UNIVERSIDAD DEL NORTE

IEN 7220: Electrnica III 2014-10 - NRC: 8416 Tarea 1

Fecha de Entrega: Viernes, Febrero 14 de 2014
Nota:
Esta actividad se puede desarrollar en grupos mximo de dos estudiantes.

Preliminares:
1. 2. 3. Uso de software de simulacin, por ejemplo: LTSpice. En el Catalogo Web se encuentra documentacin y tips sobre el uso de LTSpice. Uso de parmetros para transistores del proceso semiconductor C5N. Puede usar los valores determinados en tareas anteriores (Electrnica II).

Actividad:
1. Dado el circuito siguiente, desarrolle lo siguiente: a. Estime tericamente la corriente de polarizacin. b. Dibuje la funcin de transferencia vO vs. vI para una resistencia de carga RL = 100K!. c. Repita el Inciso b. para una resistencia de carga RL = 1k!. d. Utilice SPICE para verificar Incisos a., b. y c. e. Con la ayuda del simulador determine la THD para el Inciso c.
VDD = 2.5V

10k!

vI

6400m/0.6m

M1

vO

1.5m/0.6m

M3

1.5m/0.6m

M2

RL

- VDD = -2.5V

!
!"#$%"%&'($'")(*+,-(.%/"010'(!%"&'2(!3-4-(

2.

Dado el circuito siguiente, desarrolle lo siguiente: a. Estime tericamente la mxima corriente que puede ser enviada/extrada de la resistencia de carga. b. Dibuje la funcin de transferencia vO vs. vI. c. Utilice SPICE para verificar Incisos a. y b. d. Con la ayuda del simulador muestre la forma de onda de salida para una onda sinusoidal de entrada con valor pico de 1.5V y frecuencia igual a 10kHz. e. Con la ayuda del simulador determine la THD.
VDD = 2.5V

6400m/0.6m

M1

vI

vO

192000m/0.6m

M2

RL = 10k!

- VDD = -2.5V

!
!"#$%"%&'($'")(*+,-(.%/"010'(!%"&'2(!3-4.