valor depende de la tensin V
GS
. La resistencia decrece al aumentar V
GS
.
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
SATURACION: Para valores de V
DS
sucientemente grandes (V
DS
>V
GS
V
P
) la corriente se hace aproximada-
mente constante y no depende de V
DS
. En esta regin el JFET se comporta como una fuente de corriente. No
confundir esta regin con la regin de saturacin del BJT.
En la gura de la derecha se ha representado la corriente de saturacin en funcin de V
GS
. Esta grca se ajusta bien a un
tramo de parbola que pase por cero para V
GS
=V
P
y por I
DSS
para V
GS
= 0. Obtenemos por lo tanto la siguiente ecuacin
para la corriente del JFET en la regin de saturacin:
I
DS
=
I
DSS
V
2
P
(V
GS
V
P
)
2
=

2
V
2
OV
Donde = 2I
DSS
/V
2
P
es una constante con dimensiones de amperios/voltios
2
y V
OV
=V
GS
V
P
es la llamada tensin
de overdrive.
En la siguiente gura se muestra el estado de la zona de vaciamiento de la unin puerta-canal para las tres regiones
de funcionamiento. En la regin de corte la zona de vaciamiento ha crecido hasta cerrar completamente el canal dejando
aislados los terminales de fuente y drenador. En la regin de saturacin el canal se ha cerrado en el lado del drenador pero
no en el de la fuente.
V
GS
D

V
DS
V
DS
V
GS
V
P
D

<
V
GS
D

V
GS
V
DS
V
DS
V
DS
V
DS
V
GS
V
P
V
P
D

V
GS
D

V
GS
V
DS
V
DS
V
DS
V
DS
V
GS
V
P
D
V
DS
proporcional a
V
P
V
DS
CORTE SATURACON
~
>
>
independiente de
< ~
ZONA LNEAL (ZONA TRODO)
>
= 0
G
S
D D
G
S
D
G
S
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
Las distintas regiones de funcionamiento del JFET de canal N (V
P
< 0) se resumen en la siguiente tabla. Tambin se
indican las regiones similares en el transistor BJT.
Regin del JFET Regin similar del BJT Condiciones Corriente de drenador
CORTE corte V
GS
<V
P
I
D
= 0
LINEAL o TRIODO saturacin
V
GS
>V
P
V
DS
<V
OV
I
D
=V
OV
V
DS

2
V
2
DS
I
D
V
OV
V
DS
para V
DS
0
SATURACION activa
V
GS
>V
P
V
DS
>V
OV
I
D
=

2
V
2
OV
=
2I
DSS
V
2
P
; V
OV
=V
GS
V
P
Por ltimo, tambin hemos de destacar la simetra que se tiene entre los terminales de fuente y drenador. Ambos
terminales se pueden intercambiar sin que ello afecte a las caractersticas de baja frecuencia del JFET (en el BJT el
colector y emisor no eran intercambiables). Por ello, en un JFET de canal N deniremos el terminal de drenador como
aquel que se encuentre al potencial ms alto (en un JFET de canal P sera el del potencial ms bajo). Con esta denicin
no tiene cabida una posible zona de saturacin inversa.
Polarizacin
En el JFET de canal N la tensin V
GS
ha de ser negativa para que la unin de la puerta est polarizada en inversa.
Como muy a menudo en los circuitos se dispone de una nica tensin de alimentacin y no es posible conectar la puerta
a una tensin menor que tierra, se recurre a elevar la tensin de la fuente mediante una resistencia en serie con ella, tal y
como se muestra en la siguiente gura:

DS
=~V
GS
/R
S
GS
~V
P
)
2
(V
2

=
DS
R
S

DS
V
P

DSS

DS
operacin
punto de
no vlida
V
GS
Solucin
En este circuito, suponiendo que la tensin de drenador es sucientemente elevada para que el JFET est en saturacin,
se han de cumplir simultneamente las ecuaciones de la corriente de drenador en saturacin y la de la recta de carga de la
resistencia R
S
:
I
DS
=

2
V
2
OV
=
I
DSS
V
2
P
(V
GS
V
P
)
2
I
DS
=
V
S
R
S
=
V
GS
R
S

La resolucin de este sistema de dos ecuaciones nos dar el punto de operacin del transistor. Al tratarse de ecuaciones
de segundo orden podemos obtener dos resultados distintos, pero uno de ellos es invlido pues dar V
GS
<V
P
(transistor
en corte)
Notas:
En un JFET de canal P la corriente de drenador tiene el sentido contrario a la del JFET de canal N (En un JFET de
canal P la corriente sale del drenador) y todas las tensiones tienen el signo contrario.
Las expresiones para la corriente de drenador en funcin de y V
OV
van a ser las mismas que las del transistor
MOSFET. Sin embargo, en el caso del MOSFET, y V
OV
se denien de forma distinta.
Problemas
1M
R
R
+10V
D
S
1M
R
S
+10V
R
4K 1
1M
R
1
+15V
4K
4K
Vo
+5V
R
D
1M
+10V
3K
2K 1M
+10V +10V
3K
2K
8K
Prob. 1 Prob. 2 Prob. 3 Prob. 4
+15V
1M
S
R 50K
R
1
R
C
+15V
1M
R
D
R
S
R
2
1M
Prob. 5 Prob. 6 Prob. 7 Prob. 8
1 - Calcular I
D
y V
D
en el circuito de la gura (Prob. 1) para R
D
= 100 y R
D
= 1k. (I
DSS
= 10mA , V
P
=3V)
2 - Calcular R
S
y R
D
para obtener I
D
= 1mA y V
DS
= 3V en el circuito de la gura (Prob. 2) (I
DSS
= 10mA ,
V
P
=3V)
3 - Obtener el punto de operacin del JFET de la gura (Prob. 3) (I
DSS
= 10mA , V
P
=3V)
4 - Obtener el punto de operacin del JFET de la gura (Prob. 4) (I
DSS
= 10mA , V
P
=3V)
5 - Calcular el valor de R
1
y R
S
en el circuito de la gura (Prob. 5) para obtener V
S
= 3V y V
D
= 6V. (I
DSS
= 10mA
, V
P
=3V)
6 - Calcular R
1
en el circuito de la gura (Prob. 6) para obtener V
O
= 4V. (I
DSS
= 10mA , V
P
=3V)
7 - Calcular R
2
, R
S
y R
D
en el circuito de la gura (Prob. 7) para obtener I
D
=2mA y V
DS1
=V
DS2
=5V. (I
DSS
=8mA
, V
P
=4V)
8 - Calcular R
1
, R
S
y R
D
en el circuito de la gura (Prob. 8) para obtener I
D
= 2mA , V
CE
= 4V y V
DS2
= 5V.
(I
DSS
= 8mA , V
P
=4V, )
TCEF. Problemas de polarizacin del JFET (2)
9M
1M 1.5K
1.5K
+6V
~6V
830
R1
Vo
1K
2K
9M
1M
+10V
+10V
Prob. 9 Prob. 10 Prob. 11
+10V
1.5K
10K
2K
6M
+10V
1M
3K
3K
+10V
700
1K
Vo=5V
Prob. 12 Prob. 13 Prob. 14
R
E
Problemas
9 - Calcular el punto de operacin del circuito de la gura (Prob. 9) (I
DSS
= 8mA, V
P
= +4V)
10 - Calcular R
1
para obtener V
o
= 0 en el circuito de la gura (Prob. 10) (canal N: I
DSS
= 10mA, V
P
=3V. canal
P: I
DSS
= 8mA, V
P
= +4V )
11 - Calcular el punto de operacin del circuito de la gura (Prob. 11) (I
DSS
= 10mA, V
P
=3V )
12 - Calcular el punto de operacin del circuito de la gura (Prob. 12) (JFET: I
DSS
= 8mA, V
P
= +4V, BJT:
)
13 - Calcular el punto de operacin del circuito de la gura (Prob. 13) (I
DSS
= 10mA, V
P
=3V )
14 - Calcular R
E
en el circuito de la gura (Prob. 14) para obtener V
o
= 5V (JFET: I
DSS
= 10mA, V
P
= 3V, BJT:
)