Tema 1

Dispositivos de
Potencia
Regiones operativas de componentes
El Diodo de Potencia
Tcnicas para mejorar la VBD.
V
1
V
2
da
V
1
V
2
db
El Diodo de Potencia
V mx Imx V directo T conmut Aplicaciones
Recitificadores Alta
Tensin
30Kv 0.5A 10V 100n Alta tensin
Propsito General 5Kv 10KA 0,7 a 2,5V 25u Rectificadores a 50Hz
Recuperacin rpida 3Kv 2KA 0,7 a 1,5V <5u Circuitos conmutados
Diodos Schottky 120v 300A 0,2 a 0,9V 30n Circuito s conmutados BT
Zner de Potencia 300v 75W Referencias de tensiones
El Diodo de Potencia
Caractersticas de catlogo:







Tensin inversa de trabajo, V
RWM
= mxima tensin inversa que puede soportar
de forma continuada sin peligro de avalancha.
Tensin inversa de pico repetitiva, V
RRM
= mxima tensin inversa que puede
soportar por tiempo indefinido si la duracin del pico es inferior a 1ms y su
frecuencia de repeticin inferior a 100Hz.
Tensin inversa de pico nico, V
RSM
= mxima tensin inversa que puede
soportar por una sola vez cada 10 ms minutos si la duracin del pico es
menor a 10ms.

Caractersticas Dinmicas
Prdidas en los diodos
Diodo Schottky de potencia
BJT de potencia
Definicin de corte: Cuando se aplica una tensin VBE ligeramente negativa
para que
I
E
0; I
C
I
B
I
C0
Funcionamiento del BJT. Zona
activa
Funcionamiento del BJT. Cuasi-
saturacin
El lmite de la zona activa se alcanza cuando VCB=0
Funcionamiento del BJT.
Saturacin.
Funcionamiento del BJT.
Ganancia
BJT en conmutacin. Corte
BJT en conmutacin. Saturacin
BJT en conmutacin. Potencia
disipada.
P
ON OFF
1
6
.V
CC
. I
Cmx
.
t
r
t
f
T
P
conducci n
V
CEsat
. I
C.
t
T
Circuitos de excitacin de transistores bipolares.
Dispositivo controlado por corriente.
Tiempo de puesta en conduccin depende de la rapidez con la
que se inyecte las cargas necesarias en la base del transistor.
Velocidades de conmutacin de entrada se pueden reducir
aplicando inicialmente un pico elevado de corriente de base y
disminuyendo la corriente hasta la necesaria para mantener el
transistor en conmutacin. Igualmente se necesita un pico de
corriente negativa en el apagado.


Excitacin en funcin a la
posicin de la carga
Esquema ejemplo.
Formulacin.
1
1
2
1 2
1 2
1 2
.
. .
i BE
B
i BE
B
E
V V
I
R
V V
I
R R
R R
R C C
R R
t

=
+
| |
= =
|
+
\ .
Cuando la seal pasa a nivel alto
R2 estar cortocircuitada
inicialmente. La corriente de base
inicial ser IB1.
Cuando C se cargue, la corriente
de base ser IB2.
Se necesitar de 3 a 5 veces la
constante de tiempo de carga del
condensador para considerarlo
totalmente cargado.
La seal de entrada pasa a nivel
bajo en el corte y el condensador
cargado proporciona el pico de
corriente negativa.
Forma de onda de la IB
Comparacin de IB con y sin L
Ejemplo.
Disear un circuito de excitacin de un BJT (TIP31C). Que tenga un
pico de 1A de corriente de base y de 0.2A en conduccin. La tensin
de excitacin es de 0 a 5V, cuadrada, con un ciclo de trabajo del
50% y una frecuencia de conmutacin de 25Khz.
1 1
1 1
2 2
1 2 2
1 2
1 2
5 1
1 4
5 1
0, 2 16
4
. 4.16 20
. . . 1, 25
4 16 5
i BE
B
i BE
B
E
V V
I A R
R R
V V
I A R
R R R
R R u
R C C C C uF
R R
t

= = = = O

= = = = O
+ +
| |
| |
= = = = =
| |
+ +
\ .
\ .
Simulacin del ejemplo
Potencias perdidas en ambos casos
Enclavador Baker
Se usa para reducir los tiempos de conmutacin del transistor bipolar.
Mantiene al transistor en la regin de cuasi-saturacin.
Evita que VCE sea muy baja.
Las prdidas son mayores.
.
CE BE D Ds
VVnVV =+
Dn D1Ds D0Vcc
Darlington
Incrementar la Beta del
transistor equivalente, con
el fin de mejorar la
excitacin
MOSFET. Curvas caractersticas.
zona hmica , V
GS
V
T
V
DS
, i
D
k
W
L
. V
GS
V
T
.V
DS
V
DS
2
2
R
DSON
1
k.
W
L
V
GS
V
T
zona de saturacin , V
GS
V
T
V
DS
i
D
k
2
.
W
L
V
GS
V
T
2
Diodos en antiparalelo asociados
Efecto de las capacidades
parsitas en VG
El efecto de la conmutacin de otros dispositivos puede provocar variaciones importantes en
la tensin de puerta debido al acoplamiento capacitivo parsito.
Cuanto menor sea RG, menos se notar este efecto
Apagado y encendido en un MOSFET
Caractersticas dinmicas
P
ON OFF
1
6
.V
CC
. I
Dmx
.
t
r
t
f
T
P
conducci n
I
D
2
. r
DS ON
.
t
T
Circuitos de excitacin de MOSFET
Es un dispositivo controlado por tensin.
Estado de conduccin se consigue cuando la tensin puerta-fuente
sobrepasa la tensin umbral de forma suficiente.
Corrientes de carga son esencialmente 0.
Es necesario cargar las capacidades de entrada parsitas.
Velocidad de conmutacin viene determinada por la rapidez con que la
carga de esos condensadores pueda transferirse.
Circuito de excitacin debe ser capaz de absorber y generar corrientes
rpidamente para conseguir una conmutacin de alta velocidad.
Carga de las capacidades parsitas
Diferencias de excitacin
con el BJT
Detalles
Detalles
Ejemplo
Calcular la excitacin de un Mosfet
de potencia que tiene las siguientes
caractersticas:
V
TH
=2 a 4V.
V
GSmx
=20V
V
DSmx
=100V
Capacidades parsitas= las de la figura.
Se precisa que el Mosfet conmute al
cabo de 50ns o menos. Si la tensin
de excitacin es de 12V y la de
alimentacin es de 100V calcular la
corriente necesaria y la RB que la
limite.
Solucin
Vemos que las capacidades de entrada y salida a ms de 60V es de
300pF y 50pF respectivamente. Como ambas se tienen que cargar,
necesitaremos:

100 12
I . 50 . 88
50
12 2
. 300 . 60
50
148
DG
DG DG
GS
G GS
dV V V
C pF mA
dt ns
dV V V
I C pF mA
dt ns
Total mA

= = =

= = =
=
Circuito propuesto.
( )
( )
12 4
54 50
148
B
V V
R normalizado
mA

= = O O ;
Simulacin.
Funcionamiento del SCR.
Caracterstica esttica del SCR
Mecanismo de cebado.
Curvas V e I del SCR durante
conmutacin.
Formas de provocar el disparo en
un SCR
Corriente de puerta.
Elevada tensin nodo-ctodo.
Aplicacin de Vak positiva antes de que el bloqueo haya
terminado.
Elevada deriva Vak.
Temperatura elevada.
Radiacin luminosa.
Autodisparo
Autodisparo
Disparo normal
TRIAC
TRIAC. Caracterstica esttica
Cuadrantes de disparo del TRIAC
Disparo de un triac.
Formas alternativas de disparo
Circuitos auxiliares
Ejemplo de V e I en una aplicacin
Circuito equivalente del IGBT
IGBT. Curva caracterstica
Caractersticas de conmutacin.
Valores lmites del IGBT
Capacidades parsitas en un
IGBT
Caracterstica esttica del GTO
Funcionamiento del GTO
I
G
I
A
OFF
OFF
2
1 2
1
Formas de onda de IG
Para entrar en conduccin se necesita una subida rpida y valor IG suficientes.
Se mantiene una Igon
Para cortar se aplica una IG negativa muy grande.
Debe mantenerse una VG negativa para evitar que conduzca de forma espontnea
Circuito de excitacin de puerta
del GTO
Conmutacin del GTO
Encendido por corriente positiva.
Apagado del GTO por corriente
negativa
Comparacin entre los dispositivos de
potencia
UJT
El transistor uniunin (UJT, unijunction transistor) es un dispositivo de conmutacin del tipo
ruptura. Sus caractersticas lo hacen muy til en muchos circuitos industriales, incluyendo
temporizadores, osciladores, generadores de onda, y ms importante an, en circuitos de control
de puerta para SCR y TRIACs.
Cuando el voltaje entre emisor y base1 Veb1, es menor que un cierto valor denominado voltaje de
pico, Vp, el UJT est CORTADO, y no puede fluir corriente de E a B1 (Ie=0). Cuando Veb1
sobrepasa a Vp en una pequea cantidad, el UJT se dispara o CONDUCE. Cuando esto sucede, el
circuito E a B1 es prcticamente un cortocircuito, y la corriente fluye instantneamente de un
terminal a otro. En la mayora de los circuitos con UJT, el pulso de corriente de E a B1 es de corta
duracin, y el UJT rpidamente regresa al estado de CORTE.
UJT. Circuito equivalente.
VBB : Tensin interbase.
rBB : Resistencia interbase
VE : Tensin de emisor.
IE : Intensidad de emisor.
VB2 : Tensin en B2, (de 5 a 30 V para el UJT
polarizado).
VP : Tensin de disparo
IP : Intensidad de pico (de 20 a 30 A.).
Vv : Tensin de valle de emisor Iv : Intensidad
valle del emisor. VD : Tensin directa de saturacin
del diodo emisor (de 0,5 y 0,7 V).
: Relacin intrnseca (de 0,5 a 0,8)
r
BB
r
B1
r
B2
r
B1
r
B1
r
B2
V
P
V
R1
V
D
UJT. Funcionamiento
El transistor monounin (UJT) se utiliza generalmente para generar seales de disparo en los SCR. En la figura se
muestra un circuito bsico de disparo UJT. Un UJT tiene tres terminales, conocidos como emisor E, base1 B1 y base2
B2. Entre B1 y B2 la monounin tiene las caractersticas de una resistencia ordinaria (la resistencia entre bases rBB con
valores en el rango de 4.7 y 9.1 K). Cuando se aplica el voltaje de alimentacin Vs, se carga el condensador C a travs de
la resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT est en circuito abierto. La constante de tiempo del circuito de carga
es T1=RC. Cuando el voltaje del emisor VE, llega a un valor pico Vp, se activa el UJT y el capacitor se descarga a travs
de RB1 a una velocidad determinada por la constante de tiempo T2=RB1C. T2 es mucho menor que T1. Cuando el
voltaje del emisor VE se reduce al punto del valle Vv, el emisor deja de conducir, se desactiva el UJT y se repite el ciclo
de carga.
El voltaje de disparo VB1 debe disearse lo suficientemente grande como para activar el SCR. El periodo de oscilacin,
T, es totalmente independiente del voltaje de alimentacin Vs y est dado por:
T RCln
1
1
PUT.
El transistor monounin programable (PUT) es un pequeo
tiristor con el smbolo de la figura. Un PUT se puede utilizar
como un oscilador de relajacin, tal y como se muestra. El
voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentacin
mediante el divisor resistivo del voltaje R1 y R2, y determina
el voltaje de disparo Vp. En el caso del UJT, Vp est fijado
por el voltaje de alimentacin, pero en un PUT puede variar
al modificar el valor del divisor resistivo R1 y R2. Si el
voltaje del nodo VA es menor que el voltaje de compuerta
VG, se conservar en su estado inactivo, pero si el voltaje de
nodo excede al de compuerta ms el voltaje de diodo VD,
se alcanzar el punto de disparo y el dispositivo se activar.
La corriente de pico Ip y la corriente de valle Iv dependen de
la impedancia equivalente en la compuerta RG =
R1R2/(R1+R2) y del voltaje de alimentacin en Vs. En
general Rs est limitado a un valor por debajo de 100 Ohms.
T RCln 1
R
2
R
1
Aplicacin con UJT
RT (resistencia de carga de CT): De
ellos depende la frecuencia de
oscilacin.
UJT: Proporciona el impulso VOB1 a
la puerta del SCR.
R1: Proporciona un paso a la corriente
de base del UJT (IBB) antes de
dispararlo. Evita que IBB circule por
la puerta del SCR produciendo un
disparo indeseado.
Valor: El necesario para que VGK est
por debajo de la mnima tensin de
disparo.
R2: Estabiliza el funcionamiento del
dispositivo frente a aumentos de
temperatura.
Aplicacin con UJT
R
T
mx
V
BB
V
P
I
P
R
T
mn
V
BB
V
V
I
V
R
T
mx R
T
R
T
mn
T R
T
.C
T
. ln
1
1
donde
V
P
V
BB
R
1
mx
r
BB
.V
GK
mn
V
BB
R
2
100 a 300
DIAC
Diac (Diode Alternative Current): dispositivo bidireccional simtrico (sin
polaridad) con dos electrodos principales, MT1 y MT2, y ninguno de control.
Su estructura es la representada. En la curva caracterstica tensin-corriente se
observa que: V(+ ) < VS ; el elemento se comporta como un circuito
abierto. V(+ ) > VS; el elemento se comporta como un cortocircuito. Se
utilizan para disparar esencialmente a los triacs.
Otros dispositivos de disparo
Optoacopladores
Tambin se denominan optoaisladores o dispositivos de acoplamiento ptico. Basan su funcionamiento en
el empleo de un haz de radiacin luminosa para pasar seales de un circuito a otro sin conexin elctrica.

Fundamentalmente este dispositivo est formado por una fuente emisora de luz, y un fotosensor de
silicio, que se adapta a la sensibilidad espectral del emisor luminoso.
Optoacopladores
Optoacopladores
Circuito con optoacopladores
Acopladores Inductivos
Circuito Equivalente
Ejemplo de acoplo inductivo
Problemas generados por el calor
Tiempo medio entre fallos para diversos semiconductores. MIL-HDBK-217
Produccin de calor
.
R m m
P V I =
2
0,5... . 2
C M
P CVsent e e =
2
0,5.. .. 2
L M
P LI sent e e =
Resistores:


Capacitores:


Inductores:
6,51. .
n m
core mx
P f B =
Transferencia de calor
Transferencia de calor

Conveccin




Conduccin




Radiacin
.
c
c s
q
T
h A
A =
.
.
c
q L
T
k A
A =
( )
4 4
1,2 1 2
.. .
r
q FATT co =
qc = flujo de calor por conveccin desde la superficie.
hc = coeficiente de transferencia de calor de conveccin.
As = superficie de transmisin de calor.
q = flujo de calor por conduccin.
L = longitud de conduccin.
Ac = rea transversal de conduccin.
k = coeficiente de conductividad trmica del material.
AT = diferencia de temperaturas.
c = coeficiente de emisividad (0 a 1)
o= Constante de Stefan-Boltzmann
A = rea de radiacin
T1 y T2 = diferencias de temperatura superficial
F1,2 = factor de diferencia entre las dos superficies de los
diferentes cuerpos

Conductividad trmica
Resistencias trmicas
Resistencias trmicas
1,2 1,2
.
Th
T P R A =

Impedancia trmica
Comportamiento dinmico
Disipadores
Transitorios en las lneas de alimentacin
Topologa de proteccin
Componentes para proteccin
Caractersticas
Circuitos de proteccin
a) Proteccin en lneas equilibradas de
comunicaciones.
b) Proteccin contra descargas en antenas.
Insuficiente proteccin de componentes
posteriores.
c) Gran capacidad de absorcin de corriente. Ideal
para lneas de red.
d) Circuito mejorado. El inductor permite la
conmutacin de sobrecorriente del varistor al
descargador.
e) Evita la corriente de seguimiento de la red.
f) Tambin evita la corriente de seguimiento de la red,
pero mejora el anterior.

Circuitos de proteccin
g) Dobla la capacidad energtica de
limitacin de sobretensiones.
h) Igual que el anterior pero ms rpido.
i) Ideal para lneas de comunicaciones,
es mejor que el circuito d, pero
peor cuando los impulsos de
sobretensin tienen una pendiente
lenta.
j) El automatismo sirve para evitar que
el varistor quede cortocircuitado en
caso de envejecimiento.
k) Circuito bsico de proteccin en
modo comn.
Protecciones contra excesos elctricos
Dispuestos de mayor a menor capacidad de disipacin de energa y de menor a mayor
velocidad de respuesta.
Protecciones para red
El primero es un circuito bsico
que puede proteger una lnea de
red en modo diferencial y en
modo comn.
El segundo es un circuito de
proteccin en modo comn con
tres escalones. Puede quedar un
cierto nivel de tensin
diferencial.
El tercero es un circuito
completo de proteccin en modo
comn y en modo diferencial.
Protecciones para lneas de entrada de
datos.
Protecciones para lneas de entrada de
datos.
Protecciones con diodos supresores de
sobretensiones.
Protecciones con diodos supresores de
sobretensiones.
Protecciones terciarias contra
sobretensiones de alta frecuencia.
Proteccin de alta seguridad.
Filtros de red comerciales
Proteccin contra transitorios.
Snubbers
ivPP
IL
Circuito de proteccin de transistor
i
v
P
i
v
P
v
P
i
IL DL Ds C
Prdidas en funcin a C
Formulacin.
( ) ( ) ( )
2
0
1
..................................0
2
1
....
2
..................................................................
t
L L
f
f f
t
L f
L
C L c f f f x
tf
S x
I t I t
dt t t
C t Ct
I t
I
V t I dt v t t t t t t
C C C
V t t

= s s

= + = + s s

>

}
}
.
2
L f
f
I t
C
V
=
Si la corriente del interruptor llega a cero antes
de que el condensador se cargue por completo la
tensin del condensador se calcula a partir de la
primera ecuacin, saliendo:
El condensador se elige a veces de forma que
la tensin del interruptor alcance su valor
final al mismo tiempo que la corriente vale
cero
.
2
L f
S
I t
C
V
=
Formulacin.
Para calcular el valor de la resistencia, sta se elige de forma
que el condensador se descargue antes de que el transistor
vuelva a apagarse. Se necesitan de 3 a 5 intervalos de tiempo
para que se descargue el condensador.
2
2
2
5 ,
5
1
2
1
1
2
2
ON
ON
S
S
R S
t
t RC R
C
W CV
CV
P CV f
T
s
=
= =
f
Formulacin.
Las prdidas en el transistor varan con el circuito que se aade. La
primera frmula se refiere a las prdidas en el transistor sin circuito
de proteccin.
( )
2 2
2
0 0
1
2
1
1
2 24
Q L S s f
T tf
L f
L
Q Q Q L
f f
P I V t t f
I t f
I t t
P v i dt f I dt
T Ct t C
= +
| | | |
= = =
| |
| |
\ . \ .
} }
Comparacin sin y con snubber.