Introduccin

Antes de la invencin del diodo PIN los diodo tipo PN ya eran ocupados de diferentes formas y se conocan sus propiedades,

sin embargo no podan ser utilizados al aplicarse longitudes de onda de mayor a 1100 (nm) a pesar de que el Germanio era un buen candidato para realizar esta funcin, an as era susceptible a ruido.

Fue en el ao de 1950 aproximadamente cuando el diodo PIN, un tipo particular de diodo fue inventado por el Jun-ichi Nishizawa. El primer PIN de InGaAs (arseniuro de indio y galio) se realiza en 1977.

 Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia un semiconductor intrnseco (I), y las externas, una de tipo P y la otra tipo N, (de ah el nombre de P.I.N).