RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR) oTIRISTOR

4.1. IN1RODUCCION
La aparicin del tiristor. o ms concretamente rectifcador controlado de silicio S.C.R., ha
materializado un cambio decisivo tanto en la concepcin como en la realizacin de
inversores y conversores de potencia elctrica.
Desde el punto de vista de su utilizacin, el S.c.R. vino inicialmente a sustituir al
tiratrn en los circuitos empleados en electrnica industrial; en este sentido. puede decirse
que, como componente activo de los circuitos electrnicos, el S.C.R. represent un gran
adelanto respecto a aqul.
Si bien ambos componentes son semejantes en cuanto a su forma de actuar, no lo son
en sus caractersticas elctricas, en las que resulta muy superior el S.C.R, ni en sus
caractersticas mecnicas, donde el peso, volumen y robustez no admiten competencia.
4.2. DESCRIPCION BASICA
El S.C.R. est constitudo por cuatro capas de silicio dopadas alternativamente con
impurezas del tipo P y del tipo N, como se indica en la Figura 4.1a, estando su smbolo
representado en la Figura 4.tb.
La regin terminal Pz es el nodo (A) y la otra regin terminal N el ctodo (K). La
puerta (G) se sita en la zona p.
Las situaciones o estados en los que se puede encontrar el S.c.R. vienen determinados
por la. polarizacin a la que est sometido y, como su nombre indica (controlado),
mediante una seal exterior se le puede cambiar de uno a otro.
Con polarizacin inversa (A negativo respecto a K) las uniones U
1
y U
3
quedan
polarizadas inversamente; la corriente a travs del dispositivo ser debida a portadores
minoritarios, siendo muy pequea y pudindose considerar casi nula para cualquier valor
de la tensin de polarizacin menor que la mxima inversa aplicable V
BOR
, a la que se
produce la ruptura por avalancha, con posibilidad de destruccin del componente. El
S.C.R. se comporta como un circuito abierto (Fig. 4.2a) y se dice que est en estado de
bloqueo inverso.
U3
r,
V2
Nz
V, PI
Puerta
NI
( G)
Ctodo
(a) (K).
Figura 4.1. (a) Constitucin interna del S.C.R.(b) Smbolo,
Con polarizacin directa (VA> V
K
) solamente la unin U
z
queda polarizada inversa-
mente, por 10 que la nica corriente que circula por el dispositivo es la inversa de
saturacin correspondiente y, tambin, muy pequea hasta un valor de polarizacin VBO'
llamado de avalancha, ruptura o de cebado, en el que la corriente a travs del dispositivo
crece de forma abrupta, no siendo recomendable establecer dicha conduccin por este
mtodo. Hasta dicho valor V
BO
, el S.C.R. sigue comportndose como un circuito abierto
(Figura 4.20), pero ahora se encuentra en el llamado estado de bloqueo directo.
Si con polarizacin directa se introduce una corriente en la puerta (G) que contribuya a
aumentar el tipo de portadores que predominan en esa zona (siendo P1: la corriente ser
positiva), se conseguir que, por efecto de la difusin, aumente tambin el nmero de
portadores mayoritarios que constituirn una corriente de elevado valor que cebar el
S.C.R., siendo sta limitada exclusivamente por la impedancia exterior al dispositivo. El
S.C.R. se encuentra ahora en estado de conduccin y se comporta casi como un cortocir-
cuito (Fig, 4.2b) siendo la tensin V
AK
entre sus extremos muy pequea (:::::1V para
tiristores de media-baja potencia) y denominada VT
[/J:
(a) (b)
Figura4.2. Estados del S.C.R. (a) Bloqueodirecto einverso. (b) Conduccin.
En la Figura 4.3, se hace otra representacin equivalente del S.C.R. en la que ste se ha
desdoblado en dos partes desplazadas fsicamente, pero que permanecen elctricamente
conectadas. Este desdoblamiento se ha hecho con la intencin de que el dispositivo pueda
considerarse como dos transistores en oposicin (un PNP y un NPN), siendo las regiones
N
2
y P, bases y colectores, a la vez y respectivamente, de ambos transistores.
E B e
(A
P
2
N2 I r, I
)
'---
(G
N
N2 I r,
(K
e B E
Figura 4.3. Circuito equivalentedel tiristor.
Al polarizar el nodo positivamente respecto al ctodo, se inyectan electrones y huecos
en sus extremos; estos portadores se difunden, respectivamente, a travs de las uniones
N1-P! y P
2
-N
2
, realimentndose en el bucle interno de ambos transistores. Mientras dicha
polarizacin permanezca dentro de ciertos lmites, la cantidad de portadores se mantiene
estable y de valores pequeos. -,
Cuando la tensin nodo-ctodo aumenta hasta un valor critico V
BO
, se generan tal
cantidad de portadores que, por efecto de la realimentacin y los factores de amplificacin
de los transistores, el tiristor pasa 'al estado de conduccin, Esta forma de establecer la
conduccin (cebado) es desaconsejable en la mayora de los casos, ya que el elemento no
ha sido diseado para soportar esa corriente inversa de fugas.
Supongamos que se aplica al S.C.R. una tensin entre nodo y ctodo V
B
! menor que
V
Bo
(Grfica 4.1), entonces el tiristor permanecer bloqueado y puede cambiar a conduc-
cin aplicando a la puerta una corriente de disparo IG' Aplicando una tensin V
B2
menor
que V
B
! se requerir una corriente I
G2
mayor que IG! para cebar al componente.
-lA Grfica4.1. Curvas caractersticas del S.C.R.
Una vez cebado, la puerta pierde el control sobre el estado del S.CR. hasta tal punto
que es posible desconectarla sin que cambie de estado.
El paso al estado de bloqueo se conseguir nicamente cuando la tensin nodo-
ctodo disminuya por debajo de un valor de mantenimiento (VH), tal que la corriente de
nodo alcance un nivel inferior a lH (llamada tambin de mantenimiento), el1el que el
S.CR. se bloquea y la puerta vuelve a asumir el control del cebado.
Se debe advertir que, aun cebado el tiristor, si la corriente de nodo, determinada por
el circuito exterior.es inferior a un valor lL llamado corriente de enganche y desaparece
la corriente de puerta; el componente vuelve al estado de bloqueo. Dicho valor lL es
ligeramente mayor que lH'
Entre la informacin que ofrecen los fabricantes en sus hojas de datos podemos
destacar:
VD/V
R
mx:
Vr:
vGr:
VGD:
V
RGM
:
IT(Av) mx:
I
rsM
rnx:
IH:
IGr:
PG(AV):
PGM:
Voltaje de pico (nodo-ctodo) directo/inverso repetitivo, al cual el fabricante
garantiza que no hay conmutacin con la puerta desconectada.
Similar al anterior pero en c.c.
Tensin nodo-ctodo en estado de conduccin.
Tensin puerta-ctodo de disparo para una VD determinada.
Tensin depuerta que no provoca el disparo para V
DRM
mx auna temperatura
determinada.
Voltaje inverso de puerta mximo permitido.
Intensidad directa media para unas condiciones de frecuencia y temperatura.
Corriente de pico no repetitivo.
Corriente de mantenimiento para una determinada temperatura.
Corriente de puerta de disparo para un voltaje determinado.
Potencia media disipada por la puerta.
Potencia de disipacin de pico por la puerta.
4_3. FUNCIONAMIENTO
Caracterstica tensin-corriente
Sobre el circuito de la Figura 4.4 desarrollaremos nuestro estudio para la obtencin de los
puntos caractersticos del funcionamiento del S.CR., una aproximacin a la caracterstica
tensin-corriente (Grfica 4.1). '"
En este circuito se presenta un ejemplo de utilizacin donde, mediante la posicin del
conmutador (S), se controla la aplicacin de potencia a la carga (R).
R limitar la corriente que circule por el circuito nodo-ctodo cuando- el tiristor est
en conduccin.
R2 limita la corriente de puerta a un valor mximo cuando el potencimetro P est
situado al mnimo, y con ste se consigue ajustar dicha corriente.
Suponemos inicialmente el interruptor S abierto, por lo que la corriente de puerta
lG = O.Aumentando lentamente VAA, a partir de cero, por el tiristor habr una circulacin
despreciable de corriente y la cada de tensin en R ser prcticamente cero, luego V
AK
=
= VAA, hasta que alcanzado un valor V
AA
::: V
AK
=V
BO
el tiristor pasa al estado de
R, =470 Q4 W
R2 =10 kQ, 1/2 W
P =1 Mn
V... =O ~ 30 V. 0.5 A
VGG =5 V, 0.1 A
l. =Miliampermetro
[G =Microampermetro
V'I< =Voltmetro
Th =BT106D
s
Figura 4.4. Circuito prctico para la obtencin de la caracterstica directa del S.C.R.
conduccin y su tensin nodo-ctodo ha disminuido a un valor VT. En esa situacin, la
corriente de nodo lA presenta un valor
Si en esas circunstancias disminuimos progresivamente V
AA
, tambin lo har lA, hasta
alcanzado un valor lH' a partir del cual el tiristor pasa al estado de bloqueo o descebado
extinguindose la corriente de nodo.
Aumentando posteriormente V:4A' seobserva que estamos en las condiciones iniciales,
no alcanzndose el cebado hasta no llegar a un valor de V
AA
= V
BO
'
Si con VAA = cerramos Sy, mediante P, ajustamos I a un valor le, y repetimos el
proceso anterior, observaremos que el S.C.R. seceba a una tensin V
Bt
<VBo'
Una vez alcanzada dicha situacin, la corriente que circule por el circuito de nodo
depender del valor de R1 y del actual de VAA'
Abriendo S, no varian las condiciones del circuito de nodo, ya que al estar el tiristor
en estado de conduccin, dicho circuito es independiente del de puerta.
Se observa, igualmente, que en el estado de conduccin, para el mismo valor de V
AA
que en el caso delG = 0, seobtiene el mismo valor de V
T
y que disminuyendo V
AA
, para
conseguir el bloqueo, encontramos que ste ocurre para valores sensiblemente iguales de
lH y VH a los obtenidos anteriormente.
Reiterando los pasos anteriores para valores de lG, tales que
seirn obteniendo tensiones decebado nodo-ctodo cada vez menores, de tal forma que
hasta que alcanzado un valor determinado delG' relativamente grande, el tiristor seceba
directamente al alcanzar V
AK
un valor igual a V
T
y, para estecaso, sucomportamiento ser
similar al de un'diodo.
De todo lo anterior podemos resumir que:
Lamagnitud delacorriente depuerta controla el valor dela tensin nodo-ct"Odoa
la que seceba el S.C.R.
Una vezcebado, lacorriente lA que circula por e! S.C.R. depende exclusivamente del
circuito exterior.
El tiristor volver al estado debloqueo cuando lacorriente denodo descienda por
debajo dela de mantenimiento lH'
Con pequeas corrientes depuerta, sepueden controlar grandes corrientes denodo.
Circuitos de descebado
Las dos grandes ventajas que presentan los tiristores son e! poder determinar el valor de
tensin apartir de! cual seaplica potencia a una carga (deah su nombre de S.C.R.) y el
controlar corrientes decarga (lA) importantes, mediante corrientes decontrol (IG) sensible-
mente inferiores.
Cuando e! S.C.R. encuentra aplicaciones en c.c. (al presentar dicha tensin valores
constantes), la corriente de puerta deber presentar dos niveles perfectamente diferencia-
dos, es decir, todo o nada de tal forma que, cuando se introduzca corriente por dicho
terminal, el componente se cebe aplicando potencia a la carga; ahora bien, en estas
condiciones permanecer mientras, dealgn modo, no sereduzca lacorriente decarga por
debajo de IH ' misin de la que seencargan los circuitos de descebado.
Cuando el descebado se ha de producir manualmente o por medios mecnicos, la
Figura 4.5 representa las dos formas ms elementales de conseguirlo.
En el circuito de la Figura 4.5a, y mediante la actuacin sobre el pulsador S, se
interrumpe directamente la corriente de nodo, quedando por tanto, el tiristor dispuesto
para ser cebado de nuevo. Este sistema encuentra aplicacin en el control de pequeas
corrientes.
[4J
R
L
=-470 Q, 4 W
R, =39 kQ, 1/2 W
e= 470 nF, 63 Y
7;, =BT106D
. S =Pulsador NA
VAA =25 Y, 0,5A
+0-----1
s
(a)
Figura 4.5. Circuitos de descebado de actuacin manual: (a) por interrupcin
directa, (b) por descarga de condensador.
Cuando la corriente a conmutar es de valores considerables, no parece lo ms conve-
niente interrumpirla directamente, ya que seria necesario colocar un interruptor o pulsa-
dor cuyos contactos soportarn dicha interrupcin, dejando sin sentido el empleo del
tiristor. En ese caso se emplear el circuito de la Figura 4.5b, del que analizaremos su
comportamiento.
Cuando el S.C.R. conduce, e se carga, a la tensin V
AA
, a travs de R y del mismo
tiristor con la polaridad indicada. Al cerrar S, el condensador queda conectado en
paralelo con el S.c.R. y sus tensiones respectivas en oposicin; como e se ha cargado a
una tensin V
AA
, valor mayor que V
T
, el tiristor queda momentneamente sometido a una
polarizacin inversa de valor
asegurando el bloqueo.
El valor de R ha de ser elevado con el fin de no absorber innecesariamente corriente
de la fuente durante la actuacin de S.
Cuando el descebado haya de ser controlado por procedimientos electrnicos, es decir,
venga controlado por una seal, la idea fundamental es sustituir S por un elemento de
conmutacin (transistor, tiristor o cualquier elemento que presente un sbito paso de
corriente mediante la aplicacin de una seal de control). La Figura 4.6a muestra el
empleo de un transistor donde la presencia de un pulso, en el circuito de base de T,
provoca la saturacin del mismo y la derivacin del punto de unin de R y ea masa.
+o---,--....j
+0--...--",
7 ; " 7 ; "
...JL
00 00
Figura 4.6. Circuitos de descebado activados por elementos de conmutacin.
(a) Mediante transistor. (b) Mediante tiristor.
Ntese que la especificacin de V
CEO
del transistor ha de ser mayor que VAA-
En la Figura 4.6b el transistor se ha sustituido por un segundo tiristor (~2)' donde la
presencia de pulsos en su circuito de puerta provoca el paso a su estado de conduccin y
su posterior bloqueo se asegura, ya que una vez descargado e, la corriente a travs de R
es inferior a la de mantenimiento de ~2 (requisito que ha de cumplir el valor de dicha
resistencia).
Estos dos circuitos ofrecen como ventaja adicional el que se puedan emplear para
actuacin manual, siendo las corrientes de control de descebado que se gobiernan muy
inferiores a las de carga.
(6J
La Figura 4.7 muestra dichos circuitos para actuacin manual.
+o--""T"-- +
RL
~
~
VAA
R2
R2
7;.,
(a)
R
L
=470!l, 4 W
R =39 k!l, 1/2W
R
2
=4 k 7!l, 1/2W
e=470 nF, 63V
T =BD137
7;. =BTI06D
S =Pulsador NA
VAA =25Y, 0.5A
(b)
RL =470 n, 4 W
R = 39 k!l, 1/2W
R
2
=10k!l, 1/2 W
e=470 nF, 63 V
7;., = T., = BTI06D
S =Pulsador NA
VAA =25 Y. 0,5 A
Figura 4.7. Circuitos dedescebado de actuacin manual mejorados. (a) Mediante
transistor. (b) Mediante tiristor.
4.4. CONSIDERACIONES GENERAlES
Una vez ms, insistimos en la necesidad de respetar de manera generosa las especifica-
ciones mximas dadas por los fabricantes para garantizar. larga vida a los componentes.
En el caso concreto de los tiristores, su punto ms dbil es el circuito de puerta,
ocurriendo que ia mayora de las destrucciones son debidas a sobretensiones o sobreco-
rrientes en dicho circuito. en definitiva: por una disipacin de potencia elevada.
En la informacin de los fabricantes es muy usual encontrar grficas similares a la Gr-
fica 4.2, que representan las posibles situaciones y reas correctas de trabajo.
En dicha grfica se observan como regiones principales:
- Las prximas a ambos ejes en las que el disparo no se produce.
- Area en la cual no se garantiza el disparo.
- Area de disparo ms conveniente cuando la seal de cebado se aplica de forma
continua.
- Curva de mxima potencia para aplicacin, durante todo el ciclo de cebado, de
seal de disparo.
Mejor rea
de disparo
para cebado de
forma continua
Curva de
mxima disipacin
/ (10 % duracin ciclo
/ de cebado)
Curva de mxima
disipacin
(100 %duracin ciclo
de cebado)
Regin de
disparo
incierto
~~- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - ~- - ~- ~
la
mxima
Grfica 4.2. Caracterstica de puerta.
- Curva demxima potencia para cebado mediante pulsos deduracin no superior al
10por 100del ciclo de conduccin.
En general, sedebe asegurar el disparo cuando ello sea requerido, pero sin llegar a
las zonas de mxima disipacin, para evitar situaciones lmite.
Por otra parte, cuando el tiristor seincluya en circuitos cuya seal decebado pueda
presentar fuertes variaciones, se han de habilitar medios para limitar la tensin y
corriente a valores de seguridad inferiores a los mximos especificados.
c + ]