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DR. J.M.

ALBELLA
Instituto Ciencia de Materiales de Madrid,
Consejo Superior de Investigaciones Cientficas
jmalbella@icmm.csic.es
PREPARACIN Y CARACTERIZACIN DE
RECUBRIMIENTOS Y LAMINAS DELGADAS
TEMA 2:
Descargas elctricas en
medios ionizados: Plasmas
CONTENIDO:
1. INTRODUCCIN: Ejemplos de plasmas
2. CONCEPTOS GENERALES DE PLASMAS
2.1 Qu es un plasma?
2.2 Grado de ionizacin.
2.3 Mecanismos fsicos de ionizacin de gases.
2.4 Densidad del plasma.
2.5 Tipos de colisin entre las partculas del plasma
2.6 Mecanismos tpicos de reaccin entre las partculas del plasma
2.7 Energa de las partculas cargadas del plasma.
2.8 Lmites de neutralidad del plasma
2.9 Plasmas trmicos y plasmas fros (no trmicos)
2.10 Comparacin entre diferentes tipos de plasma
3. DESCARGAS ELCTRICAS ENTRE DOS ELECTRODOS (de baja presin)
3.1 Circuito simple de descarga en corriente continua
3.2 Caractersticas de las descargas luminosas.
3.3 Ley de Paschen
3.4 Descargas capacitivas en corriente alterna
3.5 Descargas inductivas en corriente alterna
4. APLICACIN DE LOS PLASMAS AL PROCESADO DE MATERIALES
5. RESUMEN Y CONCLUSIONES
Una de las tcnicas mas comunes para ionizar un gas es la descarga
elctrica entre dos electrodos. Las descargas elctricas en gases
ocurren como consecuencia de la ionizacin del medio y aparecen
muy a menudo de forma natural (rayos, chispas, arcos elctricos,
etc.) y tambin en muchas aplicaciones tecnolgicas (lmparas de
Ne, equipos de soldadura elctrica, etc.).
Tambin se pueden obtener plasmas por calentamiento de un
material a muy altas temperaturas, pasando al estado de gas
excitado (p.e. antorchas y llamas). Es el denominado cuarto estado
de la materia
Un fenmeno caracterstico de los plasmas es la emisin de luz o
calor cuando las molculas ionizadas se des-excitan.
Existen numerosas aplicaciones de los plasmas en los que se trata
de obtener ventajas de los fenmenos asociados a la ionizacin del
gas, y en particular del alto grado de excitacin que alcanzan las
molculas.
1. INTRODUCCIN
Algunos ejemplos de plasmas:
1. INTRODUCCIN:
Sputtering magnetrn
(tipo planar)
Reactor de plasma-CVD
para depsito (o ataque) de
capas delgadas
Fuente de iones
RF
Descarga luminosa en
un tubo a travs de un
gas enrarecido
-
+
-

+
S S N N
-
1. INTRODUCCIN:
Plasmas producidos mediante descarga elctrica
Ejemplos:
2. CONCEPTOS GENERALES DE PLASMAS
Gas de partculas muy energtico, formado por:
especies cargadas (electrones y iones)
especies neutras (tomos o molculas)
radicales atmicos o moleculares y otras especies
excitadas.
Conjunto neutro de cargas, con una distribucin homognea.
Cualquier descompensacin de carga en un punto producira campos elctricos
tendentes a eliminar la descompensacin
Al mismo tiempo, todo el conjunto de especies cargadas en el plasma tiene un
comportamiento colectivo, al cual es posible asignar un potencial, frecuencia de
vibracin del conjunto de cargas, energa media, etc.
2.1. QU ES UN PLASMA?:
CARACTERSTICAS:
Notar: La presencia de cargas mviles en el plasma hace que el medio
se comporte como un conductor, es decir con resistencia elctrica
prcticamente nula, caracterizado por un potencial elctrico
2. CONCEPTOS GENERALES DE PLASMAS (cont)
Dos casos extremos:
i <<1 plasma dbilmente ionizado
(propiedades determinadas fundamentalmente por la
presencia de las especies neutras)
i ~ 1 plasma altamente ionizados
(las partculas neutras tienen un papel menor)
n i
i
n n
n
i
+
=
(Con n
i
= n
e
)
2.2 GRADO DE IONIZACIN, i:
2.3 MECANISMOS FISICOS DE IONIZACIN DE GASES:
E = 0 E = 0
a) Campo elctrico:
tomo, in, fotn,
electrn, etc. con
alta energa
c) Impacto directo
entre partculas:
colisiones mltiples entre
partculas (tomos neutros,
electrones, fotones, etc)
T |
b) Temperatura:
Define el
plasma
como 4
estado de la
materia...
2. CONCEPTOS GENERALES DE PLASMAS (cont)
Concentracin de partculas cargadas/volumen,
Rango tpico: = 10
11
- 10
19
cm
-3
Descargas luminosas: ~ 10
12
cm
3
Descargas en arco: ~ 10
16
cm
-3
Recordar:
Para un gas a 1 atmsfera, n = 2,46 x 10
19
cm
-3
En situacin de equilibrio: constante
Proceso continuo de ionizacin recombinacin, travs de
colisiones entre las distintas especies en movimiento
Igualmente existe un proceso continuo de fenmenos complejos de
excitacin des-excitacin, dando lugar a emisin luminosa
2. CONCEPTOS GENERALES DE PLASMAS (cont)
2.4 DENSIDAD DEL PLASMA:
Elsticas: El momento cintico se redistribuye entre las
partculas, y la energa permanece constante.
Ejemplo:
e
-
rpido
+ A
lento
e
-
menos rpido
+ A
menos lento
Inelsticas: dem, pero una fraccin de la energa
cintica se transfiere como energa interna a la otra
partcula:
e
-
rpido
+ A e
-
lento
+ A
*
e
-
lento
+ A
+
+ e
-
Parmetros caractersticos de las colisiones:
Energa cintica de las partculas, E
c
Energa de ionizacin, E
i
Recorrido libre medio, = kT/(Pto
2
2
1/2
)
Seccin eficaz de colisin, o :
(depende de E
c
)
Energa
electrones (eV)
10
1
10
2
10
3
10
0
10
-18
10
-17
10
-16
10
-15
10
-14
Transferencia
de momento
Ionizacin
2. CONCEPTOS GENERALES DE PLASMAS (cont)
2.5 TIPOS DE COLISIN ENTRE LAS PARTCULAS DEL PLASMA :
1. Excitacin de tomos o molculas (estados excitados de rotacin, vibracin o electrnico):
e
-
+ A
2
A
2
* + e
-
2. Recombinacin radiativa: En el proceso de desexcitacin las especies pueden emitir
radiacin (se utiliza a veces como medio de deteccin):
A
2
* + e
-
A
2
+ hv
3. Ionizacin:
e
-
+ A
2
A
2
+
+ 2e
-
4. Procesos de excitacin Penning: Especies en estado excitado con energa muy alta
pueden a su vez excitar o ionizar otras especies, p.e.:
A* + B A + B* (excitacin)
A* + B A + B
+
(ionizacin)
5. Captura de electrones: Supone una perdida total de la energa del e
-
que es capturado
cuando el tomo tiene una afinidad electrnica elevada (plasmas electronegativos):
F + e
-
F
-
6. Disociacin de molculas: Puede ser de varios tipos, p.e.:
e- + AB A + B + e
-
e- + AB A
+
+ B + e
-
2. CONCEPTOS GENERALES DE PLASMAS (cont)
2.6 MECANISMOS TPICOS DE REACCIN ENTRE LAS PARTCULAS
DEL PLASMA:
Tanto las partculas excitadas del plasma (tomos, molculas neutras, iones,
etc.) as como los electrones estn en movimiento aleatorio, con una cierta
energa cintica media, E
c
.
Dependiendo del grado de interaccin y del proceso de aceleracin, los electrones
del plasma pueden tener una energa cintica muy diferente a la de los iones y
partculas neutras.
La funcin de distribucin de energa de los electrones, F(E) es compleja. En
casos simples se asimila a veces a la del gas neutro (Maxwelliana) y por ello es
posible asignar una temperatura equivalente de los electrones, T
e
.
En los plasmas utilizados en el procesado de materiales, la energa media de los
electrones puede variar entre 1 y 20 eV, lo que implica temperaturas equivalentes
de 10
4
-10
5
K.
2. CONCEPTOS GENERALES DE PLASMAS (cont)
2.7 ENERGA DE LAS PARTCULAS CARGADAS:
Maxwell
F(E)
Energa electrones
Con campo
elctrico
aplicado
o (ionizacin)
Notar: 1eV = 11600 K
(Adems, T
e
puede ser muy
diferente de la temperatura del
gas)
A nivel macroscpico el plasma es neutro, ya que n
e
= n
i
.
Si por alguna razn se produce un exceso de carga (p.e. negativa) en un
punto, sta se rodea de carga positiva, hasta una cierta distancia,
longitud de Debye, a partir de la cual el campo elctrico es cero:

D
= longitud de
apantallamiento

D
= 69 (T
e
/n
e
)
2. CONCEPTOS GENERALES DE PLASMAS (cont)
NOTAR: Cuando se aplica un campo elctrico, las cargas
del plasma se distribuyen hasta anular el campo en el
interior (similar al caso de un material conductor).
Del mismo modo, un material en el interior del plasma queda siempre
cargado negativamente, ya que el flujo de electrones hacia el material es
mayor que el de iones. Se forma as una doble capa, o funda del plasma,
con el plasma cargado positivamente respecto al material:

D
V
plasma
V
0
Pre-funda
Plasma
Funda (sheath)
0
2.8 LMITES DE NEUTRALIDAD DEL PLASMA:
PLASMAS FROS:
Se producen en descargas elctricas a presin baja cuando la corriente de
descarga es pequea. En estas condiciones el plasma est dbilmente
ionizado. Baja frecuencia de colisin entre electrones y especies del plasma
Recorrido libre medio de los electrones elevado Pueden ser acelerados con
velocidad muy alta debido a su pequea masa (frente a la de los iones).
La energa cintica media de los electrones alcanza valores entre 1 y 10 eV,
siendo mucho mayor que la de los iones y tomos neutros (esta ltima est
determinada por la temperatura del medio)
PLASMAS TRMICOS:
En cambio, a presiones mas
elevadas (p.e. presin
atmosfrica), la interaccin
entre los electrones y los
tomos neutros del plasma es
mucho mayor por lo que todo
el conjunto alcanza la misma
temperatura. Es el caso de las
llamas o antorchas de plasma
10
3
10
1
10
-1
Presin (mbar)
Temperatura
del plasma
(eV)
10
0.1
0.01
T
g
T
e
1
10
-3
2.9 PLASMAS TRMICOS Y PLASMAS FROS (NO TRMICOS)
2. CONCEPTOS GENERALES DE PLASMAS (cont)
Energa
media de
electrones
(eV)
10
6
10
4
Fusin
controlada
Arco electr.
P baja
10
2
Corona
solar 10
0
Arco electr.
P alta
Antorchas
10
-2
10
20
10
16
10
12
10
8
10
4
Densidad de electrones (cm
-3
)
Ionosfera
T
ambiente
Descargas
luminosas
2.10 COMPARACIN ENTRE DIFERENTES TIPOS DE PLASMAS
2. CONCEPTOS GENERALES DE PLASMAS (cont)
3. DESCARGAS ELCTRICAS ENTRE DOS
ELECTRODOS (de baja presin)
La mayora de los plasmas utilizados en la preparacin de capas delgadas
mediante tcnicas de PVD o CVD se generan por descarga elctrica entre
dos electrodos a presin reducida (PLASMAS FROS) o a la presin
atmosfrica (PLASMAS TRMICOS), con polarizacin en cc o ca. En otros
casos se utilizan tambin llamas procedentes de la combustin de gases
(antorchas de proyeccin) o mediante radiacin lser.
En el caso de las descargas elctricas las molculas del gas se someten a
un campo elctrico suficientemente intenso para llevarlas a un estado de
ionizacin con prdida de uno o mas electrones, quedando cargadas
positivamente. El gas se hace conductor se genera corriente elctrica
Cuando se alcanza el estado estacionario existe un equilibrio dinmico
entre las cargas que se pierden en las paredes y en los electrodos y las
que se generan mediante fenmenos de ionizacin (descargas auto-
mantenidas).
Existe tambin un balance entre la energa ganada por los electrones y
por los iones a partir del campo elctrico y las perdidas producidas en
colisiones, sobre todo de tipo inelstico (de los electrones con especies
neutras que son las ms abundantes).
Las colisiones inelsticas son las que llevan a las especies neutras a
estados excitados y en ltima instancia a la ionizacin.
VOLTAJE
(nodo-
ctodo)
V
B
Descarga Obscura Descarga Luminosa Desc. en Arco
10
0
10
-2
10
-4
10
-6
10
-8
Radiacin ionizante
(rayos csmicos)
10
2
Rgimen de
saturacin
Descarga
corona
Voltaje de Ruptura
Descarga
normal
Desc.
Anmala
Arco
Intensidad, I (A)
Rgimen de
Townsend
Curva tpica Intensidad-Voltaje
3.1 CIRCUITO SIMPLE DE DESCARGA EN CC
3. DESCARGAS ELCTRICAS ENTRE DOS ELECTRODOS
nodo
e
-
ctodo
e
-
e
-
e
-
E = V/d
V R
-
+
I
NOTAR:
Bombardeo de
iones en el ctodo

Produccin e
-
Calentamiento
Posible
Sputtering
A
3.2 CARACTERSTICAS DE LAS DESCARGAS LUMINOSAS
3. DESCARGAS ELCTRICAS ENTRE DOS ELECTRODOS
Luminosidad
Espacio oscuro
de Faraday
Columna positiva
Funda del
ctodo
Brillo negativo
(negative glow)
a) Emisin de luz (asociada a
los tomos excitados) 0
- V
Notar cada de potencial en el ctodo (FUNDA o VAINA del plasma )
0
- V
c) Variacin de la cada de
potencial entre los electrodos
Potencial del Plasma, V
P
Potencial
Cuando los electrodos de la descarga estn espaciados suficientemente, se
observan en el plasma diferentes regiones:
n
e
n
i
Plasma
b) Variacin de la densidad de
carga (electrones, n
e
, y iones, n
i
)
entre los electrodos
Densidad
de carga
Curva cualitativa del Voltaje de ruptura, V
B
, para el H
2
, N
2
, Ar, Ne, aire, etc. para
diferentes presiones, p, y distancia entre los electrodos de la descarga, d:
Regin B:
El nmero de colisiones ionizantes se hace mas reducido
(cuando disminuye p) o bien no hay espacio suficiente
para que se desarrolle una avalancha suficiente para
provocar la ruptura (descarga en forma de plasma).
PRESION (mbar) x DISTANCIA ELECTRODOS (cm)
Regin A:
El recorrido libre medio de los electrones
se hace cada vez menor (al aumentar p)
y/o el campo elctrico se hace mas bajo
(al aumentar d). En ambos casos, la
energa que adquieren los electrones
entre colisiones es cada vez menor como
consecuencia de la aceleracin
producida por el campo elctrico.
V
B
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
3
10
2
A
B
3.3 LEY DE PASCHEN:
3. DESCARGAS ELCTRICAS ENTRE DOS ELECTRODOS
Limitaciones de las descargas en corriente continua (cc):
En corriente continua (cc) la mayor parte de la energa del campo se utiliza para acelerar los
iones en el sheath y bombardear el ctodo. Pero solo un 10 % (aprox.) de esta energa
revierte al plasma, ya que solo se genera alrededor de 0.1 e
-
por colisin. El resto de la
energa se pierde en forma de calor en los electrodos
Por otro lado, el mantenimiento de la descarga exige la utilizacin de electrodos
conductores que permitan el paso de la corriente (paso de e
-
en el nodo y descarga de
iones positivos en el nodo)
Caractersticas de las descargas en corriente alterna (ca):
Frecuencias bajas:
Las especies del plasma (electrones y iones) oscilan en fase con la variacin del campo
elctrico aplicado. El comportamiento del plasma es muy similar al que tendra en CC
Frecuencias altas (f > 100 kHz):
La oscilacin de los electrones con el campo elctrico produce nuevas ionizaciones por
impacto con los iones aumentando la densidad del plasma.
Los iones quedan prcticamente en reposo, debido a su elevada inercia (masa) y no son
capaces de seguir las variaciones del campo.
Nuevos aplicaciones del plasma para diversas en el procesado de materiales
3.4 PROCESOS DEL PLASMAEN CORRIENTE ALTERNA
3. DESCARGAS ELCTRICAS ENTRE DOS ELECTRODOS
Descarga entre dos placas conductoras plano-paralelas (reactor capacitivo)
Usado en el procesado de materiales con plasmas de corriente alterna (ca) y
ocupan un lugar destacado en la sntesis de lminas delgadas de materiales
Dos configuraciones
CONFIGURACIN SIMTRICA: Electrodos de igual tamao
Electrodo activo, conectado a una fuente de potencia de CA
Contra-electrodo conectado a tierra
Comportamiento del plasma similar al de CC: los electrodos se comportan como
nodo y ctodo alternativamente. Si uno de los electrodos es aislante su
comportamiento es similar al de un condensador cargndose y descargndose
en cada ciclo (siempre que la frecuencia sea suficientemente baja)
Tanto si los electrodos son metlicos o aislantes, se forma una funda o sheath
en el electrodo que acta de ctodo, y se supone que los iones cruzan el sheath
en un tiempo inferior al periodo de la onda. La energa de bombardeo de los
iones puede llegar hasta el valor mximo del voltaje aplicado (V
a
)
3.4 DESCARGA CAPACITIVA EN CORRIENTE ALTERNA DE RF:
3. DESCARGAS ELCTRICAS ENTRE DOS ELECTRODOS
CONFIGURACIN ASIMTRICA: Electrodos de diferente tamao
La baja movilidad de los iones hace que las corrientes de descarga (medidas en el
circuito externo) en un sentido y otro no sean iguales por lo que el sistema se comporta
simplemente como un rectificador.
Se puede sacar beneficio de este hecho para determinadas aplicaciones si se incluye un
condensador de alta capacidad en el circuito externo de alimentacin.
El electrodo unido al terminal de condensador (electrodo activo) queda polarizado al
mismo potencial del condensador, -V
BIAS
, dando lugar al fenmeno conocido como
AUTOPOLARIZACIN del electrodo.
3.4 DESCARGA CAPACITIVA EN CORRIENTE ALTERNA DE RF:
3. DESCARGAS ELCTRICAS ENTRE DOS ELECTRODOS
Vaco
RF
Electrodo
Activo
(ctodo)
Electrodo
a tierra
(nodo)
Muestras
Plasma
tiempo
V
RF
0
V
max
V
electrodo activo
Caractersticas:
Densidad electrnica un orden de magnitud superior a las que se suelen obtener
con plasmas capacitivos
Rango de frecuencias de RF: 10 KHz - 30 MHz (13.56 MHz usada comnmente)
Ausencia de electrodos. Menor contaminacin de los gases
El acoplamiento inductivo, en contraposicin al capacitivo, es fundamental para
conseguir una pequea cada de potencial (20-40 V) en las regiones fronterizas o
funda del plasma.
Pared dielctrica
Circuito acoplo
de impedancias
Refrigeracin
RF
Entrada
gases
Vaco
Plas
ma
Bobina
induccin
Esquema:
3.5 DESCARGAS INDUCTIVAS EN CORRIENTE ALTERNA DE RF:
3. DESCARGAS ELCTRICAS ENTRE DOS ELECTRODOS
Posibilidad de control de la energa de
bombardeo de los iones que llegan al
material tratado mediante aplicacin de una
tensin de CC o bias al substrato.
Aplicaciones:
Baja presin Reactores de CVD
(s 0.05 mbar)
Alta presin Proyeccin por plasma
Equipos de anlisis (ICP)
Comparacin de los parmetros
caractersticos en descargas elctricas:
Parmetro (rango de
valores tpicos)
Plasmas
fros
Plasmas
trmicos
Presin del gas (mbar) 10
-3
- 10
2
10
2
- 10
4
Voltaje electrodos 100 - 1000 1 - 100
Corriente (A) 0.01 1.0 1.0 100
Potencia (W) 1 - 50 1 - 10
4
Densidad del plasma
(electrones/cm
3
)
10
9
10
12
10
14
- 10
18
Temperatura electrones, T
e
(K) 1 5 10
4
0.1 - 1
Temperatura del gas, T
g
(K) 310
2
- 10
3
T
g
= T
e
3.6 PLASMAS TRMICOS Y PLASMAS FROS (NO TRMICOS)
3. DESCARGAS ELCTRICAS ENTRE DOS ELECTRODOS
Deposicin de capas delgadas (tcnicas CVD y PVD)
Tratamientos de endurecimiento de superficies metlicas (nitruracin, cementacin, etc.)
Ataque de superficies y capas delgadas (litografa)
Produccin de haces iones para bombardeo de superficies (fuentes de iones)
Produccin de nuevas especies qumicas (ozono)
Tratamiento de superficies (funcionalizacin), p.e. en polmeros y de eliminacin de residuos
(inertizacin)
Produccin de vaco (bombas inicas) y de medida del vaco (manmetros de ionizacin)
Deposicin de materiales de alto punto de fusin (tcnicas de proyeccin por plasma)
Soldadura elctrica y de llama (tcnicas de proyeccin trmica)
Fusin por lser
Lmparas de descarga (tubos de Rayos X)
Iluminacin (lmparas de bajo consumo y tubos de Ne)
Esterilizacin de instrumentos de biomedicina
4. APLICACIN DE LOS PLASMAS EN EL PROCESADO DE
MATERIALES
Los plasmas dan lugar a la produccin de numerosas especies (electrones, iones,
radicales, tomos excitados) que pueden ser utilizadas en una gran variedad de
procesos Numerosas aplicaciones en la tecnologa:
Presiones bajas (< 10
-3
mbar) Predominio de fenmenos fsicos (p.e.
bombardeo inico)
Presiones intermedias (10
-3
10 mbar) Se superponen fenmenos
qumicos (reacciones de deposicin o ataque)
Presiones altas (>10 mbar) Procesos trmicos (sinterizacin, fusin, etc)
4. APLICACIN DE LOS PLASMAS EN EL PROCESADO DE
MATERIALES (cont.)
EFECTO DE LA PRESIN DEL GAS:
Fsico Qumico Trmico
Fuente de Iones
Implantacin Inica
Sputtering
Ataque Reactivo
Ataque Qumico
Procesos Trmicos
Sinterizado por Plasma
Antorchas de Plasma
Proceso Dominante
P
r
e
s
i

n


(
m
b
a
r
)
PECVD

10
0
10
1
10
2
10
3
10
-1
10
-3
10
-4
10
-2
EJEMPLOS:
4. APLICACIN DE LOS PLASMAS EN EL PROCESADO DE
MATERIALES (Cont.n)
Bombardeo de un material slido (ctodo) con los iones positivos
de alta energa del plasma (Ar
+
) en una descarga elctrica entre
dos electrodos, produciendo una pulverizacin o evaporacin de
los tomos del ctodo y su posterior deposicin sobre un
substrato (Sputtering o Arco Catdico, respectivamente)
Blanco
(ctodo)
nodo
Plasma
Ar
+
e
-
Proteccin
blanco
Flujo iones
tomos
eyectados
Substratos
Ar
e
-
Ar
+
+
-
EJEMPLOS (I): Deposicin de capas delgadas mediante una
descarga elctrica
Las especies reactivas generadas mediante descarga entre dos electrodos
pueden reaccionar entre ellas para formar un depsito sobre una
superficie (tcnicas de CVD) o bien para atacar la superficie (tcnicas de
ataque por plasma). La direccionalidad del campo elctrico permite la
delineacin de circuitos y otros dispositivos de estado slido mediante la
utilizacin de mscaras (litografa).
O
2
, CF
4
, etc
vaco
mscaras
4. APLICACIN DE LOS PLASMAS EN EL PROCESADO DE
MATERIALES (Cont.n)
EJEMPLOS (II): Activacin de especies qumicas, para deposicin
o ataque capas delgadas
Los iones positivos de una descarga (p.e. Ar
+
) pueden ser extrados
del plasma mediante una rejilla externa conectada a un potencial
negativo. Adems, pueden ser acelerados y dirigidos a un blanco
utilizando un rejilla adicional polarizada a tensin alta.
Descarga
Rejilla acelerac.
Entrada
gas (Ar)
Haz de iones Ar
+
Ctodo
nodo
Ctodo
(filamento
incandescente)
4. APLICACIN DE LOS PLASMAS EN EL PROCESADO DE
MATERIALES (Cont.n)
EJEMPLOS (III): Produccin de haces de iones energticos para su
utilizacin en fuentes de iones.
Los iones positivos de una descarga (tales como O
2
, N
2
, NH
3
, etc)
cuando inciden sobre la superficie de un polmero rompen los
enlaces covalentes creando la formacin de radicales superficiales.
Estos radicales, a su vez, pueden reaccionar con otras especies del
plasma dando lugar a grupos funcionales (p.e. de tipo hidroflico), o
incluso cuando son expuestas a otros compuestos orgnicos,
pueden formar nuevas radicales o cadenas polimricas
4. APLICACIN DE LOS PLASMAS EN EL PROCESADO DE
MATERIALES (Cont.n)
EJEMPLOS (IV): Activacin superficial de polmeros
Equipo de laboratorio
utilizado en la activacin
superficial de polmeros
Es posible realizar el depsito capas gruesas a partir de un material fundido
mediante un proceso de activacin en un plasma trmico de alta temperatura.
Para ello, se introduce polvo del material en la regin del plasma, donde se
generan temperaturas muy altas suficiente para fundir el material. Debido a la
alta presin del gas del plasma, el material fundido se proyecta hacia el
exterior en forma de pequeas gotas que se condensan sobre la superficie a
recubrir.
polvo
substrato
Plasma
(antorcha de
combustin o arco)
depsito
Partculas fundidas
o semi-fundidas
gas
4. APLICACIN DE LOS PLASMAS EN EL PROCESADO DE
MATERIALES (Cont.n)
EJEMPLOS (V): Depsito de materiales de alto punto de fusin
(Tcnicas de Proyeccin por plasma o Antorcha de plasma)
Los plasmas estn constituidos por tomos, molculas, iones y especies
excitadas en estado gaseoso, con un comportamiento complejo (fsica de
plasmas).
La excitacin de las especies puede producirse mediante diferentes procesos:
calentamiento, campos elctricos, radiacin electromagntica, etc.
Las partculas del plasma se encuentran en un equilibrio dinmico de
recombinacin de especies y formacin de otras nuevas, mantenindose
constante la concentracin de todas ellas.
La presencia de especies cargadas hace que el sistema tenga un
comportamiento colectivo que puede ser controlado y manipulado mediante
efectos elctricos, variaciones de presin de gases, etc.
Existen numerosas aplicaciones basadas en los procesos de plasma, muchas
de ellas utilizadas para el tratamiento de superficies y de materiales (tcnicas
de depsito y ataque, tratamientos de funcionalizacin, etc) y en otras
aplicaciones tecnolgicas (produccin de gases, soldadura, inertizacin de
materiales, lmparas, etc.)
5. RESUMEN Y CONCLUSIONES

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