MOSFET significa "FET de Metal

Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada.

Es un tipo especial de transistor FET que tiene una
versin NPN y otra PNP.
El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es
llamado MOSFET de canal P.
Una delgada capa de material aislante formada de
dixido de silicio (SiO
2
) es colocada del lado
del semiconductor y una capa de metal es colocada
del lado de la compuerta (GATE)
En el MOSFET de canal
N la parte "N" est
conectado a
la fuente (source) y al
drenaje (drain)
En el MOSFET de canal P la
parte "P" est conectado a
la fuente (source) y al
drenaje (drain)
Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P,
cuando no se aplica tensin en la compuerta
no hay flujo de corriente entre en drenaje
(Drain) y la fuente (Source)

Para que circule corriente en
un MOSFET de canal N una
tensin positiva se debe
aplicar en la compuerta. As
los electrones del canal N de
la fuente (source) y el drenaje
(Drain) son atrados a la
compuerta (Gate) y pasan por
el canal P entre ellos.
En el caso del MOSFET de
canal P, se da una situacin
similar. Cuando se aplica una
tensin negativa en la
compuerta, los huecos
(ausencia de electrones) del
canal P del drenaje y de la
fuente son atrados hacia la
compuerta y pasan a travs
del canal N que hay entre
ellos, creando un puente
entre drenaje y fuente.
Debido a la delgada capa de xido que hay
entre la compuerta y el semiconductor, no hay
corriente por la compuerta. La corriente que
circula entre drenaje y fuente es controlada
por la tensin aplicada a la compuerta.